BÀI TẬP LỚN TIN HỌC KỸ THUẬTTHIẾT KẾ MẠCH ĐIỆN TRÊN ORCAD

6 368 1
BÀI TẬP LỚN TIN HỌC KỸ THUẬTTHIẾT KẾ MẠCH ĐIỆN TRÊN ORCAD

Đang tải... (xem toàn văn)

Thông tin tài liệu

BỘ GIÁO DỤC & ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC GIAO THÔNG VẬN TẢI === \(^.^)/ === BÀI TẬP LỚN TIN HỌC KỸ THUẬT THIẾT KẾ MẠCH ĐIỆN TRÊN ORCAD ĐỀ 026 (Digital Clock with MM5314N) Sinh viên thực hiện : Ngô Tuấn Anh Mã sinh viên : 1100303 Lớp : Trang bị điện-điện tử trong CN & GTVT K52 Giáo viên hướng dẫn: Trần Văn Hưng 1 I – SƠ LƯỢC VỀ CÁC LINH KIỆN TRONG MẠCH 1-Led 7 vạch ( 7SEG ) : TDSO5150 • Các tính năng chính : - Đồng thắp sáng phân đoạn. - Untinted phân đoạn. - Cường độ sáng được phân đoạn. - Góc nhìn rộng. - Thích hợp cho dòng DC cao. - Tương thích với RoHS Chỉ thị 2002/95/EC và theo WEEE 2002/96/EC. • Các thông số : - Màu : đỏ vàng. - Cường độ sáng tại 10 mA : I V > 700 µcd I V = 5000 µcd (typ.) - Điện áp đảo ngược cho mỗi phân đoạn hoặc DP : V R = 6V - Dòng điện tức thời cho mỗi phân đoạn hoặc DP : I F = 25 mA - Surge forward current per segment or DP : I FSM = 0.15 A - Điện áp chịu đựng ( T amb ≤ 45 o C ): P V = 550 mW - Nhiệt độ mối nối : T j = 100 o C - Nhiệt độ hoạt động : T amb = -40 ÷ 85 o C - Nhiệt độ bảo quản : T stg = -40 ÷ 85 o C - Nhiệt độ hàn ( t ≤ 3s ) : T sd = 260 o C • Đặc điểm quang và điện : Điều kiện thử nghiệm : I F =10mA - Cường độ sáng cho mỗi phân đoạn : I V(min) =700 µcd I V(typ.) = 5000 µcd - Bước sóng chi phối : λ d = 612 ÷ 625 nm - Bước sóng đỉnh : λ p = 630 nm - Góc của cường độ 1/2: φ = ± 50 o - Điện áp chuyển tiếp cho mỗi phân đoạn hoặc DP : V F = 2÷3 V - Điện áp đảo ngược cho mỗi phân đoạn hoặc DP ( I R = 10 µA) : V R = 6 ÷ 15 V 2- IC MM5314N • Tính năng: 2 - Tần số hoạt động : 50 hoặc 60 Hz - Định dạng hiển thị : 12h hoặc 24h - Số 0 hàng đầu để trống ( định dạng 12h) - Đầu ra 7 phân khúc - Cung cấp đơn điện - Thiết lập kiểm soát nhanh và chậm - Đa dao động nội bộ • Thông số : - Điện áp tại chân: V SS +0.3 đến V SS – 20 V - Nhiệt độ hoạt động : -25 ÷ 70 o C - Nhiệt độ lưu trữ : -65 ÷ 150 o C Thông số Điều kiện min typ max Đơn vị Điện áp cung cấp V SS ( V DD =0) 11 19 V Điện áp cung cấp hiện hành V SS =14V 10 mA 50/60 Hz Tần số đầu vào dc 50/60 60k Hz 50/60 Hz Điện áp đầu vào Logical High Level V SS -1 V SS V SS V Logical Low Level V DD V DD V SS -10 V Tần số Multiplex Xác định bên ngoài R & C 0.1 1 60 kHz Tất cả đầu vào logic Điều khiển bên ngoài thời gian cơ bản dc 60 kHz Logical High Level Internal depletion device to V SS V SS -1 V SS V SS V Logical Low Level V DD V DD V SS -10 V BCD & 7SEG Outputs Logical High Level Loaded 2 kΩ to V DD 2.0 20 mA source Logical Low Level 0.01 mA source Đầu ra kỹ thuật số Logical High Level 0.3 mA source Logical Low Level Loaded 100Ω to V SS 5.0 25 mA sink 3-Transistor 2N1069 - Loại : NPN 3 - + D 7 B R I D G E 1 4 3 2 N O I 0 2 R 1 4 2 1 Q 2 2 2 N 1 0 6 9 R 2 2 1 J P 1 H E A D E R 2 1 2 N O I 0 3 R 8 2 1 Q 6 2 N 1 0 6 9 N O I 0 4 C 5 S W 9 S W K E Y - S P D T R 1 0 2 1 N O I 0 5 C 3 S W 6 S W P U S H B U T T O N Q 7 2 N 1 0 6 9 R 2 5 2 1 U 9 7 S E G 1 2 4 5 6 7 8 9 1 0 1 1 D 0 D 1 D 3 A B C D E F G N O I 0 6 R 6 2 1 S W 8 S W K E Y - S P D T U 1 6 M M 5 3 1 4 N 1 2 3 4 5 6 7 8 1 0 9 1 1 1 2 1 3 1 4 1 5 1 6 1 7 1 8 1 9 2 0 2 1 2 2 2 32 4 R 2 3 2 1 Q 8 2 N 1 0 6 9 M A I N P O W E R C 4 Q 2 4 2 N 1 0 6 9 R 1 3 2 1 C 1 D 8 1 2 0 N Q 0 4 5 12 R 1 9 2 1 2 2 0 V a c 5 0 H z S W 4 S W P U S H B U T T O N U 5 7 S E G 1 2 4 5 6 7 8 9 1 0 1 1 D 0 D 1 D 3 A B C D E F G D 1 1 D 1 D L 4 1 A Q 9 2 N 1 0 6 9 R 3 2 1 Q 2 3 2 N 1 0 6 9 1 1 0 V a c 6 0 H z R 1 5 2 1 Q 2 5 2 N 1 0 6 9 R 1 2 2 1 U 6 7 S E G 1 2 4 5 6 7 8 9 1 0 1 1 D 0 D 1 D 3 A B C D E F G R 7 2 1 Q 1 0 2 N 1 0 6 9 N O I 0 1 U 1 0 7 S E G 1 2 4 5 6 7 8 9 1 0 1 1 D 0 D 1 D 3 A B C D E F G Q 2 1 2 N 1 0 6 9 S W 5 S W P U S H B U T T O N R 5 2 1 N O I 0 1 R 1 2 1 R 9 2 1 Q 1 1 2 N 1 0 6 9 R 1 1 2 1 R 2 2 2 1 N O I 0 2 U 8 7 S E G 1 2 4 5 6 7 8 9 1 0 1 1 D 0 D 1 D 3 A B C D E F G S W 7 S W K E Y - S P D T N O I 0 3 Q 2 7 2 N 1 0 6 9 D 1 2 D 1 D L 4 1 A R 2 1 2 1 R 2 4 2 1 U 7 7 S E G 1 2 4 5 6 7 8 9 1 0 1 1 D 0 D 1 D 3 A B C D E F G N O I 0 4 R 2 6 2 1 C 2 R 1 8 2 1 Q 2 6 2 N 1 0 6 9 N O I 0 5 R 1 7 2 1 L 1 C M T 9 0 8 1 4 2 3 R 1 6 2 1 N O I 0 6 R 4 2 1 R 2 0 2 1 - P D = 50 W ( T C = 25 o C ) - Maximum Ratings: I C = 4 A BV CBO = 60 V BV CE = 45 V BV EBO = 9 V - Đặc điểm về điện: H fe ( min) =10 I C = 1.5 A V CE = 4 V f= 1.2 MHz 4- Các linh kiện còn lại - Biến áp : CMT908 - Bộ cầu diode : BRIDGE - Khóa : SW KEY-SPDT & SW PUSHBUTTON - Diode, Điện trở, Tụ điện. II-SƠ ĐỒ NGUYÊN LÝ 4 III- MẠCH IN 1- 1- 1- 1- 1- 1- 1- 1- 1- 1- 1- 1- MẶT TRÊN ( TOP ) 2- MẶT DƯỚI ( BOTTOM ) 5 IV- MẠCH PHỦ MASS 1- MẶT TRÊN 2- MẶT DƯỚI 6 . BỘ GIÁO DỤC & ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC GIAO THÔNG VẬN TẢI === (^.^)/ === BÀI TẬP LỚN TIN HỌC KỸ THUẬT THIẾT KẾ MẠCH ĐIỆN TRÊN ORCAD ĐỀ 026 (Digital Clock with MM5314N) Sinh viên thực. TRONG MẠCH 1-Led 7 vạch ( 7SEG ) : TDSO5150 • Các tính năng chính : - Đồng thắp sáng phân đoạn. - Untinted phân đoạn. - Cường độ sáng được phân đoạn. - Góc nhìn rộng. - Thích hợp cho dòng DC cao. -. 9 0 8 1 4 2 3 R 1 6 2 1 N O I 0 6 R 4 2 1 R 2 0 2 1 - P D = 50 W ( T C = 25 o C ) - Maximum Ratings: I C = 4 A BV CBO = 60 V BV CE = 45 V BV EBO = 9 V - Đặc điểm về điện: H fe ( min) =10 I C

Ngày đăng: 21/05/2014, 00:13

Từ khóa liên quan

Tài liệu cùng người dùng

  • Đang cập nhật ...

Tài liệu liên quan