Untitled BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH LUẬN VĂN THẠC SĨ NGUYỄN TRUNG HIẾU NGÀNH KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ 60520203 Tp Hồ Chí Minh, tháng 05/2018 S KC0 0 5 8 9 1 N[.]
BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH LUẬN VĂN THẠC SĨ NGUYỄN TRUNG HIẾU NGHIÊN CỨU XỬ LÝ LỖI TRÊN CẤU HÌNH NGHỊCH LUU BA PHA BA BẬC HÌNH T NGÀNH: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ - 60520203 S K C0 Tp Hồ Chí Minh, tháng 05/2018 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH LUẬN VĂN THẠC SĨ NGUYỄN TRUNG HIẾU NGHIÊN CỨU XỬ LÝ LỖI TRÊN CẤU HÌNH NGHỊCH LƯU BA PHA BA BẬC HÌNH T NGÀNH: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ MÃ SỐ: 60520203 Tp Hồ Chí Minh, tháng / 2018 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH LUẬN VĂN THẠC SĨ NGUYỄN TRUNG HIẾU NGHIÊN CỨU XỬ LÝ LỖI TRÊN CẤU HÌNH NGHỊCH LƯU BA PHA BA BẬC HÌNH T NGÀNH: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ Hướng dẫn khoa học: TS NGUYỄN MINH KHAI Tp Hồ Chí Minh, tháng / 2018 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP LÝ LỊCH KHOA HỌC I LÝ LỊCH SƠ LƯỢC: Họ tên: Nguyễn Trung Hiếu Giới tính: Nam Ngày, tháng, năm sinh: 02-11-1989 Nơi sinh: Tp.HCM Quê quán: Bến Tre Dân tộc: Kinh Chỗ riêng địa liên lạc: 692/5c, Vườn Lài, An Phú Động, Q12, HCM Điện thoại: 0902919839 E-mail: hieuvnautotech@gmail.com II QUÁ TRÌNH ĐÀO TẠO: Đại học: Hệ đào tạo: Đại học quy Thời gian đào tạo từ 10/2010 đến 07/2014 Nơi học (trường, thành phố): Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật TP.HCM Ngành học: Kỹ thuật Điện – Điện Tử Tên đồ án tốt nghiệp: Xây dựng mơ hình chỉnh lưu cầu pha cho động DC cuộn kích từ máy phát DC điều khiển card DSP F28335 Ngày nơi bảo vệ đồ án tốt nghiệp: 07/2014 Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật TP.HCM Người hướng dẫn: ThS Đỗ Đức Trí Thạc sĩ: Hệ đào tạo: Chính quy Thời gian đào tạo từ 10/2016 đến 5/2018 Nơi học (trường, thành phố): Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật TP.HCM, HCM Ngành học: Kỹ thuật Điện Tử Tên luận văn tốt nghiệp: Nghiên cứu xử lý lỗi cấu hình nghịch lưu ba pha ba bậc hình T Ngày nơi bảo vệ luận văn tốt nghiệp: 5/5/2018 Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật TP.HCM Người hướng dẫn: TS Nguyễn Minh Khai Trình độ ngoại ngữ (biết ngoại ngữ gì, mức độ): Tiếng Anh, mức độ B1 Học vị, học hàm, chức vụ kỹ thuật thức cấp, số bằng, ngày & nơi cấp: Trang i LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP Bằng Kỹ sư, số bằng: 33217, ngày cấp: 29/09/2015, nơi cấp: Đại học Sư phạm Kỹ thuật TP HCM III Q TRÌNH CƠNG TÁC CHUN MƠN KỂ TỪ KHI TỐT NGHIỆP ĐẠI HỌC: Thời gian Nơi công tác Công việc đảm nhiệm 09/2015 - Công ty TNHH Auto N SI Bộ phận MRO IV CÁC CƠNG TRÌNH KHOA HỌC ĐÃ CƠNG BỐ: [1] Nguyễn Trung Hiếu, Nguyễn Minh Khai, Đỗ Đức Trí, Võ Đại Vân “Xử lý lỗi dung sai cho nghịch lưu ba pha ba bậc nguồn Z hình T”, Hội nghị – Triển lãm quốc tế lần thứ Điều khiển Tự động hóa (VCCA-2017) , TB14.3 9:00-09:15 hrs, P[85], trang 69, tháng 12/2017 [2] Đỗ Đức Trí, Nguyễn Minh Khai, Quách Thanh Hải, Nguyễn Trung Hiếu “Bộ nghịch lưu ba bậc hình T tăng áp dựa chuyển mạch LC”, Hội nghị – Triển lãm quốc tế lần thứ Điều khiển Tự động hóa (VCCA-2017) , TB2.3 10:30-10:45 hrs, P[30], trang 42, tháng 12/2017 Trang ii LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP LỜI CAM ĐOAN Tôi cam đoan cơng trình nghiên cứu tơi Các số liệu, kết nêu luận văn trung thực chưa công bố cơng trình khác Tp Hồ Chí Minh, ngày 22 tháng 02 năm 2018 (Ký tên ghi rõ họ tên) Nguyễn Trung Hiếu Trang iii LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP LỜI CẢM TẠ Xin chân thành gửi lời cảm ơn đến TS NGUYỄN MINH KHAI, tận tình hướng dẫn để thực luận văn Xin chân thành gửi lời cảm ơn đến tồn thể q thầy trường Đại học Sư Phạm Kỹ Thuật TP Hồ Chí Minh giảng dạy, hướng dẫn tạo điều kiện, môi trường học tập tốt cho Xin cảm ơn ban lãnh đạo Khoa Điện – Điện tử Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật Thành phố Hồ Chí Minh hỗ trợ sử dụng phịng thí nghiệm Điện tử công suất nâng cao D405 suốt thời gian thực luận văn Cảm ơn ba mẹ, anh chị em bạn bè động viên suốt thời gian học Xin kính chúc sức khỏe chân thành cảm ơn Học viên Nguyễn Trung Hiếu Trang iv LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP TÓM TẮT LUẬN VĂN Các nghịch lưu cơng suất đóng vai trị ngày quan trọng công nghiệp sinh hoạt hộ gia đình Nâng cao hiệu suất chuyển đổi ln nhiệm vụ quan trọng lĩnh vực điện tử công suất Hiện nay, có nhiều loại cấu hình nghịch lưu hiệu suất cao Tuy nhiên, tồn số nhược điểm như: Các khóa bán dẫn khơng phép dẫn đồng thời (trùng dẫn); Điện áp ngõ nhỏ điện áp DC nguồn cấp; Sử dụng nhiều khóa bán dẫn làm ảnh hưởng đến độ tin cậy tồn hệ thống; Khơng trang bị, thiết kế dự phịng nên có cố xảy tồn hệ thống bị trì trệ, gián đoạn Bộ nghịch lưu cấu hình T thiết kế sử dụng nhánh dự phòng tạo cho ngõ nghịch lưu có ba cấp điện áp khả hoạt động điều kiện lỗi ngắn mạch/hở mạch Một mạch tăng áp nguồn z kết hợp vào nghịch lưu khắc phục nhược điểm mà nghịch lưu thông dụng gặp phải cho điện áp ngõ cao điện áp nguồn cấp, điện áp ngõ điều khiển dễ dàng cách thay đổi hệ số ngắn mạch Phương pháp điều khiển, phân tích hoạt động, lựa chọn linh kiện biểu thức điện áp ngõ tính tốn Các kết lý thuyết kiểm chứng phần mềm mơ PSIM thực nghiệm mơ hình điều khiển kit DSP TMS320F28355 FPGA Cyclone II EP2C5T144 Bài nghiên cứu trình bày gồm chương: Chương 1: Trình bày tổng quan tính hình nghiên cứu nghịch lưu, ưu khuyết điểm ba nghịch lưu truyền thống NPC, flying capacitor, cascade multilevel inverter, mục đích đề tài, phạm vi phương pháp nghiên cứu đề tài Chương 2: Giới thiệu cấu hình nghịch lưu, mạch nguồn z, vấn đề lỗi xảy cấu hình nghịch lưu quy trình xử lý lỗi Chương 3: Cấu hình nghịch lưu ba pha ba bậc nguồn Z có khả chịu lỗi tác giả đề xuất Chương 4: Kết mô thực nghiệm nghịch lưu đề xuất Trang v LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP Chương 5: Những ưu điểm hạn chế đề tài hướng phát triển đề tài tương lai Trang vi LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP Hình 4.38: Kết thực nghiệm điện áp dây VAB điều kiện lỗi S1a hở mạch không xử lý Hình 4.38 cho thấy dạng sóng thực nghiệm điện áp dây VAB điều kiện lỗi S1a hở mạch không xử lý bị giảm bậc, giảm biên độ, tăng gai nhiễu so với lúc chưa xảy lỗi giống với kết mô Điện áp pha VAN Hình 4.39: Kết thực nghiệm điện áp pha VAN điều kiện lỗi S1a hở mạch khơng xử lý Hình 4.39 cho thấy dạng sóng thực nghiệm điện áp pha VAN điều kiện lỗi S1a hở mạch không xử lý bị giảm bậc, giảm biên độ, tăng gai nhiễu so với trước xảy lỗi giống với mô Trang 50 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP Dòng điện pha A tải Hình 4.40: Kết thực nghiệm dịng điện qua tải pha A điều kiện lỗi S1a hở mạch khơng xử lý Hình 4.40 cho thấy dạng sóng thực nghiệm dịng điện qua tải pha A điều kiện lỗi S1a hở mạch không xử lý bị nửa bán kỳ, biên độ giảm so với lúc trước xảy lỗi giống với mô Điện áp DC Hình 4.41: Kết thực nghiệm điện áp điều kiện lỗi S1a hở mạch không xử lý Hình 4.41 cho thấy dạng sóng thực nghiệm điện áp điều kiện lỗi S1a hở mạch không xử lý không thay đổi so với lúc trước xảy lỗi cố hở mạch bên phía mạch nghịch lưu khơng làm ảnh hưởng đến phía mạch nguồn Z Trang 51 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP Điện áp tụ Hình 4.42: Kết thực nghiệm điện áp tụ điều kiện lỗi S1a hở mạch không xử lý Hình 4.42 cho thấy dạng sóng thực nghiệm điện áp tụ điều kiện lỗi S1a hở mạch không xử lý không thay đổi so với lúc trước xảy lỗi cố hở mạch bên phía mạch nghịch lưu khơng làm ảnh hưởng đến phía mạch nguồn Z Tổng méo hài (THD) điện áp pha tải Hình 4.43: Kết thực nghiệm tổng méo hài (THD) điều kiện lỗi S1a hở mạch khơng xử lý Hình 4.43 cho thấy tổng méo hài THD = 45.6% cho chất lượng điện lỗi S1a hở mạch xảy không xử lý Trang 52 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP Điện áp dây VAB Hình 4.44: Kết thực nghiệm điện áp dây VAB điều kiện xử lý lỗi Hình 4.44 cho thấy dạng sóng thực nghiệm điện áp dây VAB điều kiện xử lý lỗi, dạng sóng lúc phục hồi đủ bậc biên độ trước xảy lỗi Điện áp pha VAN Hình 4.45: Kết thực nghiệm điện áp pha VAN điều kiện xử lý lỗi Hình 4.45 cho thấy dạng sóng thực nghiệm điện áp pha VAN điều kiện xử lý lỗi, dạng sóng lúc phục hồi đủ bậc biên độ trước xảy lỗi Trang 53 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP Dòng điện pha A tải Hình 4.46: Kết thực nghiệm dịng điện qua tải pha A điều kiện xử lý lỗi Hình 4.46 cho thấy dạng sóng thực nghiệm dòng điện qua tải pha A điều kiện xử lý lỗi, dạng sóng lúc phục hồi biên độ dạng sin cân đối trước xảy lỗi Điện áp DC Hình 4.47: Kết thực nghiệm điện áp điều kiện xử lý lỗi Hình 4.47 cho thấy dạng sóng thực nghiệm điện áp điều kiện xử lý lỗi không thay đổi so với lúc trước xảy lỗi cố hở mạch bên phía mạch nghịch lưu khơng làm ảnh hưởng đến phía mạch nguồn Z Trang 54 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP Điện áp tụ Hình 4.48: Kết thực nghiệm điện áp tụ điều kiện xử lý lỗi Hình 4.48 cho thấy dạng sóng thực nghiệm điện áp tụ điều kiện xử lý lỗi không thay đổi so với lúc trước xảy lỗi cố hở mạch bên phía mạch nghịch lưu khơng làm ảnh hưởng đến phía mạch nguồn Z Tổng méo hài (THD) điện áp pha tải Hình 4.49: Kết thực nghiệm tổng méo hài (THD) điều kiện xử lý lỗi Hình 4.49 cho thấy, sau phát lỗi xử lý đóng nhánh dự phòng, tổng méo hài THD tăng lên không đáng kể ~ 4.7% Kết cho thấy chất lượng điện tốt sau xử lý lỗi đóng nhánh dự phịng giống với kết mơ Cho phép hệ thống trì hoạt động, khơng bị gián đoạn Trang 55 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP Hình 4.50: Kết thực nghiệm thời gian đáp ứng cấu hình trạng thái xử lý đóng nhánh dự phịng Hình 4.50 dạng sóng thực nghiệm dòng qua tải điện áp pha tải cho thấy thời gian đáp ứng xử lý đóng nhánh dự phịng có lỗi xảy Mất khoảng ½ chu kỳ tương đương 0.01s thời gian đáp ứng nhanh kịp thời xử lý lỗi độ tin cậy cao Trang 56 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP Bảng 4.2: So sánh kết mô thực nghiệm Giá trị VAN VAB Vthanh Vtụ IA THD Thời gian đáp ứng Mô Trước Sau xử lỗi lý lỗi 81 v 81 v 140 v 140 v 250 v 250 v 180 v 180 v 0.7 A 0.7 A 4% 4% 2.5 ms Thực nghiệm Trước Sau xử lỗi lý lỗi 71.8 v 71.8 v 133 v 133 v 250 v 250 v 180 v 180 v 0.7 A 0.7 A 3% 4.7% 10 ms Bảng 4.2 cho thấy kết đo giá trị điện áp pha điện áp dây làm thực nghiệm nhỏ mô bị hao tổn linh kiện Thời gian đáp ứng làm thực nghiệm chậm mô độ trễ thời gian đáp ứng linh kiện làm thực nghiệm Trang 57 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP Chương KẾT LUẬN 5.1 Kết luận Luận văn phân tích, nghiên cứu vấn đề lỗi xảy cấu hình nghịch lưu tăng áp đa bậc đưa giải thuật xử lý lỗi cho nghịch lưu ba pha ba bậc nguồn Z hình T Bộ nghịch lưu đề xuất với tình vượt trội so với cấu hình nghịch lưu truyền thống khác : Sử dụng khóa bán dẫn Có thiết kế nhánh dự phòng cho phép hoạt động điều kiện lỗi Có mạch nguồn Z giúp tăng áp ngõ lớn nguồn DC cung cấp Ngoài ra, phương pháp Sin PWM kỹ thuật sóng mang POD, giải thuật điều khiển cấu hình đơn giản Với ưu điểm kể trên, nghịch lưu chế tạo với chi phí rẽ khả hoạt động tương đương với nghịch lưu truyền thống khác Với giải thuật xử lý lỗi, nghịch lưu cịn có khả vận hành điều kiện lỗi ngắn mạch hở mạch Điều cần thiết làm tăng độ tin cậy cho hệ thống Phân tích mạch lý thuyết hoạt động trình bày Tuy nhiên, cịn số hạn chế : bước đầu mơ hình thực nghiệm hoạt động công suất thấp; Thời gian đáp ứng chậm so với kết mô 5.2 Hướng phát triển Kết nghiên cứu tiến hành cho mạch nghịch lưu cơng suất thấp Có thể tiếp tục phát triển với công suất lớn Trong q trình làm thực nghiệm tổn hao mạch cịn lớn, tiếp tục tiến hành khảo sát để giảm tổn hao mạch thay đổi linh kiện có mức tổn hao thấp thay đổi phương pháp điều khiển công tắc bán dẫn,… Dựa cấu hình nghịch lưu đề xuất, tiến hành khảo sát thông số mạch, nghiên cứu tính tốn tổn hao mạch đề xuất Tìm hiểu mạch Trang 58 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP hồi tiếp dòng áp điều khiển hòa lưới, ổn định dòng điện tải thay đổi áp lưới thay đổi Trang 59 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] A.Nabae, I.Takahashi, and H.Akagi, “A new neutral-point-clamped PWM inverter”, IEEE Trans Ind Appl Vol.17, No.5, pp.518-523, 1981 [2] Chenzhi Wang, Yunping Zou, Hongyuan Jin, Kai Ding, Yun Zhang, “A HighPerformance Three-Level Single-Phase Inverter Using Repetitive Control and State Feedback”, IEEE Trans Ind Appl Vol.14, No.5, pp.112,134, july 2005 [3] Bruckner, T.Bernet, S.Guldner, “The active NPC converter and its lossbalancing control”, IEEE Trans Ind Appl.Vol.52,No.3, pp.855,868, June 2005 [4] Schweizer, M.Kolar, “High efficiency drive system with 3-level T-type inverter” Power Electronics and Applications (EPE 2011), Proceedings of the 2011-14th European Conference pp.1,10, Aug 30 2011 [5] S Dargahi, E Babaei, S Eskandari, V Dargahi, M Sabahi, “Flying-capacitor stacked multicell multilevel voltage source inverters: analysis and modelling,” IET Power Electron Vol.7, No.12, pp.2929-2987, Dec.2014 [6] Komatsu, K.Yatsu, M.Miyashita, S.Okita, S.Nakazawa, H.Igarashi, S.Takahashi, Y.Okuma, Y.Seki, Y.Fujihira , “New IGBT modules for advanced neutral-point-clamped 3-level power converters”, 2010 International Power Electronics Conference (IPEC) pp.523,527,21-24 June 2010 [7] X Zha, L Xiong, J Gong, F Liu, “Cascaded multilevel converter for mediumvoltage motor drive capable of regenerating with part of cells,” IET Power Electron Vol 7, No 5, pp 1313-1320, May 2014 [8] J Rodriguez, L G Franquelo, S Kouro, J I Leon, R C Portillo, M A M Prats, M A Perez, “Multilevel Converters: An Enabling Technology for HighPower Applications,” Proceedings of the IEEE Vol 97, No 11, pp 1786-1817, Nov 2009 [9] S Kouro, M Malinowski, K Gopakumar, J Pou, L Franquelo, B Wu, J Rodriguez, M Perez and J Leon, “Recent advances and industrial applications of multilevel converters,” IEEE Trans Ind Electron Vol 57, No 8, pp 25532580, Aug 2010 Trang 60 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP [10] J Chavarria, D Biel, F Guinjoan, C Meza, J J Negroni, “Energy balance control of PV cascaded multilevel grid-connected inverters under level-shifted and phase-shifted PWMs” IEEE Trans Ind Electron Vol 60, No 1, pp 98111, Jan 2013 [11] A Ajami, M R J Oskuee, A Mokhberdoran, A V D Bossche, “Developed cascaded multilevel inverter topology to minimize the number of circuit devices and voltage stresses of switches,” IET Power Electron Vol.7, No.2, pp.459466, Feb.2014 [12] K Tsang, W Chan, “Single DC source three-phase multilevel inverter using reduced number of switches,” IET Power Electron Vol 7, No 4, pp 775-783 April 2014 [13] Schweizer, M Kolar, J.W., "High efficiency drive system with 3-level T-type inverter" Power Electronics and Applications (EPE 2011), Proceedings of the 2011-14th European Conference on pp.1,10, Aug 30 2011-Sept 2011 [14] Komatsu, K Yatsu, M Miyashita, S Okita, S Nakazawa, H Igarashi, S Takahashi, Y Okuma, Y Seki, Y Fujihira, T., "New IGBT modules for advanced neutral-point-clamped 3-level power converters", 2010 International Power Electronics Conference (IPEC) pp.523,527, 21-24 June 2010 [15] Lezana, P Pou, J Meynard, T.A Rodriguez, J Ceballos, S Richardeau, F., "Survey on Fault Operation on Multilevel Inverters" IEEE Trans Ind Electron Vol.57, No.7, pp.2207,2218, July 2010 [16] Wenping Zhang, Guangyuan Liu, Dehong Xu, Joshua Hawke, Pawan Garg, Prasad Enjeti.,”A fault-tolerant T-type three-level inverter system” Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC) pp.274,280, 2014 Twenty-Ninth Annual IEEE [17] Xiangyang Xing, Chenghui Zhang, Alian Chen, Jinwei He, Weisheng Wang, Chunshui Du, “Space-Vector-Modulated Method for Boosting and Neutral Voltage Balancing in Three-Level T-Type Inverter”, IEEE Trans Ind Appl Vol.52, No.1621-1631, 2016 Trang 61 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP [18] M.R Banaei, A.R Dehghanzadeh, E Salary, H Khounjahan, R Alizadeh “Multilevel inverter with reduction of switches” IET Power Electronics October 2011 [19] Peng F.Z, "Z-source inverter”, IEEE Trans Ind Appl Vol.39, No2 pp504-510, march/april 2003 [20] Armando Cordeiro, João Palma, José Maia, Maria Resende “Combining Mechanical Commutators and Semiconductors in Fast Changing Redundant Inverter Topologies” IEEE Trans Ind Appl Pp11-14, 2011 [21] Sleszynski, W.Nieznanski, J Cichowski, “Open-Transistor Fault Diagnostics in Voltage-Source Inverters by Analyzing the Load Currents,” IEEE Trans Ind Appl Vol.56 No11, pp.4681-4688, Nov, 2009 [22] Rothenhagen, K Fuchs F W “Performance of Diagnosis Methods for Open Circuit Faults in Three Phase Voltage Source Inverters for AC Variable Speed Drives,” Proceedings EPE'2005 pp.1-10, Dresden [23] Sleszynski, W.Nieznanski, J.Cichowski, “Open-Transistor Fault Diagnostics in Voltage-Source Inverters by Analyzing the Load Currents” IEEE Trans Ind Appl Vol.56 No11, pp.4681-4688, Nov, 2009 [24] Bolognani, S Zordan, M Zigliotto, “Experimental FaultTolerant Control of a PMSM Drive.” IEEE Trans Ind Appl Vol 47, No.5, Outubro de 2000: pp.1134-1141 [25] Rothenhagen, K Fuchs F W “Performance of Diagnosis Methods for Open Circuit Faults in Three Phase Voltage Source Inverters for AC Variable Speed Drives,” Proceedings EPE'2005 pp.1-10, Dresden [26] Wenping Zhang, Guangyuan Liu, Dehong Xu (2014) “A Fault-tolerant T-type Three-Level Inverter System” IEEE Trans Ind Appl, pp 978-1-4799-2325, 2014 [27] O Husev, C Roncero-Clemente, E Romero-Cadaval, D Vinnikov, S Stepenko, “Single phase three-level neutral-point-clamped quasi-Z-source inverter” IET Power Electron Vol 8, No 1, pp 1-10, Jan 2015 Trang 62 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP PHỤ LỤC CÁC CƠNG TRÌNH KHOA HỌC ĐÃ CÔNG BỐ: [1] Nguyễn Trung Hiếu, Nguyễn Minh Khai, Đỗ Đức Trí, Võ Đại Vân “Xử lý lỗi dung sai cho nghịch lưu ba pha ba bậc nguồn Z hình T”, Hội nghị – Triển lãm quốc tế lần thứ Điều khiển Tự động hóa (VCCA-2017) , TB14.3 9:00-09:15 hrs, P[85], trang 69, tháng 12/2017 [2] Đỗ Đức Trí, Nguyễn Minh Khai, Quách Thanh Hải, Nguyễn Trung Hiếu “Bộ nghịch lưu ba bậc hình T tăng áp dựa chuyển mạch LC”, Hội nghị – Triển lãm quốc tế lần thứ Điều khiển Tự động hóa (VCCA-2017) , TB2.3 10:30-10:45 hrs, P[30], trang 42, tháng 12/2017 Trang 63 S K L 0