Ứng dụng nội suy để giảm sai số trong phương tiện đo nhiệt độ có hàm biến đổi nhanh

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƢỜNG ĐẠI HỌC SƢ PHẠM KỸ THUẬT HƢNG YÊN CAO THỊ XUÂN THU ỨNG DỤNG NỘI SUY ĐỂ GIẢM SAI SỐ TRONG PHƢƠNG TIỆN ĐO NHIỆT ĐỘ CÓ HÀM BIẾN ĐỔI NHANH LUẬN VĂN THẠC SỸ KỸ THUẬT ĐIỀU KHIỂN & TỰ ĐỘNG HÓA HƢNG YÊN - 2022 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƢỜNG ĐẠI HỌC SƢ PHẠM KỸ THUẬT HƢNG YÊN CAO THỊ XUÂN THU ỨNG DỤNG NỘI SUY ĐỂ GIẢM SAI SỐ TRONG PHƢƠNG TIỆN ĐO NHIỆT ĐỘ CÓ HÀM BIẾN ĐỔI NHANH LUẬN VĂN THẠC SỸ KỸ THUẬT ĐIỀU KHIỂN & TỰ ĐỘNG HÓA NGƢỜI HƢỚNG DẪN KHOA HỌC: TS TRẦN THỊ HÒA PGS.TS PHẠM NGỌC THẮNG HƢNG YÊN -2022 LỜI CẢM ƠN Sau thời gian năm học tập nghiên cứu Trƣờng Đại học SPKT Hƣng Yên, đƣợc động viên, giúp đỡ hƣớng dẫn tận tình giảng viên hƣớng dẫn TS Trần Thị Hòa PGS.TS Phạm Ngọc Thắng đề tài luận văn tốt nghiệp “ Ứng dụng nội suy để giảm sai số phƣơng tiện đo nhiệt độ có hàm biến đổi nhanh ” hoàn thành Tác giả xin bày tỏ lòng biết ơn sâu sắc đến: Cán hƣớng dẫn TS Trần Thị Hòa PGS.TS Phạm Ngọc Thắng tận tình dẫn, giúp đỡ trình nghiên cứu để hồn thành luận văn Các thầy giáo cô giáo, cán giảng dạy khoa sau đại học; Khoa Điện – điện tử Trƣờng Đại học Sƣ phạm Kỹ thuật Hƣng Yên trang bị đầy đủ kiến thức cần thiết tạo điều kiện thuận lợi suốt trình học tập nghiên cứu trƣờng Toàn thể bạn bè đồng nghiệp, Trƣờng Cao đẳng nghề Kỹ thuật - công nghệ Tuyên Quang, gia đình ngƣời thân quan tâm động viên giúp đỡ suốt q trình học tập, cơng tác hoàn thành luận văn Tác giả Cao Thị Xuân Thu i LỜI C M ĐO N T i xin cam đoan nội dung uận văn kiến thức tổng hợp t c c nguồn tài iệu tham khảo đƣợc tr ch dẫn r ràng trung thực C c kết t nh to n, thiết kế uận văn thân, dƣới bảo giảng viên hƣớng dẫn, kh ng ch p bất k c ng trình T c giả Cao Thị Xuân Thu ii MỤC LỤC LỜI CẢM ƠN i ỜI C M ĐO N .ii MỤC LỤC iii DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU, CÁC CHỮ VIẾT TẮT vi DANH MỤC CÁC BẢNG v DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ, ĐỒ THỊ vi MỞ ĐẦU 1 TÍNH CẤP THIẾT CỦ ĐỀ TÀI Ý NGHĨ KHO HỌC VÀ THỰC TIỄN CỦ ĐỀ TÀI 2.1 Ý nghĩa khoa học 2.2 Ý nghĩa thực tiễn PHƢƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU NỘI DUNG NGHIÊN CỨU CHƢƠNG 1: TỔNG QU N VỀ PHƢƠNG TIỆN ĐO KH NG ĐIỆN 1.1 TỔNG QUAN VỀ PHƢƠNG PHÁP ĐO CÁC ĐẠI ƢỢNG KH NG ĐIỆN4 1.1.1 Ph p đo c c đại ƣợng kh ng điện 1.1.2 Khái quát ph p đo PTĐ đại ƣợng kh ng điện 1.2 SAI SỐ CỦ PPĐ KH NG ĐIỆN 13 1.2.1 Các thành phần sai số đo đại ƣợng kh ng điện 13 1.2.2 Sai số tổng cộng PTĐ kh ng điện 16 1.3 HIỆU CHỈNH SAI SỐ CỦ PHƢƠNG TIỆN ĐO KH NG ĐIỆN BẰNG PHƢƠNG PHÁP CẤU TRÚC 19 1.4 KẾT LUẬN CHƢƠNG 21 CHƢƠNG 2: CÁC PHƢƠNG PHÁP HIỆU CHỈNH S I SỐ CỦ PHƢƠNG TIỆN ĐO KH NG ĐIỆN 22 2.1 HIỆU CHỈNH PHI TUYẾN HÀM BIẾN ĐỔI DẠNG BẢNG KHẮC ĐỘ TRONG PHƢƠNG TIỆN ĐO BẰNG NỘI SUY 22 2.1.1 C c phƣơng ph p xử lý phi tuyến hàm biến đổi PTĐ nội suy 22 iii 2.1.2 Lựa chọn dạng hàm khoảng nội suy tối ƣu 26 2.1.3 Cấu trúc PTĐ, ƣu đồ thuật to n chƣơng trình xử lý tín hiệu .27 2.2 HIỆU CHỈNH SAI SỐ CỦ PHƢƠNG TIỆN ĐO ĐẠI ƢỢNG CÓ HƢỚNG BẰNG BIẾN ĐỔI LẶP 33 2.2.1 Hiệu chỉnh sai số PTĐ với hàm biến đổi dạng đơn giản 34 2.2.2 Hiệu chỉnh sai số PTĐ với hàm biến đổi dạng phức tạp 36 2.2.3 Mô PTĐ với hàm biến đổi dạng phức tạp 43 2.3 HIỆU CHỈNH PHI TUYẾN HÀM BIẾN ĐỔI VÀ SAI SỐ CỦ PHƢƠNG TIỆN ĐO BẰNG NỘI SUY VÀ BIẾN ĐỔI LẶP 45 2.3.1 Kết hợp nội suy với biến đổi lặp .45 2.3.2 Hiệu chỉnh sai số PTĐ thứ cấp 47 2.3.3 Hiệu chỉnh phi tuyến hàm biến đổi sai số PTĐ đại ƣợng vô hƣớng 50 2.3.4 Hiệu chỉnh phi tuyến hàm biến đổi sai số PTĐ đại ƣợng có hƣớng 51 2.3.5 Chƣơng trình m Hiệu chỉnh sai số PTĐ 52 2.4 KẾT LUẬN CHƢƠNG 56 CHƢƠNG 3: THIẾT KẾ, CHẾ TẠO PHƢƠNG TIỆN ĐO NHIỆT ĐỘ ỨNG DỤNG NỘI SUY HÀM MŨ TRONG ĐIỀU KIỆN M I TRƢỜNG ĐO BIẾN ĐỔI NHANH 57 3.1 CẤU TRÚC PHƢƠNG TIỆN ĐO NHIỆT ĐỘ TRONG ĐIỀU KIỆN MÔI TRƢỜNG BIẾN ĐỔI NHANH 57 3.2 GIẢI PHÁP PHẦN CỨNG 60 3.2.1 Bộ vi điều khiển arduino 60 3.2.2 Màn hình LCD 64 3.3 THIẾT KẾ CHẾ TẠO PHƢƠNG TIỆN ĐO 69 3.3.1 Thiết kế khối chức 70 3.3.2 Thuật toán hiệu chỉnh sai số đo theo thuật toán nội suy hàm mũ .76 3.3.3 Kết khảo s t PTĐ 77 iv 3.4 KẾT LUẬN CHƢƠNG 79 KẾT LUẬN VÀ HƢỚNG NGHIÊN CỨU TIẾP THEO 80 TÀI IỆU TH M KHẢO 81 PHỤ LỤC v D NH MỤC CÁC KÝ HIỆU, CÁC CHỮ VIẾT TẮT BCĐĐSC: Bộ chuyển đổi đo sơ cấp BCĐĐTC: Bộ chuyển đổi đo thứ cấp PTĐ: Phƣơng tiện đo KĐ: Bộ khuếch đại BĐ: Bộ biến đổi BĐTT-TT: Bộ biến đổi tƣơng tự-tƣơng tự BĐTT-S: Bộ biến đổi tƣơng tự-số CTHS: Chỉ thị số KTTTĐ: Kênh truyền th ng tin đo ƣờng PLC: Programmable Logic Controller PIC: Programmable Intelligent Computer vi D NH MỤC CÁC BẢNG Bảng 2.1 Thuật to n xử ý t n hiệu số hàm thay điển hình 37 Bảng 2.2 Hàm tổng đa thức bậc hàm mũ .39 Bảng 2.3 Hàm tổng đa thức bậc hàm sin 41 Bảng 2.4 Kết chạy chƣơng trình t nh sai số m y đo nhiệt độ 53 Bảng 2.5 Kết chạy chƣơng trình t nh sai số m y đo ực 54 Bảng Th ng số mạch arduino UNO R3 64 Bảng M tả c c chân CD 66 Bảng 3 Bảng c c mã ệnh CD .67 v DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ, ĐỒ THỊ Hình 1 Cấu trúc tổng qu t PTĐ c c đại ƣợng kh ng điện Hình Cấu trúc PTĐ c c đại ƣợng kh ng điện theo kiểu biến đổi thẳng .8 Hình Cấu trúc PTĐ c c đại kh ng điện theo kiểu biến đổi cân Hình 1.4 Đồ thị biểu diễn hàm biến đổi PTĐ .9 Hình Phân oại BCĐ ĐSC đo c c đại ƣợng kh ng điện 11 Hình Cấu trúc khối chuyển đổi bù .13 Hình Cấu trúc hệ thống hiệu chỉnh tự động kiểu vòng k n 20 Hình Cấu trúc hệ thống hiệu chỉnh tự động kiểu vòng hở 20 Hình Sơ đồ PTĐ trực tiếp đại ƣợng kh ng điện .27 Hình 2 ƣu đồ thuật to n đo c c đại ƣợng cơ-nhiệt nội suy bậc .29 Hình Đồ thị sai số xử ý t n hiệu 32 Hình Sơ đồ cấu trúc PTĐ theo phƣơng ph p biến đổi ặp dùng mẫu 34 Hình Đồ thị đa thức bậc hàm mũ 38 Hình Đồ thị hàm đa thức bậc hàm sin 40 Hình Sơ đồ cấu trúc PTĐ theo phƣơng ph p so s nh 42 Hình Sơ đồ m PTĐ với hàm biến đổi dạng đa thức bậc 43 Hình Sơ đồ m PTĐ với hàm biến đổi dạng đa thức bậc kết hợp với hàm mũ 44 Hình 10 Sơ đồ m PTĐKĐ với hàm biến đổi dạng đa thức bậc hàm sin 44 Hình 11 ƣu đồ thuật to n hiệu chỉnh sai số biến đổi thứ cấp t nh đại ƣợng đo 49 Hình 12 ƣu đồ thuật to n hiệu chuẩn phi tuyến ph p đo đại ƣợng v hƣớng .50 Hình Cấu trúc PTĐ nhiệt độ ứng dụng nội suy hàm mũ 58 Hình Hình ảnh vi điều khiển rduino Nano 61 Hình 3.3 Hình ảnh oại CD th ng dụng 65 Hình Nối gh p CD 68 Hình Dây đo nhiệt độ NTC B3950 10K m t 69 vi Khối mạch đo Hình 3.8 Mạch đo nhiệt độ Cảm biến nhiệt độ sử dụng nhƣ trình bày mục 3.2.3 biến đổi nhiệt độ thành điện trở Để cung cấp cho BĐTT-S ta cần thiết kế mạch đo để biến đổi thành điện p đầu 0- 5V Khối xử lý số tín hiệu Hình 3.9 Sơ đồ khối xử lý Sử dụng vi điều khiển rduino để thực chức BĐTT-S xử lý tín hiệu đo theo phƣơng ph p nội suy hàm mũ 71 Khối hiển thị Hình 10 Sơ đồ khối hiển thị Khối hiển thị sử dụng LCD để hiển thị kết giá trị điện trở nhiệt độ tƣơng ứng Khối tạo điện áo chuẩn cho NTC Hình 11 Sơ đồ khối tạo điện áp chuẩn Khối thay đổi đƣợc giá trị điện áp biến trở, hiển thị giá trị điện áp cấp cho NTC 72 Sơ đồ ngun lý tồn mạch Hình 12 Sơ đồ ngun lý tồn mạch Hình ảnh thiết kế board mạch nhƣ hình 3.13, đ : Hình 3.13a sơ đồ bố trí linh kiện, Hình 3.13b sơ đồ mạch in Hình 3.13c sơ đồ 3D 73 Hình 13a Sơ đồ bố trí linh kiện Hình 13b Sơ đồ mạch in 74 Hình 13c Sơ đồ bố trí mạch in 3D 75 3.3.2 Thuật to n hiệu chỉnh sai số đo theo thuật to n nội suy hàm mũ Hình 14 Thuật toán xử lý liệu Thuật toán gồm c c bƣớc ch nh nhƣ sau: Nhập liệu bảng khắc độ Xi, Ri cảm biến gồm n cặp liệu, giá trị Ui tƣơng ứng sau BĐTT-S Sau đ x c định hệ số a, b, c hàm nhiệt độ theo điện áp (U) giải phƣơng trình 76 tính giá trị nhiệt độ cần đo Sau đ t nh gi trị Ri tƣơng ứng hiển thị kết đo nhiệt độ, điện trở lên LCD 3.3.3 Kết khảo s t PTĐ Hình 3.14 hình ảnh hoạt động PTĐT Các cặp liệu (kết quả) Xi, Ri t nh đƣợc đƣợc xây dựng theo hàm nội suy dạng mũ để so sánh với đặc tính biến đổi NTC nhƣ hình 3.15 Kết khảo s t phƣơng tiện đo Trung tâm đo ƣờng quốc gia cho kết nhƣ hình 3.16 Hình 15 Hình ảnh thiết bị Hình 16 Hàm biến đổi NTC hàm nội suy theo kết đo 77 Hình 17 Kết khảo s t PTĐ 78 Nhận xét: Sai số lớn PTĐ điểm đo 40 độ C 0.74 độ C tƣơng ứng với sai số tƣơng đối quy đổi 0,925%, nhỏ so với sai số danh định cảm biến (1%) Nếu cộng thêm sai số nhiễu, độ tạp tán linh kiện, sai số ƣợng tử, sai số PTĐ th ng thƣờng (không áp dụng thuật toán hiệu chỉnh sai số) phải lớn 1% Nhƣ vậy, áp dụng thuật toán nội suy hàm mũ để hiệu chỉnh sai số, độ xác PTĐ đƣợc cải thiện rõ rệt 3.4 KẾT LUẬN CHƢƠNG Chƣơng trình bày phƣơng n xây dựng PTĐ nhiệt độ theo kiểu thời gian-xung t ch phân Nguyên ý biến đổi PTĐ dựa sở phƣơng ph p biến đổi ặp ại phân kênh, cho ph p tuyến t nh h a hàm biến đổi phi tuyến dạng hàm ũy th a giảm sai số biến đổi, cho ph p nâng cao đƣợc độ ch nh x c PTĐ Phƣơng ph p đặc biệt hiệu cần thiết kế c c PTĐ điều kiện m i trƣờng đo biến đổi nhanh đặc t nh PTĐ biến đổi theo quy uật hàm ũy th a C c kết t nh to n tham số xây dựng PTĐ nhiệt độ đƣợc minh chứng kết khảo s t PTĐ chế thử cho ph p tạo hệ cơng cụ hữu ích phục vụ q trình thiết kế, chế tạo PTĐ đo đa với độ xác cao Đồng thời, sở để nghiên cứu mở rộng cho nhiệm vụ thiết kế, chế tạo c c PTĐ hiệu c c đại ƣợng kh ng điện kh c 79 KẾT LUẬN VÀ HƢỚNG NGHIÊN CỨU TIẾP THEO uận văn đạt đƣợc số kết sau: Đã kh i qu t h a trình bày c c kh i niệm ph p đo, phƣơng tiện đo c c đại ƣợng kh ng điện nh m c số ƣợng đại ƣợng đo ớn Đã đƣa c c phƣơng ph p biểu diễn sai số dƣới dạng c ng thức tổng qu t, t đ c c phƣơng ph p giảm sai số ph p đo/PTĐ theo hai hƣớng nh m c c phƣơng ph p c ng nghệ nh m c c phƣơng ph p cấu trúc Đã trình bày nguyên ý giảm sai số theo nh m c c phƣơng ph p cấu trúc, đ trọng phƣơng ph p hiệu chỉnh phi tuyến hàm biến đổi theo phƣơng ph p nội suy đa thức, nội suy kết hợp với phƣơng ph p biến đổi ặp dùng mẫu Phân t ch đ nh gi ƣu nhƣợc điểm phƣơng ph p để àm sở vận dụng thiết kế c c thuật to n giảm sai số ph p đo c c đại ƣợng kh ng điện trƣờng hợp kh c Đã ứng dụng phƣơng ph p nội suy hàm mũ để thiết kế, chế tạo thử nghiệm phƣơng tiện đo nhiệt độ điều kiện m i trƣờng đo biến đổi nhanh Kết khảo s t phƣơng tiện đo chế tạo thử nghiệm cho thấy: sai số đo đƣợc giảm nhỏ so với trƣờng hợp đ nh gi kết trực tiếp đọc kết BĐTT-S) Hƣớng nghiên cứu tiếp theo: Kết hợp thêm phƣơng ph p biến đổi ặp dùng mẫu với thuật to n nội suy hàm mũ trình bày uận văn để giảm sai số PTĐ 80 TÀI LIỆU TH M KHẢO [1] Tạ Văn Đĩnh - Phương pháp tính - Nhà xuất Giáo dục - 1999 [2] Bùi Văn S ng - Xử lý kết quan sát xác định hàm biến đổi phương tiện đo với ứng dụng ngơn ngữ lập trình MATLAB - Tạp chí Khoa học & Kỹ thuật, Học viện Kỹ thuật Quân sự, năm 2009 [3] Bùi Văn S ng - Xây dựng thiết bị đo đa sở phương pháp biến đổi lặp, dùng mẫu kỹ thuật vi xử lý - Tuyển tập cơng trình khoa học Hội nghị KH lần thứ XII Học viện KTQS, 2016 [4] Bùi Văn Sáng - Về phương án thiết kế mô máy đo không điện loại số - Kỹ thuật Trang bị (Tổng cục kỹ thuật)/ Số năm 2003 [5] Bùi Văn S ng, Phạm Ngọc Thắng - Phương pháp tuyến tính hóa tín hiệu số thứ cấp phương tiện đo không điện - Báo cáo khoa học hội nghị khoa học lần thứ 14, Học viện Kỹ thuật Quân - 2006 [6] Bùi Văn S ng, Phạm Ngọc Thắng, Nguyễn Hùng An - Hiệu chuẩn phi tuyến hàm biến đổi phương tiện đo không điện theo phương pháp nội suy xử lý tín hiệu số thứ cấp - Tạp chí Khoa học & Kỹ thuật - Học viện Kỹ thuật Quân sự/ Số 119 năm 2007 [7] Bùi Văn S ng, Phạm Ngọc Thắng - Nâng cao độ xác phương tiện đo không điện với hàm biến đổi dạng phức tạp phương pháp biến đổi lặp lại dùng mẫu - Tạp chí Khoa học & Kỹ thuật - Học viện Kỹ thuật Quân sự/ Số 121 năm 2007 [8] Bùi Văn S ng, Phạm Ngọc Thắng - Hiệu chuẩn phi tuyến hàm biến đổi sai số phương tiện đo nội suy biến đổi lặp - Tạp chí Khoa học & Kỹ thuật - Học viện Kỹ thuật Quân sự/ Số 124 năm 2008 [9] Bùi Văn S ng - Ứng dụng phần mềm MATHCAD để xử lý kết quan sát xác định hàm biến đổi biến đổi đo lường sơ cấp - Tạp chí Khoa học & Kỹ thuật - Học viện Kỹ thuật Quân sự/ Số 90 năm 2000 [10] Bùi Văn S ng, Phạm Ngọc Thắng, Kỹ thuật biến đổi xử lý tín hiệu Đo ƣờng số, Nhà xuất Giáo dục, 2013 81 PHỤ LỤC MÃ LỆNH CHƢƠNG TRÌNH VI ĐIỀU KHIỂN #include #include #include LiquidCrystal_I2C lcd(0x27,16,2); int h=0; int button1State,button2State,button3State; int button1 = 6; int button2 = 7; int button3 = 8; int ThermistorPin = 1; float Vo, Vntc; float R1 = 10000; float logR2, R2, T, Tc, Tf; float AA = 1.009249522e-03, BB = 2.378405444e-04, CC = 2.019202697e-07; //0,1 ,2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10,11,12,13,14,15,16,17,18 float X[]={5,10,15,20,25,30,35,40,45,50,55,60,65,70,75,80,85,90,95}; float Y[]={23.20,16.62,15.05,12.23,10,8.222,6.797,5.646,4.715,3.954,3.333,2.821,2.397,2.046, 1.752,1.507,1.301,1.126,0.979 }; // , ,2 ,3 ,4 ,5 ,6 ,7 ,8, ,9 ,10 ,11 ,12 ,13 ,14 ,15 ,16 ,17 ,18 float TongX, TongY, TongX2, TongXYi, Xi, Yi, Xi2, XYi; float fx,b,c; float e=2.7183; float n=19,a,A,B; void do_nhiet_ham_mu() { a= ((Y[0]*Y[18] - Y[9]*Y[9])/(Y[0]+Y[18]-2*Y[9])); //lcd.setCursor(0,1); lcd.print("a= "); lcd.print(a); TongX= X[0]+X[1]+X[2]+X[3]+X[4]+X[5]+X[6]+X[7]+X[8]+X[9]+X[10]+X[11]+X[12]+X[13]+ X[14]+X[15]+X[16]+X[17]+X[18]; TongY=log(Y[0])+log(Y[1])+log(Y[2])+log(Y[3])+log(Y[4])+log(Y[5])+log(Y[6])+log(Y [7])+log(Y[8])+log(Y[9])+ log(Y[10])+log(Y[11])+log(Y[12])+log(Y[13])+log(Y[14])+log(Y[15])+log(Y[16])+log(Y [17])+log(Y[18]); TongX2= X[0]*X[0]+X[1]*X[1]+X[2]*X[2]+X[3]*X[3]+X[4]*X[4]+X[5]*X[5]+X[6]*X[6]+X[7]* X[7]+X[8]*X[8]+X[9]*X[9]+ X[10]*X[10]+X[11]*X[11]+X[12]*X[12]+X[13]*X[13]+X[14]*X[14]+X[15]*X[15]+X[1 6]*X[16]+X[17]*X[17]+X[18]*X[18]; TongXYi= X[0]*log(Y[0])+X[1]*log(Y[1])+X[2]*log(Y[2])+X[3]*log(Y[3])+X[4]*log(Y[4])+X[5]*l og(Y[5])+X[6]*log(Y[6])+X[7]*log(Y[7])+X[8]*log(Y[8])+X[9]*log(Y[9])+ X[10]*log(Y[10])+X[11]*log(Y[11])+X[12]*log(Y[12])+X[13]*log(Y[13])+X[14]*log(Y [14])+X[15]*log(Y[15])+X[16]*log(Y[16])+X[17]*log(Y[17])+X[18]*log(Y[18]); //TongY=log(Y[0]); //lcd.setCursor(0,0); lcd.print("TY="); lcd.print(TongY); Xi=TongX; Yi=TongY; Xi2=TongX2; XYi=TongXYi; //n*A + B*Xi = Yi; //Xi*A + B*Xi2 = XYi; B=(n*XYi-Xi*Yi)/(Xi2*n-Xi*Xi); A=(Yi-B*Xi)/n; //lcd.setCursor(0,1); lcd.print("A="); lcd.print(A); //lcd.setCursor(8,1); lcd.print("B="); lcd.print(B); b=exp(A); c=B; // fx= a + b*exp(c*Tc); // lcd.setCursor(0,1); lcd.print("F(x)="); lcd.print(fx);} void do_nhiet_bdt(){ button1State = digitalRead(button1); button2State = digitalRead(button2); button3State = digitalRead(button3); if(button1State==LOW) h=0; if(button2State==LOW) h=1; if(button3State==LOW) h=2; if(h==0){ Vo = analogRead(ThermistorPin); R2 = R1 * (1023.0 / (float)Vo - 1.0); logR2 = log(R2); T = (1.0 / (AA + BB*logR2 + CC*logR2*logR2*logR2)); Tc = T - 273.15; fx= a + b*exp(c*Tc); lcd.setCursor(0,0); lcd.print("R="); lcd.print((R2/1000)); lcd.setCursor(7,0); lcd.print(" T= "); lcd.print((Tc)); lcd.print(" ");lcd.write(223); lcd.print("C "); lcd.setCursor(0,1); lcd.print("F(x)="); lcd.print(fx); Serial.print("x= "); Serial.print(Tc); Serial.print(" F(x)= "); Serial.println(fx); delay(500); } if(h==1){ Vntc = analogRead(0); Vntc=Vntc*5/1024; lcd.setCursor(0,0); lcd.print("Vntc= "); lcd.print((Vntc)); lcd.print(" V lcd.setCursor(0,1); lcd.print(" void setup() { Serial.begin(9600); pinMode(button1, INPUT); pinMode(button2, INPUT); pinMode(button3, INPUT); lcd.init(); "); }} "); lcd.backlight(); lcd.clear();} void loop() { do_nhiet_ham_mu(); do_nhiet_bdt(