I. GIỚI THIỆU Giả sử rằng một sản phẩm đáp ứng các giới hạn CISPR 22 trong một phòng thí nghiệm công nhận khả năng tương thích điện từ (EMC) và không đáp ứng các giới hạn tương tự khi thử nghiệm trong phòng thí nghiệm được công nhận thứ hai EMC. CISPR 22: Tiêu chuẩn CISPR 22 “Information technology equipment- Radio disturbance characteristics- Limits and methods of measurement” là tiêu chuẩn về giới hạn và phương pháp đo đặc tính nhiễu vô tuyến của thiết bị công nghệ thông tin. EMC của sản phẩm là phù hợp hoặc không phù hợp? Đây là một câu hỏi chính về sư tương quan phòng thí nghiệm, và đặc biệt, từ đó dẫn đến nhiều câu hỏi và một vài trong số các câu hỏi như sau:
TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI VIỆN ĐÀO TẠO SAU ĐẠI HỌC ĐỀ TÀI TIỂU LUẬN MƠN: TƯƠNG THÍCH ĐIỆN TỬ NGHIÊN CỨU VỀ SỰ TƯƠNG QUAN CỦA PHÒNG THÍ NGHIỆM NHIỄU SĨNG ĐIỆN TỪ VÀ VIỆC XÁC ĐỊNH GIỚI HẠN Giảng viên hướng dẫn Học viên cao học MSHV Lớp : : : : PGS TS Đào Ngọc Chiến Nguyễn Việt Dũng CB110822 KTTT1 Hà Nội, tháng 12/2011 MỤC LỤC .2 NGHIÊN CỨU VỀ SỰ TƯƠNG QUAN CỦA PHỊNG THÍ NGHIỆM NHIỄU SÓNG ĐIỆN TỪ VÀ VIỆC XÁC ĐỊNH GIỚI HẠN .3 NGHIÊN CỨU VỀ SỰ TƯƠNG QUAN CỦA PHỊNG THÍ NGHIỆM NHIỄU SĨNG ĐIỆN TỪ VÀ VIỆC XÁC ĐỊNH GIỚI HẠN (Tze-Chuen Toh, Member, IEEE) Tóm tắt-Hai chủ đề thường nêu lên ngành công nghiệp công nghệ cao mà chưa đưa kết luận cuối cùng: 1) Nghiên cứu tương quan nhiễu song điện từ phịng thí nghiệm giải thích kết 2) Giới hạn giới hạn CISPR 22 mà nhà sản xuất thiết bị gốc thường áp dụng cho sản phẩm họ việc giảm thiểu nguy khơng tn thủ tương thích điện từ Hai chủ đề xem xét theo quan điểm mẻ Phần nội dung – Tiêu chuẩn phát xạ, đo lường tương thích điện từ (Electromagnetic compatibility - EMC) I GIỚI THIỆU Giả sử sản phẩm đáp ứng giới hạn CISPR 22 phịng thí nghiệm cơng nhận khả tương thích điện từ (EMC) không đáp ứng giới hạn tương tự thử nghiệm phịng thí nghiệm cơng nhận thứ hai EMC CISPR 22: Tiêu chuẩn CISPR 22 “Information technology equipmentRadio disturbance characteristics- Limits and methods of measurement” tiêu chuẩn giới hạn phương pháp đo đặc tính nhiễu vơ tuyến thiết bị cơng nghệ thông tin EMC sản phẩm phù hợp khơng phù hợp? Đây câu hỏi sư tương quan phịng thí nghiệm, đặc biệt, từ dẫn đến nhiều câu hỏi vài số câu hỏi sau: 1) Giả sử khái niệm mối tương quan phịng thí nghiệm xác định Nếu phịng thí nghiệm phịng thí nghiệm tương quan phịng thí nghiệm phịng thí nghiệm tương quan, liệu khẳng định phịng thí nghiệm tương quan? Mặt khác, phịng thí nghiệm tương quan với phịng thí nghiệm 3, liệu suy phịng thí nghiệm tương quan với nhau? 2) Điều có ý nghĩa để định phịng thí nghiệm EMC chứng nhận đạt tiêu chuẩn mà theo sản phẩm đạt không đạt theo với giới hạnCISPR 22 với tổ chức đánh giá bất kỳ? 3) Điều tạo thành cơng nghiên cứu tương quan phịng thí nghiệm EMC hai phịng thí nghiệm EMC chứng nhận? 4) Làm để việc nghiên cứu tương quan giải thực tế các phịng thí nghiệm EMC chứng nhận khác mang lại kết khác thức bước kiểm tra tương tự sản phẩm? Bên cạnh giải câu hỏi nói trên, cịn câu hỏi khác liên quan chặt chẽ: giới hạn nhiễu điện từ (EMI) giới hạn CISPR 22 cho nhà sản xuất thiết bị gốc (OEM) phải thi hành tất sản phẩm phát triển để giảm thiểu nguy khơng tn thủ EMC gì? Câu hỏi xúc giải Mục III Lưu ý, sau đây, giới hạn CISPR 22 đề cập đến giới hạn lớp A giới hạn lớp B mà khơng có phân biệt, theo kết có sau áp dụng đồng cho hai giới hạn lớp A lớp B II NGHIÊN CỨU VỀ SỰ TƯƠNG QUAN PHỊNG THÍ NGHIỆM EMC Giả sử mà khơng tính tổng qt tất phịng thí nghiệm EMC coi phịng thí nghiệm cơng nhận Với giả thiết này, điều tạp nên thành cơng nghiên cứu tương quan hai phịng thí nghiệm EMC? Thực tế, Khái niệm mối tương quan biểu thị mức độ gần phạm vi hai phép đo phịng thí nghiệm EMC trùng lặp lên sản phẩm câu hỏi thử nghiệm hai phịng thí nghiệm Một định nghĩa thức đưa sau Trước tiên, có lỗi mang tính hệ thống lỗi ngẫu nhiên thiết bị đo lường, phòng, vị trí antena, bảng thay đổi, vị trí nguồn bàn Bài trình bày khơng tin cậy cơng cụ tìm thấy CISPR 16-4-2 tài liệu tham khảo trình bày CISPR 16-4-2: phần 4-2: Không ổn định đo lường EMC – Mơ hình khơng ổn định, trạng thái giới hạn - Đặc điểm kỹ thuật cho phương pháp đo miễn trừ nhiễu vô tuyến Do đó, báo khơng tập trung vào việc xác định không tin cậy thiết bị Ở trình bày tổng quan khơng thống hai phịng EMC Mục đích cách đặt giới hạn tối ưu giới hạn CISPR 22, OEM có đủ độ tin tưởng sản phẩm họ đạt chuẩn thử nghiệm phịng thí nghiệm EMC khác gần đạt với phịng thí nghiệm tiêu chuẩn Một nghiên cứu tương quan hoàn toàn hai EMC phịng thí nghiệm xác tùy thuộc lỗi hệ thống ngẫu nhiên gắn liền với phịng thiết bị (bao gồm vị trí vị trí phịng).Một nghiên cứu tương quan hoàn toàn giả định hai bên điều tra có điểm giống sau: 1) Cấu hình cho thiết bị theo thử nghiệm (EUT) bàn; 2) Sắp xếp cáp thiết bị ngoại vi EUT bàn; 3) phần mềm sử dụng phịng thí nghiệm để tiến hành phép đo, hai bảng phải quay tốc độ tương tự, ăng-ten phải nâng lên độ cao tương tự trình liệu lấy mẫu (trong giới hạn lỗi động phần mềm kiểm sốt nó), tỷ lệ liệu mẫu giống hệt nhau, phần mềm thực EUT giống hệt nhau; 4) Thiết bị ngoại vi kết nối với EUT; 5) Sự ổn định bàn trình quay – Việc quay cho hai bàn phải uyển chuyển không đột ngột để giữ di chuyển cáp mức tối thiểu; 6) Sự rung động ăng-ten di chuyển lên xuống cực Nếu điều kiện nói thỏa mãn, theo đó, tiêu chuẩn quy định tạo nên nghiên cứu tương quan hồn tồn cho qt đỉnh.Tuy nhiên, khơng phải nghiên cứu tương quan hoàn toàn cho phép đo chuẩn đỉnh Một nghiên cứu mối tương quan chuẩn đỉnh hồn tồn cần phép đo chuẩn đỉnh cho hai phịng thí nghiệm thực tự động phần mềm Tuy nhiên, nên lưu ý sử dụng phần mềm để tự động hóa đo lường chuẩn đỉnh ngẫu nhiên không ổn định Lý đơn giản: liệu chuẩn đỉnh thu khơng cực đại, liệu thu thủ cơng có phép đo cao Các kỹ thuật viên thường sử dụng kinh nghiệm phịng thí nghiệm Một phịng thí nghiệm chứng nhận điển hình sử dụng kỹ thuật để thực phép đo chuẩn đỉnh Nghiên cứu tương quan hai phịng thí nghiệm vô nghĩa xảy lỗi ngẫu nhiên như: 1) Mức độ kinh nghiệm kỹ thuật viên phịng thí nghiệm; 2) Kinh nghiệm kỹ thuật viên phát xạ EUT (ví dụ, kỹ thuật viên không nhận thức số vị trí dây cáp tạo phát xạ tối đa, chuẩn đỉnh tối đa ghi ANSI C63.4 đạt được; ANSI C63.4: Là tiêu chuẩn phát xạ nhiễu từ thiết bị điện điện tử điện áp thấp Phạm vi 9kHz đến 40GHz tổ chức Tiêu chuẩn quốc gia Hoa Kỳ cho phương pháp đo lường sóng điện từ 3) khoảng thời gian kỹ thuật viên sẵn sàng chia để thu số liệu chuẩn đỉnh tối đa; 4) Việc thực hành theo ý chủ quan kỹ thuật viên việc xác định điểm đọc chuẩn đỉnh tối đa (ví dụ, kỹ thuật viên xem xét điểm đọc chuẩn đỉnh tối đa sau xếp cáp cho phát xạ tối đa, kỹ thuật viên điều chỉnh lại chiều cao ăng-ten góc bàn,điểm đọc chuẩn đỉnh tối đa thu được, tiếp việc xếp lại dây cáp lại để tối đa hóa điểm đọc? Và mức độ đệ quy kỹ thuật viên phịng thí nghiệm tạm dừng chu trình xem xét việc chuẩn đỉnh tối đa? Nhữn trường hợp nói khơng có phương tiện đầy đủ.Tuy nhiên, thể khó khăn gặp phải việc xác định nghiên cứu tương quan thành cơng Ngồi ra, phịng thí nghiệm EMC thường có tỷ lệ doanh thu cao Kỹ thuật không cần thiết kinh nghiệm Đây yếu tố ngẫu nhiên mà phải xem xét thiết kỳ để độ tin cậy liệu tương quan phịng thí nghiệm thời gian dài Một điểm cần xem xét thiết lập mối tương quan phịng thí nghiệm sau: EUT hệ thống thay thiết bị ngoại vi, có hệ thống giống hệt cần sử dụng nghiên cứu này? Tương đương, thiết bị ngoại vi EUT, có thiết bị ngoại vi giống hệt cần sử dụng giữ tảng khơng thay đổi? Trong thực tế, EUT đơn thường giả định đủ hạn chế thời gian chi phí Do đó, EUT đơn giả định dạng đơn giản Điều loại trừ biến thể có nhiều EUT giống hệt kết đa dạng hóa sản xuất, vv Hình So sánh cách xếp cáp Là động lực để tìm hiều, hai phịng thí nghiệm xem tương quan giá trị mong đợi trùng lên đến báo lỗi xác định độ lệch tiêu chuẩn tương ứng chúng Điều có nghĩa số lần phép đo giống phải thực EUT, sau tháo ráp lại thiết lập cho kiểm tra, phải có đủ lớn để số liệu thống kê xác định xấp theo phân bố chuẩn (Gaus) Ngược lại, việc xác định phụ thuộc vào số lượng lần kiểm tra tương tự tiến hành, số lượng lần thử nghiệm tiến hành nhỏ, tương quan phịng thí nghiệm khơng thể xác định rõ Lưu ý nguồn máy phát điện thường sử dụng suốt nghiên cứu tương quan phịng thí nghiệm Điều đơn biện pháp xử lý khơng ổn định phịng kết hợp thiết bị thử nghiệm phương pháp thuyết phục để thử nghiệm tương quan phịng thí nghiệm - nhiên, cách tương đối nhanh tiết kiệm chi phí để phục vụ mục đích hẹp Sử dụng hệ thống thực tế nghiên cứu tương quan vào xem xét chuyển động loại cáp kết từ việc quay bàn xếp vị trí tương đối chúng phịng thí nghiệm - tất gắn bó chặt chẽ ràng buộc với việc quan sát phép đo đỉnh cuối Về chất, mục đích báo thiết lập phương pháp để so sánh phòng EMI với cách xác định nguồn khơng ổn định tính theo hai với nhau.Điều cung cấp cho OEM với số mức độ tin cậy so sánh kết EMI hai phịng thí nghiệm EMC Sự khơng ổn định ngẫu nhiên điển hình kết hợp với phép đo buồng xếp dây cáp kết nối với EUT Thật vậy, thể hình 1, xếp cáp khác dẫn đến thay đổi đáng kể phép đo EMI Hai đồ thị cho phép đo đỉnh tương ứng với phân cực theo chiều dọc hai đồ thị thấp tương ứng với phân cực nằm ngang phòng 3-m với kết chuẩn hóa đến 10 m Mỗi cặp đồ thị liên kết với xếp cáp khác biệt Hình EMI profile of cable arrangements Để có tranh rõ ràng không ổn định giới thiệu cách xếp dây cáp EUT, 50 điểm liệu cách khoảng 20 MHz lựa chọn từ liệu ban đầu cho hai cách xếp cáp riêng biệt sau vẽ biểu đồ (xem Hình 2) 50 điểm liệu số lượng tối đa điểm liệu lựa chọn hạn chế phần mềm sử dụng Tần số giống hệt cho cách xếp cáp riêng biệt đo buồng m, sau vẽ thể Hình Rõ ràng yếu tố góp phần quan trọng không ổn định tổng thể so sánh kết hai phịng khác phát sinh từ xếp cáp – dựa việc sử dụng EUT giống hệt hỗ trợ thiết bị ngoại vi Ta có, đặt D = [30, 1000] MHz, ψ: D → R hàm liên tục xác định đo lường đỉnh D Cuối cùng, tập hữu hạn D’ ⊂ D, tức là, | D’ | phép đo phịng thí nghiệm EMC chứng nhận i cho phép đo đỉnh ψ i = ψ i ( f ) , n đủ lớn phân bố xấp xỉ chuẩn Đặt ψ i = ψ i ( f ), i = 1, biểu thị điểm đỉnh đọc mong đợi phịng thí nghiệm n > phép đo, đặt ε < { σ ( f ), σ ( f ) : f ∈ D} Nghiên cứu tương quan quét đỉnh thành công có giao khoảng mở: ψ ( f ) − ε ,ψ ( f ) + ε ∩ ψ ( f ) − ε ,ψ ( f ) + ε ≠ ∅ (2.1) với f ∈ D khơng rỗng Khi hai phịng thí nghiệp tương quan đỉnh ε ( ) ( ) Định nghĩa 2.2 Giả sử D′ = { f j ∈ D : j = 1, , k } điểm chọn để đo lường chuẩn đỉnh cho phịng thí nghiệm EMC Đặt σ i′ = σ i′( f ) , với f ∈ D i = 1, , biểu thị độ lệch chuẩn phép đo n > cho phép đo chuẩn đỉnh ′ ψ i = ψ i ( f ), i = 1, đặt ε < { σ 1′( f ), σ ( f ) : f ∈ D} , n đủ lớn phân bố xấp xỉ chuẩn Đặt ψ i′ = ψ i′( f ), i = 1, biểu thị phép đo chuẩn định mong đợi cho phịng thí nghiệm n > phép đo Một nghiên cứu tương quan cho quét chuẩn đỉnh thành công cho D′ hai phịng thí nghiệm tương quan ε theo qt đỉnh có giao khoảng mở: ′ ′ ψ 1′( f ) − ε ′,ψ 1′( f ) + ε ′ ∩ ψ ( f ) − ε ′,ψ ( f ) + ε ′ ≠ ∅ (2.2) ( ) ( ) với f ∈ D′ khơng rỗng Khi đó, hau ồng thí nghiệm gọi tương quan chuẩn đỉnh (ε , ε ′) theo miền D′ Cuối cùng, hai phịng thí nghiệm gói tương quan chuẩn đỉnh (ε , ε ′) hoàn toàn tương quan theo miền D Một số ý kiến liên quan đến định nghĩa nói do: Định nghĩa khẳng định hai phịng thí nghiệm qt đỉnh tương quang có số khoảng chung, xác định độ lệch tiêu chuẩn chung chúng, chẳng hạn khác biệt giá trị họ dự kiến nằm khoảng nêu.Định nghĩa cho tương quan chuẩn đỉnh thành công hai phịng thí nghiệm cơng nhận đáp ứng điều kiện tương tự tập hợp hữu hạn điểm thay khoảng liên tục, ngồi thực tế hai phịng thí nghiệm phải tương quan đỉnh Ở đây, định nghĩa 2.1 đảm bảo có giá trị mong đợi không giống với giá trị lớn khoảng định trước, điều khơng có nghía phịng thí nghiệm tương quan Thật vậy, giả sử f ∈ D cho ψ ( f ) < ψ ( f ) < ψ ( f ) , ψ ( f ) giới hạn CISPR 22 cho phát xạ khơng chủ ý Lại có ψ i ( f ) giá trị mong đợi cho phịng thí nghiệm i Nếu ψ i ( f ) bé, f ∈ D không lựa chọn cho đo lường chuẩn đỉnh phòng thí nghiệm 1, ngược lại giá trị lựa chọn cho phép đo chuẩn đỉnh phòng thí nghiệm Nói cách khác, hai phịng thí nghiệm tương quan đỉnh, f ∈ D lựa chọn cho phép đo lường chuẩn đỉnh cho hai phịng thí nghiệm – Kể từ đây, tương quan đỉnh điều kiện cần cho phòng thí nghiệm để đạt tương quan chuẩn đỉnh khơng phải điều kiện đủ Chú ý định nghĩa 2.2 để đảm bảo phịng thí nghiệm EMC coi tương quan thành công lỗi hệ thống lỗi ngẫu nhiên phịng thí nghiệm nằm khoảng Nếu lỗi hệ thống ngẫu nhiên phịng thí nghiệm q lớn, phép đo trở nên vô nghĩa – lý để giữ giới hạn ε , ε ′ định nghĩa 2.1 2.2 tương ứng Nhận xét 2.3: Khi quan sát hệ thống thực tê, số loại tín hiệu thường điều chỉnh khoảng nhỏ: f → f ± δ f δ f = f Sự thay đổi thường kết sai số thành phần sử dụng để xây dựng mạch Một khả khác phát xạ đỉnh “thực tế” không lấy mẫu suốt thời gian quét đỉnh Trong trường hợp nào, định nghĩa 2.2 quy định nghiêm ngặt có nhiều thay đổi so với thực tế Như cho D′ = { fi ∈ D : i = 1, , k } đo lường chuẩn đỉnh tần số, với δ f = f , với i , biểu thị biến đổi kết f i từ dung sai thành phần mạch ( fi − δ fi , f i + δ fi ) ∩ ( f j − δ f j , f j + δ f j ) = ∅ với i ≠ j Đặt: D′ = ( f1 − δ f1 , f1 + δ f1 ) ∪ ∪ ( f k − δ f k , f k + δ f k ) ˆ Và xác định mối quan tương đương ~ D′ f ~ f ′ ∃i f , f ′ ∈ ( f i − δ fi , fi + δ f ) ˆ Với π : D′ → D′ biểu thị sơ đồ thương số, D′ xác định thiết lập thương ˆ ˆ số D′/ ~ D′ mối quan hệ tương đương ~ Trong sướng trình đo lường −1 chuẩn đỉnh fi , tần số f ≠ fi phát thay vào f ∈ π ( fi ) , từ sơ đồ thương số π , f fi xác định, từ biểu thị phát xạ Điều hiểu ý nghĩa thuộc tính (2.2) định nghĩa 2.2 Để đơn giản khơng tính chất tổng qt ta giả sử f ∈ D′ trường hợp sau Đề xuất 2.4: Cho hai phịng thí nghiệm chứng nhận tương quan chuẩn đỉnh ( ε , ε ′ ) với với D′ ⊂ D Khi đó, hai phịng thí nghiệm tương quan hoàng toàn D′ phân bố đếm D (D giả định có cấu trúc liên kết quan hệ bao gồm từ cấu trúc liên kết tiêu chuẩn miền thực R) Chứng minh: Cho fˆ ∈ D tùy ý Có thể chứng minh rằng(2.2) thỏa mãn ( f k ) k =0 ⊂ D′ ˆ f k → f hội tụ miền D Hơn nữa, phương sai hàm liên tục với biến ngẫu nhiên Khi đó, σ i′ với i = 1, có phần mở rộng liên tục đến D, từ đó, ( σ i′ ( f k ) ) k hội tụ σ i′ ( D ) với i = 1, Định nghĩa ˆ f Khi D′ ⊂ D , tồn chuỗi ∞ ( ) σ i′ fˆ = lim σ i′ ( f k ) với i Bởi (2.2) thỏa với f k ∈ D′ theo định nghĩa k →∞ Theo (2.2) thỏa mãn mệnh đề chứng minh Câu hỏi đặt sau: Cho giả thiết phịng thí nghiệm EMC tương quan đỉnh ε với giả theiets phịng thí nghiệm tương quan đỉnh ε với Liệu phịng thí nghiệm có tương quan đỉnh ε với khơng? Đề xuất câu hỏi Đề xuất 2.5: Tương quan đỉnh ε không bắc cầu Chứng minh: Đặt ψ i phép đo đỉnh thực phịng thí nghiệm i , với i = 1, 2,3 , giả thiết không tính tổng quát ψ = ψ + δ ψ = ψ − δ D , δ = { σ i ( f ) : f ∈ D, i = 1, 2,3} Cho ~ biểu diễn tương quan đỉnh ε Khi đó, với ( 1/ ) δ < ε < δ , rõ ràng có phịng thí nghiệm 1~2 2~3 Tuy nhiên, ( ψ ( f ) − ε ,ψ ( f ) + ε ) ∩ ( ψ ( f ) − ε ,ψ ( f ) + ε ) = ∅ D theo định nghĩa, Vì phịng thí nghiệm khơng tương quan đỉnh ε với Điều có nghĩa ~ khơng có mối quan hệ bặc cầu nó có tính chất phản xạ đối xứng theo đinh nghĩa; thế, khơng thể xác định mối quan hệ tương đương Lưu ý, trường hợp riêng, phịng thí nghiệm 1~2 1~3 khơng có suy tương quan đỉnh ε phịng thí nghiệm Ta nhận thấy tính đối xứng 1~2 ⇒ 2~1 Vì thế, theo đề xuất 2.5, ( ~ 1) & ( ~ 3) ⇒ ~ Tương quan đỉnh điều kiện cần cho tương quan chuẩn đỉnh, dẫn đến hệ Hệ 2.6: Tương quan đỉnh khơng có tính chất bắc cầu Quan sát từ định nghĩa tương quan phịng thí nghiệm thấy mối tương quan phụ thuộc vào độ lệch chuẩn xác định không ổn định phịng thiết bị đo lường.Do đó, cách sử dụng EUT khác để thực mối tương quan phịng thí nghiệm tác động đến phép đo đỉnh mong đợi chuẩn đỉnh độ lệch tiêu chuẩn cũ, kể từ n> lớn Do đó, tương quan phịng thí nghiệm độc lập EUT xác định rõ Như vậy, theo định nghĩa nói tương quan phịng thí nghiệm có tồn phương pháp để tiến hành nghiên cứu mối tương quan phịng thí nghiệm cách 1 3 quán.Sau giải câu hỏi tương quan phịng thí nghiệm, câu hỏi bao gồm điều sau đây: tạo nên giới hạn EMI thiết kế tối ưu cho OEM để áp dụng để giảm thiểu nguy không tuân thủ EMC, không cản trở hoạt động kinh doanh thuế phân bổ ngân sách mức? Điều giải phần III Ý NGHĨA CỦA GIỚI HẠN EMI Một vấn đề nêu đoạn cuối phần sáng tỏ theo phác thảo phương pháp heuristic (phương pháp trực quan) Theo tản có phát xạ ψ = ψ ( f ) tần số f ∈ D Giả sử có thiết bị ngoại vi nội phát xạ ψ = ψ ( f ) tần số f ∈ D hệ thống khác mà giống hệt cách xếp cáp Một ràng buộc phát xạ, thiết bị ngoại vi nội hoạt động tảng có tần số phát xạ f , xác định cách dễ dàng, với giả thiết xếp để phát xạ tối đa cố định Cho Ei , i = 1, biểu diễn độ lớn cường độ điện trường (tại phân cực riêng) cho tảng thiết bị ngoại vi tương ứng Để đơn giản, giả thiết E0 độ lớn trường giới hạn CISPR 22 cho f ∈ D Vì thế, ψ i = 20 log | Ei / E0 | E0 ( f ) độ lớn trường điện từ f giới hạn CISPR 22 Rõ ràng phát xa tối đa trường điện từ xây dựng Khơng tính chất tổng qt, giả sử tảng thiết bị ngoại vi có chung phân cực lượng phát xạt f ∈ D tối đa Đặc biệt, giả sử trường phân cực theo chiêu ngang chiều dọc Đặt E+ ( f ) = max { E1 ( f ), E2 ( f )} ψ + ( f ) = 20 log | E+ ( f ) / E0 | Từ ta có: ψ ( f ) = 20 log | E ( f0 ) 2E ( f ) | ≤ 20 log | + |= ψ + ( f ) + 20 log ≈ ψ + ( f ) + 6dB E0 E0 Khi E = E1 + E2 D Nhìn chung, phát xạ khơng trạng thái giao thoa tối đa Ta tóm tắt sau: ψ ( f ) ≤ ψ + ( f ) + 6dB (3.1) Khi đạt giới hạn CISPR 22, bất đẳng thức ψ ( f ) < cần thỏa mãn Do đó, (3.1) có nghĩa giới hạn tối ưu phải thỏa mãn ψ + ( f ) + 6dB ≤ 0dB (3.2) Tức ψ + ( f ) ≤ −6dB cần xây dựng ψ i ( f ) ≤ −6dB với i = 1, Kế từ thực thi ψ i ( f ) < −6dB ảnh hưởng tiêu cực đến tình hình kinh doanh mặt chi phí, vi để thỏa mãn (3.2) thiết kế giới hạn EMI tối ưu -6dB, tức , maxiψ i ( f ) = −6dB Định lý 3.1: Tồn giới hạn c bắt buộc giới hạn thiết kế EMI tối ưu cho thiết bị ngoại vi Đặc biệt, để tránh việc không tuân tuân thủ trình giao thoa tối đa nên tảng bât kỳ thiết bị ngoại vi nội nào, điều kiện cần c = −6dB Điều kiện chưa đủ Để xem xét điều này, giả sử theiets bị ngoại vi thiết bị ngoại vi bên gắn liền với tảng máy chủ thơng qua cáp Cáp xem ăng-ten đơn cực Tăng ích ăng-ten đơn cực 4.77dB Nếu 10 cap xảy công hưởng f , đặt δ E phần trường tăng lên từ E1 → E1 + δ E từ tảng kết tăng ích ăng-ten Do đó, δ E phải thỏa mãn: δE 20 log + ≤ 4.77dB (3.3) E1 Một giới hạn thiết lập nhanh chóng cho thiết bị ngoại vi – nên tảng kết hợp câu hỏi Không tính chất tổng quát, giả sử E2 ≤ E1 Do E = E1 + δ E , rõ ràng: δE E E1 ψ ( f ) ≤ 20 log + 6dB + 20 log 1 + + 10.77 dB (3.4) ÷ < 20 log E0 E1 E0 Nếu ψ ( f ) + 6dB = theo biểu thức (3.4) giới hạn tối đa δE ψ ( f ) ≤ 20 log 1 + ÷ = 2.71dB (3.5) E1 Do đó, (3.5) có nghĩa giới hạn EMI -6dB không vào xem xét yếu tố tăng ích ăng-ten có thiết bị ngoại vi bên Rõ ràng, kịch tồi tệ rủi ro kinh doanh mà cơng ty chọn để triển khai Mặt khác, tham số yếu tạo nên khơng ổn định phịng đo lường ±5dB đó, (3.5) khơng ổn định đo lường Cuối cùng, lưu ý từ hệ thống đến hệ thống biến thể từ kết trình sản xuất, biến thể phần khơng đưa vào phân tích nói Các kết nói tóm tắt ngắn gọn hệ sau Hệ 3.2: cho c1 c2 biểu diễn giới hạn thiết kế EMI so với giới hạn CISPR 22 cho tảng thiết bị ngoại vi nội tương ứng Vì thế, c1 = −6dB = c2 điều kiện cần để giới hạn thiết kế EMI tối ưu Chứng minh: Ta có ψ i ( f ) < −6dB ảnh hưởng tiêu cực đên việc kinh doanh thể việc tăng chi phí thiết kế sản phẩm , theo định lý 3.1 Ghi 3.3: Ngay từ sau định lý 3.1 đủ để xác minh thiết bị ngoại vi với nên tảng thay vi nhiều tảng đạt được mực độ tin cậy cao thiết bị ngoại vi có EMC phù hợp Điều tiết kiệm chi phí cho cơng ty Vi vậy, định lý 3.1 giải thích thử nghiệm thiết bị ngoại vi tảng thay nhiều tảng IV THẢO LUẬN VÀ KẾT LUẬN Các câu hỏi đặt mục I giải đầy đủ Hệ 2.6 rõ ràng chứng minh câu hỏi nói chung khơng thể khẳng định cách chắn Đặc biệt, điều có nghĩa trí EMI tn thủ phịng thí nghiệm chứng nhận khơng khơng tương đương với việc có EMI phù hợp phịng thí nghiệm chứng nhận khác Liên quan đến câu hỏi là, ngun tắc, định phịng thí nghiệm tham chiếu tương quan tốt với tất phòng thí nghiệm sử dụng nhà cung cấp, mức độ phát xạ tối đa cao phịng thí nghiệm chứng nhận khác sử dụng nhà cung cấp Tôi cho sản phẩm đáp ứng giới hạn CISPR22 phịng thí nghiệm có phép đo chuẩn đỉnh phịng thí nghiệm thứ hai, sau xác suất sản phẩm đáp ứng phù 11 hợp phịng thí nghiệm thứ cao nhiều - khẳng định coi tuân theo bất đẳng thức Chebyshev Định nghĩa tương quan theo câu hỏi đề cập mục II, định nghĩa nghiên cứu tương quan chuẩn đỉnh hoàn toàn Một vấn đề phát sinh thực hành có EUT khác tạo nên số hợp lý Theo định nghĩa, số lần phải kiểm tra EUT trình nghiên cứu phải tuân theo phân bố chuẩn xấp xỉ Điều khơng phải vấn đề có thời gian kinh phỉ Tuy nhiên thực tến, chi phí thời gian cần xem xét Câu hỏi thực phần câu hỏi lớn sau đây: Nếu hai phịng thí nghiệm khơng tương quan hồn tồn mà thí nghiệm vấn xác? Từ ý kiên xung quanh câu hỏi trước đó, mang đến lợi ích tốt cho cơng ty chấp nhận kết từ phịng thí nghiệm đo chuẩn đỉnh suất cao trừ có lý thuyết phục để đặt câu hỏi tính xác thực phép đo cao Lựa chọn đồng thời đáp ứng lợi ích mặt kinh doanh quản lý Cuối cùng, theo thảo luận mục III, cách thiết lập giới hạn EMI cho thiết bị ngoại vi nội nên tảng trùng với -6dB so với giới hạn CISPR 22 đủ Từ góc độ kinh doanh tính khả thi, tiến hành xác minh EMI cho thiết bị ngoại vi theo tảng thiết bị ngoại vi vào từ nhiều tảng Điều tiết kiệm thời gian, nguồn lực cho công ty giảm thiểu nguy sản phẩm không tuân thủ giới hạn 12 TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] American National Standard for Methods of Measurement of Radio-Noise Emissions From Low-Voltage Electrical and Electronic Equipment in the Range of 9kHz to 40GHz, ANSI/IEEE C63.4-2001, New York, 2001 [2] Specification for Radio Disturbance and Immunity Measuring Apparatus and Methods—Uncertainties, Statistics and Limit Modeling—Uncertainty in EMC Measurements, IEC CISPR 16-4-2, Geneva, Switzerland, 2003 [3] International Special Committee on Radio Interference: Information Technology Equipment—Radio Disturbance Characteristics—Limits and Methods of Measurement, IEC CISPR 22:2005, Geneva, Switzerland, 2006 [4] D N Heirman, “CISPR subcommittee a uncertainty activity,” IEEE Trans Electromagn Compat., vol 44, no 1, pp 125–129, Feb 2002 [5] H Neff, Jr., Basic Electromagnetic Fields New York: Harper & Row, 1981 13 ... .2 NGHIÊN CỨU VỀ SỰ TƯƠNG QUAN CỦA PHỊNG THÍ NGHIỆM NHIỄU SĨNG ĐIỆN TỪ VÀ VIỆC XÁC ĐỊNH GIỚI HẠN .3 NGHIÊN CỨU VỀ SỰ TƯƠNG QUAN CỦA PHÒNG THÍ NGHIỆM NHIỄU SĨNG ĐIỆN TỪ VÀ VIỆC XÁC ĐỊNH GIỚI HẠN... hỏi vài số câu hỏi sau: 1) Giả sử khái niệm mối tương quan phịng thí nghiệm xác định Nếu phịng thí nghiệm phịng thí nghiệm tương quan phịng thí nghiệm phịng thí nghiệm tương quan, liệu khẳng định. .. đây, giới hạn CISPR 22 đề cập đến giới hạn lớp A giới hạn lớp B mà khơng có phân biệt, theo kết có sau áp dụng đồng cho hai giới hạn lớp A lớp B II NGHIÊN CỨU VỀ SỰ TƯƠNG QUAN PHỊNG THÍ NGHIỆM