1. Trang chủ
  2. » Luận Văn - Báo Cáo

đo lường điện i đo điện áp và dòng điện

21 1,1K 2
Tài liệu được quét OCR, nội dung có thể không chính xác
Tài liệu đã được kiểm tra trùng lặp

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 21
Dung lượng 2,19 MB

Nội dung

đo lường điện i đo điện áp và dòng điện

Trang 1

CHƯƠNG I: ĐO ĐIỆN ÁP VÀ DÒNG ĐIỆN

1.1 Một ampe-kế dùng cơ cấu đo tỪ điện có điện trở cơ cấu do Rim =99Q va dong làm lệch tối đa I„„ = 0,1mA Điện trở shunt R,= 19 Tính dòng điện tổng cộng di qua ampe-kế trong các trường hợp:

a) kim lệch tối đa

b)_ 0,5D„; (ESD = I„a.„ full scale deviation) c) 0,25D„ »D Hinh B.1.1 Giải: a) kim lệch tối đa D„:

Điện áp hai đầu cơ cấu đo: 'V„=In.R„=0,1mA.99=99mV " TỐ” Re 10 =9,9mA Dòng tổng cộng: I=L + I= 9,9+0,1=10mA b) 0,5D„: m= 0,5 1mA = 0,05mA Vin = In-Rm= 0,05mA.99Q = 4,95mV =4.95mA r= Ym 4.95mV 10 Rs T=[,+In= 4.95mA + 0,05mA=5mA c)0,25mA:

I„= 0,25.0,1mA = 0,025mA

Vin= InRm= 0,025mMA.99Q = 2,475mV

Trang 2

L= Vh _ 2475 _ 2 x7sy

Rs 1

1.2 Một cơ cấu đo tỪ điện có I= 100A, điện trở nội khung quay R= 1KQ Tinh điện trở shunt mắc vào cơ cấu đo để trở thành một ampe-kế tương ứng với hình 1.1 a) D„= 100mA = tầm đo 1 b) D„= 1A = tầm đo 2 a) đtầm đo 100mA Vin= InRm= 100.1 = 100mV L= 14 In => 1,= I:—-In = 100mA — 100pA = 9,9mA _ Vm _ 100mV ~ Is 99,9mA =1,0010 b) Ở tầm đo 1A: Va= I„R„= 100mV 1= I,— Im = 1A- 100HA= 999,9mA "1 Is 999,9mA

1.3 Một cơ cấu đo từ điện có ba điện trở shunt được mắc theo kiểu shunt ayrton sử

Trang 3

Tại độ lệch 0,5 Dm V,= 1„„„R„= 500A.1kO = 50mV ye R+R,+R, 52 = =10mA T=I,+1n=50pA+10mA = 10,05mA; I=10mA Khóa điện ở C: V,= I,(R„+R;) = S0pA.(1kQ+4,5Q) = 50mV Vs _ 50mV =—= _===100mA I=RI+R2 0524452 Khéa dién 6 D: V.= Ia(R„ +R; +R) = 50HA(1kO + 4,5O +0,45Q) =50mV pas = 20 — 1A T=500A+1A=1,00005A = 1A S R1 0/050 PHẾ su 5

1.4 Một cơ cấu đo từ điện Imax =100uA,điện trở dây nội (dây quấn) Rm = 1KO được sử dụng làm vôn kế DC Tính điện trở tầm đo để vônkế có Vtd= 100V Tính điện

Trang 4

Tại độ lệch 0,75 Dm In= 0,75.100pA = 75pA 'V= I„(R,+ R„) 75nA(999kO +1kQ)=75V Tại độ lệch 0,5 Dm In = 50 ñA V= 50 pA(999 kQ+1kQ)=50V Tại độ lệch 0,25 Dm V= 25pA(999 kQ+1kQ)=25V

1.5 Một cơ cấu đo tỪ điện có I„a.=50 HA; R„ =1700 @ được sử dụng làm vôn kế DC

Trang 5

Y, R= Tox Rr, = 50uA 1700 =198,3kQ Y, R„+R.+R, =—> Im Y, Ry =— 2 —R, — Rm =- UU” — 1983k ~1700Q =800k© Imax 50/A R„+R,+R, +R, =7 =>R, =+ ——ÍR, —R,—R, V ~ 100V _ an 0kQ —198,3kQ ~17000 =1MO 50/A 1.6 Một vônkế có tầm đo 5V, được mắc vào mạch, đo điện áp hai đầu điện trở R2 như hình sau:

a) Tính điện áp Vạ› khi chưa mắc Vônkế

b) Tính Vạ; khi mắc vôn kế, có độ nhạy 20kQ/V

Trang 6

c)Với vôn kế có độ nhạy 200kQ/V R,=5V.200kQ/V=1kQ R//R2=1MQ//50kQ= 47,62kQ 47,62kO V„y=12V——D———= e2 70kO + 47,62kQ4,86V 86V

1.7 Một cơ cấu đo tỪ điện có I;= 100A và điện tr73 cơ cấu đo R„ =1kQ được sử dụng làm vônkế AC có V tầm đo = 100V Mạch chỉnh lưu có

dạng cầu sử dụng diode silicon như hình vẽ, diode c6 Vrain =0,7V

a) tính điện trở nối tiếp R,

Trang 7

Tạ, =1, =100,A = 1, = OHA — 157A 0,637 tacé: - 1,414V„ —2V, cung 1,414V„ —2V, — Rs+Rm Ip - (1,414.100V) —(2.0,7V) ~—1kO =890,7kQ 157A b)KhiV = 75V , = 0/6371, = 0,637 1414V—2V; _ near (1,414 75V) — (2x 0,7V) +R, 890,7kQ +1kQ I, = 75UA KhiV =50V 1„ =0,873 (,414x50V)—(2x0,7V) =50uA 890,7kQ +1kQ c)I,, =157uA = I(RMS) = 0,707 IP = 0,707 X157uA = 111A = 100 _ 900,9K0 111A ĐỘ nhạy= 300,316 = 9,009kQ/V 100V

1.8 Một cơ cấu đo từ điện có I„ = 50nA; R„ = 1700 kết hợp với mạch chỉnh lưu bán kì như hình sau Diod silicon D, có giá trị dòng điện thuận I;(đỉnh) tối thiểu

Trang 8

đỉnh)

giá trị:

Ở đây sử dụng chỉnh lưu bán kì nên ta có:

Ip=Itb/(0,5.0,673): tri đỉnh trong trường hợp chỉnh lưu bán kì

Cơ cấu đo có Ifs = Itb = 50 pA=> Im= 50 pA/(0,5.0,673) = 157 pA(tri Khi V= 20% Vid, IF(dinh) c6 gid tri 100 pA Vậy khi V= Vid, IE(đỉnh) có 100% = X100/A = 500, = S006 A A Tp = Iq +I = Toy = 1p —Iyy = 500A—157UA = 343 UA V, =1,R, =157uAx17009 = 266,9mV V„ _ 2669mV I =m = SON = 7780 Ts B43UA 1 a b414Va —Vn —Ve ns ae Rs= 1,414V,, -V,, -Vp - 1,414x 50V — 266,9mV —0,7V =139,5kO 1, 500//A b)Tính độ nhạy:

® _ Có D; trong bán kì dương, dòng qua D1 có giá trị đỉnh: I;=500 nA Trong bán kì âm, dòng qua vônkế có giá trị đỉnh: _1L414Vid _ 141450V _— HA Rs 139,5kQ = 0,707.500//A = 353,51A(RMR)c —_ 50V(RMR) %9 353,5UA(RMR) 141,4kQ I I hiéudung =141,4kQ Đơnhay = =2,8kQ/V ® Khơng có D;

Trong bán kì dương:lI:iu = 500 HA Trong bán kì âm: I = 0

Trong chu kì của tín hiệu:

Thiệu dung =0,51 rainy

Với I là dòng điện mạch chính chạy qua Rs trong bán kì dương

Trang 9

72 P _ 1 T_ sĩ 2 a — T mạ hiêudung oT J (1; sin a#) f= 0 1= 0,5.500//A = 250//A R=_ 0 — 200ko — 250A Đô _ nhay = 200G =4kQ/V 50V

1.9 Một ampe kế sử dụng cơ cấu đo từ điện có cầu chỉnh lưu và biến dòng như

hình vẽ Biết rằng cơ cấu do cé Is = 1mA va Rm = 1700Q Biết dòng có Nuz = 500; N„„= 4 Diode cóVF(đỉnh) = 0,7V; Rs=20kO Ampe kế lệch tối đa khi dòng sO cap Ip = 250mA Tinh gia tri Rt Hinh B.1.9 Giai: Chỉnh lưu toàn kì nên ta có: — Ith — mA — Toast = 0 637 0/673 157mA Điện áp Em ở hai đầu cuộn thứ biến dòng(trị đỉnh): Em = (Rm+Rs) + 2Vp = 1,57mA(20kQ + 1700Q) + 1,4V= 35,5V

=> Es(trj hiéu dung) = (0,707.35,5V) = 25,1V

Dòng làm lệch tối đa cơ cấu đo có trị hiệu dung I:

1= 11,1Itb = 11,1.1mA=11,1mA

Ta có:

Trang 10

New —2s0mA_^ =2mA Now 500 =1, +1, = 1, =2mA—11,ImA = 0/89mA; (với I,=lạz.ø.suø›) _ Es _ 251V —E, 0/89mA Tw = Io = 28,2kQ L

CHUONG II: DO DIEN TRO

2.1 Cho E, = 1,5; Ri= 15kQ; Rm =1kQ; Ro = 1kO; I„„ = 50nA Xác định trị số đọc

cUa Rx khi Ty = Imax; Im = % Imax3 Im =3/4 Imax « Giải: Tại In =l„„ = 500A; V„ = I„„ x R„ = 50HA x 1kQ = 50mA Vin _ 50mV á:I.=m Do do: I, SN kQ = 504A Nhu vay dong dién: I, = 100pA 2 E, vay R, +RUẾT” Nếu R, +R, >> R, //R„ >>500©., b 15V -”— =15kO # 10a R, +15kQ = 15kQ; R, = 02 = Khi Ip =1/2 Inax= 25pA; Vm = 25MV > 1 = 25pA ^ 15V

Suy ra I, = 50nA Vậy R, + Rị # c———~ 500A ¡R¿ # 15kO

Tương tự như cách tính trén In = 3/4 Imax = 37,51A

I, = In + 12 = 37,5pA + 37,5pA = 75pA

Rx +R = CC —=20k9, Rx= kO 75uA 5Ì

2.2 Một ohm-kế loại nối tiếp có mạch đo (Hinh dưới đây) Nguồn E; = 1,5V, cơ cấu đo có I„ = 100A Điện trở R¡ + R„ = 15kQ

a)Tính dòng điện chạy qua cơ cấu đo khi R.= 0

b)Tính trị giá Rx để cho kim chỉ thi có độ lệch bằng 1/2 FSD, 1/4 FSD, 3/4 FSD

(ESD: độ lệch tối đa thang đo.)

Trang 11

Hình B.2.2 Giải: E, 15V lạ—————=— .¬=100, ” R+R+R, 0+15kQ HA (FSD) a b ĐỘ lệch bang 1/2 FSD: 100, In= “ae =50/A (vì cơ cấu đo tuyến tính.) „)= —~15kO =15kO 50A E E, R,+R, +R„ =1" = R =F [Rt Độ lệch bằng 1⁄4 FSD: 1, = 00HA _ sua: R, =~ 15k = 45kOQ 4 : 25, Độ lệch bằng 3⁄4 FSD: 1, =0/75 x 1000A = 750A; R, =—? — ~15kO = 5kO im = 0, PA = 75pA; Ry 75uA

2.3 Một ohm-kế có mạch đo như hình sau Biét E, =1,5V, Ri = 15kQ; Rn = 50G; R; = 50Q; cơ cấu đo cé I, = 50pA

Tính trị giá R khi kim chỉ thị có độ lệch t6i da: (FSD); 1/2 FSD va 3/4 FSD

Trang 12

Hình B.2.3 Giải:

Khi kim lệch tối đa (FSD):

Trang 13

2.4 Một ohm-kế co mạch đo nhỉu hình bai 3 có nguồn Eb giam xuống chỉ còn 1,3V Tính trị giá mới của R2 ?.?lại các giá trị Rx tương ứng với độ lệch cUa kim: 1/2 FSD, 3/4 FSD Giai: E, 13V =0;1, =~ = _ = 86,67 R.= 0545 R,+R, 0+15kQ HA In = 50pA (FSD); 12 = l,— I„ = 86,67pA — 50pA = 36,67pA Vn, = 2,5V 56 196 = = = - R,=-e= Vin = ImnRm = 50pA x 50Q = 2,5mV; R, 1, ` 36/67uA Khi kim lệch 1/2 FSD: I„ =25nA; V„= 25HA x 500 = 12,5mV =18,33uA 2B, 681 1,=l„ + I›= 250A + 18,3pA =43,33pA 1, 43330.A Khi kim lệch 3⁄4 ESD: V„ _125mV

R, +R, = 12 = _ 30kO — R, = 30kO —15kO = 15kO In= 0,75 x 50A =37,5HA; Vm = 37,5pA x 50Q = 1,875mV 1875mV = a =27,5UA; WA; 1,=37,5pA + 27,5pA = 65pA 1y= = Y, R.+R, =Ýh =- ĐỂ 201Q — R =20kQ—15kO = 5kQ 65//A b

2.5 Tính dòng điện chạy qua cơ cấu đo và độ lệch của kim chỉ thị của ohm-kế có mạch dô như hình vẽ khi ta sử dung tầm đo Rx1 trong hai trường hợp:

a)R.=0

b)R,= 240

Trang 14

50kf) 382k 32584 R Điểm { chỉnh zero 2.875KQ 8Q 9000 9009 10A 238kQ ý20kQ 1470kQ#140kQ ý14kQ I, 1 —= 1,5V 14Q R, Rx10k] Khóa tầm đo 18V b) "Công tắc" dì chuyển a) Hinh B.2.5 Giải:

Mạch tương đương của ohm- kế khi ta sử dụng tầm đo Rx1 trong hai

truwowgtngf hợp R, = 0 và R,= 24 nhƯ sau: 15V =0 =————————_ ° Rue=Di 5 14 +{10.//(9,99kO + 2,875kO + 3,82kO)| k= > "140 + (100.//16,685kQ) ee Dòng Im chạy qua cơ cấu do: 102 10Q +16,685kQ = 62,516mA I,, = 62,516mA In= 37,5pA = Ig: Khi kim lệch tối đa © R.=24Q: 1, =——— »¥ 31954ma 240 +140(10Q //(16,685kQ)) 102

l„ =31254mA——————————18,72uA: kim m = 3h, 100+ 16,6850 WA: kim lệch 1/2 FSD, lệ ;

2,6 Tính dòng điện chạy qua cơ cấu đo và độ lệch của kim chỉ thị của ohm-kế có mạch như bài 5, khi sử dụng tầm đo Rx100 va Rx10k trong trường hợp

R,=0

Trang 15

702 2.875 ko 2360 2875kQ Hình B.2.6 Giải: se - Mạch tương đương của Ohm-kế khi ta sử dụng tầm đo Rx100 và R = 0 ie 15V > "14700 + [1kQ//(9kQ + 2,875kO + 3,82kQ)] oI 622,38UA 236kO + (1kQ.//15,695kQ)

I„ =62238MA—— HẾ—_— ~ >7 sUA =1, : kìm chỉ thị lệch tối đ m 1k© + 6,695kO › pt chỉ thị lệch tối đa

Trang 16

2.7 Ta đo điện trở bằng cách dùng phương pháp V và A được mắc rẻ dài

Ampe-ké chỉ 0,5A,vôn kế chỉ 500V.Ampe kế có R, = 10Q,10kQ/V Tinh giá trị R Hình B.2.7 Giải: E + Ea = 500V; I= 0,5A R.+R=F TE, _ 500V _ 10nnQ I ` 05A R= 10002 - R, = 1000Q - 10 =990

Trang 17

500V x(R, // RÌ _ 5000V x989,90 R,+(R,+R) = 102+989,90 =495V © DOchiclavénké: E= TRT HS V54 R,//R 98999 © _ Độ chỉ của ampe-kế: CHƯƠNG II:

ĐO ĐIỆN DUNG, ĐIỆN CẢM VÀ HỔ CẢM

3.1.Cho cầu đo như hình vẽ , biết C¡ =0.1HE và tỉ số Rz/R¿ có thể chỉnh được

thay đổi trong khoảng : 100/1 và 1/100 Hãy tính Cx mà cầu có thể đo được Hình B.3.1 Giải: Ta c6: Cx = C¡Rz/R¿ Với : R/R„ =100/1 =>Cx = 0,1HF(100/1) =10pF Với : Rz/R4 =1/100 => 0,1uF(1/100) =0,001pF Vậy cầu có tầm do : tt 0,001pF + 10pF

3.2 Cho cầu điện dung như hình sau, thành phần mẫu C; =0,1nF ;Rs =10kQ Biết rằng

cầu cân bằng khi nguồn cung cấp co f = 100Hz; R: =125Q va Ru = 14,7Q Hãy tình giá

tri Rs, Cs va hé s6 t6n hao D của tụ?

Trang 18

Hình B.3.2 Giải: Ta có : C; =C:RR¿; 0,1uF x10kQ 5 Tagg 7 O-O68HE 5 xR, Rs= R,xR, - 1250x14,7kO =183.30 R, 10kQ D =ØGsR¿ = 2n 100Hz X0,068IIFX183,8 = 0,008

3.3 Cho cầu điện dung như hình sau, thành phần mẫu C; =0,1nF ;R; =10kO Biết rằng

cầu cân bằng khi nguồn cung cấp co f = 100Hz; R: =125Q va Ru = 14,7 Hãy tình giá

Trang 19

Hình B.3.3 Giải: Ta có : C; =C¡RR¿; 0,1uF x10kQ 5 Tagg 7 O-O68HE 5 xR, Rs= RxR, - 1250x14,7kO =183.30 R, 10kQ D=CsRs = 2m 100Hz X0,068pHFX 183,8Q = 0,008

3.4.Cầu Maxwell đo điện cảm dùng thành phần mẫu C; = 0,1IIF, nguồn cung cấp có tần số f=100Hz Cầu cân bằng khi R; =1,26kO; R„= 4709 và R„ =500 Tính trị giá

Trang 20

3.5 Cầu có nguồn cung cấp f= 100Hz cân bang khi C3 =0,1pF, R, =1,26kQ , R; =75Q

Ngày đăng: 05/03/2013, 17:01

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w