NỘI DUNG ÔN TẬP ĐIỆN TỬ CHO CÔNG NGHỆ THÔNG TIN pot

- Khi nối bán dẫn loại n vào cực dương, bán dẫn loại p vào cực âm của nguồn điện.Điện trường E do nguồn điện tạo ra hướng từ n sang p làm cho hạt mang điện cơ bản không di chuyển qua lớp

NỘI DUNG ÔN TẬP ĐIỆN TỬ CHO CNTT

Câu 1: Trình bày sự tạo thành lớp tiếp xúc P-N, đặc điểm của lớp này khi phân cực

thuận và phân cực ngược

Câu 2: Điốt bán dẫn: Cấu tạo, kí hiệu, đặc tuyến Vôn-Ampe, các tham số chính Câu 3: Phân loại và ứng dụng của Điốt.

Câu 4: Tranzito lưỡng cực(BJT): Cấu tạo, kí hiệu, nguyên lí làm việc, phân loại Câu 5: Trình bày hiểu biết về tranzito hiệu ứng trường(FET).

Câu 6: Vi mạch tích hợp: khái niệm, phân loại.

Câu 7: Khái niệm và các tham số chính của mạng khuếch đại bán dẫn.

Câu 8 : Hồi tiếp trong các mạch khuếch đại là gì? Ý nghĩa của hồi tiếp.

Câu 9: Vẽ sơ đồ và trình bày hoạt động của các mạnh khuếch đại dùng BJT.

Câu 10: Trình bày các phương pháp ghép tầng khuếch đại.

Câu 11: Trình bày các tồng khuếch đại công suất.

Câu 12: các tính chất chung của IC thuật toán.

Câu 13: Vẽ sơ đồ và xây dựng công thức xác định tín hiệu ra (Ura) của các mạch sau(Sử dụng IC thuật toán): Mạch cộng, mạch trừ, mạch nhân tương tự, mạch vi phân, mạch tích phân, mạch tạo hàm mũ và hàm logarit

Câu 14: Khái niệm về mạch lọc tần số(phần 4.10.1).

Câu 15: Vẽ sơ đồ và giải thích hoạt động mạch lọc thông thấp và mạch lọc thông

thấp bậc 2(tích cực)

Câu 16: Khái niệm về điều chế và tách sóng Ý nghĩa của điều chế và tách sóng

trong thực tế

Câu 17: Điều biên là gì? Vẽ đồ thị miêu tả tín hiệu điều biên Các chỉ tiêu cơ bản

của tín hiệu điều biên

Câu 18: Trình bày về các mạch điều biên: mạch điều biên cân bằng, mạch điều chế

vòng, mạch điều chế đơn biên

Câu 19: các công thức và quan hệ giữa điều tần và điều pha Các mạch điều tần

điển hình

Câu 20 : Mạch tách sóng biên độ: Khái niệm, các tham số, các mạch tách sóng nối

tiếp và tách sóng song song

Câu 21: Trộn tần là gì? Trình bày các mạch trộn tần dùng Tranzito lưỡng cực Câu 22: Nhân tần là gì? Vẽ giải thích sơ đồ nguyên lí của mạch nhân tần dùng điốt

và Tranzito lưỡng cực

Câu 23: Khái niệm chung về chuyển đổi tương tự - số Các tham số cơ bản của bộ

chuyển đổi tương tự - số Tại sao phải chuyển đổi tương tự số và số - tương tự?

Câu 24: Trình bày các mạch thực hiện chuyển đổi tương tự số và số - tương tự.

Câu 1: Trình bày sự tạo thành lớp tiếp xúc P-N, đặc điểm của lớp này khi phân cực thuận và phân cực ngược.

Trả lời:

a Sự hình thành lớp chuyển tiếp p – n.

Khi có 2 loại bán dẫn p và n đặt tiếp xúc nhau thì có sự khuyếch tán electron tự do

từ phần bán dẫn n sang p và lỗ trống khuyếch tán từ phần bán dẫn p sang n, kết quả

là ở mặt phân cách giữa 2 bán dẫn hình thành một lớp tiếp xúc tích điện dương về phía bán dẫn n và tích điện âm về phía bán dẫn p Do đó trong lớp tiếp xúc có điện trường E hướng từ n sang p làm ngăn cản sự khuyếch tán của các hạt mang điện

Do có sự khuyếch tán nói trên nên số hạt mang điện cơ bản ở sát hai bên của lớp tiếp xúc giảm đi nên điện trở của lớp tiếp xúc rất lớn

b) Đặc điểm.

- Khi nối bán dẫn loại p vào cực dương, bán dẫn loại n vào cực âm của nguồn

điện Điện trường E do nguồn điện tạo ra hướng từ p sang n làm cho hạt mang điện

cơ bản di chuyển qua lớp tiếp xúc, nên có dòng điện thuận qua lớp tiếp xúc

- Khi nối bán dẫn loại n vào cực dương, bán dẫn loại p vào cực âm của nguồn điện.Điện trường E do nguồn điện tạo ra hướng từ n sang p làm cho hạt mang điện cơ bản không di chuyển qua lớp tiếp xúc, chỉ có hạt mang điện không cơ bản đi qua lớp tiếp xúc tạo ra dòng điện có cường độ rất nhỏ gọi là dòng điện ngược

Kết luận : Lớp tiếp xúc p-n chỉ dẫn điện theo một chiều từ p sang n Sự dẫn điện của bán dẫn tinh khiết

Vùng 1: diode phân cực thuận.

Khi một điện áp dương đặt tới hai đầu diode đủ lớn, diode sẽ cho dòng điện chảy qua hoàn toàn Diode có thể coi như ngắn mạch

Vùng 2: diode phân cực ngược.

Khi một điện áp âm đặt tới hai đầu diode, dòng điện chảy qua diode là rất nhỏ Khiđiện áp âm lớn hơn vài phần trăm vol, dòng điện ngược sẽ không đổi và đạt tới dòng bão hòa ngược là ID = -I0

Vùng 3: vùng đánh thủng.

Khi điện áp âm đủ lớn đặt vào hai đầu diode (khoảng -100V), dòng điện ngược quadiode tăng đột ngột khi điện áp không thay đổi, tính chất van của diode bị phá hỏng Hiện tượng này được gọi là Zener hay đánh thủng Điện áp mà tại đó xảy ra hiện tượng trên gọi là điện áp đánh thủng, ký hiệu là VBR

Tại vùng 1 và vùng 2, đặc tuyến vol-ampere của diode tuân theo biểu thức

k là hằng số Boltzmann, 1.3806 x 10 J/K.

I0 là dòng điện bão hòa ngược, giá trị từ 10-16 đến 1μA.A

T là nhiệt độ ở thang Kelvins (K)

n là hằng số hiệu chỉnh, về lý thuyết lấy giá trị 1, trên thực tế lấy giá trị từ 1 đến 2 đối với diode thực tế

- Diode thụ quang (Photo Diode)

PhotoDiode là thiết bị chuyển hóa quang năng thành điện năng PhotoDiode hoạt động ở chế độ phân cực ngược Các photon ánh sáng khi chiếu vào photodiode sẽ tạo ra dòng điện phân cực ngược tỷ lệ với cường độ ánh sáng chiếu vào.

- Diode phát quang (LED)

LED là diode bán dẫn đặc biệt có khả năng phát quang khi phân cực thuận Cường

độ sáng của diode tỷ lệ với dòng phân cực thuận LED thường được sử dụng để hiển thị số trong các loại máy tính cầm tay hoặc các thiết bị hiển thị số khác Ký hiệu của LED giống như diode bán dẫn có thêm hai mũi tên ra, ý nghĩa là ánh sáng phát ra khi có phân cực thuận.

- Diode biến dung(Varactor Diode)

Diode khi được phân cực ngược có thể được coi tương đương như một tụ điện, giá trị điện dung của tụ điện thay đổi theo giá trị điện áp phân cực ngược Diode biến dung thường được ứng dụng trong các mạch cộng hưởng chọn tần: Mạch điều chỉnh tần số tự động - AFC (Automatic frequency Controller) hay VCO (Voltage- Controlled Oscillator)

- Schottky Diode

Schottky Diode được cấu thành từ lớp tiếp xúc giữa lớp bán dẫn và lớp kim loại Dạng đặc tuyến của Schottky Diode giống với diode bán dẫn nhưng có 2 điểm khác như sau:

o Thời gian chuyển mạch từ phân cực thuận sang phân cực ngược của

Schottky Diode là rất ngắn so với diode bán dẫn.

o Dòng điện phân cực thuận cho cùng 1 điện áp của Schottky Diode lớn hơn

so với diode bán dẫn.

Nhờ những đặc điểm trên, Schottky Diode thường được ứng dụng trong các

chuyển mạch có thời gian chuyển đổi nhanh

Mạch chỉnh lưu một nửa chu kỳ:

Các linh kiện trong mạch:

V1 là điện áp lưới 220V, 50Hz

T1 là biến áp, thực hiện biến đổi dòng xoay chiều thành dòng xoay chiều có biên

độ thay đổi

D1 V1

R1 T1 U21

D1 là diode bán dẫn, nhờ tính chất van dòng điện sẽ chỉnh lưu dòng xoay chiều phía thứ cấp của biến áp thành dòng 1 chiều

Tín hiệu vào là tín hiệu tuần hoàn theo chu kỳ T, do đó ta chỉ cần tính toán trên 1 chu kỳ từ 0 đến T Các chu kỳ còn lại tín hiệu sẽ tuần hoàn

có giá trị hiệu dụng là U 2)

Tín hiệu ra U0 là tín hiệu 1 chiều tuy nhiên tín hiệu này không ổn định Tín hiệu 1 chiều mong muốn là tín hiệu bằng phẳng và ổn định Để làm cho tín hiệu ra bằng phẳng hơn, ta mắc thêm tụ điện vào mạch như sau:

D1 V1

220 V

50 Hz

0Deg

R1 T1

U2 C1

Mạch chỉnh lưu 2 nửachu kỳ:

Các linh kiện trong mạch:

U21>0 => Diode 1 phân cực thuận

U22<0 => Diode 2 phân cực ngược

=> U0=U21

T/2 < t < T:

U21<0 => Diode 1 phân cực ngược

U22>0 => Diode 2 phân cực thuận

=> U0=U22

Nhận xét:

-Tại đầu ra, điện áp ra luôn ≥0 nên mạch đã thực hiện việc chỉnh lưu điện áp xoay chiều thành điện áp 1 chiều Điện áp ra tồn tại trong cả hai nửa chu kỳ Vì vậy, mạch được gọi là mạch chỉnh lưu 2 nửa chu kỳ

- Giá trị trung bình của điện áp ra được tính như sau (giả sử U21 và U22 là điện áp

hình sin, có giá trị hiệu dụng là U 2) Dễ thấy giá trị trung bình của điện áp ra trong mạch chỉnh lưu 2 nửa chu kỳ gấp đôi trường hợp chỉnh lưu 1 nửa chu kỳ, vậy

- Để đánh giá độ bằng phẳng của điện áp ra, thường sử dụng hệ số gợn sóng được định nghĩa đối với thành phần sóng bậc n:

với Unm là biên độ sóng có tần số n.ω, U0 là thành phần điện áp

1 chiều trên tải Đối với mạch chỉnh lưu hai nửa chu kỳ ta có: q 1 = 0.67

-Tín hiệu ra U0 là tín hiệu 1 chiều tuy nhiên tín hiệu này không ổn định Tín hiệu 1 chiều mong muốn là tín hiệu bằng phẳng và ổn

định Để làm cho tín hiệu ra bằng phẳng hơn, ta

mắc thêm tụ điện vào mạch như sau:

-Khi có thêm tụ điện, giá trị trung bình của

điện áp ra sẽ tăng và hệ số gợn sóng giảm q 1 ≤

0.02

Các linh kiện trong mạch:

4 diode D1, D2, D3, D4 mắc như trên gọi là mắc theo hình cầu V1 là nguồn điện áp lưới

T1 là biến áp

0 < t < T/2:

U2 > 0 => D1, D3 phân cực ngược; D2, D4 phân cực thuận => U0 = U2

T/2 < t < T:

U2 < 0 => D1, D3 phân cực thuận; D2, D4 phân cực ngược => U0 = -U2

Nhận xét: Điện áp tại đầu ra của mạch chỉnh lưu cầu giống như mạch chỉnh lưu hai nửa chu kỳ Tuy nhiên, do luôn có hai diode phân cực ngược nên điện áp ngược

đặt lên mỗi diode khi phân cực ngược chỉ bằng một nửa so với trường hợp mạch chỉnh lưu hai nửa chu kỳ Điều này rất có ý nghĩa khi chọn linh kiện cho mạch.

-Mạch ghim trên là mạch điện hạn chế không cho điện áp lớn hơn một ngưỡng nào

đó, tức là khi điện áp lớn hơn ngưỡng đó, điện áp sẽ bị cắt

-Mạch ghim dưới là mạch điện hạn chế không cho điện áp nhỏ hơn một giá trị nào

đó, tức là khi điện áp nhỏ hơn ngưỡng đó, điện áp sẽ bị cắt

Transistor lưỡng cực cấu tạo gồm các miền bán dẫn pha tạp p và n

xen kẽ nhau, tùy theo trình tự sắp xếp các miền p và n mà ta có hai loại cấu trúc

điển hình là npn và pnp như hình vẽ:

Mũi tên bao giờ cũng được đặt giữa hai cực B và E Chiều mũi tên cho biết transistor là loại npn hay pnp Chiều mũi tên hướng từ p sang n

-Transistor có 3 điện cực:

E – Emitter

B – Base

C – Collector

-Hai tiếp giáp:

tiếp giáp p-n giữa Emitter và Base gọi là JE

tiếp giáp p-n giữa Collector và Base gọi là JC

Về mặt cấu trúc, có thể coi transistor như hai diode mắc đối nhau Nhưng điều này không có nghĩa là cứ mắc hai diode như hình là có thể thực hiện chức năng của transistor

Nguyên lí làm việc:

Transistor có 2 tiếp giáp p-n, mỗi tiếp giáp p-n có 2 khả năng hoặc phân cực thuận hoặc phân cực ngược Kết hợp lại, ta có thể có 4 trường hợp hoạt động của

transistor như sau:

Để transistor hoạt động ở chế độ khuếch đại, JE phân cực thuận và JC phân cực ngược Sự tác động qua lại của 3 lớp bán dẫn trong transistor tạo ra những liên hệ

cơ bản trong transistor như sau:

: là hệ số khuếch đại dòng điện (50÷250)

:là hệ số truyền đạt dòng điện (≈1)

C B

I I

 

C E

I I

1 1

E

I

I I

I

Chế độ ngắt: Trong chế độ này cả hai tiếp giáp JE và JC đều phân cực ngược Tức là:

 Hai chế độ ngắt và chế độ dẫn bão

hòa của tranzito được sử dụng nhiều

trong kỹ thuật xung và kỹ thuật mạch

logic

Phân loại:

-Câu 5: Trình bày hiểu biết về tranzito hiệu ứng trường(FET).

Trả lời:

 Cấu tạo:

Tranzito trường có ba cực là cực Nguồn ký hiệu là chữ S (source); cực Cửa ký hiệu

là chữ G (gate); cực Máng ký hiệu là chữ D (drain)

-Tại cực nguồn (S) các hạt dẫn đa số đi vào kênh và tạo ra dòng điện nguồn

IS

Tại cực máng (D) các hạt dẫn đa số rời khỏi kênh

Cực cửa (G) là cực điều khiển dòng điện chạy qua kênh

* Nhược điểm chính của FET là hệ số khuếch đại thấp hơn nhiều so với BJT

 Nguyên lý cơ bản:

Nguyên lý hoạt động cơ bản của tranzito trường là dòng điện đi qua một môi

trường bán dẫn có tiết diện dẫn điện thay đổi dưới tác dụng của điện trường vuông góc với lớp bán dẫn đó Khi thay đổi cường độ điện trường sẽ làm thay đổi điện trởcủa lớp bán dẫn và do đó làm thay đổi dòng điện đi qua nó Lớp bán dẫn này được gọi là kênh dẫn điện

Trong loại tranzito trường có cực cửa cách điện được chia làm 2 loại là MOS kênh

có sẵn và loại MOS kênh cảm ứng

 Chú ý:

Ở tranzito trường chú ý đến điện áp cực cửa giới hạn: UGS giới hạn thường khoảng từ 50 ÷ 100V Nếu cao quá trị số này lớp ôxit cách điện sẽ bị đánh thủng Chú ý đến hiện tượng tĩnh điện ở đầu vào rất dễ phá hỏng tranzito ngay khi chạm tay vào nó Vì vậy khi hàn, thay thế, hoặc sửa chữa ta phải nối đất các dụng cụ, máy đo, mỏ hàn và cả người sử dụng để tránh hiện tượng này

-Câu 7: Khái niệm và các tham số chính của mạng khuếch đại bán dẫn.

Trả lời:

Khái niệm:

Thực chất khuếch đại là một quá trình biến đổi năng lượng có điều khiển, ở đó năng lượng một chiều của nguồn cung cấp, không chứa thông tin, được biến đổi thành năng lượng xoay chiều theo tín hiệu điều khiển đầu vào, chứa đựng thông tin, làm cho tín hiệu ra lớn lên nhiều lần và không méo Phần tử điều khiển đó là tranzito Sơ đồ tổng quát của mạch khuếch đại như ở hình 3-1

tham số cơ bản của một tầng khuếch đại:

a) Hệ số khuếch đại K:

Nói chung vì tầng khuếch đại có chứa các phần tử điện kháng nên K là một số phức.

b) Trở kháng đầu vào và đầu ra

Trở kháng đầu vào và trở kháng đầu ra của tầng khuếch đại được định nghĩa

c) Méo tần số

Méo tần số là méo khi độ khuếch đại của mạch khuếch đại bị giảm ở vùng tần số thấp và vùng tần số cao.

d) Méo phi tuyến.

Méo phi tuyến là do tính chất phi tuyến của các phần tử bán dẫn như tranzito gây

ra Khi uv chỉ có thành phần tần số thì ur nói chung có các thành phần tín hiệu

với tần số là bội củatức là n. (với n = 1, 2 ) với các biên độ cực đại tương

ứng là U max Hệ số méo phi tuyến do tầng khuếch đại gây ra được đánh giá là:

e) Hiệu suất của tầng khuếch đại

Hiệu suất của một tầng khuếch đại là đại lượng được tính bằng tỷ số giữa công suất

tín hiệu xoay chiều đưa ra tải P r với công suất tiêu thụ nguồn cung cấp một chiều:

P 0

Ý nghĩa của hồi tiếp:

Nếu điện áp hồi tiếp về ngược pha với điện áp vào (khi đó nó sẽ làm giảm tín hiệu vào) thì đó là hồi tiếp âm Hồi tiếp âm làm giảm hệ số khuếch đại của mạch nhưng bù lại nó lại làm tăng tính ổn định của mạch và tăng dải tần làm việc

Do đó trong các mạch khuếch đại người ta thường sử dụng hồi tiếp âm

Nếu điện áp hồi tiếp về cùng pha với tín hiệu vào (nó sẽ làm tăng biên độ tínhiệu vào mạch khuếch đại), thì gọi là hồi tiếp dương Hồi tiếp dương làm tăng hệ

số khuếch đại nhưng làm mạch không ổn định thậm chí nếu hồi tiếp nhiều sẽ làm mạch xảy ra hiện tượng tự kích và mạch sẽ dao động, do đó hồi tiếp dương thường dùng trong các mạch tạo dao động

Ngoài ra hồi tiếp âm còn có tác dụng tăng

độ ổn định của hệ số khuếch đại, và nó được

dùng rộng rãi để cải thiện đặc tuyến biên độ,

tần số (hình 3-5) của bộ khuếch đại nhiều

tầng ghép điện dung Vì ở miền tần số thấp

và cao hệ số khuếch đại bị giảm Tác dụng

hồi tiếp âm ở miền tần số kể trên sẽ yếu vì hệ

số khuếch đại K nhỏ và sẽ dẫn đến tăng độ

khuếch đại ở dải biên tần và mở rộng dải

thông f của bộ khuếch đại.

Hồi tiếp âm cũng làm giảm méo phi tuyến của tín hiệu ra và giảm nhiễu (tạp âm) trong bộ khuếch đại

Những quy luật chung ảnh hưởng của hồi tiếp âm đến chỉ tiêu bộ khuếch đạilà:

Mọi loại hồi tiếp âm đều làm giảm tín hiệu trên đầu vào bộ khuếch đại và do

đó làm giảm hệ số khuếch đại Kht, làm tăng độ ổn định của hệ số khuếch đại của

bộ khuếch đại

Ngoài ra hồi tiếp âm nối tiếp làm tăng điện trở vào

Hồi tiếp điện áp nối tiếp làm ổn định điện áp ra, giảm điện trở ra Rrht Còn hồi tiếp dòng điện nối tiếp làm ổn định dòng điện ra It, tăng điện trở ra Rrht.

Hồi tiếp âm song song làm tăng dòng điện vào, làm giảm điện trở vào Rvht, cũng như điện trở ra Rrht.

Cần nói thêm là hồi tiếp dương thường không dùng trong bộ khuếch đại nhưng nó có thể xuất hiện ngoài ý muốn do ghép về điện ở bên trong hay bên ngoài gọi là hồi tiếp ký sinh, có thể xuất hiện qua nguồn cung cấp chung, qua điện cảm hoặc điện dung ký sinh giữa mạch ra và mạch vào của bộ khuếch đại

Hồi tiếp ký sinh làm thay đổi đặc tuyến biên độ - tần số của bộ khuếch đại

do làm tăng hệ số khuếch đại ở các đoạn riêng biệt của dải tần hoặc thậm chí có thểlàm cho bộ khuếch đại bị tự kích nghĩa là xuất hiện dao động ở một tần số xác định

Để loại bỏ hiện tượng trên có thể dùng các bộ lọc thoát, bố trí mạch in và các linh kiện hợp lý

Câu 9: Vẽ sơ đồ và trình bày hoạt động của các mạnh khuếch đại dùng BJT.

-Trả lời:

a) Tầng khuếch đại Emitơ chung (EC)

Sở dĩ người ta gọi là tầng emitơ chung là vì nếu xét về mặt xoay chiều thì tínhiệu đầu vào và đầu ra đều có chung một chất đất là cực E của tranzito.

Trong sơ đồ này Cp1, Cp2 là các tụ nối tầng, nó ngăn cách điện áp một chiều tránh ảnh hưởng lẫn nhau, R1, R2, RC để xác định chế độ tĩnh của tầng

khuếch đại

RE điện trở hồi tiếp âm dòng điện một chiều có tác dụng ổn định nhiệt, CE

tụ thoát thành phần xoay chiều xuống đất ngăn hồi tiếp âm xoay chiều

Đặc điểm của tầng khuếch đại EC là tầng khuếch đại đảo pha, tín hiệu ra ngược pha với tín hiệu vào

Nguyên lý làm việc của tầng EC như sau: khi đưa điện áp xoay chiều tới đầu

vào xuất hiện dòng xoay chiều cực B của tranzito và do đó xuất hiện dòng xoay

chiều cực C ở mạch ra của tầng Dòng này gây sụt áp xoay chiều trên điện trở RC Điện áp đó qua tụ CP2 đưa đến đầu ra của tầng tức là tới Rt Có thể thực hiện bằng

hai phương pháp cơ bản là phương pháp đồ thị đối với chế độ một chiều và phươngpháp giải tích dùng sơ đồ tương đương đối với chế độ xoay chiều tín hiệu nhỏ

b) Tầng khuếch đại Colectơ chung (CC)

Điện trở RE trong sơ đồ đóng vai trò như RC trong mạch EC, nghĩa là tạo nên một điện áp biến đổi ở đầu ra trên nó Tụ C có nhiệm vụ đưa tín hiệu ra tải Rt Điện trở R1, R2 là bộ phân áp cấp điện một chiều cho cực B, xác định chế độ tĩnh của tầng Để tăng điện trở vào thường người ta không mắc điện trở R2 Tính toán chế độ một chiều tương tự như tính toán tầng EC Để khảo sát các tham số của tầng theo dòng xoay chiều, cần chuyển sang sơ đồ tương đương xoay chiều

c) Tầng khuếch đại cực B chung (BC)

Các phần tử R1, R2, RE dùng để xác định chế độ tĩnh IE Các phần tử còn lại cũng có chức năng giống sơ đồ mạch EC.

Hệ số khuếch đại của bộ khuếch đại nhiều tầng bằng tích hệ số khuếch đại của mỗi tầng (tính theo đơn vị số lần) hay bằng tổng của chúng (tính theo đơn vị dB)

Việc ghép giữa các tầng có thể dùng tụ điện, biến áp hay ghép trực tiếp

Ngoài ra với tần số thấp thì mạch làm tăng mức độ hồi tiếp âm dòng xoay

chiều trên các điện trở RE và do đó làm giảm hệ số khuếch đại.

b) Ghép bằng biến áp

Trong sơ đồ cuộn sơ cấp W1 mắc vào cực C của T1, cuộn thứ cấp W2 mắc vào cực B của T2 qua tụ CP2 Ghép tầng bằng biến áp cách ly điện áp một chiều giữa các

tầng mà còn làm tăng hệ số khuếch đại chung về điện áp hay dòng điện tuỳ thuộc vào biến áp tăng hay giảm áp.

Ưu điểm của mạch này là điện áp

nguồn cung cấp cho cực C của tranzito lớn

vì điện áp một chiều cuộn dây bé, do đó

cho phép nguồn có điện áp thấp Ngoài ra

tầng ghép biến áp dễ dàng thực hiện phối

hợp trở kháng và thay đổi cực tính điện áp

tín hiệu trên các cuộn dây Tuy nhiên nó

có nhược điểm là đặc tuyến tần số không

bằng phẳng trong dải tần Kết cấu mạch

nặng nề, cồng kềnh, hư hỏng sửa chữa

thay thế phức tạp

c) Mạch ghép trực tiếp:

Trong mạch này cực C của tranzito

trước đấu trực tiếp vào cực B của tranzito

sau Cách trực tiếp này làm giảm méo tần

số thấp trong bộ khuếch đại, được dùng

trong bộ khuếch đại tín hiệu có thành phần

một chiều (tín hiệu biến thiên chậm)

Nhược điểm của mạch là không tận

dụng được độ khuếch đại của tranzito do

chế độ cấp điện một chiều

-Câu 13: Vẽ sơ đồ và xây dựng công thức xác định tín hiệu ra (Ura) của các mạch sau(Sử dụng IC thuật toán): Mạch cộng, mạch trừ, mạch nhân tương

c) Mạch trừ:

d) Mạch nhân tương tự:

Mạch nhân tương tự có sơ đồ quy ước trên hình

4-18 Tín hiệu trên đầu ra của nó tỷ lệ với tích các tín

hiệu đặt lên hai đầu vào.

Mạch nhân điện áp lý tưởng có trở kháng vào hai cửa ZVX, ZVY = ∞ và trở kháng ra Zr= 0 Hệ số truyền đạt lý tưởng không phụ thuộc vào tần số và trị số các điện áp vào UX, UY nghĩa là k là một hằng số.

Mạch nhân thực hiện bởi mạch khuếch đại logarit và đối logarit có sơ đồ khối như hình sau:

g) Mạch tạo hàm mũ:

Để tạo hàm đối logarit ta mắc phần tử phi tuyến là điốt hay tranzito vào nhánh vào của IC khuếch đại thuật toán Mạch nguyên lý được biểu diễn trên hình