Chế tạo và khảo sát màng delafossite cualo2 pha tạp bằng phương pháp sol gel đồ án tốt nghiệp ngành công nghệ vật liệu

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP NGÀNH CÔNG NGHỆ VẬT LIỆU CHẾ TẠO VÀ KHẢO SÁT MÀNG DELAFOSSITE CuAlO2 PHA TẠP BẰNG PHƯƠNG PHÁP SOL-GEL GVHD: TS NGÔ HẢI ĐĂNG SVTH: ĐẶNG THỊ KIỀU ANH NGUYỄN KHẮC BÌNH SKL009183 Tp.Hồ Chí Minh, tháng 8/2022 n TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH KHOA KHOA HỌC ỨNG DỤNG BỘ MƠN CƠNG NGHỆ VẬT LIỆU KHĨA LUẬN TỐT NGHIỆP CHẾ TẠO VÀ KHẢO SÁT MÀNG DELAFOSSITE CuAlO2 PHA TẠP BẰNG PHƯƠNG PHÁP SOL-GEL GVHD: TS NGÔ HẢI ĐĂNG SVTH: ĐẶNG THỊ KIỀU ANH MSSV: 18130003 SVTH: NGUYỄN KHẮC BÌNH MSSV: 18130007 KHĨA: 2018 Tp Hồ Chí Minh, 25 tháng năm 2022 n i n TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT TP HCM CỘNG HOÀ XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM KHOA KHOA HỌC ỨNG DỤNG Độc lập - Tự – Hạnh phúc BM CÔNG NGHỆ VẬT LIỆU Tp Hồ Chí Minh, ngày tháng 03 năm 2022 NHIỆM VỤ KHĨA LUẬN TỐT NGHIỆP Giảng viên hướng dẫn: NGƠ HẢI ĐĂNG Cơ quan công tác giảng viên hướng dẫn: Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật TPHCM Sinh viên thực hiện: Đặng Thị Kiều Anh MSSV: 18130003 Nguyễn Khắc Bình MSSV: 18130007 Tên đề tài: “Chế tạo khảo sát màng delafossite CuAlO2 pha tạp phương pháp sol-gel” Nội dung khóa luận:  Nghiên cứu tài liệu  Tổng hợp màng mỏng CuAlO2 màng có pha tạp phương pháp solgel  Phủ quay nung mẫu nhiệt độ cao để tạo thành sản phẩm  Khảo sát màng mỏng CuAlO2 tạo thành  Khảo sát cấu trúc tinh thể, tính chất điện, quang màng CuAlO2:X Các sản phẩm dự kiến 10 mẫu CuAlO2 với chất pha tạp khác nồng độ pha tạp khác Ngày giao đồ án: 16/12/2021 Ngày nộp đồ án: dự kiến tháng 12/2022 Ngơn ngữ trình bày: Bản báo cáo: Trình bày bảo vệ: Tiếng Anh Tiếng Anh   Tiếng Việt Tiếng Việt   GIẢNG VIÊN HƯỚNG DẪN TRƯỞNG BỘ MÔN (Ký, ghi rõ họ tên) (Ký, ghi rõ họ tên) i n KHOA KHOA HỌC ỨNG DỤNG CỘNG HÒA XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM Độc lập – Tự – Hạnh phúc BỘ MÔN CÔNG NGHỆ VẬT LIỆU ******* NHẬN XÉT CỦA GIÁO VIÊN HƯỚNG DẪN Họ tên Sinh viên: Nguyễn Khắc Bình MSSV: 18130007 Đặng Thị Kiều Anh MSSV: 18130003 Ngành: Công nghệ vật liệu Tên đề tài: “Chế tạo khảo sát màng delafossite CuAlO2 pha tạp phương pháp sol-gel” Họ và tên giáo viên hướng dẫn: TS Ngô Hải Đăng Cơ quan công tác GV hướng dẫn: Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật TPHCM Địa chỉ: Đ Võ Văn Ngân, Linh Chiểu, Thành phố Thủ Đức, TPHCM NHẬN XÉT Về nội dung đề tài khối lượng thực hiện: …………………………………………………………………………………………………………… …………………………………………………………………………………………………………… Tinh thần học tập, nghiên cứu sinh viên: ………………………………………………………………………………………….……………… ………………………………………………………………………………………………………… Ưu điểm: …………………………………………………………………………………………………………… …………………………………………………………………………………………………………… Khuyết điểm: …………………………………………………………………………………………………………… …………………………………………………………………………………………………………… Đề nghị cho bảo vệ hay không? ………………………………………………………………………………………… Điểm:………(Bằng chữ:……………………) Tp Hồ Chí Minh, ngày tháng năm 2022 Giáo viên hướng dẫn ii n KHOA KHOA HỌC ỨNG DỤNG BỘ MÔN CÔNG NGHỆ VẬT LIỆU CỘNG HÒA XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM Độc lập – Tự – Hạnh phúc ******* NHẬN XÉT CỦA GIÁO VIÊN PHẢN BIỆN Sinh viên thực hiện: Đặng Thị Kiều Anh Nguyễn Khắc Bình MSSV: 18130003 MSSV: 18130007 Ngành: Cơng nghệ vật liệu Tên đề tài: CHẾ TẠO VÀ KHẢO SÁT MÀNG DELAFOSSITE CuAlO2 PHA TẠP BẰNG PHƯƠNG PHÁP SOL-GEL Họ tên Giáo viên phản biện: Phạm Thị Kim Hằng Cơ quan công tác GV phản biện: Khoa Khoa học ứng dụng, Trường Đại học sư phạm Kỹ thuật Tp HCM Địa chỉ: Số 1, Võ Văn Ngân, Tp Thủ Đức, Tp.HCM NHẬN XÉT Về nội dung đề tài và khối lượng thực hiện: - Khóa luận nghiên cứu chế tạo màng CuAlO2 phương pháp sol-gel Khảo sát điều kiện ảnh hưởng đến việc hình thành màng dung mội, tỉ lệ tiền chất, hàm lượng tạp phương pháp phân tích XRD, FR-SEM, EDS, VU-VIS, and PL Ưu điểm: - Cấu trúc khóa luận chặt chẽ - Chỉnh chu câu từ Khuyết điểm: Kiến nghị và câu hỏi: - Thêm nguồn trích dẫn hình ảnh chương - Câu hỏi: Hình 3.2: Giản đồ nhiễu xạ tia X màng CuAlO2 khảo sát hai mức tỉ lệ mol Cu/Al là 2-1 với 1,5-1 (mẫu và 2) và mức nhiệt độ nung 900oC 1,5 với 800oC (mẫu và 4) Nhóm giải thích rõ lý chọn nhiệt độ nung mẫu là 800°C h 900°C , 1,5 h? Đồ thị điện trở theo phần trăm nguyên tử Natri sau pha tạp, điện trở giảm từ 3% đến 15% theo nồng độ tạp, tăng lên tăng nồng độ tạp Tại nồng độ 25% at Na lại tăng đột biến vậy? Giải thích? Đề nghị cho bảo vệ hay không? Đề nghị cho sinh viên bảo vệ Điểm: 9.5 (Bằng chữ: chín năm) Tp Hồ Chí Minh, ngày 05 tháng 09 năm 2022 Giáo viên phản biện Phạm Thị Kim Hằng iii n LỜI CẢM ƠN Lời chúng em xin gửi lời cảm ơn sâu sắc tới thầy Ngô Hải Đăng – người thầy tận tâm giảng dạy hướng dẫn, truyền đạt kinh nghiệm mà thầy tích lũy đến cho chúng em Cảm ơn thầy giành nhiều thời gian cơng sức để giúp chúng em hồn thành khóa luận tốt nghiệp Chúc thầy ln khỏe mạnh, ngày càng thành công đường nghiên cứu khoa học mà thầy chọn tìm nhiều nguồn cảm hứng Tiếp đến, chúng em xin gửi lời cảm ơn chân thành đến thầy Huỳnh Hoàng Trung, thầy giúp đỡ hỗ trợ chúng em nhiều trình học hỏi tìm tịi, giúp chúng em có thêm nhiều kiến thức học Chúng em xin chân thành cảm ơn thầy, chúc thầy có nhiều sức khỏe ngày thành công công việc Chúng em xin cảm ơn quý Thầy (Cô) trường Đại học Sư Phạm Kỹ Thuật TP.HCM đặc biệt quý Thầy (Cô) thuộc khoa Khoa Học Ứng Dụng giúp em có tảng tri thức ln hỗ trợ để chúng em hồn thành tốt khóa luận tốt nghiệp năm học qua Cuối cùng, chúng em xin cảm ơn gia đình và bạn bè ln bên cạnh, động viên, gắn bó và đồng hành, chỗ dựa tinh thần để chúng em n tâm hồn thành khóa luận Mặc dù cố gắng nhiều suốt q trình làm khóa luận tốt nghiệp, thiếu sót là điều khơng thể tránh khỏi, chúng em mong nhận góp ý sửa chữa Thầy (Cơ) để khóa luận tốt nghiệp hoàn thành cách tốt Xin chân thành cảm ơn tất người! Trân trọng iv n LỜI CAM ĐOAN Chúng em xin cam đoan luận văn tốt nghiệp cơng trình nghiên cứu thân chúng em hướng dẫn thầy Ngô Hải Đăng Những phần có sử dụng tài liệu tham khảo trình bày rõ ràng chi tiết phần mục lục tham khảo Các kết số liệu ghi cụ thể luận văn là hoàn toàn trung thực chúng em thực hiện, chúng em xin chịu hoàn toàn trách nhiệm lời nói thân có vấn đề phát sinh sau v n MỤC LỤC NHIỆM VỤ KHÓA LUẬN TỐT NGHIỆP i NHẬN XÉT CỦA GIÁO VIÊN HƯỚNG DẪN ii NHẬN XÉT CỦA GIÁO VIÊN PHẢN BIỆN iii LỜI CẢM ƠN .iv LỜI CAM ĐOAN v MỤC LỤC .vi DANH SÁCH CÁC CHỮ VIẾT TẮT viii DANH SÁCH CÁC BẢNG, BIỂU ix DANH SÁCH CÁC HÌNH ẢNH x MỞ ĐẦU CHƯƠNG : TỔNG QUAN 1.1 Vật liệu CuAlO2 1.2.1 Định nghĩa 1.2.2 Ưu nhược điểm phương pháp sol-gel 1.2.4 Một số vật liệu chế tạo phương pháp sol-gel 1.2.3 Phương pháp tạo màng 1.3 Các phương pháp đo tính chất đặc trưng 1.3.1 Nhiễu xạ tia X (XRD) 1.3.2 Kính hiển vi điện tử quét (SEM) 1.3.3 Quang phổ UV – VIS 10 1.3.4 Phổ quang phát quang (PL) .11 1.3.5 Phân tích thành phần nguyên tố EDS .12 1.4 Ứng dụng màng mỏng CuAlO2 14 1.4.1 Ứng dụng cảm biến khí H2S 14 vi n 1.4.2 Ứng dụng pin mặt trời nhạy quang .15 CHƯƠNG : QUY TRÌNH THỰC NGHIỆM 17 2.1 Hóa chất, dụng cụ thiết bị 17 2.1.1 Hóa chất 17 2.1.2 Dụng cụ .17 2.1.3 Thiết bị 18 2.2 Quy trình thực nghiệm .18 2.2.1 Quy trình tạo sol 18 2.2.2 Quy trình tạo màng phương pháp phủ quay (spin coating) 20 2.3 Khảo sát dung môi, tỉ lệ mol, thời gian nhiệt độ nung 22 2.4 Pha tạp .24 CHƯƠNG : KẾT QUẢ VÀ BIỆN LUẬN 28 3.1 Phân tích kết phổ nhiễu xạ tia X (XRD) 28 3.2 Phân tích hình thái bề mặt màng CuAlO2 (SEM) 33 3.3 Phân tích thành phần nguyên tố màng (EDX) 34 3.4 Phân tích tính chất quang màng 35 3.5 Điện trở điểm màng CuAlO2 38 CHƯƠNG 4: KẾT LUẬN 44 Tài liệu tham khảo .45 vii n A B D C Hình 3.6 : Ảnh SEM chụp độ phóng đại khác nhau: 500 nm(A), m(B), 5m(C) cho ảnh chụp mặt cắt 100 m(D) cho ảnh chụp bề mặt màng Từ hình ảnh SEM cho thấy có kết tinh màng CuAlO2 đế Si/SiO2 Hơn nữa, ảnh SEM thể kết cấu màng gồ ghề dẫn đến nhiễu xạ ánh sáng bề mặt màng Đây là đặc điểm quan trọng màng chế tạo phương pháp sol-gel Tuy nhiên ta thấy màng CuAlO2 có phân bố không đều, nung xong màng không phẳng mà xuất rải rác Nguyên nhân điều này giải thích tốc độ quay máy spin coating không ổn định dẫn đến phủ dung dịch sol không phủ đế Điều dẫn đến khó khăn việc xác định độ dày màng, dẫn đến không đủ liệu để đo Hall khảo sát tính chất điện màng 3.3 Phân tích thành phần nguyên tố màng (EDX) Để xác định rõ cấu trúc thành phần màng sol-gel CuAlO2 pha tạp, ảnh chụp bề mặt màng đem phân tích thành phần nguyên tố EDX 34 n hình 3.7 Kết biểu thị cho thấy có xuất thành phần màng thành phần đế Si/SiO2, điều này giải thích máy quét vào sâu với gia tốc lớn (10 kV) Tuy nhiên kết lại khơng cho thành phần màng Cu Al, cần khảo sát lại EDX với điều kiện phù hợp Hình 3.7 : Phổ EDX màng CuAlO2 pha tạp Na 3.4 Phân tích tính chất quang màng Tính chất quang học màng CuAlO2 khảo sát độ truyền qua từ bước sóng 200nm - 1000nm thạch anh phổ quang phát quang từ bước sóng 310nm 500nm Silic để xác định lượng vùng cấm với khuyết tật Hình 3.8 cho ta thấy phổ truyền qua màng mỏng bước sóng từ 200nm - 1000nm, ta có thấy độ rơi rõ nét khu vực 400nm đến 200nm cho thấy độ kết tinh tốt màng Đối với vùng bước sóng từ 450nm - 100nm màng cho độ truyền qua cao (>99%) với điều kiện nung mơi trường khơng khí 900oC 35 n Hình 3.8 : Phổ truyền quang (T%) màng CuAlO2 nung 1,5 môi trường khơng khí Hình 3.9 : Sản phẩm màng CuAlO2 (bên phải) so với màng ITO (bên trái) Để xác định độ rộng vùng cấm trực tiếp phát xạ khuyết tật màng CuAlO2, phép đo PL thực nhiệt độ phòng màng nung 36 n điều kiện 900oC 1,5 Ba vị trí đỉnh khác biệt xung quanh 329 nm (3,77 eV), 401 nm (3,09 eV) 427 nm (2,909 eV) quan sát phổ PL hình 3.10 Hình 3.10 : Quang phổ phát quang màng CuAlO2 nung 900oC môi trường khơng khí Đối với màng CuAlO2 nung mơi trường giàu oxy phản ứng khuyết tật biểu diễn phương trình [11], [12]: O2(g) = 𝑂𝑜𝑥 + Oi” + VCu + 3ℎ• (1) Oo, Oi, VCu và ℎ• biểu thị mạng tinh thể oxy, oxy xen kẽ, nút khuyết Cu, lỗ trống tương ứng Chỉ số X, " và • biểu thị trạng thái điện tích trung tính, điện tích âm và điện tích dương tương ứng Đỉnh E0 tương ứng với lượng vùng cấm trực tiếp Eg = 3,77 eV Điều thể CuAlO2 chất bán dẫn có lượng vùng cấm rộng Giá trị gần với giá trị (3,75eV) mà Banerjee cộng [20] quan sát Hai đỉnh lại E3 (3,09eV) 37 n E4 (2,909eV) cho phát xạ khuyết tật Mức khuyết tật ước tính đỉnh E4 0,87 eV Một số tính tốn lượng hình thành nút khuyết Cu tương đối thấp, khuyết tật oxy xen kẽ số khuyết tật khác cao [10] J Tate cộng [21] Pellicer Porres cộng [22] quan sát đỉnh hấp thụ khuyết tật nút khuyết Cu 0,8 eV 0,9 eV Đỉnh 0,86 eV tương ứng E4 phổ PL phù hợp với liệu J Tate và Pellicer Porres Điều hỗ trợ giải thích cho khuyết tật nút khuyết Cu hạt tải loại p màng CuAlO2 Khuyết tật khuyết tật Oxy xen kẽ Tính tốn David O Scanlon Graeme W Watson [23] khuyết tật Oxy xen kẽ hình thành mức khuyết tật nằm gần khu vực đáy vùng đẫn với lượng ion hóa khoảng 3,09 eV mơi trường nghèo Cu, nghèo Al giàu Oxy tương ứng với đỉnh phát xạ E3 (3,09 eV) quan sát phổ PL Hình 3.11 : Tính tốn mức độ chuyển đổi quang học khuyết tật nội CuAlO2 [23] Ngoài Banerjee cộng [20] phát lượng oxy dư thừa màng tăng lên ủ môi trường giàu oxy Lượng oxy dư thừa nằm vị trí mạng tinh thể tạo lỗ theo phương trình (1) trở thành oxy xen kẽ 3.5 Điện trở điểm màng CuAlO2 Màng CuAlO2 chế tạo có hình thái bề mặt gồ ghề, khơng phẳng nên gặp khó khăn việc xác định độ dày để đo hiệu ứng Hall Vì chúng tơi sử dụng đồng hồ đo điện Sanwa để kiểm tra sơ điện trở màng CuAlO2 Màng CuAlO2 phủ 38 n đế Si/SiO2 sau nung xong cắt bốn cạnh để thu mẫu 1x1, việc nhằm hạn chế màng tiếp xúc với lớp Si B A Hình 3.12 : Màng CuAlO2 1x1 hàn điện cực Indium (A) đồng hồ đo Sanwa (B)  Pha tạp Na Chúng tiến hành pha tạp Na với mục đích để giảm điện trở màng CuAlO2, tỉ lệ phần trăm nguyên tử và điện trở sau pha tạp liệt kê bảng 3.2: Bảng 3.2 Tỉ lệ phần trăm nguyên tử và điện trở sau pha tạp Na vào màng CuAlO2 Điện trở sau pha tạp Phần trăm nguyên tử Na (k) 3%at 49 7%at 24,05 10%at 9,28 15%at 6,35 20%at 11,38 25%at 168 30%at 23,5 39 n Hình 3.13 : Đồ thị điện trở theo phần trăm nguyên tử Natri sau pha tạp Từ kết đo điện trở hình cho thấy tăng tỉ lệ pha tạp từ 3%at Na đến 15%at Na điện trở màng giảm rõ rệt với giá trị thấp 15%at Na (R= 6,35 k) Khi tăng lượng pha tạp lên 20%at Na điện trở có xu hướng tăng nhẹ, điều phù hợp với phổ XRD thành phần pha màng chưa có thay đổi nhiều Khi tăng lượng pha tạp đến 25%at Na điện trở màng tăng vọt (R=168 k) Đối với lượng pha tạp 30%at Na điện trở màng giảm xuống 23,5 k Tuy nhiên lượng pha tạp lớn 25%at và 30%at màng bắt đầu hình thành pha kết tinh khơng cịn giữ tính chất màng CuAlO2  Pha tạp Zn Chúng tiến hành pha tạp Zn với mục đích để giảm điện trở màng CuAlO2, tỉ lệ phần trăm nguyên tử và điện trở sau pha tạp liệt kê bảng 3.3: 40 n Bảng 3.3 Tỉ lệ phần trăm nguyên tử và điện trở sau pha tạp Zn vào màng CuAlO2 Phần trăm nguyên tử Zn Điện trở sau pha tạp (k) 3%at 4300 7%at 76,6 10%at 575 20%at 32,7 25%at 132 30%at 15,8 Hình 3.14 : Đồ thị điện trở theo phần trăm nguyên tử Zn sau pha tạp 41 n Từ kết đo điện trở cho thấy tăng tỉ lệ pha tạp từ 3%at Zn đến 7%at Zn điện trở màng giảm mạnh từ R= 4,3 M (3%at) xuống R= 76,6 k Ở lượng pha tạp 10%at điện trở tăng đột biến R=575 k, điều phù hợp với kết phổ XRD, lúc màng xuất pha kết tinh lạ góc 2 = 22o Đối với lượng pha tạp 20%at, 25%at, 30%at điện trở màng có xu hướng giảm Ở mức pha tạp 25%at điện trở màng tăng điều giải thích cấu trúc xốp màng sol-gel hình thành màng khơng đồng kết ảnh SEM  Đồng pha tạp Na-Zn Từ liệu pha tạp đơn Natri và Zn, tiến hành đồng pha tạp hai chất vào màng CuAlO2 nhằm tăng độ dẫn màng, đồng thời đánh giá ảnh hưởng đồng pha tạp vào hình thành màng Tỉ lệ phần trăm nguyên tử giá trị điện trở liệt kê bảng 3.4: Bảng 3.4 Tỉ lệ phần trăm nguyên tử và điện trở sau đồng pha tạp Na Zn vào màng CuAlO2 Tên mẫu Tỉ lệ phần trăm nguyên tử Điện trở sau pha tạp (k) PT7 10%at Na + 10%at Zn 381,5 PT8 10%at Na + 15%at Zn 7,69 PT9 10%at Na + 20%at Zn 5,99 PT10 20%at Na + 20%at Zn 215,5 42 n Hình 3.15 : Đồ thị điện trở theo phần trăm nguyên tử sau đồng pha tạp Quan sát đồ thị ta thấy mẫu PT7 có điện trở tương đối lớn R= 381,5 k, khác hồn tồn với suy đốn thực đồng pha tạp Na và Zn, điều hình thái khơng đồng màng CuAlO2 đế Si/SiO2 liên kết điện cực và màng chưa tốt Tuy nhiên, mẫu PT8 PT9 cho kết tốt với giá trị điện trở 7,69 k 5,99 k Đối với mẫu PT10 cho giá trị điện trở R=215,5 k, điều lý giải với viêc pha tạp đồng thời lượng lớn Na (20%at) Zn (20%at), phù hợp kết phổ XRD phổ xuất nhiều pha kết tinh lạ 43 n CHƯƠNG 4: KẾT LUẬN  Những kết thu Trong khóa luận lần này, nhóm nghiên cứu chúng tơi nghiên cứu chế tạo thành công màng dẫn điện suốt CAO loại p có cấu trúc tinh thể cao phương pháp sol-gel Chúng khảo sát tỉ lệ tiền chất 2:1, nung 900oC 1,5 mơi trường khơng khí là điều kiện tốt để chế tạo màng CuAlO2 Độ truyền qua trung bình màng ghi nhận vùng khả kiến khoảng 99% Phổ quang phát quang cho thấy khuyết tật Cu là nguyên nhân chính cho độ dẫn loại p màng CuAlO2 Đồng thời nhóm nghiên cứu pha tạp và đồng pha tạp Natri, Zn thành công vào màng CAO mà không làm thay đổi cấu trúc kết tinh màng, nhiên cần tính tốn lượng pha tạp lại để loại bỏ pha Al(OH)3 có màng Điện trở tốt ghi nhận mẫu PT9 với R=5.99 k  Hướng nghiên cứu phát triển đề tài Nhằm mục đích mở rộng việc nghiên cứu đề tài tiềm này, đề suất số hướng có khả phát triển tiếp như: - Khảo sát việc ủ màng môi trường chân khơng với điều kiện kiểm sốt oxy nhằm tăng nồng độ hạt tải lỗ trống màng - Khảo sát tiếp giáp p/n màng CAO loại p để nhằm phát triển linh kiện bán dẫn suốt - Chế tạo cảm biến khí H2S, NH3 hoạt động theo chế biến thiên điện trở màng 44 n Tài liệu tham khảo [1] H Kawazoe, M Yasukawa, H Hyodo, M Kurita, H Yanagi, and H Hosono, “Ptype electrical conduction in transparent thin films of CuAlO2,” Nature, vol 389, no 6654, pp 939–942, 1997, doi: 10.1038/40087 [2] I Hamada and H Katayama-Yoshida, “Energetics of native defects in CuAlO2,” Phys B Condens Matter, vol 376–377, no 1, pp 808–811, 2006, doi: 10.1016/j.physb.2005.12.202 [3] Z Lockman, L P Lin, C K Yew, and S D Hutagalung, “Rapid formation of transparent CuAlO2 thin film by thermal annealing of Cu on Al2O3,” Sol energy Mater Sol cells, vol 93, no 8, pp 1383–1387, 2009 [4] J P Yasomanee and J Bandara, “p-type oxide semiconductors as hole collectors in dye-sensitized solid-state solar cells,” 2007 [5] N Koriche, A Bouguelia, A Aider, and M Trari, “Photocatalytic hydrogen evolution over delafossite CuAlO2,” Int J Hydrogen Energy, vol 30, no 7, pp 693–699, 2005, doi: 10.1016/j.ijhydene.2004.06.011 [6] R Brahimi, Y Bessekhouad, A Bouguelia, and M Trari, “CuAlO2/TiO2 heterojunction applied to visible light H2 production,” J Photochem Photobiol A Chem., vol 186, no 2–3, pp 242–247, 2007, doi: 10.1016/j.jphotochem.2006.08.013 [7] X G Zheng, K Taniguchi, A Takahashi, Y Liu, and C N Xu, “Room temperature sensing of ozone by transparent p-type semiconductor CuAlO 2,” Appl Phys Lett., vol 85, no 10, pp 1728–1729, 2004 [8] J Ahmed et al., “Scalable synthesis of delafossite CuAlO2 nanoparticles for ptype dye-sensitized solar cells applications,” J Alloys Compd., vol 591, pp 275– 279, 2014, doi: 10.1016/j.jallcom.2013.12.199 [9] R S Yu and H H Yin, “Structural and optoelectronic properties of p-type semiconductor CuAlO thin films,” Thin Solid Films, vol 526, pp 103–108, 2012, doi: 10.1016/j.tsf.2012.11.033 45 n [10] M Nolan, “Defects in Cu2O, CuAlO2 and SrCu2O2 transparent conducting oxides,” Thin Solid Films, vol 516, no 22, pp 8130–8135, 2008, doi: 10.1016/j.tsf.2008.04.020 [11] A N Banerjee, R Maity, and K K Chattopadhyay, “Preparation of p-type transparent conducting CuAlO2 thin films by reactive DC sputtering,” Mater Lett., vol 58, no 1–2, pp 10–13, 2004 [12] A N Banerjee, S Kundoo, and K K Chattopadhyay, “Synthesis and characterization of p-type transparent conducting CuAlO2 thin film by DC sputtering,” Thin Solid Films, vol 440, no 1–2, pp 5–10, 2003 [13] W Lan et al., “Annealing effect on the structural, optical, and electrical properties of CuAlO2 films deposited by magnetron sputtering,” J Mater Sci., vol 44, no 6, pp 1594–1599, 2009, doi: 10.1007/s10853-008-3229-2 [14] R Layer et al., “o_ = u dU + O ,” no 3, pp 280–285, 1973 [15] B Tong et al., “Ultrasensitive and selective CuAlO2 sensor toward H2S based on surface sulfuration-desulfuration reaction,” Sensors Actuators, B Chem., vol 313, no December 2019, p 128027, 2020, doi: 10.1016/j.snb.2020.128027 [16] A Mirzaei, S S Kim, and H W Kim, “Resistance-based H2S gas sensors using metal oxide nanostructures: A review of recent advances,” J Hazard Mater., vol 357, pp 314–331, 2018 [17] B Tong, G Meng, Z Deng, M Horprathum, A Klamchuen, and X Fang, “Surface oxygen vacancy defect engineering of p-CuAlO via Ar&H plasma treatment for enhancing VOCs sensing performances,” Chem Commun., vol 55, no 78, pp 11691–11694, 2019 [18] M J Griffith and A J Mozer, “Porphyrin based dye sensitized solar cells,” Sol Cells-Dye-Sensitized Devices, pp 374–398, 2011 [19] J Ahmed et al., “Scalable synthesis of delafossite CuAlO2 nanoparticles for ptype dye-sensitized solar cells applications,” J Alloys Compd., vol 591, pp 275– 279, 2014 46 n [20] A N Banerjee, C K Ghosh, and K K Chattopadhyay, “Effect of excess oxygen on the electrical properties of transparent p-type conducting CuAlO2+x thin films,” Sol Energy Mater Sol Cells, vol 89, no 1, pp 75–83, 2005, doi: 10.1016/j.solmat.2005.01.003 [21] J Tate et al., “Origin of p -type conduction in single-crystal CuAlO2,” Phys Rev B - Condens Matter Mater Phys., vol 80, no 16, pp 1–8, 2009, doi: 10.1103/PhysRevB.80.165206 [22] J Pellicer-Porres et al., “On the band gap of CuAlO delafossite,” Appl Phys Lett., vol 88, no 18, p 181904, 2006 [23] D O Scanlon and G W Watson, “Conductivity limits in CuAlO2 from screenedhybrid density functional theory,” J Phys Chem Lett., vol 1, no 21, pp 3195– 3199, 2010, doi: 10.1021/jz1011725 [24] Kính hiển vi điện tử qt SEM gì? - Công nghệ MSTEK - Công nghệ đo lường tự động hóa 47 n S n K L 0