Nghiên cứu lý thuyết về các chuỗi lắp ghép từ các cluster silic pha tạp

SỞ KHOA HỌC VÀ CƠNG NGHỆ TP HỒ CHÍ MINH VIỆN KHOA HỌC VÀ CƠNG NGHỆ TÍNH TỐN BÁO CÁO TỔNG KẾT Nghiên cứu lý thuyết chuỗi lắp ghép từ cluster silic pha tạp Đơn vị thực hiện: Phịng Thí Nghiệm Khoa học Phân tử Vật liệu Nano Chủ nhiệm đề tài: GS Nguyễn Minh Thọ TP HỒ CHÍ MINH, THÁNG 05/2016 SỞ KHOA HỌC VÀ CƠNG NGHỆ TP HỒ CHÍ MINH VIỆN KHOA HỌC VÀ CƠNG NGHỆ TÍNH TỐN BÁO CÁO TỔNG KẾT Nghiên cứu lý thuyết chuỗi lắp ghép từ cluster silic pha tạp Viện trưởng Chủ nhiệm đề tài Nguyễn Kỳ Phùng Nguyễn Minh Thọ Nghiên cứu lý thuyết chuỗi lắp ghép từ cluster silic pha tạp MỤC LỤC Trang MỞ ĐẦU ĐƠN VỊ THỰC HIỆN KẾT QUẢ NGHIÊN CỨU I Báo cáo khoa học I.1 Sự phụ thuộc kích thước ghép cặp từ tính cluster silic bị pha tạp coban I.2 Liên kết khoảng cách lượng trạng thái Singlet-Triplet + trimer silic: Ảnh hưởng H cation kim loại kiềm I.3 Mn2@Si15: Cluster dạng tuýp gồm vòng Si5 12 I.4 Sự tác động Si đến cấu trúc hình học tính chất cộng hưởng 14 boron cluster I.5 Trạng thái trung hòa cation cluster Silicon pha tạp Titan: 19 Cơ chế phát triển độ bền I.6 Các thơng số nhiệt hóa học clsuter silicon 20 I.7 Kết luận hướng phát triển 22 II Tài liệu khoa học xuất 24 III Chương trình giáo dục đào tạo 24 IV Hội nghị, hội thảo 24 V Dữ liệu 24 Nghiên cứu lý thuyết chuỗi lắp ghép từ cluster silic pha tạp CÁC PHỤ LỤC Phụ lục 1: Bài báo: “Mn2@Si15: the Smallest Triple Ring Tubular Silicon Cluster” Phụ lục Bài báo: “Bonding and Singlet–Triplet Gap of Silicon Trimer: Effects of Protonation and Attachment of Alkali Metal Cations” Phụ lục Bài Báo: “Electronic Structure and Thermochemical Parameters of the Silicon-Doped Boron Clusters BnSi, with n = 8–14, and Their Anions.” Phụ lục Bài Báo: “Thermochemical Parameters of some Small Pure and Doped Silicon Clusters “ Phụ lục Bài Báo: Neutral and Cationic Titanium-Doped Silicon Clusters: Growth Mechanism and Stability Phụ lục Bài Báo: “Structure Dependent Magnetic Coupling in Cobalt Doped Silicon Clusters” Nghiên cứu lý thuyết chuỗi lắp ghép từ cluster silic pha tạp MỞ ĐẦU Trong đề tài này, tiếp tục mở rộng hướng nghiên cứu cluster silic bị pha tạp kim loại chuyển tiếp phương pháp hóa tính tốn Silic vật liệu dụng rộng rãi công nghiệp bán dẫn, để chế tạo transistor Với xu hướng thiết bị ngày thu nhỏ nay, sớm có thiết bị đạt đến kích thước mức độ phân tử cluster Do đó, cluster cỡ nano cho vật liệu có tiềm cho hệ thiết bị điện tử mới, chất pha tạp thích hợp xác định điều chế Các tính chất cluster xác định chủ yếu chất nguyên tố cấu tạo kích thước chúng Khi đưa dị tố vào cluster, tính chất bị thay đổi Điều phụ thuộc vào chất tạp chất thêm vào Nếu biết cách kiểm soát cấu trúc tính chất cluster pha tạp thích hợp, tạo cluster với tính chất mong muốn Tuy nhiên, việc pha tạp thử thách cho khoa học cluster địi hỏi phân tích thực nghiệm cẩn thận lý thuyết thích hợp Trong hồn cảnh đó, việc thiết kế cluster silic có độ bền cao cách pha tạp (kim loại hay nguyên tố khác) sử dụng phương pháp lý thuyết quan trọng Từ kết tính tốn lý thuyết, cluster có tiềm đề xuất cho nghiên cứu thực nghiệm để từ xây dựng loại vật liệu nano với tính chất kỹ thuật thiết thực cho việc ứng dụng vào thực tế Trong đề tài này, khảo sát ảnh hưởng số chuyển tiếp 3d (Ti, Co, Mn, Fe, Cu, …) đến cấu trúc hình học tính chất điện tử cluster silic Các kim loại chuyển tiếp với lớp vỏ điện tử khác tìm thấy có tác động hồn tồn khác đến cấu trúc cluster silic Về bản, xác định yếu tố định đến ảnh hưởng kim loại chuyển tiếp đến cluster Kết đáng ý tìm cấu trúc ống ba vịng Si15Mn2 trường hợp pha tạp hai nguyên tử Mn Tương tự nguyên tử Mg, nguyên tử cation Mn có vai trò liên kết đơn vị silic nhỏ Từ thiết kế cluster mới, từ cluster xây dựng nên đơn vị để tạo nên vật liệu nano mong muốn Tóm lại, kết hóa lượng tử tính tốn giải thích xác đáng thơng qua việc sử dụng nhiều mơ hình lý thuyết mơ hình lớp electron, hàm mật độ electron phần hàm sóng Một số quy tắc chung đếm electron, tính thơm, tính cộng hưởng … đưa Nghiên cứu lý thuyết chuỗi lắp ghép từ cluster silic pha tạp ĐƠN VỊ THỰC HIỆN Phòng thí nghiệm: Khoa học phân tử vật liệu nano Chủ nhiệm đề tài: GS Nguyễn Minh Thọ Thành viên đề tài: 1) TS Nguyễn Minh Tâm (tới 15/4/2016) 2) TS Phạm Hồ Mỹ Phương 3) CN Phạm Tấn Hùng 4) ThS Phan Thị Thu Thủy 5) CN Nguyễn Thị Ngọc Tuyết (tới 31/12/2015) Cơ quan phối hợp: Nghiên cứu lý thuyết chuỗi lắp ghép từ cluster silic pha tạp KẾT QUẢ NGHIÊN CỨU I BÁO CÁO KHOA HỌC Trong khoảng thời gian làm dự án từ 2015 – 2016, thực sáu gói cơng việc khác cấu trúc, tính bền tính chất từ cluster silicon pha tạp kim loại chuyển tiếp I.1 Sự phụ thuộc kích thước ghép cặp từ tính cluster silic bị pha tạp coban Hình Bảng so sánh phát triển cấu trúc cluster SinCo+ (n = 5−8) SinCo(n = 10−12) (giữa) SinCo2+(n = 8−12) (phải) với Sin+(n = 6−12) clusters (trái) Nghiên cứu lý thuyết chuỗi lắp ghép từ cluster silic pha tạp Cấu trúc hình học điện tử từ tính cluster silic có pha tạp coban, SinCo+ (n = 5−8) SinCo2+ (n = 8−12), nghiên cứu kết hợp phổ IR-MPD tính tốn DFT Trên phương diện cấu trúc hình học, cluster có pha lẫn nguyên tử coban, SinCo+ có cấu trúc kiểu exohedral (tạp chất nằm ngồi cấu trúc gốc) tạp Co có xu hướng thay nguyên tử Si cluster Sin+1+ Sự chuyển đổi từ cấu trúc exohedral đến endohedral (các nguyên tử gốc bao quanh tạp chất) bắt đầu với giá trị n = 10 2,2 2,5 2,4 2,6 2,8 3,0 3,2 3,4 3,6 3,8 4,0 4,2 (a) outer-Co 2,0 LMM on Co atoms / B 1,5 1,0 + 0,5 Si8Co2 0,0 Si10Co2 1,0 Si12Co2 + Si9Co2 + + Si11Co2 (b) inner-Co + 0,5 0,0 -0,5 (I) (II) -1,0 2,2 2,4 2,6 (III) 2,8 3,0 3,2 3,4 3,6 3,8 4,0 4,2 Interatomic Co-Co distance / Å Hình Mơmen từ cục nguyên tử Co (a) phía ngồi (b) phía cluster SinCo2+ theo khoảng cách Co-Co Trong giá trị LMM nguyên tử Co lớp cho tất đồng phân nằm 1.4 2.0 , phân giá trị LMM cho nguyên tử Co lớp làm loại Đối với giá trị khoảng cách Co-Co nhỏ nhất, exchange coupling FM (loại I) Couple AFM cho khoảng cách Co-Co trung bình (loại II) khơng có moment từ cho khoảng cách Co-Co lớn (loại III) Các biểu tượng tượng trưng cho cấu trúc đồng phân cluster khác nhau, với biểu tượng có tơ màu dành cho cấu trúc Hình 4, biểu tượng rỗng dành cho cấu trúc khác Sự phát triển cấu trúc cluster silic bị pha tạp lúc hai nguyên tử Co, SinCo2 (n = 8−12), trở nên khác với nguyên tử Co thứ bị hấp thụ vào cluster pha tạp Co Kể từ Si9Co2+ trở đi, nguyên tử Co bị bao bọc khung Si + Nghiên cứu lý thuyết chuỗi lắp ghép từ cluster silic pha tạp Hình Kết tính toán DOS cho trạng thái spin-up (DOS dương) spin-down (DOS âm) (a) iso11-2a-2, (b) iso9-2a-4và (c) iso9-2a-2 Các đường cong đen đỏ biểu diễn orbital d tạp Co lớp lớp ngoài, theo thứ tự Mức lượng riêng gấp nếp Gaussian đạt cực đại độ rộng phổ ngẫu nhiên eV Theo kết tính tốn NBO, dị ngun tử Co SinCo+ có mơmen từ cụ vào khoảng 1.7−2 Đối với cluster SinCo2+, ngun tử Co lớp ngồi có mơmen từ trị tương đương với nguyên tử Co cluster SinCo+ , nguyên tử Co lớp có mơmen từ bị giảm sút mạnh hồn tồn bị triệt tiêu cho kích thước lớn (n= 11, 12) Ghép cặp từ tính nguyên tử Co SinCo2+ (n = 8−12) phụ thuộc vào khoảng cách nguyên tử Co kích thước cluster Điều khẳng định chế trao đổi loại RKKY nguyên tử Co cluster có kích thước nhỏ nano Các phân tích hàm mật độ phần cho thấy tính chất từ cluster định tương tác qua lại lai orbital d Co sp Si exchange coupling nguyên tử Co Nghiên cứu lý thuyết chuỗi lắp ghép từ cluster silic pha tạp I.2 Liên kết khoảng cách lượng trạng thái Singlet-Triplet trimer silic: Ảnh hưởng H+ cation kim loại kiềm Trong nghiên cứu này, nghiên cứu sâu ΔEST trimer silic sử dụng phương pháp có độ xác cao dựa hàm sóng phương pháp DFT giải thích ảnh hưởng q trình proton hóa tương tác cation kim loại kiềm Các kết tóm tắt Hình Bảng liệt kê kết thu từ số phương pháp DFT MO Từ kết đó, chúng tơi rút số kết luận sau: i Cả hai trạng thái singlet triplet Si3 coi bị suy biến (Bảng 1) ii Một trạng thái chuyển tiếp xác định điểm đạt góc liên kết cực đại α=68±2o tìm mức lượng 16.3 kJ/mol cao trạng thái bền iii Proton cation kiềm Li, Na K ảnh hưởng không nhiều đến khoảng lượng inglet-triplet Si3M+ Trong cation H+, Li+, Na+ có xu hướng bền trạng thái spin thấp, cation K+ nặng có xu hướng an định trạng thái triplet iv Hình tóm tắt đặc tính cộng hưởng Si3 dẫn xuất Dòng cảm ứng nghịch từ (ngược chiều kim đồng hồ) quan sát thấy Si3, Si3H+ Si3Li+, cấu trúc phản cộng hưởng (anti-aromaticity) Thú vị hơn, orbital σ thành phần đóng góp chủ yếu vào dịng cảm ứng orbital π xác định khơng hoạt động từ tính Do đó, Si3, Si3H+ Si3Li+ xếp vào loại anti-σ aromatic v Trimer Si3 coi khơng có tính aromatic Tuy nhiên, gắn thêm proton cation Li+ cho Si3 làm cho trạng thái singlet trở nên anti-aromatic Nghiên cứu lý thuyết chuỗi lắp ghép từ cluster silic pha tạp Hình 10 Hình học, tính đối xứng, lượng tương đối (E, kcal/mol) số tần số ảo (NI) cấu trúc bền BnSi BnSi- (n = 11–12) sử dụng phương pháp G4 Giá trị cho dấu ngoặc vuông lấy từ phép tính PBE/6-311+G(d) + ZPE 16 Nghiên cứu lý thuyết chuỗi lắp ghép từ cluster silic pha tạp Hình 11 Hình học, tính đối xứng, lượng tương đối (E, kcal/mol) số tần số ảo (NI) cấu trúc bền BnSi BnSi- (n = 13–14) sử dụng phương pháp G4 Giá trị cho dấu ngoặc vuông lấy từ phép tính PBE/6-311+G(d) + ZPE Kết hợp với nghiên cứu trước đây, chế phát triển cluster boron pha tạp đơn nguyên tử BnSi0/- với n = 1−14 khảo sát nghiên cứu thiết lập bởi: i) Hầu hết cấu trúc trạng thái cluster BnSi0/- có xu hướng hình thành cách thay nguyên tử B nguyên tử Si thêm nguyên tử Si vào cluster boron gốc ii) Si có xu hướng lựa chọn vị trí biên khung boron với số phối trí thấp, đồng phân B7Si-, B8Si B12Si, Si có số phối trí cao 17 Nghiên cứu lý thuyết chuỗi lắp ghép từ cluster silic pha tạp a) ELF b) Các MO ring current map Figure 12 Đặc tính B8Si 8n.1(C7v) trung hòa Isosurface hàm electron định xứ (the electron localization function – ELF) (a) giá trị bifurcation 0.85 (sử dụng phép tính PBE/6-311+G(d)), orbtial phân tử (b) thành nhóm tangential, π, radial and heterogeneous ring current map chúng Các MO “**” MO dùng lại từ MO “*” Kết tính tốn chúng tơi B8Si, B9Si-, B10Si B13Si- có độ bền cao size khác có lượng liên kết, độ lệch lượng bật hai lượng phân ly mức cao Các kết phân tích MO, ELF, dịng cảm ứng (Hình 12) cho thấy độ bền dị thường cấu trúc B8Si closed-shell giải thích quan điểm cấu trúc đạt triple aromaticity 18 Nghiên cứu lý thuyết chuỗi lắp ghép từ cluster silic pha tạp I.5 Trạng thái trung hòa cation cluster Silicon pha tạp Titan: Cơ chế phát triển độ bền SinTi+ A- Si Sin0/+ SinTi S S A-Ti A-Ti A-Si S A-Si A-Ti A-Si S S A-Si A-Ti S A-Si A-Ti A-Ti A-Si S A-Si S A-Si S A-Si A-Si A-Si A-Si A-Si Hình 13 Cơ chế phát triển TiSin trung hòa (cột phải) TiSin cation (cột trái) từ cluster Sinthuần (cột giữa) Ký hiệu S-Ti:chỉ thay thế, ký hiệuA-Ti: hấp thụ nguyên tử Ti ký tự A-Si hấp thụ nguyên tử Si Sự ảnh hưởng Ti đến cấu trúc hình học Si cluster nghiên cứu thơng qua tính tốn ab-initio Kết tóm tắt Hình 13 Một vài kết luận quan trọng đạt sau: - Bộ hàm sở giả LANL2DZ khơng phù hợp để dự đốn lượng tương đối đồng phân khác trạng thái trung hòa cation cluster TiSin Bộ hàm sở lớn cho tất electron, 6-311+G(d), nên sử dụng để đạt kết hợp lý 19 Nghiên cứu lý thuyết chuỗi lắp ghép từ cluster silic pha tạp - Một hình ảnh rõ ràng chế phát triển cho cluster trạng thái trung hịa tích điện trình bày Các cluster TiSin tuân thủ quy luật thống tính cộng, nghĩa cluster TiSin lớn thành lập việc thêm nguyên tử Si vào cluster TiSin-1 nhỏ Trong cluster cation, Ti lại ưa chuộng phép vị trí có số phối trí cao - Các cluster TiSin trung hòa bền cluster nguyên chất Sin+1 TiSin+ bền bơn clsuter nguyên chất Sin+1+ - Các cluster trạng thái trung hịa cation có xu hướng nguyên tử Si nguyên tử Ti Mất Ti+ cation từ cluster TiSin+ cation lại dễ nguyên tử Ti Si I.6 Các thơng số nhiệt hóa học clsuter silicon Trong phần này, tham số nhiệt động Sin nguyên chất cluster silicon pha tạp SinM dự đoán phép tính hóa lượng tử độ xác cao Giá trị lượng xác định phương pháp phức hợp G4 phương pháp coupled-cluster với lượng ngoại suy từ hàm sở đầy đủ CCSD(T)/CBS Ở phần sau, tính tốn sử dụng hàm sở với hàm d phân cực mạnh thực Các đồng tổng lượng nguyên tử hóa nhiệt tạo thành tiêu chuẩn lượng ion hóa lực điện tử cluster Si xác định (Bảng 3) Bảng Nhiệt tạo thành ∆fH (0 K) ∆fH (298 K) (kcal/mol) cực tiểu toàn cục SinB từ phương pháp G4 CCSD(T)/CBS) ΔHf (0K) ΔHf (298K) Cấu trúc G4 CBS Exptl G4 CBS Exptl SiB (C∞v 4∑-) 699.0 702.6 694 ± 14 703.5 707.1 698 ± 14 Si2B (C2v 2B2) 681.7 687.6 685 ± 20 685.6 691.5 688 ± 20 Si3B (C2v 2A1) 731.4 738.0 699 ± 31 735.8 742.4 701 ± 31 Si4B (C2v 2B2) 748.9 763.0 754.0 767.5 Si5B (Cs 2A”) 728.5 733.8 Si6B (Cs 2A”) 787.9 794.6 Si7B (Cs 1A’) 863.9 870.4 Si8B (C1 2A) 931.0 939.5 Si9B (Cs 2A’) 879.5 889.4 Si10B (Cs 2A’) 986.2 996.1 Một số hệ số lên để u cầu phép tính xác thơng số nhiệt hóa học 20 Nghiên cứu lý thuyết chuỗi lắp ghép từ cluster silic pha tạp i) Sự khác biệt chất hai phương pháp dẫn tới độ lệch lớn giá trị G4 CBS cho tổng lượng nguyên tử hóa nhiệt tạo thành Phân tử lớn độ lệch lớn ii) Nhiệt tạo thành nguyên tử silic không xác minh tốt thực nghiệm lý thuyết Giá trị ∆fHo(Si,298 K) = 451.5 kJ/mol chọn sai số giới hạn Điều dẫn đến lỗi hệ thống việc đánh giá nhiệt tạo thành tiêu chuẩn iii) Kết thực nghiệm dựa TAEs cluster silic công bố tài liệu định rõ đặc điểm độ bất định lớn, đến mức > ± 60 kJ/mol Điều đáng giá độ xác thơng số sở cho cluster silic pha tạp, đạt tới độ xác hóa học ± 4.0 kJ/mol 1.0 kca/lmol, thách thức lớn cho tính tốn hóa lượng tử iv) Các thơng số dựa lượng tương đối như lượng đoạn nhiệt, lực điện tử đoạn nhiệt, lực proton độ lệch đối vớinăng lượng spin thấp – spin cao … dự đốn tốt hơn, nhờ vào khử lỗi lẫn Đối với thơng số nhiệt hóa học này, kết tương ứng cho G4 kỳ vọng xác đến, nhiều nhất, ± 12 kJ/mol (± kcal/mol ± 0.15 eV) Bảng Tổng lượng nguyên tử hóa (TAE), nhiệt tạo thành 0K [∆Hf (0 K)] 298K [∆Hf (298 K)] (kcal/mol) lực điện tử (eV) SinAlm (n = 1–11, m = 1–2) trạng thái trung hịa đạt sử dụng phép tínhG4 CCSD(T)/CBS TAE ΔHf (0 K) ΔHf (298 K) EA (eV) Cấu trúc G4 CBS G4 CBS G4 CBS G4 CBS SiAl 249.1 241.3 535.0 542.8 536.9 544.4 1.17 1.34 Si2Al 619.1 609.9 613.5 622.8 616.2 625.5 2.27 2.24 Si3Al 1031.7 1025.1 649.4 656.0 652.0 658.5 2.54 2.47 Si4Al 1384.5 745.2 749.2 3.11 Si5Al 1885.6 692.6 696.6 2.95 Si6Al 2266.6 760.1 764.5 3.28 Si7Al 2613.5 861.8 868.1 2.85 Si8Al 3003.9 919.9 926.5 3.52 Si9Al 3461.1 911.2 918.3 3.96 Si10Al 3862.8 958.0 966.8 3.17 Si11Al 4183.6 1085.7 1094.0 3.57 SiAl2 503.4 486.3 616.3 633.3 617.3 634.1 1.90 2.01 Si2Al2 924.9 913.4 643.3 654.8 645.0 656.3 2.03 1.98 Si3Al2 1282.1 1270.7 734.5 746.0 738.7 747.6 2.18 2.07 Si4Al2 1755.2 710.0 713.5 2.56 21 Nghiên cứu lý thuyết chuỗi lắp ghép từ cluster silic pha tạp Si5Al2 2152.7 761.0 766.4 2.61 Si6Al2 2554.1 808.1 813.0 2.14 Si7Al2 2909.2 901.6 908.0 2.57 Si8Al2 3382.1 877.3 884.1 2.64 Si9Al2 3846.2 861.6 869.1 2.31 Si10Al2 4118.9 1037.5 1044.2 2.65 Si11Al2 4521.2 1083.7 1090.2 2.65 I.7 Kết luận hướng phát triển Trải qua năm thực đề tài, cố gắng đạt kết thú vị Bám sát mục tiêu đặt ban đầu, phân tích xa với cấu trúc cluster silic pha tạp với tạp chất kim loại chuyển tiếp Ti, Sc, Cu, Cr, Co, Mn … Chúng tơi hồn thành thơng số nhiệt hóa học mức độ xác cao cho cluster Si nhỏ trạng thái trung hòa, cation, trạng thái ion khác để làm liệu tham khảo Chúng lần chứng minh loại khác siêu nguyên tử (building blocks) đạt cách thay loại tạp chất Kết xác định nhân tố quan trọng ảnh hưởng đến kiểu chế phát triển khác tính chất điện tử tạp vất, số lượng tạp chất tham gia Kết đáng ý đạt đề tài việc khám phá silic có dạng hình nhờ vào pha tạp hai nguyên tử Mn (trong Si15Mn2) Có thay đổi đột ngột cấu trúc phân tử tùy theo nhị kim loại pha tạp Sử dụng phương pháp lý thuyết khác nhau, chúng tơi có khả lý giải cấu trúc điện tử liên kết hóa học cluster Si Đặc biệt, lần xác định, với kết thực nghiệm, trạng thái spin cao (một, hai, nhiều hơn) nguyên tử Co bị dập tắt trộn lẫn chúng với nguyên tử silic Để có tranh hồn chỉnh cho vật liệu đầy thách thức thú vị đầy triển vọng cho ứng dụng công nghệ này, chúng tơi cịn kết hoạch thực theo chu kỳ nghiên cứu tính tốn cho vật liệu silic phát triển kích cỡ cluster silic, lên đến Si20 – Si30, sử dụng đa nguyên tử kim loại chuyển tiếp trộn lẫn chúng vai trò tạp chất Trong phần cuối báo cáo này, chân thành cảm ơn Sở Khoa Học Cơng Nghệ thành phố Hồ Chí Minh cung cấp kinh phí cho hoạt động nghiên cứu ICST 22 Nghiên cứu lý thuyết chuỗi lắp ghép từ cluster silic pha tạp II CÁC TÀI LIỆU KHOA HỌC ĐÃ XUẤT BẢN Đã công bố (1) Mn2@Si15: the smallest triple ring tubular silicon cluster, Hung Tan Pham, ThuThuy Phan, Nguyen Minh Tam, Long Van Duong, My Phuong Pham-Ho and Minh Tho Nguyen, Physical Chemistry Chemical Physics, 17, 17566-17570 (2015) (2) Bonding and Singlet–Triplet Gap of Silicon Trimer: Effects of Protonation and Attachment of Alkali Metal Cations, Nguyen Minh Tam, Tran Dieu Hang, Hung Tan Pham, Huyen Thi Nguyen, My Phuong Pham-Ho, Pablo A Denis, and Minh Tho Nguyen, Journal of Computational Chemistry, 36, 805–815 (2015) Đang chờ đăng (3) Electronic Structure and Thermochemical Parameters of the Silicon-Doped Boron Clusters BnSi, with n = 8–14, and Their Anions, Dang Thi Tuyet Mai, Long Van Duong, Truong Ba Tai, and Minh Tho Nguyen, Journal of Physical Chemistry A, in press (2016) (4) Thermochemical Parametersof Some Small Pureand Doped Silicon Clusters, Nguyen Minh Tam, Tap Chi Hoa Hoc (Vietnamese Journal of Chemistry) Accepted / In press (2016) (5) Neutral and Cationic Titanium-Doped Silicon Clusters: Growth Mechanism and Stability, Nguyen Thi Ngoc Tuyet, Tran Ha Giang, Phan Thi Thu Thuy, and Vu Thi Ngan, Tap Chi Hoa Hoc (Vietnamese Journal of Chemistry) Accepted / In press (2016) Đã gửi (6) Structure Dependent Magnetic Coupling in Cobalt Doped Silicon Clusters, Yejun Li, Nguyen Minh Tam, Alex P Woodham, Jonathan T Lyon, Zhe Li, Peter Lievens, André Fielicke, Minh Tho Nguyen and Ewald Janssens, Physical Review Letters, under review (2016) Đang chuẩn bị (7) Structures, Chemical Bonding, Aromaticity and Structural Evolution of SinPm-/0/+ Clusters, with n=1-10, m=1,2, Hung Tan Pham, Nguyen Minh Tam and Minh Tho Nguyen, Journal of Physical Chemistry A (2016) 23 Nghiên cứu lý thuyết chuỗi lắp ghép từ cluster silic pha tạp III CHƯƠNG TRÌNH GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO Trong đề tài này, thành viên tham gia đề tài ICST đào tạo liên tục thời gian 2014-2016: 1) CN Phan Thị Thu Thủy hồn thành khóa học nhận thạc sĩ trường Đại học Khoa Học Tự Nhiên, TPHCM 2) CN Phạm Tấn Hùng theo chương trình thạc sĩ trường Đại học Khoa Học Tự Nhiên, TPHCM Hùng hồn thành chương trình thạc sĩ vào cuối năm 2016 Từ 15/9 đến 15/12/2015, Phạm Tấn Hùng tháng Khoa Hóa Học trường Đại học KU Leuven, Bỉ Phạm Tấn Hùng Leuven nhờ vào hổ trợ ngân sách từ đề tài nguyên cứu này, cấp kinh phí từ Sở Khoa Học Cơng Nghệ thành phố Hồ Chí Minh IV.HỘI NGHỊ, HỘI THẢO Trao đổi học thuật Từ 4/2015 đến 3/2016, PI and thành viên phịng thí nghiệm (Nguyễn Minh Thọ, Nguyễn Minh Tâm, Phạm Tấn Hùng, Dương Văn Long, Phạm Hồ Mỹ Phương …) đến thăm tổ chúc thuyết trình Đại học Quy Nhơn (4/2015, 3/2016); Đại học Đà Nẵng (3/2016), Đại học Duy Tân, Đà Nẵng (3/2016), Đại học Nha Trang (3/2016), Đại học Tôn Đức Thắng, Tp.HCM (3/2016), Đại học Cần Thơ Đại học Đồng Tháp, Cao Lãnh (3/2016) Một vài mối quan hệ thiết lập với nhóm nghiên cứu địa phương lĩnh vực hóa tính tốn mơ hình tính tốn Các gặp gỡ thúc đẩy hợp tác, tham gia lâu dài cho đề tài nghiên cứu tương lai gần Hội nghị i) Phạm Tấn Hùng Phạm Hồ Mỹ Phương: International Conference on Current Trends in Computational Chemistry, Khách Sạn Sunrise, Nha Trang, Việt Nam, 08/2014 ii) Nguyễn Minh Tâm: International Congress on Materials, Hạ Long, Việt Nam, 11/2014 iii) Nguyễn Minh Tâm, Phạm Tấn Hùng: Summer School on Methods in Cluster Science, Bruges, Bỉ, 09/2015 iv) Phạm Tấn Hùng: Intensive Courses, European Erasmus Mundus master in Theoretical Chemistry and Computational Modeling (TCCM), Leuven – Groningen (Hà Lan), 09/2015 V DỮ LIỆU 24 Nghiên cứu lý thuyết chuỗi lắp ghép từ cluster silic pha tạp CÁC PHỤ LỤC PHỤ LỤC Bài báo: Mn2@Si15: the Smallest Triple Ring Tubular Silicon Cluster Tạp chí: Physical Chemistry Chemical Physics, 17, 17566 – 17570 (2015) Tác giả: Hung Tan Pham, Thu-Thuy Phan, Nguyen Minh Tam, Long Van Duong, My Phuong Pham-Ho and Minh Tho Nguyen Nghiên cứu lý thuyết chuỗi lắp ghép từ cluster silic pha tạp PHỤ LỤC Bài báo: “Bonding and Singlet–Triplet Gap of Silicon Trimer: Effects of Protonation and Attachment of Alkali Metal Cations” Tạp chí: “Journal of Computational Chemistry, 36, 805 – 815 (2015)” Tác giả: Nguyen Minh Tam, Tran Dieu Hang, Hung Tan Pham, Huyen Thi Nguyen, My Phuong Pham-Ho, Pablo A Denis, and Minh Tho Nguyen The results of this paper were presented in the Back Cover of the issue of this journal Nghiên cứu lý thuyết chuỗi lắp ghép từ cluster silic pha tạp PHỤ LỤC Bài Báo: Electronic Structure and Thermochemical Parameters of the Silicon-Doped Boron Clusters BnSi, with n = 8–14, and Their Anions Tạp Chí: Journal of Physical Chemistry A, 119, in press (May 2016) Tác giả: Dang Thi Tuyet Mai, Long Van Duong, Truong Ba Tai, and Minh Tho Nguyen Nghiên cứu lý thuyết chuỗi lắp ghép từ cluster silic pha tạp PHỤ LỤC Bài Báo: Thermochemical Parameters of some Small Pure and Doped Silicon Clusters Tạp Chí: Tạp chí Hố học (Vietnamese Journal of Chemistry) accepted (2016) Tác Giả: Nguyen Minh Tam Nghiên cứu lý thuyết chuỗi lắp ghép từ cluster silic pha tạp PHỤ LỤC Bài Báo: Neutral and Cationic Titanium-Doped Silicon Clusters: Growth Mechanism and Stability Tạp Chí: Tap Chi Hoa Hoc (Vietnamese Journal of Chemistry) accepted (2016) Tác giả: Nguyen Thi Ngoc Tuyet, Tran Ha Giang, Phan Thi Thu Thuy, and Vu Thi Ngan Nghiên cứu lý thuyết chuỗi lắp ghép từ cluster silic pha tạp PHỤ LỤC Bài Báo: Structure Dependent Magnetic Coupling in Cobalt Doped Silicon Clusters Tạp Chí: Physical Review Letters, under review (2016) Tác Giả: Yejun Li, Nguyen Minh Tam, Alex P Woodham, Jonathan T Lyon, Zhe Li, Peter Lievens, André Fielicke, Minh Tho Nguyen and Ewald Janssens