Kiểu mạch phân cực nào của JFET giữ dòng máng không đổi tốt nhất khi có thay đổi về các thông số của JFET?. Hệ số khuyếch đại điện áp tín hiệu của một mạch khuyếch đại JFET là.. Trở khán
Trang 1BÀI TẬP CHƯƠNG TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG.
A Câu hỏi phần Transistor hiệu ứng trường cổng tiếp giáp.
6.1 Giới thiệu về các JFET.
1 Ba điện cực của FET được gọi là
a Nguồn, cổng và máng;
b Emitter, base và collector;
c Emitter, máng, và base;
d Nguồn, base, và máng
2 Ký hiệu mạch nào sau đây là của JFET kênh N ?.
3 Dòng điện chảy qua kênh dẫn của một JFET được điều khiển bằng
a Điện áp phân cực thuận giữa cổng và nguồn;
b Điện áp phân cực thuận giữa cổng và máng;
c Điện áp phân cực ngược giữa cổng và nguồn;
d Dòng cổng chảy qua tiếp giáp cổng / nguồn
4 Dòng máng của một JFET kênh N sẽ giảm xuống khi
a Điện áp cổng thay đổi theo chiều âm;
b Điện áp cổng thay đổi theo chiều dương;
6 JFET khác với BJT bởi vì JFET
a chỉ có thể khuyếch đại điện áp;
b chỉ có thể khuyếch đại dòng điện;
c là dụng cụ điều khiển bằng điện áp;
9 Điện áp cổng - nguồn làm ngưng dòng máng của JFET là .
10 Công thứci d /v gs là biểu thức tính cho thông số
11 Điện áp máng - nguồn khi dòng máng trở nên gần bằng hằng số được gọi là điện áp
a Thắt [Pinch-off]; b ngắt [cutoff]; c bão hoà; d không đổi
12 Độ hổ dẫn khi điện áp cổng - nguồn bằng 0 là
Trang 26.4 Phân cực cho mạch khuyếch đại JFET nguồn chung.
13 Kiểu phân cực nào không được dùng cho mạch JFET ?.
a Phân cực kiểu phân áp;
b Phân cực kiểu hồi tiếp điện áp;
c Phân cực nguồn;
d tự phân cực
14.Các mạch tự phân cực cần số lượng linh kiện ít nhất và cũng có ưu điểm là
a Duy trì dòng máng không đổi khi có các thay đổi về các thông số của JFET;
b Duy trì dòng cổng không đổi khi có các thay đổi về các thông số của JFET;
c Duy trì VGSkhông đổi khi có các thay đổi về các thông số của JFET;
d Duy trì gm không đổi khi có các thay đổi về các thông số của JFET.
15 Kiểu mạch phân cực nào của JFET giữ dòng máng không đổi tốt nhất khi có thay đổi về các thông số của JFET ?
a Phân cực kiểu phân áp;
b Phân cực kiểu hồi tiếp điện áp;
c Phân cực nguồn;
d Tự phân cực
6.5 Các thông số tín hiệu của JFET.
16 Hệ số khuyếch đại điện áp tín hiệu của một mạch khuyếch đại JFET là
17 Giảm điện trở tải (RL) sẽ làm về hệ số khuyếch đại điện áp của mạch khuyếch đại JFET.
a giảm; b không thay đổi; c tăng một ít; d tăng lớn
18 Trở kháng vào của mạch khuyếch đại nguồn chung bằng JFET là
a Thường cao hơn so với trở kháng vào của mạch khuyếch đại bằng BJT;
b Bằng với trở kháng tín hiệu nối đất đối với cực cổng;
c Dễ được điều chỉnh bởi sự thay đổi các điện trở nối với cực cổng;
d Tất cả các trường hợp trên
19 Trở kháng ra của mạch khuyếch đại JFET nguồn chung là bằng với
6.6 Phân tích các mạch khuyếch đại bằng JFET.
20 Bài toán phân tích mạch khuyếch đại JFET dễ dàng hơn nếu biết cặp thông số nào sau đây ?.
a IDSS, VGS(off); b gm, IDSS; c gm, VGS; d VGS, VGS(off).
21 Mức xấp xỉ V GS hợp lý dùng để phân tích các mạch JFET là
22 Giá trị gần đúng hợp lý của gm dùng để thiết kế các mạch JFET là
6.7 Mạch khuyếch đại máng chung.
23 Hệ số khuyếch đại điện áp của mạch khuyếch đại JFET kiểu máng chung xấp xỉ bằng
Trang 36.8 Các JFET kênh N và kênh P.
25 Ký hiệu mạch nào sau đây là dùng cho JFET kênh P ?
28 Trong mạch chuyển mạch JFET kiểu song song, JFET được mắc
a Nối tiếp với tải và song song với Rs;
b Nối tiếp với Rsvà song song với tải;
c Nối tiếp với tải và nối tiếp với Rs;
d Song song với tải và song song với Rs.
6.10 Sai hỏng trong các mạch JFET.
29 Trong mạch hình 6.37, điện áp DC trên cực cổng đo được là 0V, thì sai hỏng có trong mạch là do:
Trang 4d JFET bị hở mạch
32 Ở mạch hình 6.38, nếu điện áp trên cực cổng là 2,8V và điện áp trên cực nguồn và cực máng là 6V, có sai hỏng nào với mạch không?
a JFET bị ngắn mạch cực máng với cực nguồn;
b JFET hở mạch cực máng với cực nguồn;
35 Trong mạch hình 6.39, nếu mức điện áp điều khiển bằng 0V và mức điện áp tín hiệu trên tải bằng
80mVđỉnh-đỉnh , có sai hỏng nào với mạch ?
a JFET hở mạch giữa cực máng và cực nguồn;
b JFET bị ngắn mạch giữa cực máng và cực nguồn;
c điện trở R ghở mạch;
d mạch có chức năng phù hợp
Trang 536 Trong mạch hình 6.39, nếu điện áp điều khiển bằng - 8V và điện
áp tín hiệu trên tải bằng 100V đỉnh-đỉnh , có sai hỏng nào với mạch ?
a JFET hở mạch giữa cực máng và cực nguồn;
b JFET bị ngắn mạch giữa cực máng và cực nguồn;
c điện trở R ghở mạch;
d mạch có chức năng phù hợp
B Bài tập phần JFET.
[ Lưu ý: Tất cả các bài tập dưới đây đều sử dụng JFET có cùng các
thông số như đặc tuyến truyền đạt hình 6.40, còn BJT (nếu có trong
mạch) thì có thể sử dụng thông số F(min) = 100 ].
1 Tính độ hổ dẫn của JFET có đặc tuyến ở hình 6.40 tại điện áp
phân cực VGS = - 2V (sử dụng độ thay đổi về điện áp VGS là 0,5V cho
zin= zout= Av= Vout=
4 Nếu điện áp đo được tại cực nguồn của mạch hình 6.41, là 1V, tính điện áp tại cực cổng và tại cực máng.
VG= VD=
5 Hình 6.42, là mạch khuyếch đại JFET tự phân cực Hãy tính các giá trị sau:
VG= VS= VD=
zin= zout= Av= Vout=
6 Hình 6.43, là mạch khuyếch đại JFET phân cực kiểu phân áp Tính các giá trị tĩnh: VG; VS; VD; và VDS.
VG= VS= VD= VDS=
Trang 7zin= zout= Av= Vout=
12 Tính các giá trị sau đây cho mạch hình 6.46.
VG= VS= VD= VDS=
zin= zout= Av= Vout=
13 Hình 6.47, là một mạch khuyếch đại JFET tự phân cực Tính các giá trị sau:
VG= VS= VD= VDS=
zin= zout= Av= Vout=
Trang 9C Câu hỏi về MOSFET.
7.1 Giới thiệu về các MOSFET.
1 Từ MOS trong cấu trúc MOSFET là viết tắt của (các ký tự gạch chân)
a Material Of Semiconductor [vật liệu bán dẫn] ;
b Metal - Oxide - Semiconductor [kim loại - oxide - bán dẫn];
c Most standard Semiconductor [chất bán dẫn tinh khiết nhất] ;
d Không phải các trường hợp trên
2 Để cách ly cổng kênh JFET phụ thuộc vào tiếp giáp PN phân cực ngược, nhưng MOSFET sử dụng các lóp mỏng bằng như một lớp cách điện giữa cổng và kênh dẫn.
a dioxide silicon; b thuỷ tinh; c Cao su; d thu ỷ tinh cao cấp
7.2 MOSFET kiểu nghèo D - MOSFET.
3 Ký hiệu mạch của D - MOSFET kênh N là
4 Khi điện áp trên cổng của một D - MOSFET kênh N âm và làm giảm các hạt tải điện, thì MOSFET được xem là đang làm việc ở chế độ
a Nghèo; b Tăng cường; c dẫn điện; d cục bộ
5 Dòng máng có thể chảy qua một D - MOSFET khi đang hoạt động ở
a chỉ ở chế độ nghèo; b ch ỉ ở chế độ tăng cường;
c hoặc ở chế độ tăng cường hoặc ở chế độ nghèo; d chỉ ở chế độ cục bộ
6 Nếu một mạch khuyếch đại bằng D - MOSFET được thiết kế có mức điện áp phân cực bằng 0 giữa cổng
và nguồn, thì dòng máng tại điểm làm việc tĩnh sẽ bằng
a 0mA; b 10mA; c IDSS; d Rd / gm.
7 Ký hiệu mạch của D - MOSFET kênh P là
7.3 E - MOSFET.
8 Ký hiệu mạch của E - MOSFET kênh N là
9 Dòng máng có thể chảy qua một E - MOSFET khi đang hoạt động ở
a chỉ ở chế độ nghèo; b ch ỉ ở chế độ tăng cường;
c hoặc ở chế độ tăng cường hoặc ở chế độ nghèo; d chỉ ở chế độ cục bộ
10 Mức điện áp cổng - nguồn cần thiết để làm cho dòng máng của E - MOSFET bắt đầu chảy được gọi là
a ngắt [cutoff]; b chuẩn bị dẫn [cut-on]; c bão hoà [saturation]; d ngưỡng [threshold]
11 Với điện áp cổng - nguồn bằng 0, thì mạch chuyển mạch E - MOSFET hoạt động như một mạch
a đường dây dẫn điện; b ngắn mạch; c hở mạch; d điện trở thấp
12 Khi mạch chuyển mạch E - MOSFET chuyển sang dẫn, thì điện trở giữa máng và nguồn sẽ thấp hơn so với
a 1; b RDS(on); c Rg / gm; d Rd / gm.
13 Khi hoạt động ở chế độ A (chế độ khuyếch đại), E - MOSFET kênh N cần phải có
a Điện áp tại cực nguồn dương hơn so với điện áp tại cực cổng
b Điện áp tại cực nguồn dương hơn so với điện áp tại cực máng
c Điện áp tại cực cổng dương hơn so với điện áp tại cực nguồn
d Điện áp tại cực cổng âm hơn so với điện áp tại cực nguồn
Trang 1014 Kiểu mạch phân cực thường được sử dụng trong các mạch khuyếch đại E - MOSFET là
a Phân cực hồi tiếp máng; b Phân cực nguồn; c Tự phân cực; d Phân cực nguồn dòng hằng
15 Ký hiệu mạch của E - MOSFET kênh P là
7.4 Sử dụng MOSFETs.
16 Khi làm việc với các MOSFET, cần phải biết các lưu ý sử dụng đặc biệt, mà một trong số các điểm đề phòng sau là không đúng.
a Tất cả các thiết bị và các dụng cụ cần phải được tiếp đất
b Các cực của MOSFET cần phải được nối với nhau khi chuyên chở và bảo quản
c Không bao giờ tháo hoặc lắp MOSFET khi nguồn cung cấp tắt
d Công nhân làm việc với các dụng cụ MOSFET cần phải có vòng nối đất ở cổ tay
7.5 Các thông số của MOSFET.
17 Thông số nào sau đây nếu vượt quá sẽ làm cho FET bị đánh thủng và dẫn.
a V(BR)DSS; b IDSS; c VGS(th); d VGS(on).
18 Điện áp phân cực cổng - nguồn để có dòng máng chảy trong E - MOSFET là
a V(BR)DSS; b IDSS; c VGS(th); d VGS(on).
7.6 Các ứng dụng của MOSFET.
19 Lý do khiến FET là dụng cụ lý tưởng để sử dụng ở các tầng đầu của máy thu là
a FET phát sinh nhiễu nội thấp hơn so với BJT
b không thể điều khiển hệ số khuyếch đại của FET bằng cách điều khiển điểm phân cực
c FET có thể làm việc ở nhiệt độ trên 500oC
d Cả a và b
20 E - MOSFET là cấu kiện rất tốt để sử dụng trong các mạch chuyển mạch bởi v ì
a RDS(on)thường nhỏ hơn 10;
b E - MOSFET thường hở mạch cho đến khi có tín hiệu điều khiển làm cho E - MOSFET dẫn;
c Chỉ cần một mức công suất nhỏ cho mạch điều khiển;
d Tất cả các trường hợp trên
21 Nhiều tín hiệu có thể được truyền trên cùng một đường dây là do sử dụng
a ghép kênh theo thời gian;
b sản phẩm đường dây đơn;
c việc điều khiển MOSFET mắc nối tiếp;
d việc tách tạp âm
22 Mạch chuyển đổi tín hiệu DC hay tín hiệu tần số thấp th ành tín hiệu tần số cao là
a ghép kênh [multiplexing]; b hạn chế [clipper]; c ngắt quãng [chopper]; d giải ghép [demultiplexing]
23 Mạch được chế tạo bằng cả hai loại MOSFET k ênh N và kênh P được gọi là mạch
a NP; b PN; c hai k ênh; d CMOS
7 Sai hỏng trên các mạch FET.
24 Nếu nguồn tín hiệu có trở kháng v ào 100k nối với mạch hình 7.33a, nguồn tín hiệu bị quá tải thì khả năng hư hỏng của mạch là do nguyên nhân nào ?.
a Điện trở Rghở mạch;
b Điện trở Rdbị ngắn mạch;
c Điện trở Rdhở mạch;
d MOSFET hỏng
Trang 121 Hình 7.35, là đặc tuyến truyền đạt của một D - MOSFET Từ đặc tuyến
hãy xác định giá trị của VGS(off) và IDSS.
zin= zout= Av= Vout=
4 Tính trở kháng vào (zin), trở kháng ra (zout), hệ số khuyếch đại điện áp (Av), và mức điện áp ra (Vout) ở mạch hình 7.36, nếu biết gmo bằng 6mS.
zin= zout= Av= Vout=
Trang 13zin= zout= Av= Vout=
7 Hình 7.38, là đặc tuyến truyền đạt của một E - MOSFET Từ đặc tuyến hãy
9 Tính trở kháng vào (zin), trở kháng ra (zout), hệ số khuyếch đại điện áp (Av),
và mức điện áp ra (Vout) ở mạch hình 7.39, nếu biết gm tại điểm tĩnh - Q bằng
3mS
zin= zout= Av= Vout=
Trang 1410 Hãy tính mức tín hiệu ra của mạch chuyển mạch ở hình 7.40, khi MOSFET ngưng dẫn (off), và khi MOSFET dẫn (on).
Chuyển mạch mở (on) = Chuyển mạch đóng (off) =
11 Hãy tính mức tín hiệu ra của mạch chuyển mạch ở h ình 7.41, khi MOSFET ngưng dẫn (off), và khi MOSFET dẫn (on).
MOSFET ngưng dẫn (off) = MOSFET dẫn (on) =
12 Hãy thiết kế và vẽ một mạch chuyển mạch trong đó chuyển mạch mở (dẫn on) và đóng (ngưng dẫn off) điện áp nguồn cung cấp 15V đến tải 100 Nguồn điều khiển sẽ nhìn mạch chuyển mạch như một trở kháng 100k Đặc tuyến truyền đạt của E - MOSFET được sử dụng trong mạch cho ở hình 7.42.
Trang 15BÀI TẬP BỔ SUNG CHƯƠNG FET.
4.1 Họ đặc tuyến cho vùng làm việc của transistor hiệu ứng trường kênh-n cụ thể có thể
gần đúng bằng phương trình: 054 2mA
GS
v ,
i D , khi duy trì các điều kiện: RS= 500,
RD= 2k, Rin= 100k, IDQ= 5mA, và VDD= 20V Hãy xác định các thông số sau:
a) VGSQ; b) VD; c) VDSQ; d) R1 + R2 Dựa trên mạch ở hình P4.1.
4.2 Trong mạch ở hình 4.16a, khi có R1= 21k, R2= 450k, RS = 500, RD= 1,5k,
RL= 4k, và VDD= 12V, xác định các thông số sau khi VDSQ= 4V:
a) IDQ; b) VGSQ; c) Rin; d) Av khi gm = 3,16mS; e) Ai.
4.3 Trong mạch ở hình 4.16a, RD= 2k, RL= 5k, Rin= 100, RS= 300, và VDD =
15V Xác định các trị số của R1 và R2 cần thiết để transistor làm việc ở mức 4mA khi VGSoff = - 4V và IDSS=8mA Tính hệ số khuyếch đại điện áp và dòng điện của mạch khuyếch đại
4.4 a) Thiết kế mạch khuyếch đại CS (hình P4.1) sử dụng JFET kênh-p đáp ứng các thông số yêu cầu là Av
= - 10 và Rin= 20k Giả thiết là điểm-Q được chọn tại IDQ= - 1mA, VDSQ = -10V, VGSQ= 0,5V
b) Tính Ai, R1, R2, RS, và RD (Dựa vào đặc tuyến ở hình P4.2 Lưu ý rằng có thể có chia tách RS và mạch rẽ cho RS.
4.5 Lặp lại bài tập 4.4 khi RLlà 20k được mắc vào cực máng
qua một tụ ghép Chú ý là có thể cần phải chọn điểm-Q khác.
4.6 Thiết kế mạch khuyếch đại CS sử dụng MO SFET như
mạch ở hình P4.3 Cho RL= 1k, Av= - 1, Rin= 15k Điểm-Q
được chọn tại VGSQ = 3V, IDQ = 7mA, VDSQ = 10V, trong đó gm
= 2300S Xác định các trị số cho tất cả các cấu kiện c òn lại
4.7 Thiết kế mạch khuyếch đại CS sử dụng JFET k ênh-n cho
kiểu mạch như ở hình P4.4, với
Av = - 1, VDD = 12V, RL = 1k,
Rin = 15k, IDSS = 10mA, và
VGSoff = - 4V Sử dụng IDQ = IDSS/ 2
4.8 Thiết kế mạch khuyếch đại CS sử dụng JFET k ênh-n khi có RL= 4k, Av
= - 3, và Rin= 50k Giả sử là transistor sử dụng có VGSoff= - 4,2V và IDSS=
6mA Sử dụng mạch ở hình P4.4 với VDD = 20V Xác định Ai.
4.9 Thiết kế mạch khuyếch đại CS bằng JFET k ênh-n có AV = -2, Ai = -20,
VDD = 12V, và RL = 5k Xác định tất cả các trị số cấu kiện và mức công suất định mức của transistor
(mạch có thể cần phải thay đổi để đáp ứng thiết kế) Transistor đ ược chọn có
VGSoff = - 5V và IDSS = 8mA Sử dụng IDQ = 0,4IDSS và VDSQ = VDD/2 Xem
mạch ở hình P4.4
4.10 Thiết kế mạch khuyếch đại bằng JFET k ênh-p CS với AV = - 4, Ai =
-40, RL= 8k, và VDD= - 16V Transistor được chọn có VGSoff = 3V và IDSS=
-7mA, sử dụng IDQ = 0,3IDSS và VDSQ = VDD/2 Sử dụng mạch ở hình P4.4 Xác
định công suất định mức của transistor
4.11 Thiết kế mạch khuyếch đại bằng JFET k ênh-p CS với tải là 5k, sử dụng mạch ở hình P4.4 Cho VDD = - 20V, AV = - 2, Ai = - 20, VGSoff= 6V và
IDSS= - 5mA Xác định công suất định mức của transistor
Trang 16xvi 4.12 Thiết kế mạch khuyếch đại bằng MOSFET k ênh-n, chung cực nguồn (CS) sử dụng transistor 3N128
(phụ lục D) cho tải là 10kvới hệ số khuyếch đại điện áp Av= - 10 Sử dụng mạch ở hình P4.3 Chọn
điểm-Q bằng cách sử dụng họ đặc tuyến thể hiện ở các thông số kỹ thuật khi Rin> 10k
4.13 Thiết kế mạch khuyếch đại bằng MOSFET k ênh-n, chung cực nguồn (CS) sử dụng transistor 3N12 8
(phụ lục D) cho tải là 2kvới Av = - 4 và Rin> 100k Giả sử rằng, điểm-Q đã được chọn là VGSQ= - 0,6V,
VDSQ = 10V, IDQ = 10mA, VDD= 20V Tham khảo mạch ở hình P4.3
4.14 Phân tích mạch khuyếch đại bằng JFET kênh-n CS như mạch ở hình P4.5, khi có tải là 20k, RD=8k, VDD= 24V, và Rin= 50k Chọn điểm-Q có VGSQ= - 1,5V, VDSQ = 12V, IDQ = 1mA, và gm= 2,83mS
Hãy tính tất cả các trị số của cấu kiện, Ai, và Av.
4.15 Nếu RSở mạch hình P4.4, được rẽ mạch bằng tụ, thì hệ số khuyếch đại điện áp là bao nhiêu ? Giả sử
rằng điểm-Q đã được chọn để có gm = 1,5mS, RD= 3,2k, và RL= 5k Xác định hệ số khuyếch đại dòng
điện khi RS= 500, R1= 200k, và R2= 800k
4.16 Hệ số khuyếch đại điện áp Av của mạch ở hình P4.4, là bao nhiêu nếu tín hiệu được cung cấp vào
mạch khuyếch đại có điện trở của nguồn điện áp l à Ri = 10k ? Giả sử rằng, RD= 10k, và RL= 10k, RS=500, gm= 2mS, R1= 25k, và R2= 120k
4.17 Cho mạch hình P4.6, giả sử rằng RS được rẽ mạch bằng một tụ điện VDD = 15V, RD= 2k, RL= 3k,
RS = 200, R1 = 500k, IDSS = 8mA, và VGSoff = - 4V Hãy xác định Av, Ai, Rin, và điểm-Q cho mạch
khuyếch đại
4.18 Cho mạch hình P4.6, giả sử rằng VDD = 20V, RD = 2k, RL= 10k, RS = 200, R1 = 1M, IDSS=
10mA, và VGSoff = - 5V Hãy xác định điểm-Q, Av, Ai, Rin, và cho mạch khuyếch đại.
4.19 Cho mạch hình P4.6, giả sử rằng VDD = 20V, RD = 2k, RL = 6k, RS = 100, R1 = 1M, IDSS =
10mA, và VGSoff = - 5V Hãy xác định điểm-Q, Av, Ai, Rin, và cho mạch khuyếch đại.
4.20 Cho mạch khuyếch đại CS như ở hình P4.1, sử dụng JFET có IDSS = 2mA, và gm0= 2000S Nếu trị số
của RD = 10k, RL= 200, thì hệ số khuyếch đại điện áp Avlà bao nhiêu đối với các giá trị của VGSQsauđây ?
a) – 1V; b) – 0,5V; c) 0V
4.21 Mạch khuyếch đại CS ở hình P4.6, với transistor có VGSoff = - 4V, IDSS = 4mA, và rDS= 500 Nếu RD
= 2k, RL= 4k, và RS= 200, thì hệ số khuyếch đại điện áp Avcủa mạch là bao nhiêu nếu VGSQ= - 1V ?
Av sẽ như thế nào khi rDSđạt đến vô cùng ?
4.22 Thiết kế mạch khuyếch đại bằng MOSFET k ênh-n CS như mạch ở hình P4.3, khi có RL= 4k, Av=
-5, và Ai = - 10 Giả sử rằng, điểm-Q đã chọn có VDSQ = 10V, VGSQ = 4V, IDQ = 2mA, và gm= 4000S
4.23 Cho mạch như ở hình P4.7, có Ri= 50k, R1= 100k, R2= 800k, RD= 4k, RL= 6k, RS= 200,
và VDD = 20V, xác định các thông số sau khi sử dụng FET có VDSQ = 6V, gm= 2,5mS:
a) IDQ, VGG, và VGSQ
b) Av, Rin, và Ai.
4.24 Cho mạch như ở hình P4.7, nếu loại bỏ R2, transistor FET làm việc ở mức dòng là 2mA Trị số của các cấu kiện là Ri= 100k, R1= 400k, RD= 3k, RL= 5k, và VDD= 12V Xác định các thông số sau khi sử
dụng transistor có IDSS = 8mA, và VGSoff= - 4V:
a) RS
b) Av, Rin, và Ai.
4.25 Thiết kế mạch khuyếch đại lặp lại cực nguồn ( SF) bằng JFET kênh-p như ở hình P4.8, với Rin= 20k,
để nhận được hệ số khuyếch đại điện áp Av gần bằng 1 Tính Ai, R1, R2, và RS Sử dụng họ đặc tuyến cho ở
hình P4.2
