Electronic principles - Chapter 6 potx

Chương 6 Bipolar Junction Transistor (BJT) Từ Vựng (1) • Active region = miền tích cực • Base (B) = (miền/cực) nền • Bipolar transistor = transistor lưỡng cực • Breakdwon region = miền đánh thủng • Collector (C) = (miền/cực) thu (hay góp) • Collector diode = diode tạo bởi J C • Common base (CB) = nền chung • Common collector (CC) = thu chung • Common emitter (CE) = phát chung Từ Vựng (2) • Current gain = độ lợi dòng • Curve tracer = máy vẽ đặc tuyến • Cutoff region = miền tắt • Emitter (E) = (miền/cực) phát • Emitter diode = diode tạo bởi J E • H parameter = tham (thông) số hỗn hợp H (Hybrid) • Integrated circuit = vi mạch = mạch tích hợp = IC Từ Vựng (3) • Heat sink = tản nhiệt, giải nhiệt • Junction trasistor = trasistor tiếp xúc • Power trasistor = trasistor công suất • Saturation region = miền bão hòa • Small-signal trasistor = trasistor tín hiệu nhỏ • Switching circuit = mạch chuyển mạch, mạch xung • Thermal resistance = nhiệt trở Nội dung chương 6 1. Transistor chưa phân cực 2. Transistor có phân cực 3. Các dòng điện trong transistor 4. Mắc E chung (CE) 5. Đặc tuyến ở cực nền 6. Đặc tuyến ở cực thu 7. Xấp xỉ transistor 8. Đọc bảng dữ liệu 9. Troubleshooting Transistors (Transfer Resistor) Transistors Junction-FETs (JFETS) Field Effect Transistors Bipolar transistors Insulated Gate FET’s MOSFETs NPN,PNP N-channel, P-channel Enhancement, Depletion N-channel, P-channel Giới thiệu về BJT • BJT = transistor tiếp xúc lưỡng cực = transistor 2 mối nối (hay 2 tiếp xúc) • Lưỡng cực: do dòng điện chính được tạo bởi 2 hạt dẫn điện tử (-) và lỗ (+) • BJT được phát minh vào năm 1948 do Bardeen, Brattain và Shockley • BJT là dụng cụ có 3 cực: phát (E), nền (B) và thu (C). • Người ta gọi tiếp xúc PN giữa B và E là J E , giữa B và C là J C . • Có 2 loại: NPN và PNP Cấu tạo và ký hiệu BJT Cấu tạo và ký hiệu BJT N P P + B C E C B E P N N + B C E B C E B C E C B E NPN PNP Arrow always points away from base and toward emitter My pneumonic: No Point iN Arrow always points away from emitter towards base My pneumonic: Points IN Bipolar junction transistor (BJT) • The BJT is a “Si sandwich” Pnπ (P=p + ,π=p - ) or Npν (N=n + , ν=n - ) • BJT action: npn Forward Active when V BE > 0 and V BC < 0 P n π E B C V EB V CB Charge neutral Region Depletion Region [...]... - vBE curve at the bias point Q is the transconductance gm: the amount of ac current produced by an ac voltage (DC input signal 0.7V) ac input signal 6- 7 Xấp xỉ transistor Hình 6- 1 3 Xấp xỉ BJT: (a) Dụng cụ gốc; (b) Xấp xỉ lý tưởng; (c) Xấp xỉ bậc 2 6- 8 Đọc bảng dữ liệu • BJT có công suất tiêu tán PD: < 1 W  BJT tín hiệu nhỏ > 1 W  BJT công suất • • • • • Định mức đánh thủng: VCB, VCEO, VEB Dòng và... Amplifier Beyond Limits Overload Break-down VCE = Large Cutoff NPN BJT Collector current C n V2 Base current Reverse Biased B +++ p Reverse biased V1 n Emitter current E Saturated NPN BJT Collector current C n V2 B ++ V1 Forward biased - Base current Forward biased p n Emitter current E Active Linear NPN BJT Collector current C n V2 - Base current B V1 p - ++ - Reverse Biased Forward biased n Emitter... operate the transistor in the linear region •A transistor’s operating point (Q-point) is defined by IC, VCE, and IB Transconductance IB ac output signal DC output signal A small ac signal vbe is superimposed on the DC voltage VBE It gives rise to a collector signal current ic, superimposed on the dc current IC The slope of the ic - vBE curve at the bias point Q is the transconductance gm: the amount of... compared to collector So, emitter and collector are not interchangeable The base width is small compared to the minority carrier diffusion length If the base is much larger, then this will behave like back-to-back diodes BJT circuit symbols I E = IB + IC and VEB + VBC + VCE = 0 VCE = − VEC As shown, the currents are positive quantities when the transistor is operated in forward active mode BJT circuit... α iE β α= β +1 α β= 1−α Possible Uses for BJT’s • Can act as Signal Current Switch (Cutoff Mode) • Can act as Current Amplifier (Active Region) I = βI • Where: c B – Beta = intrinsic amp property (20 - 200) Khảo sát đặc tuyến của BJT mắc CE IC IB Output circuit Input circui t IE Đặc tuyến vào (đặc tuyến ở base) với mắc CE IB IB VBE 0.7V • Hoạt động như diode • VBE ≈ 0.7V (Si) Đặc tuyến ra (đặc tuyến . BJT n p n V2 V1 + + - - - - C B E Emitter current Collector current Base current Forward biased Forward biased - - Active Linear NPN BJT n p n V2 V1 + + - - - - - - - - - C B E Emitter current Collector. Transistors Bipolar transistors Insulated Gate FET’s MOSFETs NPN,PNP N-channel, P-channel Enhancement, Depletion N-channel, P-channel Giới thiệu về BJT • BJT = transistor tiếp xúc lưỡng cực =. region = miền bão hòa • Small-signal trasistor = trasistor tín hiệu nhỏ • Switching circuit = mạch chuyển mạch, mạch xung • Thermal resistance = nhiệt trở Nội dung chương 6 1. Transistor chưa phân