Bài giảng mạch điện tử 1 chương 2 transistor hai lớp tiếp giáp BJT, bài giảng này sẽ giúp bạn nằm thêm kiến thức về BJT và có sẵn ví dụ để bạn làm, mỗi ví dụ điều có hướng dẫn giải chi tiết. Còn chần chừ gì nữa mà không ấn vào tải ngay để học được thêm những kiến thức bổ ích :3
Trang 1HAI LỚP TIẾP GIÁP - BJT
Trang 2GIỚI THIỆU
1
DÒNG CHẢY TRONG BJT
2
Trang 31948: Transistor đầu tiên (Bell Lab)
• Các loại transistor (TST): BJT, FET
• BJT: Bipolar Junction Transistor: Transistor hai lớp tiếp giáp
• Cấu tạo: 2 lớp tiếp xúc p-n ghép đối đầu nhau
• Phân loại: pnp & npn
• Ký hiệu: 3 cực B, C &E
• Hoạt động phân cực: tắt, bão hòa, dẫn khuếch đại & đảo
Hình dạng BJT trong thực tế
1 GIỚI THIỆU
3
Trang 4Với BJT-npn:
• Với BJT-pnp:
Có các dòng khuếch tán, dòng lỗ trống dòng ngược.
2 DÒNG CHẢY TRONG BJT
Trang 52 DÒNG CHẢY TRONG BJT (tt)
5
Trang 6Vùng khuếch đại
• EB: Phân cực thuận
• CB: Phân cực nghịch
I C I E I CBO
I E I B I C
I B (1 )I E I CBO
C
B
I
1 I
Đặt hệ số khuếch đại dòng
1
Lưu ý: cấu hình B chung (CB – common Base Configuration)
2 DÒNG CHẢY TRONG BJT (tt)
Trang 7• Xem mối nối EB như một Diode phân cực thuận hoạt động độc lập (iD = iE; vD = vEB)
• DCLL và đặc tuyến EB
• Mạch tương đương đơn giản
vE = VEBQ = V (0.7V: Silicon; 0.3V: Germanium)
rd = 0
R e
EB E
R e
i 1 v
R e
V EE V EBQ
EQ
I
2 DÒNG CHẢY (tt) – MỐI NỐI E - B
7
Trang 8• Từ quan hệ: IC IE ICBO
mạch tương đương của mối nối CB
VEBQ
VEBQ
2 DÒNG CHẢY (tt) – MỐI NỐI C - B
Trang 9Ví dụ 1: Cho mạch điện như hình vẽ: 1, I CBO 0; V EE = 2V;
R e = 1k; V CC = 50V; R c = 20k; v i = 1sint Tính i E và v CB
1.3 1.0sint (mA)
R e
EBQ i
EE
V v V
E
i
v CB V CC R c i C V CC R c i E
i e
c v
e
EE EBQ c
v CB V CC R
R
R R
V V
v CB 24 20sint (V)
Re
c
VEE VCC
vi
B R
C
3
E
1
c
VEBQ
C
vi
B
9
2 DÒNG CHẢY (tt) – MỐI NỐI C - B
Trang 10i C i B
1
với
Quan hệ giữa iC và iB (bỏ qua ICBO):
Hệ số khuếch đại tín hiệu nhỏ
i C i B i B
fe B
i C
i h
h fe h FE
Suy ra:
Xem gần đúng:
Lưu ý: của các TST cùng loại có thể thay đổi theo từng TST.
2 KHUẾCH ĐẠI DÒNG TRONG BJT
Trang 11Ví dụ 2: Cho mạch điện như hình vẽ Xác định hệ số khuếch đại dòng tín hiệu nhỏ.
Cấu hình E chung (CE – Common Emitter configuration)
Transistor npn
1
Rb
vi
VBB
VCC
E C
i c
i c
i b
A
Ngõ ra: i C i B (I BQ i b ) I CQ
Hệ số khuếch đại dòng tín hiệu nhỏ
i
V BB v i V BEQ I b
R b i i
b
V BB V BEQ
BQ
R
Với I
R b
v i
b
i
Ngõ vào:
và
11
Trang 12Đặc tuyến V-Angõ ra, cấu hình E chung
• Vùng bão hòa:
Quan hệ giữa iC và iB là không tuyến tính
• Vùng chủ động:
Quan hệ tuyến tính:
Giới hạn dòng:
IC-cutoff iC ICmax
i C i B
I CBO
2 KHUẾCH ĐẠI DÒNG TRONG BJT (tt)
Trang 13Ví dụ 3 : V CC = 10V, R b = 10K, R c = 1K.
TST: = 100, V BE = 0.7V,V CEsat =0.1V.
Tìm điều kiện làm việc (I C và V CE ) của TST khi:
a) V BB = 1.5V b) V BB = 10.7V
3
2
1
VBB
VCC
Rb
Rc
2 KHUẾCH ĐẠI DÒNG TRONG BJT (tt)
13
Trang 14Mạch tương đương
ic
1
1
hfeib
R0
C +
vce _
2 KHUẾCH ĐẠI DÒNG TRONG BJT (tt)
Trang 1515