1. Trang chủ
  2. » Luận Văn - Báo Cáo

Chương 2 transistor hai lớp tiếp giáp bjt

15 0 0
Tài liệu đã được kiểm tra trùng lặp

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Tiêu đề Transistor Hai Lớp Tiếp Giáp - BJT
Chuyên ngành Điện tử
Năm xuất bản 2012
Định dạng
Số trang 15
Dung lượng 1,11 MB

Nội dung

Bài giảng mạch điện tử 1 chương 2 transistor hai lớp tiếp giáp BJT, bài giảng này sẽ giúp bạn nằm thêm kiến thức về BJT và có sẵn ví dụ để bạn làm, mỗi ví dụ điều có hướng dẫn giải chi tiết. Còn chần chừ gì nữa mà không ấn vào tải ngay để học được thêm những kiến thức bổ ích :3

Trang 1

HAI LỚP TIẾP GIÁP - BJT

Trang 2

GIỚI THIỆU

1

DÒNG CHẢY TRONG BJT

2

Trang 3

1948: Transistor đầu tiên (Bell Lab)

• Các loại transistor (TST): BJT, FET

• BJT: Bipolar Junction Transistor: Transistor hai lớp tiếp giáp

• Cấu tạo: 2 lớp tiếp xúc p-n ghép đối đầu nhau

• Phân loại: pnp & npn

• Ký hiệu: 3 cực B, C &E

• Hoạt động phân cực: tắt, bão hòa, dẫn khuếch đại & đảo

Hình dạng BJT trong thực tế

1 GIỚI THIỆU

3

Trang 4

Với BJT-npn:

• Với BJT-pnp:

Có các dòng khuếch tán, dòng lỗ trống dòng ngược.

2 DÒNG CHẢY TRONG BJT

Trang 5

2 DÒNG CHẢY TRONG BJT (tt)

5

Trang 6

Vùng khuếch đại

• EB: Phân cực thuận

• CB: Phân cực nghịch

I C  I E  I CBO

I E  I B  I C

I B  (1 )I E  I CBO

C

B

I

 1 I

Đặt    hệ số khuếch đại dòng

1 

Lưu ý: cấu hình B chung (CB – common Base Configuration)

2 DÒNG CHẢY TRONG BJT (tt)

Trang 7

• Xem mối nối EB như một Diode phân cực thuận hoạt động độc lập (iD = iE; vD = vEB)

• DCLL và đặc tuyến EB

• Mạch tương đương đơn giản

vE = VEBQ = V (0.7V: Silicon; 0.3V: Germanium)

rd = 0

R e

EB E

R e

i   1 v

R e

V EE  V EBQ

EQ

I

2 DÒNG CHẢY (tt) – MỐI NỐI E - B

7

Trang 8

• Từ quan hệ: IC   IE  ICBO

 mạch tương đương của mối nối CB

VEBQ

VEBQ

2 DÒNG CHẢY (tt) – MỐI NỐI C - B

Trang 9

Ví dụ 1: Cho mạch điện như hình vẽ:   1, I CBO0; V EE = 2V;

R e = 1k; V CC = 50V; R c = 20k; v i = 1sint Tính i E và v CB

 1.3  1.0sint (mA)

R e

EBQ i

EE

V  v  V

E

i

v CB  V CC  R c i C  V CC  R c i E

i e

c v

e

EE EBQ c

v CB  V CC  R

R

R R

V  V

v CB  24  20sint (V)

Re

c

VEE VCC

vi

B R

C

3

E

1

c

VEBQ

C

vi

B

9

2 DÒNG CHẢY (tt) – MỐI NỐI C - B

Trang 10

i C    i B

1 

với   

Quan hệ giữa iC và iB (bỏ qua ICBO):

Hệ số khuếch đại tín hiệu nhỏ

i C    i B    i B

fe B

i C

   

i  h

h fe    h FE

Suy ra:

Xem gần đúng:

Lưu ý:của các TST cùng loại có thể thay đổi theo từng TST.

2 KHUẾCH ĐẠI DÒNG TRONG BJT

Trang 11

Ví dụ 2: Cho mạch điện như hình vẽ Xác định hệ số khuếch đại dòng tín hiệu nhỏ.

Cấu hình E chung (CE – Common Emitter configuration)

Transistor npn

1

Rb

vi

VBB

VCC

E C

 i c

 

i c

i b

A 

 Ngõ ra: i C    i B   (I BQ  i b )  I CQ

Hệ số khuếch đại dòng tín hiệu nhỏ

i

V BB  v i V BEQ  I b

R b  i i

b

V BB V BEQ

BQ

R

Với I

R b

v i

b

i

 Ngõ vào:

11

Trang 12

Đặc tuyến V-Angõ ra, cấu hình E chung

• Vùng bão hòa:

Quan hệ giữa iC và iB là không tuyến tính

• Vùng chủ động:

Quan hệ tuyến tính:

Giới hạn dòng:

IC-cutoff  iC  ICmax

i C    i B  

I CBO

2 KHUẾCH ĐẠI DÒNG TRONG BJT (tt)

Trang 13

Ví dụ 3 : V CC = 10V, R b = 10K, R c = 1K.

TST: = 100, V BE = 0.7V,V CEsat =0.1V.

Tìm điều kiện làm việc (I C và V CE ) của TST khi:

a) V BB = 1.5V b) V BB = 10.7V

3

2

1

VBB

VCC

Rb

Rc

2 KHUẾCH ĐẠI DÒNG TRONG BJT (tt)

13

Trang 14

Mạch tương đương

ic

1

1

hfeib

R0

C +

vce _

2 KHUẾCH ĐẠI DÒNG TRONG BJT (tt)

Trang 15

15

Ngày đăng: 16/05/2024, 23:00