Electronic principles - Chapter 8 pdf

Chương 8 Phân cực BJT Từ Vựng (1) • Collector-feedback bias = phân cực hồi tiếp cực thu • Emitter-feedback bias = phân cực hồi tiếp cực phát • Firm voltage divider = cầu chia áp • PNP transistor • Prototype = [sản phẩm] mẫu • Q point = điểm [tĩnh] Q • Self-bias = tự phân cực • Stage = tầng Từ Vựng (2) • Stiff voltage divider = mạch chia áp hằng • Two-supply emitter bias (TSEB) = phân cực phát với 2 nguồn cấp điện • Voltage-divider bias = phân cực bằng mạch chia áp Nội dung chương 8 1. Phân cực bằng mạch chia áp (VDB) 2. Phân tích VDB chính xác 3. Đường tải VDB và điểm Q 4. Phân cực dòng phát hằng với 2 nguồn cấp điện 5. Các kiểu phân cực khác 6. Troubleshooting 7. Transistor PNP 8-1 Phân cực bằng mạch chia áp (VDB) +V CC R C R E R 1 R 2 Phân cực bằng mạch chia áp (VDB) { R 1 and R 2 tạo thành mạch chia áp H.8-1 a) Mạch phân cực VDB +V CC R 1 R 2 +V BB Phân tích mạch chia áp V BB = R 2 R 1 + R 2 V CC GIẢ THIẾT: Dòng nền nhỏ hơn nhiều dòng qua mạch chia áp I E = V BB - V BE R E V C = V CC - I C R C V CE = V C - V E I C ≅ I E +V CC R C R E V BB Hoàn tất phân tích: Mạch VDB đơn giản hóa Quá trình 6 bước 1. Tính điện áp nền V B bằng phương trình mạch chia áp. 2. Trừ 0.7 V để có điện áp phát V E . 3. Chia cho điện trở phát R E để có được dòng phát I E . 4. Xác định sụt áp trên điện trở ở cực thu R C . 5. Trừ vào V CC có được điện áp thu V C . 6. Tính sụt áp C-E: V CE = V C – V E . 8-2 Phân tích VDB chính xác [...]... VBB - VBE IE = R1 R2 RE + β dc R2 RE 8- 3 Đường tải VDB và điểm Q • Vì VDB xuất phát từ phân cực phát nên Q không bị ảnh hưởng bởi độ lợi dòng • Thay đổi điểm Q bằng cách thay đổi điện trở phát RE  8- 4 Phân cực [dòng] phát [hằng] với 2 nguồn cấp điện (TSEB) Mạch TSEB IE = VEE - 0.7 V 3.6 kΩ 10 V RE Giả sử VB=0 V 2.7 kΩ IE = 2 V - 0.7 V 1 kΩ = 1.3 mA 1 kΩ 2V Tìm các điện áp: 3.6 kΩ 10 V VC = 10 V - (1.3... 5.32 V VCE = 5.32 V - (-0 .7 V) = 6.02 V 2.7 kΩ 1 kΩ 2V 8- 5 Các kiểu phân cực khác Phân cực [dòng] nền [hằng] RB • Khó biết trước • Điểm Q di chuyển khi thay BJT • Điểm Q di chuyển theo nhiệt độ • Không thực tế +VCC RC Phân cực hồi tiếp [cực] phát (Emitter-feedback bias) RB • Tốt hơn phân cực nền • Điểm Q vẫn di chuyển • Không phổ biến +VCC RC RE Phân cực hồi tiếp [cực] thu (Collector-feedback bias) RB... +VCC RC Phân cực hồi tiếp thu và phát (Collector- and emitter -feedback bias) RB • Tốt hơn phân cực phát • Không tốt bằng VBD • Ứng dụng hạn chế +VCC RC RE Phân cực phát 2 nguồn (Two-supply emitter bias) • Rất ổn định • Cần 2 nguồn cấp điện +VCC Phân cực mạch chia áp (Voltage divider bias) R1 • Rất ổn định • Cần 1 nguôn cấp điện • Phổ biến nhất R2 RC RE 8- 7 Transistor PNP PNP Transistors IB IC IE Electron... Rất ổn định • Cần 1 nguôn cấp điện • Phổ biến nhất R2 RC RE 8- 7 Transistor PNP PNP Transistors IB IC IE Electron flow IB IC IE Conventional flow Phân cực PNP +VEE R2 R1 RE RC (A) Với nguồn dương R1 R2 -VCC RC RE (B) Với nguồn âm . V 1 kΩ = 1.3 mA 10 V3.6 kΩ 2.7 kΩ 1 kΩ 2 V V C = 10 V - (1.3 mA)(3.6 kΩ) = 5.32 V V CE = 5.32 V - (-0 .7 V) = 6.02 V Tìm các điện áp: 8- 5 Các kiểu phân cực khác +V CC R C R B Phân cực [dòng]. điện trở phát R E . 8- 4 Phân cực [dòng] phát [hằng] với 2 nguồn cấp điện (TSEB) Mạch TSEB 10 V3.6 kΩ 2.7 kΩ 1 kΩ 2 V Giả sử V B =0 V I E = V EE - 0.7 V R E I E = 2 V - 0.7 V 1 kΩ = 1.3 mA . Troubleshooting 7. Transistor PNP 8- 1 Phân cực bằng mạch chia áp (VDB) +V CC R C R E R 1 R 2 Phân cực bằng mạch chia áp (VDB) { R 1 and R 2 tạo thành mạch chia áp H. 8- 1 a) Mạch phân cực VDB +V CC R 1 R 2 +V BB Phân