Kỹ thuật đo : Đo điện part 3 docx

CHƯƠNG 2 72 c) 0,25 D m : I m = 0,25×0,1mA = 0,025mA V m = I m R m = 0,025mA × 99Ω = 2,475mV == = Ω m o S V mV ImV R , , 2 475 2 475 1 I = I S + I m = 2,475mA + 0,025mA = 2,5mA. 2.2. Một cơ cấu đo từ điện có I = 100 μA, điện trở nội khung quay R = 1k Ω. Tính điện trở shunt mắc vào cơ cấu đo để trở thành một ampe-kế tương ứng với các trường hợp hình B.2.1. a) D m = 100 mA = tầm đo 1. b) D m = 1A = tầm đo 2. Giải: a) Ở tầm đo 100mA. V m = I m R m = 100μA × 1kΩ = 100mV I t = I s + I m ⇒ I s = I t – I m = 100mA – 100μA = 99,9mA = ==Ω 100 1001 99 9 m S S V mV R ImA , , b) Ở tầm đo 1A: V m = I m R m = 100mV I s = I t – I m = 1A – 100μA = 999,9mA; == = Ω 100 0 10001 999 9 m S S V mV R ImA , , 2.3. Một cơ cấu đo từ điện có ba điện trở shunt được mắc theo kiểu shunt ayrton sử dụng làm ampe-kế. Ba điện trở có trò số: R 1 = 0,05Ω, R 2 = 0,45Ω; R 3 = 4,5Ω; R m = 1kΩ; I max = 50μA, có mạch đo như hình B.2.3. Tính các trò số tầm đo của ampe-kế. Giải: Khóa điện ở B: V s = I max R m = 50μ1kΩ = 50mV. == = + + Ω+ Ω+ Ω 123 50 10 005 045 45 S S V mV ImA RRR ,,, Hình B.2.3 ĐO ĐIỆN ÁP VÀ DÒNG ĐIỆN 73 I t = I s + I m = 50μA + 10mA = 10,05mA; I = 10mA. Khóa điện ở C: V s = I m (R m + R 3 ) = 50μA(1kΩ + 4,5Ω) ≈ 50mV. S S V mV ImA RR ()(,,) == = +Ω+Ω 12 50 100 005 045 I = 50 μA + 100mA = 100,05mA.I ≈ 100mA. Khóa điện ở D: V 5 = I m (R m + R 3 +R 2 ) = 50μA(1kΩ + 4,5Ω + 0,45Ω) ≈ 50mV == = Ω 1 50 1 005 S s V mV IA R , .I = 50μA + 1A = 1,00005A ≈ 1A 2.4. Một cơ cấu đo từ điện I max = 100μA, điện trở nội (dây quấn) R m = 1KΩ được sử dụng làm vôn-kế DC. Tính điện trở tầm đo để vôn-kế có V td = 100V. Tính điện áp V ở hai đầu vôn-kế khi kim có độ lệch 0,75D m ; 0,5D m ; và 0,25D m (độ lệch tối đa D m ). Hình B.2.4 Giải : V = I M (R S + R m ) ⇒ = S m V R I – R m Khi: V = V td = 100V ⇒ IM = I max = 100μA = μ 100 100 S V R A – 1kΩ = 999kΩ. Tại độ lệch 0,75 (FSD) D m I m = 0,75 × 100 μA = 75μA V = I m (R S + R m ) = 75μA (999kΩ + 1kΩ) = 75V Tại độ lệch 0,5 (FSD) D m : I m = 50μA V = 50 μA (999kΩ + 1kΩ) = 50V. Tại độ lệch 0,25 (FSD) D m : I m = 25μA V = 25μA (999kΩ + 1kΩ) = 25V. 2.5. Một cơ cấu đo từ điện có I max = 50μA; R m = 1700Ω được sử dụng làm vôn- kế DC có tầm đo 10V, 50V, 100V. Tính các điện trở tầm đo theo hình B.2.5a,b CHƯƠNG 2 74 như sau: Hình B.2.5 Giải : Theo hình B.2.5a: R m + = 1 V R I max ⇒ = 1 V R I max – R m = μ 10 50 V A – 1700Ω = 198, 3kΩ = μ 2 50 50 V R A – 1700Ω = 998,3kΩ = μ 3 100 50 V R A – 1700Ω = 1,9983MΩ Theo hình B.2.5b: R m + V R I max = 1 1 = 1 1 V R I max – R m = μ 10 50 V A – 1700Ω = 198, 3kΩ, R m + R 1 + R 2 = 2 m V I R 2 = 2 V I max – R 1 – R m = μ 50 50 V A – 198, 3kΩ – 1700Ω = 800kΩ R m + R 1 + R 2 + R 3 = V I max 3 ⇒ R 3 = 3 m V I – R 2 – R 1 – R m = μ 100 50VA – 800kΩ – 198; 3kΩ – 1700Ω = 1MΩ 2.6. Một vôn-kế có tầm đo 5V, được mắc vào mạch, đo điện áp hai đầu điện trở R 2 như hình B.2.6. a) Tính điện áp V R2 khi chưa mắc vôn- kế. b) Tính V R2 khi mắc vôn-kế, có độ nhạy 20kΩ/V c) Tính V R2 khi mắc vôn-kế, có độ nhạy 200kΩ/V. Giải: Chưa mắc vôn-kế: Hình B.2.6 ĐO ĐIỆN ÁP VÀ DÒNG ĐIỆN 75 V R2 = R E RR + 2 12 = 12V 50 70 50 k kk Ω Ω +Ω = 5V Với vôn-kế có độ nhạy 20k Ω /V R v = 5V × 20kΩ/V = 100kΩ R v // R 2 = 100kΩ // 50kΩ = 33,3kΩ V R2 = 2 12 33 3 12 3 87 70 33 3 // , , // , V V RR k EV V RRR k k Ω == +Ω+Ω Với vôn-kế có độ nhạy 200k Ω /V R v = 5V × 200kΩ/V = 1MΩ R v // R 2 = 1MΩ // 50kΩ = 47,62kΩ 2 47 62 12 4 86 70 47 62 , , , R k VV V kk Ω == Ω+ Ω 2.7. Một cơ cấu đo từ điện có I fS = 100μA và điện trở cơ cấu đo R m = 1kΩ được sử dụng làm vôn-kế AC có V tầm đo = 100V (RMS). Mạch chỉnh lưu có dạng cầu sử dụng diod silicon như hình B.2.7, diod có V F(đỉnh) = 0,7V. a) Tính điện trở nối tiếp R S ? b) Tính độ lệch của vôn-kế khi điện áp đưa vào vôn-kế là 75V và 50V (trò hiệu dụng – RMS) c) Tính độ nhạy của vôn-kế. Tín hiệu đo là tín hiệu xoay chiều dạng sin. Giải: a) Tính R S : Đây là mạch chỉnh lưu toàn kỳ nên ta có quan hệ: Ptb Itròdỉnh I()/,= 0637 = 2 m Vtròđỉnh()V (RMS: trò hiệu dụng). Cơ cấu đo có: I fs = I tb = 100μA ⇒ μ = =μ 100 157 0637 P A IA , Hình B.2.7 CHƯƠNG 2 76 Ta có: − = + 1414 2 td F m Sm VV I RR , ⇒ − =− 1414 2 td F Sm P VV RR I , = 1 414 100 2 0 7 18907 157 (, ) ( , ) , VV kk A ×−× − Ω= Ω μ Tính độ lệch:  V = 75V. F tb m Sm VV II RR , ,, − == + 1414 2 0 637 0 637 1414 75 2 07 0637 890 7 1 (, ) ( , ) , , VV kk ×−× = Ω+ Ω I tb = 75μA = /34 độ lệch tối đa. (I m : dòng đỉnh khi V = 75V)  V = 50V. I tb 1414 50 2 07 0637 890 7 1 (, ) ( , ) , , VV kk ×−× = Ω+ Ω = 50μA = 1 2 độ lệch tối đa  Tính độ nhạy: I m = 157μA ⇒ I(RMS) = 0,707I p = 0,707 × 157μA = 111μA Tổng trở: 100 900 9 111 , V Rk A ==Ω μ . Độ nhạy = 900 9 9009 100 , ,/ k kV V Ω =Ω 2.8. Một cơ cấu đo từ điện có: I fS = 50μA; R m = 1700Ω kết hợp với mạch chỉnh lưu bán kỳ như hình B.2.8. Diod silicon D 1 có trò giá dòng điện thuận I F (đỉnh) tối thiểu là 100 μA. Khi điện áp đo bằng 20% V tầm đo , diod có V F = 0,7V. Vôn-kế có V tầm đo = 50V. a) Tính R s và R SH b) Tính độ nhạy của vôn-kế trong hai trường hợp: có D 2 và không có D 2 . Giải: a) Tính R S và R SH Ở đây sử dụng chỉnh lưu bán kỳ nên ta có: I p = I tb /(0,5 × 0,637): trò đỉnh trong trường hợp chỉnh lưu bán kỳ. Cơ cấu đo có I fs = I tb = 50μA ⇒ μ = =μ × 50 157 05 0637 m A IA ,, (trò đỉnh) Khi V = 20% V tđ , I F(đỉnh) có trò giá 100μA. Vậy khi V= V tđ , I F(đỉnh) có trò giá: =×μ=μ 100 100 500 20 Fđỉnh IAA () % % Hình B.2.8 ĐO ĐIỆN ÁP VÀ DÒNG ĐIỆN 77 I F = I m + I SH ⇒ I SH (đỉnh) = I F – I m = 500μA – 157μA = 343μA V p(đỉnh) = I m R m = 157μA × 1700Ω = 266,9mV m đỉnh SH SH đỉnh V mV R IA () () , == =Ω μ 266 9 778 343 () tđ m F đỉnh F đỉnh S VV V I R () , −− = 1414 tđ m F đỉnh S Fđỉnh VV V VmVV R IA () () , () , , , −− ×− − == μ 1414 1 414 50 266 9 0 7 500 =139,5kΩ b) Tính độ nhạy.  Có D 2 : trong bán kỳ dương, dòng qua D 1 có trò giá đỉnh: I F(đỉnh) = 500μA Trong bán kỳ âm, dòng qua vôn-kế I (đỉnh) : 1414 1414 50 500 139 5 () , , , tđ đỉnh S V V IA Rk × = ==μ Ω I (hiệu dụng) = 0,707×500 μA = 353,5μA (RMS)c Tổng trở: 50 141 4 353 5 () , ,( ) VRMS Rk ARMS = =Ω μ ; Độ nhạy 141 4 28 50 , ,/ k kV V Ω ==Ω  Không có D 2 Trong bán kỳ dương: I F(đỉnh) = 500μA. Trong bán kỳ âm: I = 0 Trong chu kỳ của tín hiệu: I (hiệu dụng) = 0,5 I F(đỉnh) với I là dòng điện mạch chính chạy qua R s trong bán kỳ dương. T 2 Fđỉnh (hiệu dụng) F I I IItdt T /2 () (sin)=ω= ∫ 2 2 0 24 I = 0,5 × 500μA = 250μA Tổng trở: 50 200 250 V Rk A = =Ω μ . Độ nhạy 200 4 50 / k kV V Ω ==Ω 2.9. Một ampe-kế sử dụng cơ cấu đo từ điện có cầu chỉnh lưu và biến dòng như hình vẽ. Biết rằng cơ cấu đo có I fs = 1mA và R m = 1700Ω. Biến dòng có N thứ = CHƯƠNG 2 78 500; sơ N = 4. Diod có: V F(đỉnh) = 0,7V; R s = 20kΩ. ampe-kế lệch tối đa khi dòng sơ cấp I P = 250 mA. Tính trò giá R L . Hình B.2.9 Giải: Chỉnh lưu toàn kỳ nên ta có: tb m I mA Itròđỉnh mA() , ,, === 1 157 0637 0637 Điện áp E m ở hai đầu cuộn thứ biến dòng (trò đỉnh): E m = I m (R s + R m ) + 2V F = 1,57mA(20kΩ + 1700Ω) + 1,4V = 35,5V ⇒ E s (trò hiệu dụng) = ( 0,707×35,5V) = 25,1V Dòng làm lệch tối đa cơ cấu đo có trò hiệu dụng I: I = 1,11I tb = 1,11 × 1mA = 1,11mA Ta có: sơ thứ sơ thứ N I I mA mA N == = 4 250 2 500 I thứ = I qua cơ cấu đo + I L ; 2mA = 1,11mA + I L ⇒I L = 2mA–1,11mA = 0,89mA; 25 1 28 2 089 , , , S L L E V Rk ImA = ==Ω 2.10. Tính điện áp ở hai đầu cơ cấu đo từ điện (PMMC) có R m = 850Ω và I fs = 100 μA khi kim lệch tối đa. ĐS: 85mV. 2.11. Tính trò giá điện trở tầm đo cho cơ cấu đo từ điện có I fs = 200μA, R m = lkΩ được sử dụng làm vôn-kế DC có V tđ = 150V. ĐO ĐIỆN ÁP VÀ DÒNG ĐIỆN 79 2.12. Tính dòng điện đi qua cơ cấu đo từ điện khi kim có độ lệch bằng 1/2 độ lệch tối đa (FSD) biết rằng cơ cấu đo có độ nhạy là 20 k Ω/V. ĐS: 25μA. 2.13. Tính trò giá điện trở shunt để cho ampe-kế có: I tđ = 1mA; R m = 103Ω trở thành ampe-kế có I tđ (I tầm đo ) = 150mA. 2.14. Cơ cấu đo A có tầm đo từ 0 đến 10V và điện trở tầm đo là 18k Ω, cơ cấu đo B có tầm đo từ 0 đến 300V và điện trở tầm đo là 298k Ω, cả hai cơ cấu đo đều có điện trở dây quấn R m = 2kΩ. Hãy cho biết cơ cấu đo nào có độ nhạy lớn hơn. ĐS: Cơ cấu A. 2.15. Tính dòng điện chạy qua cơ cấu đo A, B như hình B.2.15. Hình B.2.15 2.16. Tính các trò giá điện trở từ R 1 đến R 5 như hình B.2.16. Hình B.2.16 2.17. Tính trò giá điện trở R 1 , R 2 , R 3 ở hình B.2.17. Hình B.2.17 CHƯƠNG 2 80 2.18. Tính trò giá điện trở R 1 , R 2 , R 3 , R 4 trong hình B.2.18. Hình B.2.18 ĐS: R 1 = 1Ω; R 2 = 9Ω; R 3 = 90Ω; R 4 = 900Ω. 2.19. Ta đo điện áp ở hai đầu điện trở 6k Ω trong mạch như hình B.2.19 bằng cách mắc vôn-kế ở hai đầu điện trở này, vôn-kế có độ nhạy 10k Ω/V. Giả sử vôn-kế có các tầm đo 1V, 5V, 10V và 100V, hãy cho biết tầm đo nhạy nhất có thể sử dụng mà sai số gây ra do tải của vôn-kế nhỏ hơn 3%. ĐS: tầm đo 100V. Hình B.2.19 Hình B.2.20 2.20. Trong mạch đo sau, vôn-kế A có độ nhạy 5kΩ/V được nối giữa X và Y chỉ 15V ở tầm đo 30V. Vôn-kế B được nối giữa X và Y chỉ 16, 13V ở tầm đo 50V. Tính độ nhạy của vôn-kế B. 2.21. Dòng điện đi qua cơ cấu đo có trò giá đỉnh I p = 150μA. Tính trò giá I DC nếu cơ cấu đo dùng mạch chỉnh lưu bán kỳ. 2.22. Dòng điện đi qua cơ cấu đo từ điện đo được là 0,8mA. Tính trò giá đỉnh của dòng xoay chiều nếu cơ cấu đo sử dụng mạch chỉnh lưu toàn kỳ. 2.23. Một cơ cấu đo từ điện có I fs = 1mA và điện trở dây quấn Rm = 500Ω kết hợp với mạch chỉnh lưu bán kỳ để trở thành vôn-kế AC. Tính độ nhạy AC và DC, tính điện trở tầm đo để vôn-kế có V tđ = 30V. ĐS: S AC = 450Ω/V; S DC = 1 kΩ/V; Rs = 13,3kΩ. 2.24. Một cơ cấu đo từ điện có I fs = 200μA và điện trở dây quấn R m = 500Ω được sử dụng làm vôn-kế AC bằng cách dùng mạch chỉnh lưu toàn ĐO ĐIỆN ÁP VÀ DÒNG ĐIỆN 81 kỳ. Tính điện trở tầm đo để vôn-kế có V tđ = 50V. 2.25. Tính độ nhạy AC và DC và điện trở Rs trong mạch đo (H.B.2.25). Hình B.2.25 2.26. Một vôn-kế AC đo trò giá đỉnh và một vôn-kế AC đo trò giá hiệu dụng được sử dụng để xác đònh tín hiệu nào có dạng sin. Hãy cho biết tín hiệu nào có dạng sin biết rằng kết quả đo có trò giá như sau: Tín hiệu 1 Tín hiệu 2 Tín hiệu 3 Đo trò giá đỉnh-đỉnh: 35,26V Đo trò giá đỉnh-đỉnh 11,31V Đo trò giá đỉnh-đỉnh 25,00V Đo trò giá hiệu dụng: 12,00V Đo trò giá hiệu dụng: 4,00V Đo trò giá hiệu dụng: 8,83V ĐS: Tín hiệu 2 và 3 có dạng sin. 2.27. Một vôn-kế AC được dùng để đo điện áp hai đầu điện trở R 2 như hình B.2.27. Biết rằng vôn-kế dùng cơ cấu đo từ điện có I fs = 100μA, điện trở dây quấn R m = 1,5kΩ, sử dụng mạch chỉnh lưu bán kỳ và có V tđ = 10V. Hãy cho biết trò giá đọc được trên vôn-kế. Hình B.2.27 Hình B.2.28 2.28. Hai vôn-kế AC khác nhau được dùng để đo điện áp ở hai đầu điện trở R 2 như hình B.2.28. Vôn-kế A có độ nhạy AC là 10kΩ/V và cấp chính xác là 2% và có V tđ = 200V. Vôn-kế B có độ nhạy AC là 4kΩ/V, cấp chính xác là 1,5% và V tđ = 100V. Cho biết vôn-kế nào cho ta kết quả chính xác hơn. [...]... Mạch đo điện trở với nhiều tầm đo trong máy đo vạn năng (H .3. 6) Khi thay đổi tầm đo (X1 hoặc X10 hoặc X100 ) dòng điện qua cơ cấu chỉ thò Im vẫn bằng nhau nhưng trò số đọc được trên thang đo được nhân với giá trò tầm đo (H .3. 7) CHƯƠNG 3 88 Hình 3. 6a: Mặt ngoài ohm-kế Hình 3. 6b: Mạch đo điện trở có nhiều tầm đo Ví dụ 3. 7: Khi RX = 24Ω (H .3. 7a) Hình 3. 7: Mạch đo cho từng tầm đo: a) Mạch cho tầm đo X1 ĐO. ..CHƯƠNG 3 82 Chương 3 ĐO ĐIỆN TRỞ 3. 1 ĐO ĐIỆN TRỞ BẰNG VÔN-KẾ VÀ AMPE-KẾ Hình 3. 1: a) Mạch đo RX; b) Mạch đo RX Đây là phương pháp xác đònh phần tử điện trở đang hoạt động (đo nóng) theo yêu cầu Có hai cách mắc để đo điện tr : Hình 3. 1a: Vôn-kế mắc trước, ampe-kế mắc sau (lối mắc rẽ dài) Khi đó điện trở cần đo RX được xác đònh bởi: RX = V I (3. 1) trong đ : V - cho bởi vôn-kế; I -... thái đo là phần tử điện trở đo (RX) không có năng lượng (đo nguội), mạch đo sẽ là nguồn năng lượng riêng (nguồn pin) 3. 3.1 Mạch nguyên lý đo điện trở Mạch đo được mắc theo hình 3. 4 ĐO ĐIỆN TRỞ 85 Hình 3. 4: a) Mạch ohm-kế; b) Thang đo không tuyến tính của ohm-kế Đây là mạch ohm-kế kiểu mắc nối tiếp, dòng điện qua cơ cấu chỉ thò R 1: Im = Eb RX + R1 + Rm với: R1 - điện trở chuẩn của tầm đo; Rm - điện. .. điện đi qua vôn-kế Nếu IV IX tổng trở vào của vôn-kế rất lớn so với RX thì sai số do ảnh hưởng của vôn-kế không đáng kể Ví dụ 3. 1: Đo điện trở rỉ của tụ điện (RX) khi hoạt động ở điện áp qui đònh Mạch đo được mắc theo hình 3. 2 Vôn-kế có tầm đo 50V và độ nhạy 20kΩ/VDC được mắc nối tiếp với tụ điện C cần đo Kim chỉ thò điện áp 10 vôn Khi đo điện áp rơi trên tụ điện VC = VS –V = 30 0V – 10V Hình 3. 2: Đo. .. trường hợp đo điện trở cách điện của một mẫu cách điện bề mặt (H .3. 15) khi đó để loại bỏ dòng điện rỉ bề mặt người ta dùng vòng bảo vệ bằng kim loại hình vành khăn bên ngoài bản cực mặt trên để đo điện trở cách điện IL Cao thế V μA IV Vòng bảo vệ Chất cách điện Hình 3. 1 5: Đo điện trở cách điện loại bỏ điện trở rỉ bề mặt Trong trường hợp dùng cầu Wheatstone để đo điện trở cách điện để loại bỏ điện trở... dẫn được xác đònh điện trở cách điện với dây trung tính Còn điện trở cách điện giữa hai dây A B được đo RAB//[RA+RB] Tương tự như vậy điện trở cách điện của dây BC RBC//[RB+RC] Hình 3. 18 Hình 3. 19 Đo điện trở cách điện dùng MΩ kế Vôn kế V, V1 đo điện trở cách điện Đo điện trở cách điện trong trường hợp có nguồn Trong trường hợp dây dẫn có nguồn cung cấp Khi đó chúng ta dùng vônkế V đo điện áp nguồn cung... đầu vôn-kế V Do đ : R B = R V ( V − 1) VA Tương tự như vậy nếu RB RV, th : RA = RV ( V − 1) VB Như vậy nếu điện áp V của lưới điện không đổi thì điện áp đo giữa một cuộn dây dẫn điện với trung tính phụ thuộc vào điện trở cách điện của dây dẫn điện thứ 2 Cho nên vôn-kế có thể khắc độ theo điện trở cách điện Hình 3. 20 Hai vôn-kế đo điện trở cách điện Hình 3. 21 Ba vôn-kế đo điện trở cách điện Từ trên ta... // RX 989, 9Ω Do đó ở hai ví dụ 2 và 3 là nếu đo RX bằng cách lấy trò số đọc của vôn-kế chia cho trò số đọc của ampe-kế thì trò số đọc của ví dụ 3 chính xác hơn v : RX = V /I = 495V / 0, 5 A = 990Ω Trong khi trò số đo được ở ví dụ 2: RX = 500V / 0, 5 A = 1000Ω 3. 2 ĐO ĐIỆN TRỞ DÙNG PHƯƠNG PHÁP ĐO ĐIỆN ÁP BẰNG BIẾN TRỞ Mạch đo được mắc theo hình 3. 3 Hình 3. 3: Đo điện áp bằng phương pháp biến trở suy... hình 3. 16a và được phân tích thành mạch tương đương (H .3. 16b), điện trở b và c là hai điện trở rỉ bề mặt và bề mặt dưới của vật liệu cần đo điện trở cách điện Vì b rg (điện trở của điện kế) ⇒ b // rg ≈ rg và c S ⇒ c // S ≈ S Như vậy b và c không ảnh hưởng đến điện trở R là phần tử đo của cầu Hình 3. 1 6: a) Cầu Wheatstone đo điện trở cách điện bề mặt b) Mạch tương đương 3. 6.2 Megohm-kế chuyên dùng ĐO ĐIỆN... tạo ra dòng điện I qua RX là VRX điện áp rơi trên điện V V R I trở mẫu VS: RX = X Suy ra: RX = RS RX VS RS I VS VRX và VS được đo bằng phương pháp biến trở Đo điện trở bằng phương pháp so sánh này không phụ thuộc vào dòng điện I cung cấp cho mạch đo 3. 3 MẠCH ĐO ĐIỆN TRỞ TRONG OHM-KẾ Trong máy đo vạn năng (multimeter V.O.M) có phần đo điện trở (ohmkế) Trong trường hợp dùng ohm-kế để đo điện trở thì . giá đỉnh-đỉnh: 35 ,26V Đo trò giá đỉnh-đỉnh 11 ,31 V Đo trò giá đỉnh-đỉnh 25,00V Đo trò giá hiệu dụng: 12,00V Đo trò giá hiệu dụng: 4,00V Đo trò giá hiệu dụng: 8,83V ĐS: Tín hiệu 2 và 3 có dạng sin khi trò số đo được ở ví dụ 2: X RVA/, = =Ω500 0 5 1000 3. 2 ĐO ĐIỆN TRỞ DÙNG PHƯƠNG PHÁP ĐO ĐIỆN ÁP BẰNG BIẾN TRỞ Mạch đo được mắc theo hình 3. 3. Hình 3. 3: Đo điện áp bằng phương pháp biến. trở có nhiều tầm đo Ví dụ 3. 7: Khi R X = 24Ω (H .3. 7a). Hình 3. 7: Mạch đo cho từng tầm đo: a) Mạch cho tầm đo X1 ĐO ĐIỆN TRỞ 89 b) Mạch cho tầm đo X100; c) Mạch cho tầm đo X10K Ι= = Ω+