Bài tập điện áp ppsx

Bài giải: a. Transistor được mắc theo sơ đồ DC – Drain Common. b. Mạch định thiên kiểu phân áp. c. 1 2 ,R R : Cầu phân áp lấy từ nguồn D V tạo điện áp phân cực cho G. 3 R : Điện trở cực S nhằm ổn định độ khuếch đại của transistor. 1 2 ,C C : Tụ liên lạc lấy tín hiệu vào và tín ra của mạch transistor. Bài giải: Điện áp trên cực gốc chính là sụt áp trên điện trở 2 R do dòng điện phân áp tạo nên. Vậy ta có Và: ân áp 2 . B ph V I R= mà: ân áp 1 2 cc ph V I R R = + Do đó: 2 1 2 . 35.5 1,129 150 5 CC B V R V V R R = = = + + Từ sơ đồ ta có: B BE E V V V = + 1 Trong đó: . ( ) ( ) (1 ) E E E E B C E B B B E V R I R I I R I I I R β β = = + = + = + (1 ) B BE B E V V I R β ⇒ = + + Tìm B I : 1,129 0,2 0,0184 (1 ) 0,5(1 100) B BE B E V V I mA R β − − = = = + + Tìm C I : 100.0,0184 1,84 C B I I mA β = = = Tìm E I : Transistor Gemani có : 0,2 BE V V= 1,129 0,2 1,858 0,5 B BE E E V V I mA R − − = = = Tìm đin p CE U : 35 1,84.2,5 1,858.0,5 29.47 CE cc C C E E U V I R I R V= − − = − − = Tìm h s n đnh S: 1 2 1 2 . 150.5 4,838 150 5 B R R R K R R = = = Ω + + 1 1 100 9,74 . 100.0,5 11 0.5 4,838 E E B S R R R β β + + = = = ++ ++ 3, Cho sơ đồ mạch như hình vẽ: 2 Bài giải: a. Transistor được mắc theo cách cực nguồn chung SC – Source Common. Mạch định thiên kiểu phân cực tự cấp. b. Nhiệm vụ của các linh kiện trong mạch: G R : điện trở định thiên D R : điện trở tải cực D S R : điện trở ổn định cực S 3 C : nối đất thành phần xoay chiều 1 2 ,C C : tụ liên lạc lấy tín hiệu vào/ra. c. Tìm GS U : 2 1 1 GS D D DO GS GSngat GSngat DO U I I I U U U I     = − ⇒ = − −  ÷  ÷  ÷  ÷     200 ( 4) 1 36 2 GS U V   = − − − =  ÷  ÷   Tìm S R : 3 36 . 180 200.10 GS GS D S S D U U I R R I − = − ⇒ = − = − = Ω 4. Trình bày về sơ đồ mắc cực gốc CB của transistor lưỡng cực trong các mạch khuếch đại và đặc điểm của cách mắc này. Sơ đồ mắc gốc chung: Sơ đồ mạch mắc cực gốc chung mô tả trong hình 1. Trong sơ đồ mạch có: + E E , E C là nguồn cung cấp một chiều cho tranzito loại P-N-P trong mạch. + R E - điện trở định thiên cho tranzito. R E có nhiệm vụ làm sụt bớt một phần điện áp nguồn E E để đảm bảo cho tiếp xúc phát được phân cực thuận với điện áp phân cực U EB ≈ 0,6 V cho tranzito Silic, và U EB ≈ 0,2V cho tranzito Gecmani. Đồng thời tín hiệu vào sẽ hạ trên R E để đưa vào tranzito. + R C - điện trở gánh có nhiệm vụ tạo sụt áp thành phần dòng xoay chiều của tín hiệu để đưa ra mạch sau và đưa điện áp từ âm nguồn E C lên cực góp đảm bảo cho tiếp xúc góp được phân cực ngược. + Tụ điện C 1 , C 2 gọi là tụ liên lạc có nhiệm vụ dẫn tín hiệu vào mạch và dẫn tín hiệu ra mạch sau. 3 R C C 1 E I E I C C 2 Mạch C Mạch vào U CB ra U Vào U EB U Ra R E B I B E E E C Hình 1: Sơ đồ mắc gốc chung cho tranzito loại P-N-P Cực gốc B của tranzito trong sơ đồ được nối đất. Như vậy, tín hiệu đưa vào giữa cực phát và cực gốc. Tín hiệu lấy ra giữa cực góp và cực gốc nên cực gốc B là chân cực chung của mạch vào và mạch ra. - Ta gọi là sơ đồ mắc cực gốc chung. Trong mạch có các thành phần dòng điện và điện áp sau: I E gọi là dòng điện trên mạch vào. I C gọi là dòng điện trên mạch ra. U EB gọi là điện áp trên mạch vào U CB gọi là điện áp trên mạch ra Mối quan hệ giữa các dòng điện và điện áp trên các chân cực được mô tả thông qua các họ đặc tuyến tĩnh. Có hai họ đặc tuyến chính là : Họ đặc tuyến vào: U EB = f 1 (U CB , I E ) Họ đặc tuyến ra: I C = f 2 (U CB , I E ) Họ đặ c tuyến vào: Đặc tuyến vào mô tả mối quan hệ giữa điện áp vào và dòng điện vào như sau: U EB = f 1 (I E ) khi U CB = const. Xét trường hợp đối với tranzito lưỡng cực Gecmani loại P-N-P. Khi cực góp hở thì đặc tuyến vào chính là đặc tuyến Vôn-Ampe của tiếp xúc P-N phân cực thuận nên ta có: U EB I E = I 0 ( e V T − 1) Ta có đường đặc tuyến vào mô tả trong hình 2. 4 U EB (V) 0,6 U CB hở 0,4 U CB = 0V U CB = -10V 0,2 U CB = - 20V 0 10 20 30 40 I E (mA) Hình 2: Họ đặc tuyến vào của tranzito gecmani loại P-N-P. Khi U CB ≤ 0, đặc tuyến xê dịch rất ít chứng tỏ điện áp trên cực góp ít ảnh hưởng đến dòng điện qua tiếp xúc phát. Họ đặc tuyến ra: Đặc tuyến ra biểu thị mối quan hệ giữa dòng điện trên mạch cực góp với điện áp trên mạch cực góp. Ta có mối quan hệ sau: I C = f 2 (U CB ) khi I E = const. Biểu thức tính dòng điện trên cực góp I C như sau: I C = αI E + I CBo I C (mA) Vùng tích cực 40 I E5 = 40mA Vùng dẫn 30 I E4 = 30mA bão 20 I E3 = 20mA hòa α (I E3 - I E2 ) 10 αI E 2 I CB0 I E2 = 10mA I E1 = 0 0 -2 -4 -6 -8 U CB (V) Vùng ngắt Hình 3: Họ đặc tuyến ra của tranzito gecmani loại P-N-P trong sơ đồ mắc cực gốc chung + Khi I E1 = 0 (khi cực phát hở mạch): đặc tuyến ra chính là đặc tuyến Vôn-Ampe của tiếp xúc góp phân cực ngược. Do vậy, dòng điện cực góp I C = I CBo . + Khi I E2 > 0: là khi tiếp xúc phát được phân cực thuận thì dòng điện cực góp sẽ là: I C = α I E2 + I CBo Khi U CB > 0 trong khi U EB > 0 tranzito làm việc ở chế độ bão hòa nên sẽ có dòng điện thuận của tiếp xúc góp chạy ngược chiều với thành phần dòng điện thuận từ cực phát sang (αI E2 ), do vậy, dòng điện tổng qua tiếp xúc góp giảm nhanh đến 0 và sau đó tăng nhanh nếu U CB > 0 tăng tiếp tục. Các đặ c điểm của sơ đồ mắc cực g ố c chung: - Tín hiệu vào và tín hiệu ra đồng pha nhau - Trở kháng vào Z V nhỏ khoảng vài chục đến vài trăm Ôm ào 1 30 300 v Z S = ≈ ÷ Ω - Trở kháng ra lớn 100 1 ra C Z R K M= = Ω ÷ Ω - hệ số khuếch đại dòng điện cực phát 1 C E I I α = < ( 0,95 0,99) α = ÷ Như vậy transistor trong sơ đồ mắc cực gốc chung không có khuếch đại dòng điện. Hệ số khuếch đại điện áp: ánh ánh ào E ào ào I C g g ra u v v v I Z Z U K U Z Z ∆ ∆ = = ≈ ∆ ∆ Hệ số khuếch đại điện áp phụ thuộc vào điện trở gánh. Khi Z gánh ≈ Z ra thì K u có trị số khoảng từ vài trăm ÷ vài nghìn lần. - Hệ số khuếch đại công suất có thể đạt tới trị số hàng trăm lần. - Dòng điện rò I CBo nhỏ (khoảng từ vài chục nA đến vài µA đối với tranzito Silic, và đến vài chục µA đối với tranzito Gecmani). - Tần số làm việc giới hạn cao vì có điện dung thông đường nhỏ. Sơ đồ mạch mắc cực gốc chung có độ ổn định về nhiệt độ cao và tần số làm việc giới hạn cao. Mạch thường được dùng ở dải tần số làm việc cao như các tầng dao động nội của máy thu thanh, các tầng tiền khuếch đại âm tần của máy tăng âm, hoặc ở tầng khuếch đại công suất đẩy kéo. …………………………………………………………………………………………………. . ra của mạch transistor. Bài giải: Điện áp trên cực gốc chính là sụt áp trên điện trở 2 R do dòng điện phân áp tạo nên. Vậy ta có Và: ân áp 2 . B ph V I R= mà: ân áp 1 2 cc ph V I R R = + Do. các thành phần dòng điện và điện áp sau: I E gọi là dòng điện trên mạch vào. I C gọi là dòng điện trên mạch ra. U EB gọi là điện áp trên mạch vào U CB gọi là điện áp trên mạch ra Mối. Bài giải: a. Transistor được mắc theo sơ đồ DC – Drain Common. b. Mạch định thiên kiểu phân áp. c. 1 2 ,R R : Cầu phân áp lấy từ nguồn D V tạo điện áp phân cực cho G. 3 R : Điện trở