BÁO CÁO BÀI TẬP LỚN MÔN MẠCH ĐIỆN TỬ

+ Phân cực: Cung cấp điện áp cho hai cực B, E bằng nguồn điện UB TransistorNPN: UBE > 0, transistor PNP: UBE < 0.- Trong BJT, số lượng điện tử cơ bản chịu trách nhiệm chỉ chiếm một phần

ĐẠI HỌC QUỐC GIA ĐẠI HỌC BÁCH KHOA THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH

BÁO CÁO KẾT QUẢ LÀM VIỆC NHÓM

Môn: MẠCH ĐIỆN TỬ Nhóm/ Lớp: 09/ L01 ST

100%

Trọng Tuấn 2213794

Chuẩn bị phần cứng, lắp mạch phầncứng, tính toán băng thông củamạch, mô phỏng mạch trên LTSpice

100%

3 Hà Xuân Cát 2210342

Mô phỏng mạch trên Proteus, thamgia lắp mạch, đưa ra nhận xét vàkhắc phục mạch phần cứng

I.

MỤC LỤC

I CƠ SỞ LÝ THUYẾT 1

1 Cấu tạo của BJT 1

2 Nguyên lý hoạt động của BJT 1

3 Đặc tính của BJT 4

4 Ứng dụng của BJT 4

5 Các mạch khuếch đại cơ bản thường gặp 6

II CƠ SỞ TÍNH TOÁN, BIỆN LUẬN CÁC GIÁ TRỊ, THÔNG SỐ CỦA MẠCH 10

III MÔ PHỎNG MẠCH BẰNG PHẦN MỀM PROTEUS VÀ LT SPICE 14

IV TÍNH TOÁN LẠI CÁC GIÁ TRỊ LÝ THUYẾT VỚI CÁC THÔNG SỐ ĐÃ BIỆN LUẬN 20

V MÔ PHỎNG THỰC TẾ 20

VI HƯỚNG PHÁT TRIỂN CỦA MẠCH THIẾT KẾ VÀ ỨNG DỤNG 23

II.CƠ SỞ LÝ THUYẾT

1 Cấu tạo của BJT

- Transistor lưỡng cực (hay BJT - Bipolar Junction Transistor) là linh kiện bán dẫn

có cấu tạo cơ bản dựa trên 2 chuyển tiếp P – N Linh kiện 3 điện cực này được sử dụngnhư một phần tử khuếch đại hoặc như một khóa điện tử BJT là khối đơn vị cơ bản xâydựng nên cấu trúc mạch ở máy tính điện tử và tất cả các thiết bị điện tử hiện đại khác

- Transistor là một linh kiện bán dẫn 3 lớp, bao gồm 2 lớp bán dẫn loại N và một lớp

bán dẫn loại P (gọi là Transistor NPN) hoặc gồm 2 lớp bán dẫn loại P và một lớp bándẫn loại N (gọi là Transistor PNP)

Cấu trúc và kí hiệu transistor PNP và NPN

- Các cực được kí hiệu bằng các kí tự E (Emitter – cực phát), C (Collector – cực

thu) và B (Base – cực nền)

2 Nguyên lý hoạt động của BJT

- Nguyên lý hoạt động của BJT (Bipolar Junction Transistor) dựa trên việc điều

khiển dòng điện qua các lớp bán dẫn của transistor bằng một dòng dẫn điện nhỏ hơn.BJT là loại transistor ba khối, gồm ba lớp bán dẫn là base, emitter và collector TrongBJT, dòng điện chạy từ emitter tới collector và được điều khiển bởi một dòng dẫn điệnđiều khiển vào base

- Ở transistor NPN, khi dòng điện dương được đưa vào base, nó sẽ kích hoạt và tăng

cường dòng điện dương chạy từ emitter tới collector Phần lớn các hạt tải điện trongNPN transistor là electrons, trong khi đối với transistor PNP là các lỗ trống điện tử

(holes electrons) Tuy nhiên, dù khác nhau về loại hạt tải điện, nguyên lý hoạt độngcủa NPN và PNP transistor lại tương tự nhau.

BJT NPN ở chế độ khuếch đại

BJT PNP ở chế độ khuếch đại

- Để transistor hoạt động phải đủ hai điều kiện về điện áp để tiếp tế và phân cực.

+ Tiếp tế: Cung cấp điện áp cho hai cực E,C bằng nguồn điện ECC (TransistorNPN: UCE > 0, transistor PNP: UCE < 0)

+ Phân cực: Cung cấp điện áp cho hai cực B, E bằng nguồn điện UB (TransistorNPN: UBE > 0, transistor PNP: UBE < 0).

- Trong BJT, số lượng điện tử cơ bản chịu trách nhiệm chỉ chiếm một phần nhỏ

trong tổng số dòng điện chạy qua (đa số), phần lớn dòng điện được tạo ra bởi các điện

tử không cơ bản (thiểu số) Khi một dòng dẫn điện vào base của transistor, điện trườngđược tạo ra giữa hai điốt, base và emitter (hoặc collector), và điện trường này sẽ điềukhiển dòng điện chạy giữa hai diode Do đó, BJT có thể được sử dụng để tạo ra các kếtnối ampli, chuyển đổi tín hiệu và như một công tắc trong các mạch điện tử

- Transistor NPN là một loại transistor gồm ba lớp bán dẫn, bao gồm hai lớp N (âm)

được phân cách bởi một lớp P (dương) Chế độ hoạt động của transistor NPN bao gồm

ba chế độ chính: khoá, dẫn bão hoà và khuếch đại

+ Chế độ khoá và dẫn bão hoà:

Xét sơ đồ mạch điện như hình vẽ:

Sơ đồ mạch điện ở chế độ khóa điện tử của transistor loại NPN

Khi K mở: Tiếp xúc EB bị phân cực ngược, electron từ E không qua được vùng Bnên IB = 0, và transistor khóa, không có dòng IC qua tải Rt Khi K đóng: Dòng IB khác

0 Với UBE = 0.6V (Si), nếu ta chọn R1, R2, ECC, EB sao cho: IB = IBbh = I Cbh β = E CC

Mạch điện ở chế độ khuếch đại của transistor loại NPN

Lúc này nguồn phân cực EB có chiều như hình vẽ để tiếp xúc BE được phân cựcthuận Dòng IB sẽ điều khiển dòng IC Ta có: ECC = RtIC + UCE

- Trong một mạch điện, transistor NPN thường được sử dụng để khuếch đại hoặc

chuyển đổi tín hiệu điện Chế độ hoạt động của transistor NPN là rất quan trọng trongviệc thiết kế các mạch điện tử

3 Đặc tính của BJT

- Khuếch đại dòng: BJT có thể được sử dụng để khuếch đại dòng, tức là đầu ra lớn

hơn đầu vào Điều này là do điện áp và dòng điện được kiểm soát bởi dòng cơ bảnđược điều khiển bởi dòng điều khiển

- Điều khiển dòng bằng điện áp: BJT có thể được điều khiển bằng một điện áp

nhỏ tại cổng điều khiển, dẫn đến sự điều khiển dòng điện lớn hơn tại đầu ra

- Tính chất tương tự: BJT có thể được sử dụng để kết nối hai mạch điện có điện áp

khác nhau với nhau, trong đó một mạch làm nguồn cấp điện và một mạch là đầu ra.Điều này là do BJT có tính chất tương tự giống như tranzitor FET (Field EffectTransistor)

- Độ ổn định nhiệt độ tốt: BJT có thể giữ độ ổn định tốt ở nhiệt độ cao, điều này

giúp BJT có thể được sử dụng trong các mạch điện tử yêu cầu ổn định nhiệt độ

4 Ứng dụng của BJT

Có 2 loại ứng dụng của BJT là: công tắc và khuếch đại

4.1 BJT làm công tắc

- Đối với các ứng dụng làm công tắc, transistor được phân cực để hoạt động trong

vùng bão hòa hoặc vùng cắt (cutoff) Transistor trong vùng cắt sẽ hoạt động như mộtcông tắc mở trong khi ở trạng thái bão hòa sẽ hoạt động như một công tắc đóng

Công tắc mở

- Trong vùng cắt (cả hai điểm nối đều bị phân cực ngược) điện áp qua điểm nối CE

rất cao Điện áp đầu vào bằng 0 nên cả dòng điện cực gốc và dòng điện cực góp đềubằng 0, do đó điện trở được cung cấp bởi BJT rất cao (lý tưởng là vô hạn)

Công tắc đóng

- Ở trạng thái bão hòa (cả hai điểm nối đều được phân cực thuận) một điện áp đầu

vào cao được được đặt vào cực gốc Giá trị của điện trở cực gốc được điều chỉnh sao

cho dòng điện cực gốc lớn chạy qua Có một điện áp rơi nhỏ qua đường giao nhau củacực góp cực phát từ 0,05 đến 0,2 V và dòng điện cực góp rất lớn Một sự sụt giảm điện

áp rất nhỏ diễn ra trên BJT và tương đương với một công tắc đóng

4.2 BJT làm bộ khuếch đại

- Hình dưới là một bộ khuếch đại CE một tầng Cin và Cout là các tụ điện ghép nối(coupling), chúng được sử dụng để chặn thành phần DC và chỉ cho phần xoay chiều điqua Chúng cũng đảm bảo các điều kiện phân cực DC của BJT không thay đổi ngay cảkhi đầu vào được đặt Ce là tụ điện bypass làm tăng độ lợi điện áp

- BJT được phân cực trong vùng hoạt động bằng cách sử dụng các thành phần phân

cực cần thiết Điểm Q được tạo ra ổn định trong vùng hoạt động của transistor Khiđầu vào được đặt như hình dưới đây, dòng điện cực gốc bắt đầu thay đổi lên và xuống,

do đó dòng điện cực góp cũng thay đổi khi IC = β × IB Do đó điện áp trên Re thay đổikhi dòng điện cực góp đi qua nó Điện áp trên Re là điện áp được khuếch đại và cáchnhau 1800 so với tín hiệu đầu vào Do đó điện áp trên Re được ghép nối với tải và quátrình khuếch đại diễn ra Nếu điểm Q được duy trì ở tâm tải thì sẽ có rất ít hoặc khôngxảy ra hiện tượng méo dạng sóng Điện áp cũng như độ lợi dòng điện của bộ khuếchđại CE cao (độ lợi là hệ số mà điện áp của dòng điện tăng từ đầu vào đến đầu ra) Nóthường được sử dụng trong radio và làm bộ khuếch đại điện áp tần số thấp

5 Các mạch khuếch đại cơ bản thường gặp

Mạch khuếch đại là mạch điện tử trong đó với một sự biến đổi nhỏ của đạilượng điện ở đầu vào sẽ gây ra sự biến đổi lớn của đại lượng điện ở đầu ra Các

phần tử cơ bản của mạch điện là BJT hay FET, Dùng BJT để làm mạchkhuếch đại, khi đó ta cần thiết kế sao cho BJT hoạt động ở chế độ active mode(tức là điểm làm việc tĩnh nằm ở vùng active).

* Các mạch khuếch đại cơ bản:

5.1 Mạch khuếch đại ghép E chung (Common Emitter - CE)

Đặc điểm thường có của mạch:

+ Tổng trở vào (Ri) khoảng vài KΩ

+ Tổng trở ra (Ro) từ vài chục KΩ đến vài trăm KΩ

+ Hệ số khuếch đại dòng điện (Ai): lớn từ vài chục đến hàng trăm lần + Hệ số khuếch đại điện áp (AV): lớn cỡ hàng trăm lần

+ Điện áp ra (Vo) ngược pha so với điện áp vào (Vi)

+ Dải thông của mạch hẹp

5.2 Mạch khuếch đại ghép B chung (Common Base - CB)

Đặc điểm thường có của mạch:

+ Tổng trở vào (Ri) khoảng vài chục Ω

+ Tổng trở ra (Ro) vài trăm KΩ

+ Hệ số khuếch đại dòng điện (Ai): nhỏ, xấp xỉ 1

+ Hệ số khuếch đại điện áp (AV): lớn cỡ hàng trăm lần

+ Điện áp ra (Vo) cùng pha so với điện áp vào (Vi)

+ Dải thông của mạch rộng

5.3 Mạch khuếch đại ghép C chung (Common Colector – CC)

Đặc điểm thường có của mạch:

+ Tổng trở vào (Ri) khoảng vài KΩ

+ Tổng trở ra (Ro) khoảng vài chục Ω

+ Hệ số khuếch đại dòng điện (Ai): lớn, từ vài chục đến hàng trăm lần

+ Hệ số khuếch đại điện áp (AV): nhỏ, xấp xỉ 1.

+ Điện áp ra (Vo) cùng pha so với điện áp vào (Vi)

+ Dải thông của mạch trung bình

TRỊ, THÔNG SỐ CỦA MẠCH

Để đáp ứng điện trở vào cao (Ri > 10KΩ), điện trở ngõ ra thấp (Rout < 1KΩ)với độ lợi AV = 5 và để đảm bảo tín hiệu ngõ ra cùng pha với tín hiệu ngõ vào(đảm bảo giữ được các tính chất cơ bản của tính hiệu đầu vào)  Ta sử dụngmạch khuếch đại Cascade CE – CE với các thông số trở của hai mạch khácnhau để đảm bảo các yêu cầu đặt ra của đề bài

Và dưới đây là dạng mạch mà nhóm đã sử dụng để tiến hành thiết kế:

Vì tính dễ hoạt động, dễ tìm và chi phí rẻ nên nhóm lựa chọn BJT 2N222 đểthiết kế mạch Các bước mà nhóm đã làm để thực hiện được yêu cầu đề nhưsau:

Với yêu cầu đề là Rs = 1KΩ nên nhóm chọn giá trị R = 1K để thỏa mãn đềbài Vì nhóm đặt ra yêu cầu phải đáp ứng độ lợi ra loa (đảm bảo giữ được các

tín hiệu cơ bản của nguồn đầu vào) nên nhóm sử dụng dạng mạch CE – CE với

độ lợi là AV = 5

Nhóm đã tiến hành chọn giá trị ngõ vào là 1V (Vp-p) để thuận tiện cho ngõvào lớn nhất mà mạch có thể đáp ứng Với yêu cầu đề là Rin > 10 K Ω mà khimạch làm việc ở chế độ AC mạch có dạng sau:

Vì Rin = RB1 // RB2 // (rπ1+R E 1¿

¿ và Rin > 10KΩ thì lần lượt các giá trị của RB1;

RB2; rπ1+R E 1¿

đều phải lớn hơn 10KΩ

Khi vẽ mạch tương đương ở chế độ DC ta cần giá trị VTH đủ lớn để có thể dễdàng đảm bảo được VCE hoạt động ở chế độ tích cực và IC đủ lớn để giá trị

β >100, từ đó nhóm đã tiến hành chọn cho hai thành phần này giá trị điện trởnhư sau: RB1 = 27KΩ (có trên thị trường) và RB2 = 47KΩ (có trên thị trường).Với RB1 + R E 1¿

thì RE1* >> rπ1 mà RE1* = βx RE1.Giá trị β của transitor nhóm đã chọn có giá trị lớn hơn 100 ở nhiệt độ phòng

và độ lớn của dòng qua chân Colector thỏa mãn đủ lớn hơn nên nhóm chọn điệntrở RE1 = 330Ω (có trên thị trường) để đảm bảo RE1* > 10KΩ Sau đó nhóm lựachọn RC = RE1 để đảm bảo phần đoạn mạch đầu tiên được ổn định và không bịxén Giá trị của RE2 được chọn để cố định giá trị của IC thỏa mãn điều kiện đểgiá trị của β>100

Sau nhiều lần tìm kiếm thay thế là thay đổi các giá trị điện trở hiện đang cótrên thị trường thỏa mãn yêu cầu đã đặt ra, nhóm đã chọn RE2 = 6.8KΩ. Sau khi

có các giá trị điện trở của phần mạch CE đầu tiên nhóm tiến hành vẽ lại mạchtrên mô phỏng proteus và cung cấp nguồn 18V DC để tính và kiểm chứng lạigiá trị của βvà tính toán giá trị của Rπ1

Mạch mô phỏng của đoạn mạch này ở chế độ DC là:

Từ các thông số của đồng hồ DC, ta có:

β= I C

I B

=1 48 mA 8.98 μAA=164 81

Với sơ đồ tương đương như hình dưới và đáp ứng yêu cầu Rout < 1KΩ, nhómtiến hành chọn giá trị cho RC2 = 150Ω để vừa đảm bảo giá trị ngõ ra thỏa mãnyêu cầu đề bài và độ lợi của toàn mạch đạt giá trị lớn khả quan Để đảm bảo độ

lợi của toàn mạch là 5 thì giá trị của điện trở RE3 <R C 2

5 =30 Nhóm lựa chọn giátrị của trở RE3 = 22Ω; RE4 = 27Ω

Tương tự như đoạn mạch CE đã phân tích ở trên, nhóm chọn giá trị các điệntrở RB3 = RB4 = 39KΩ Trong quá trình lựa chọn điện trở nhóm em có mô phỏngtrên LT SPICE để xác định dạng sóng ngõ vào và ngõ ra, tính toán độ lợi thõamãn yêu cầu của đề bài

Sau khi có các giá trị điện trở của phần mạch CE thứ hai, nhóm tiến hành vẽ lại mạchtrên mô phỏng proteus và cung cấp nguồn 18V DC để tính và kiểm chứng lại giá trịcủa βvà tính toán giá trị của rπ2

Mạch mô phỏng của đoạn mạch này ở chế độ DC là:

Từ các thông số của đồng hồ DC, nhóm em tính được:

Sau khi đáp ứng độ lợi của mạch, nhóm tiến hành mô phỏng trên phần mềm

LT SPICE để xác định dải băng thông, tìm các thông số của các tụ để tần số cắtcủa mạch là 10KHz và tần số cắt cao là 100KHz

Với độ lợi là AV = 5 thì ta tính được chỉ số dB là 14dB  Tần số cắt thấp vàtần số cắt cao để xác định tần số là 14dB – 3dB = 11 dB Sau khi tiến hành thayđổi giá trị của các tụ, nhóm nhận thấy ở giá trị tụ được cho trong hình thì mạchđáp ứng được tần số cắt thấp và tần số cắt cao thỏa mãn được giá trị tối ưu (gần

nhất so với 100KHz)

- Tụ có nhiệm vụ ngăn cách hai mạch ở chế độ DC mang giá trị là 100μA F

- Các tụ có nhiệm vụ ngắn mạch trở ở chế độ AC của hai chân E của hai mạch mang

giá trị 100μA F

- Tụ ngăn cách nguồn vào mạch mang giá trị là 100μA F

IV MÔ PHỎNG MẠCH BẰNG PHẦN MỀM PROTEUS VÀ LT SPICE

Đối với phần mềm PROTEUS:

Mạch mô phỏng của nhóm em có dạng như hình dưới: Với nguồn DC là18V, nguồn vào sóng sin biên độ Vp-p = 1V

Trong đó nguồn vào được chọn như sau:

Sau khi kết nối và tiến hành chạy mô phỏng thì kết quả thu được trên mànhình Oscilloscope của nhóm là:

Kết quả trên cho thấy độ lợi của mạch trên ứng dụng mô phỏng là AV = 5 Đểkiểm chứng hơn về tính xác thực của mạch nhóm em cũng thử chọn nguồn vàoAUDIO với biên độ Vpp = 1V đầu ra kết nối với LOA Speak như hình dưới

Với nguồn vào AUDIO được thiết lập các thông số:

Và LOA SPEAK được chọn điện trở là 510KΩ Khi tiến hành chạy môphỏng kết quả trên màn hình Oscilloscope cho hình ảnh bên dưới.

Với đường màu xanh (bên trên) biểu thị dạng sóng ngõ ra và đường màuvàng (bên dưới) biểu thị dạng sóng ngõ vào Ta nhìn thấy hai dạng sóng cùngpha nhau và sóng ngõ ra có biên độ gấp 5 lần so với sóng ngõ vào (căn chỉnhphần V/div của Channel B gấp 5 lần Channel A)

Với phần mềm LT SPICE:

Ta có mạch khi thiết kế trên phần mềm có dạng bên dưới:

Sau khi lắp ghép mạch xong, ta tiến hành cài đặt các thông số sau để đo được

độ lợi của mạch:

Cài đặt các giá trị như trong ảnh rồi tiến hành chạy (RUN) Ta có hình ảnhcủa sóng ngõ ra và vào (màu xanh lá – ngõ ra; màu xanh dương ngõ vào)

Kết quả cho ta độ lợi của mạch là: 5.1 ≈ 5  Đáp ứng được yêu cầu độ lợicủa bài toán.

* Đo dải băng thông:

Ta tiến hành cài đặt các thông số như trong bảng dưới để đo băng thông củamạch

Và hình dưới là kết quả của băng thông của mạch khi mô phỏng trên LTSPICE

Trong đó điểm 1 có tọa độ 11dB (đường màu đỏ) là điểm của tần số cắt thấpcủa mạch (≈ 100Hz) và điểm 2 có tọa độ 11dB là điểm của tần số cắt cao củamạch (≈ 10MHz).

Ở hình trên, nhóm chưa đáp ứng được tần số cắt thấp (10KHz) và tần số cắtcao (100KHz), vì vậy băng thông của nhóm bị sai lệch so với yêu cầu của đềbài

Nguyên nhân dẫn đến trường hợp này là do việc transitor bị thay đổi giá trịlàm việc theo thời gian, cường độ dòng qua chân Collector và nhiệt độ môitrường ngoài dẫn đến việc tính toán băng thông ở tần số cắt cao khó khăn, ngoài

ra các tụ, điện trở mà nhóm em chọn là giá trị có trên thị trường nên ở tần số cắtcao khó chính xác so với lý thuyết đề bài

Kết luận ở phần mô phỏng trên PROTEUS và LT SPICE nhóm em đưa rakết luận sau:

- Đáp ứng được độ lợi là AV = 5, mô phỏng chính xác trên Proteus và LT SPICE

- Đáp ứng được yêu cầu trở kháng ngõ vào Rin > 10KΩ

- Đáp ứng được trở kháng ngõ ra Rout < 1KΩ

- Mô phỏng được khuếch đại âm thanh (chèn nhạc vào Proteus).

- Chưa đáp ứng được băng thông trong đề bài.

V TÍNH TOÁN LẠI CÁC GIÁ TRỊ LÝ THUYẾT VỚI CÁC THÔNG SỐ ĐÃ BIỆN LUẬN

Tính toán lại giá trị độ lợi A V:

Theo như biện luận ở phần trước, nhóm em có các thông số sau để tiến hànhtính toán lại độ lợi của mạch và đưa ra nhận xét