(LUẬN văn THẠC sĩ) mô phỏng transistor đơn điện tử (SET) sử dụng phương pháp hàm green luận văn ths vật liệu và linh kiện nano

ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI ĐẠI HỌC QUỐC GIA TP HỒ CHÍ MINH TRƯỜNG ĐẠI HỌC CƠNG NGHỆ PTN CÔNG NGHỆ NANO VŨ THỊ NGỌC THU MÔ PHỎNG TRANSISTOR ĐƠN ĐIỆN TỬ (SET) SỬ DỤNG PHƯƠNG PHÁP HÀM GREEN LUẬN VĂN THẠC SĨ Thành phố Hồ Chí Minh – 2010 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI ĐẠI HỌC QUỐC GIA TP HỒ CHÍ MINH TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ PTN CÔNG NGHỆ NANO VŨ THỊ NGỌC THU MÔ PHỎNG TRANSISTOR ĐƠN ĐIỆN TỬ (SET) SỬ DỤNG PHƯƠNG PHÁP HÀM GREEN Chuyên ngành: Vật liệu Linh kiện Nanơ (Chun ngành đào tạo thí điểm) LUẬN VĂN THẠC SĨ Người hướng dẫn khoa học: PGS.TS ĐINH SỸ HIỀN Thành phố Hồ Chí Minh – 2010 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com MỤC LỤC Trang phụ bìa Trang Lời cam đoan i Lời cảm ơn ii Mục lục iii Danh mục ký hiệu, chữ viết tắt v Danh mục bảng vi Danh mục hình vẽ, đồ thị vii MỞ ĐẦU Chương 1: TỔNG QUAN VỀ LINH KIỆN TRANSISTOR ĐƠN ĐIỆN TỬ 1.1 Từ vi điện tử đến điện tử nano 1.2 Linh kiện điện tử nano 1.3 Hoạt động truyền tải điện tử hệ thống thang nanomet 1.4 Cơ sở thuyết thống “Orthodox theory” 10 1.4.1 Sự tích điện bên chấm lượng tử 11 1.4.2 Cơ sở thuyết thống 13 1.4.3 Hạn chế thuyết thống 15 1.5 Tổng quan nghiên cứu liên quan đến transistor đơn điện tử 16 Chương 2: XÂY DỰNG MƠ HÌNH TỐN HỌC TÍNH DỊNG QUA TRANSISTOR ĐƠN ĐIỆN TỬ SỬ DỤNG PHƯƠNG PHÁP HÀM GREEN 19 2.1 Cơ sở xuyên hầm điện tử linh kiện transistor đơn điện tử 19 2.1.1 Cấu trúc nguyên lý hoạt động transistor đơn điện tử 19 2.1.2 Quan sát tượng xuyên hầm 21 iii TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com 2.1.3 Điều kiện quan sát dao động xuyên hầm đơn điện tử 24 2.1.4 Nhận xét 25 2.2 Những khái niệm transistor đơn điện tử 25 2.2.1 Mơ hình thơng số transistor đơn điện tử 26 2.2.2 Điều kiện hoạt động truyền tải điện tử chế độ chấm lượng tử 29 2.2.3 Tốc độ xuyên hầm điện tử 29 2.3 Transistor đơn điện tử với chấm lượng tử mức 30 2.3.1 Quan sát dao động Coulomb 31 2.3.2 Dòng qua chấm lượng tử mức 32 2.3.3 Chấm lượng tử với nhiều trạng thái tích điện: hình thoi Coulomb 37 2.4 Nhận xét 40 Chương 3: MÔ PHỎNG SỰ VẬN CHUYỂN ĐIỆN TỬ TRONG TRANSISTOR ĐƠN ĐIỆN TỬ 41 3.1 Mơ hình tính dịng qua transistor đơn điện tử với chấm lượng tử mức 41 3.2 Mô đặc trưng transistor đơn điện tử phần mềm MATLAB 44 3.2.1 Lưu đồ giải thuật tính dịng qua transistor đơn điện tử 45 3.2.2 Những đặc trưng transistor đơn điện tử mô 46 3.2.3 Quan sát dao Coulomb transistor đơn điện tử với chấm lượng tử mức 50 3.2.4 Quan sát vùng khoá Coulomb transistor đơn điện tử với chấm lượng tử mức 55 KẾT LUẬN 61 TÀI LIỆU THAM KHẢO 63 PHỤ LỤC: Code Matlab chương trình mơ 65 iv TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VÀ CÁC CHỮ VIẾT TẮT CMOS Complementary Metal Oxide Semiconductor FET Field Effect Transistor GUI Graphical User Interfaces MATLAB MATrix LABoratory MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor MTs Molecular Transistors NEGF Non – Equilibrium Green’s Function RTD Resonant Tunneling Device RTT Resonant Tunneling Transistor QD Quantum Dot SET Single Electron Transistor ULSI Ultra large-scale integration v TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com (LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano(LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano(LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano(LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano DANH MỤC CÁC BẢNG Bảng 1.1 Mô tả Dự báo hệ cơng nghệ trích từ SIA’s ITRS Trang (LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano(LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano(LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano(LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano vi TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com (LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano(LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano(LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano(LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ VÀ ĐỒ THỊ Hình vẽ Chú thích Trang Chương 1: TỔNG QUAN VỀ LINH KIỆN TRANSISTOR ĐƠN ĐIỆN TỬ 1.1 Quy luật Moore cho thấy số transistor chip điện tử 18 tháng tăng lên gấp đôi 1.2 Số transistor chip mạch vi điện tử tăng lên đơi với kích thước transistor giảm 1.3 Phân loại linh kiện điện tử có kích thước nanomet 1.4 Sự tích điện đảo trước sau bổ sung điện tử 11 1.5 Năng lượng đảo sau bổ sung điện tử 12 1.6 Xuyên hầm điện tử 14 1.7 Xuyên hầm điện tử từ phổ lượng gián đoạn 15 đến mức lượng Fermi liên tục 1.8 Cấu trúc transistor đơn điện tử SET 16 1.9 Độ dẫn transistor đơn điện tử hàm 17 điện cực cổng Khoảng cách đỉnh điện cần thiết để thêm điện tử vào nguyên tử nhân tạo Những kết dành cho loại linh kiện nghiên cứu Meirav đồng Chương 2: XÂY DỰNG MƠ HÌNH TỐN HỌC TÍNH DỊNG ĐIỆN QUA TRANSISTOR ĐƠN ĐIỆN TỬ SỬ DỤNG PHƯƠNG PHÁP HÀM GREEN 2.1 Cấu trúc transistor đơn điện tử SET 19 2.2 Sự truyền tải điện tử transistor đơn điện tử SET 23 2.3 Sơ đồ cấu trúc thông số transistor đơn điện tử 26 SET (LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano(LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano(LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano(LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano vii TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com (LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano(LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano(LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano(LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano 2.4 Biểu đồ mức lượng transistor đơn điện tử 28 SET 2.5 Biểu đồ mức lượng transistor đơn điện tử SET 32 với chấm lượng tử mức 2.6 Dao động Coulomb 32 2.7 Các giá trị hàm phân bố Fermi 36 2.8 Chấm lượng tử với ba trạng thái tích điện 39 Chương 3: MƠ PHỎNG SỰ VẬN CHUYỂN ĐIỆN TỬ TRONG TRANSISTOR ĐƠN ĐIỆN TỬ 3.1 Sơ đồ cấu trúc biểu đồ lượng SET với chấm 41 mức 3.2 Lưu đồ khối giải thuật chương trình mơ đặc 45 trưng transistor đơn điện tử SET 3.3 Màn hình thể kết mô đặc 46 trưng SET 3.4 Đặc trưng Id – Vgs SET với Vds = 5mV, n = 47 T = 10K 3.5 Đặc trưng Id – Vds SET với Vgs = 5mV, n = 48 T = 10K 3.6 Độ dẫn G – Vds SET với Vgs = 5mV, n = 48 T = 10K 3.7 Đặc trưng Id – Vds – Vgs SET với Vds = 80mV, 49 Vgs = 60mV n = T = 10K 3.8 Dao động khóa Coulomb SET 50 3.9 Ảnh hưởng thông số W (W = 10, 15, 20, 51 25 nm) lên dao động Coulomb 3.10 Ảnh hưởng thông số L (L = 10, 15, 20, 52 25 nm) lên dao động Coulomb 3.11 Ảnh hưởng thông số tox (tox = 1, 3, 5, 52 nm) lên dao động Coulomb (LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano(LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano(LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano(LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano viii TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com (LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano(LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano(LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano(LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano 3.12 Ảnh hưởng vật liệu làm chấm lượng tử lên dao động 53 Coulomb 3.13 Ảnh hưởng điện thiên áp Vds lên dao động 54 Coulomb 3.14 Ảnh hưởng nhiệt độ T lên dao động Coulomb 55 3.15 Khoá Coulomb trường hợp chấm lượng tử SET 57 mức có hai trạng thái tích điện 3.16 Khố Coulomb trường hợp chấm lượng tử có năm 59 trạng thái tích điện (LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano(LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano(LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano(LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano ix TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com (LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano(LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano(LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano(LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano MỞ ĐẦU Bắt đầu từ thập kỷ 80 kỷ XX, khoa học công nghệ giới đặc biệt ý tới hướng nghiên cứu: phát triển kỳ lạ lý thú mà ngày gọi khoa học công nghệ nano Những năm 1990, ứng dụng quan trọng công nghệ nano gây chấn động giới khoa học kể từ nhiều nhà khoa học lấy khoa học công nghệ nano làm mục tiêu nghiên cứu chế tạo Khoa học công nghệ nano hướng phát triển ưu tiên số nhiều quốc gia giới Trong năm gần đây, Chính phủ Việt Nam – thông qua Bộ khoa học Công nghệ, Bộ Giáo dục Đào tạo – nhận thức khoa học công nghệ nano lĩnh vực cần ưu tiên phát triển tập trung vào ba vấn đề lớn: đào tạo hệ nhà khoa học, tăng cường sở vật chất cho số phịng thí nghiệm đầu tư kinh phí cho nghiên cứu trọng điểm quốc gia Phòng thí nghiệm cơng nghệ nano LNT Đại học Quốc gia Tp Hồ Chí Minh khánh thành cuối năm 2006 tổ chức nghiên cứu chế tạo thử nghiệm công nghệ nano, đặc biệt linh kiện vi điện tử linh kiện điện tử nano Kế đến, Khu cơng nghệ cao Tp Hồ Chí Minh xây dựng với sở vật chất ban đầu triển vọng Nhiều cơng trình nghiên cứu lĩnh vực nano thực có kết Khoa học công nghệ nano tương lai đóng vai trị quan trọng lĩnh vực vật lý, hoá học, vật liệu mới, điện tử, y học, khí chế tạo, … Điện tử học nano – Nanoelectronics lĩnh vực nghiên cứu mạnh giới Luận văn “Mô transistor đơn điện tử SET sử dụng phương pháp hàm Green” hướng nghiên cứu tương đối lĩnh vực công nghệ linh kiện điện tử nano Mục tiêu luận văn nghiên cứu linh kiện điện tử đơn điện tử có ba điện cực gọi transistor đơn điện tử (SET – Single Electron Transistor) Cấu trúc transistor đơn điện tử SET xây dựng có dạng MOSFET truyền thống đề xuất thay cho MOSFET truyền thống tương lai Transistor đơn điện tử SET linh kiện đơn điện tử có khả (LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano(LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano(LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano(LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com (LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano(LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano(LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano(LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano PHỤ LỤC CODE MATLAB CHƯƠNG TRÌNH MƠ PHỎNG function varargout = SETnew(varargin) % SETNEW M-file for SETnew.fig % SETNEW, by itself, creates a new SETNEW or raises the existing % singleton* % % H = SETNEW returns the handle to a new SETNEW or the handle to % the existing singleton* % % SETNEW('CALLBACK',hObject,eventData,handles, ) calls the local % function named CALLBACK in SETNEW.M with the given input arguments % % SETNEW('Property','Value', ) creates a new SETNEW or raises the % existing singleton* Starting from the left, property value pairs are % applied to the GUI before SETnew_OpeningFunction gets called An % unrecognized property name or invalid value makes property application % stop All inputs are passed to SETnew_OpeningFcn via varargin % % *See GUI Options on GUIDE's Tools menu Choose "GUI allows only one % instance to run (singleton)" % % See also: GUIDE, GUIDATA, GUIHANDLES % Edit the above text to modify the response to help SETnew % Last Modified by GUIDE v2.5 09-Oct-2009 15:11:53 % Begin initialization code - DO NOT EDIT gui_Singleton = 1; gui_State = struct('gui_Name', mfilename, 'gui_Singleton', gui_Singleton, 'gui_OpeningFcn', @SETnew_OpeningFcn, 'gui_OutputFcn', @SETnew_OutputFcn, 'gui_LayoutFcn', [] , 'gui_Callback', []); if nargin && ischar(varargin{1}) gui_State.gui_Callback = str2func(varargin{1}); end if nargout [varargout{1:nargout}] = gui_mainfcn(gui_State, varargin{:}); else gui_mainfcn(gui_State, varargin{:}); end % End initialization code - DO NOT EDIT % - Executes just before SETnew is made visible function SETnew_OpeningFcn(hObject, eventdata, handles, varargin) % This function has no output args, see OutputFcn % hObject handle to figure % eventdata reserved - to be defined in a future version of MATLAB % handles structure with handles and user data (see GUIDATA) % varargin command line arguments to SETnew (see VARARGIN) % Choose default command line output for SETnew handles.output = hObject; (LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano(LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano(LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano(LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano 65 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com (LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano(LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano(LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano(LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano % Update handles structure guidata(hObject, handles); % UIWAIT makes SETnew wait for user response (see UIRESUME) % uiwait(handles.figure1); % - Outputs from this function are returned to the command line function varargout = SETnew_OutputFcn(hObject, eventdata, handles) % varargout cell array for returning output args (see VARARGOUT); % hObject handle to figure % eventdata reserved - to be defined in a future version of MATLAB % handles structure with handles and user data (see GUIDATA) % Get default command line output from handles structure varargout{1} = handles.output; % - Executes on button press in pushbutton1 function pushbutton1_Callback(hObject, eventdata, handles) % hObject handle to pushbutton1 (see GCBO) % eventdata reserved - to be defined in a future version of MATLAB % handles structure with handles and user data (see GUIDATA) close; % - Executes on button press in pushbutton2 function pushbutton2_Callback(hObject, eventdata, handles) % hObject handle to pushbutton2 (see GCBO) % eventdata reserved - to be defined in a future version of MATLAB % handles structure with handles and user data (see GUIDATA) cla clear all; % - Executes on button press in pushbutton3 function pushbutton3_Callback(hObject, eventdata, handles) % hObject handle to pushbutton3 (see GCBO) % eventdata reserved - to be defined in a future version of MATLAB % handles structure with handles and user data (see GUIDATA) % Constants hbar = 1.05457e-34; e = -1.6022e-19; k = 1.380658e-23; eps0 = 8.854e-12; % Input parameters T = handles.edit1; Vds = handles.edit2*1e-3; Vgs = handles.edit3*1e-3; n = handles.edit4; W = handles.edit5*1e-9; L = handles.edit6*1e-9; tox = handles.edit7*1e-9; % Oxide thickness index2 = get(handles.popupmenu2, 'Value'); switch index2 (LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano(LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano(LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano(LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano 66 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com (LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano(LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano(LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano(LUAN.van.THAC.si).mo.phong.transistor.don.dien.tu.(SET).su.dung.phuong.phap.ham.green.luan.van.ths.vat.lieu.va.linh.kien.nano case 1; % None case % GaAs m = 0.067*9.1094e-31; % Effective mass v = 2.0*1e+4; % Escape velocity epsr = 13; % dielectric case % In0.25Ga0.75As m = 0.061*9.1094e-31; % Effective mass v = 2.0*1e+4; % Escape velocity epsr = 13; % dielectric case % In0.53Ga0.47As m = 0.041*9.1094e-31; % Effective mass v = 2.7*1e+4; % Escape velocity epsr = 13; % dielectric case % InAs m = 0.023*9.1094e-31; % Effective mass v = 4.0*1e+4; % Escape velocity epsr = 13; % dielectric end kT Cg Cs Cd = = = = k*T; (epsr*eps0*W*L)./tox, 0.5*Cg, 0.5*Cg, CE = Cg+Cs+Cd, alphag = Cg/CE; alphad = Cd/CE; % Capacitance of gate % Capacitance of source % Capacitance of drain % Capacitance total gams = (hbar*v)./L; gamd = gams; gam = gams+gamd; %Energy quantum levels E0 and tunneling rates Ts,Td Ei=(pi*hbar).^2./(2*m*L*W); for i=1:10 for j=1:10 for k=1:10 E(i,j,k)=(i.^2+j.^2+k.^2)*Ei; end end end En=reshape(E,1,[]); En1=cat(2,[0],En); x=En1; i=1; while (i