ch6b Mô hình MOSFET trong Mạch tương tự pptx

GT LINH KIỆN & MÔ HÌNH Chương 6b Mô hình MOSFET trong Mạch Tương Tự   •  ! • "#$%&'()*! +%&,-./012! • %&3%%! •  •  ( ) ( ) 2 2 1 2 2 n D GS Tn n ox GS Tn n W I V V C V V L β µ   = − = −  ÷   ( ) D m n ox GS Tn n GS dI W g C V V dV L µ   = = −  ÷   d m gs i g v= 1 ds D r I λ = 4 5 6 7 ))(1(|)|( 2 )1(|)|( 2 ))(1()( 2 )1()( 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 1 1 2 1 1 1 o V PTPinGGPDD oxP DSPTPSG oxP D o V NTinGG oxN DSNTGS oxN D vVvVV L WC VVV L WC I vVvV L WC VVV L WC I DD DD −+−−−= +−== ++−+= +−= λ µ λ µ λ µ λ µ Khoá để tính tay: • Dùng những phương trình mô hình level 1 hoặc 3 • Dùng định luật Kirchhoff KCL/KVL 1 2 1 2 1 1 1 1 1 1 Let , suppose | | , , 2 2 and a battery offset is used, then operating point is: ( ) / 2, ( ) / 2, / 2 (( ) / 2 ) (( ) / 2 2 N ox P ox TP T P N C GG DD C GGP DD C o DD N ox m DD C T N ox ds DD C C W C W V V L L E V V E V V E V V C W g V E V L C W g V E L µ µ λ λ µ µ = = = = − = + = = − − = − − 2 2 2 1 2 2 2 2 2 ) (( ) / 2 ) (( ) / 2 ) 2 T N P ox m DD C T m P ox ds DD C T P V C W g V E V g L C W g V E V L λ µ µ λ = − − = = − − +89888:;'9<#1'&&8% = > . GT LINH KIỆN & MÔ HÌNH Chương 6b Mô hình MOSFET trong Mạch Tương Tự   •  ! • "#$%&'()*! +%&,-./012! • %&3%%! •  •  (. v= 1 ds D r I λ = 4 5 6 7 ))(1(|)|( 2 )1(|)|( 2 ))(1()( 2 )1()( 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 1 1 2 1 1 1 o V PTPinGGPDD oxP DSPTPSG oxP D o V NTinGG oxN DSNTGS oxN D vVvVV L WC VVV L WC I vVvV L WC VVV L WC I DD DD −+−−−= +−== ++−+= +−= λ µ λ µ λ µ λ µ Khoá để tính tay: • Dùng những phương trình mô hình level 1 hoặc 3 • Dùng định luật Kirchhoff KCL/KVL 1 2 1 2 1 1 1 1 1 1 Let , suppose | |