ISSN 1859 1531 TẠP CHÍ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ ĐẠI HỌC ĐÀ NẴNG, SỐ 1(86) 2015 69 DIODE CỘNG HƯỞNG ĐƯỜNG HẦM LÀM TỪ VẬT LIỆU LỚP NGUYÊN TỬ MoS2 RESONANT TUNNELING DIODE MADE UP OF ATOMIC LAYERED MoS2 MAT[.]
ISSN 1859-1531 - TẠP CHÍ KHOA HỌC VÀ CƠNG NGHỆ ĐẠI HỌC ĐÀ NẴNG, SỐ 1(86).2015 69 DIODE CỘNG HƯỞNG ĐƯỜNG HẦM LÀM TỪ VẬT LIỆU LỚP NGUYÊN TỬ MoS2 RESONANT TUNNELING DIODE MADE UP OF ATOMIC-LAYERED MoS2 MATERIALS Nguyễn Linh Nam Trường Cao đẳng Công nghệ, Đại học Đà Nẵng; nlnam911@dct.udn.vn Tóm tắt - Vật liệu cấu trúc lớp hai chiều molybdenum disulfide (MoS2) thu hút ý nghiên cứu nhiều gần đặc tính đặc biệt độ rộng vùng cấm trực tiếp có tiềm ứng dụng lớn thiết bị điện tử quang điện tử Trong nghiên cứu này, chế tạo đo đạc khảo sát diode cộng hưởng đường hầm làm từ vật liệu lớp nguyên tử MoS2 dựa linh kiện cấu trúc lỗ nano Những màng mỏng có cấu trúc tinh thể cao MoS2 tổng hợp đặt đỉnh lỗ nano Sau đó, kim loại nhơm cho bốc bám vào hai mặt lớp màng MoS2 để tạo thành điện cực cho việc đo khảo sát đặc tính dẫn điện Đặc tính dòng - áp linh kiện diode thể điện trở khác biệt âm, đặc điểm bật để nhận biết diode cộng hưởng đường hầm Sự phụ thuộc nhiệt độ từ trường đặc tính linh kiện đo thảo luận Abstract - The two - dimensional layer of molybdenum disulfide (MoS2) has recently attracted much interest due to its direct-gap property and potential applications in electronic and optoelectronic devices Here we fabricated and measured a resonant tunneling diode made up of atomic-layered MoS2 based on nanopore structure device High - quality crystalline MoS2 films were synthesized and transferred on the top of nanopore After transferring of the trilayer MoS2, Al films were subsequently thermally evaporated onto the both sides of the chip to form top and bottom electrodes for electrical measurement The currentvoltage characterristics displayed the negative differential resistance, which is a signature for resosnant tunneling diode Temperature and magnetic field dependences of device properties were performed and discussed Từ khóa - vật liệu lớp nguyên tử; MoS2; lỗ nano; điện trở khác biệt âm; diode cộng hưởng xuyên hầm Key words - atomic-layered material; MoS2; nanopore; negative different resistance; resonant tunneling diode Giới thiệu Từ Chang cộng [1] chế tạo giải thích nguyên lý hoạt động diode cộng hưởng đường hầm (RTD: resonant tunneling diode), có nhiều nghiên cứu lý thuyết thực nghiệm thực tìm hiểu loại diode nhằm mục đích giải thích tính đặc biệt để dùng loại linh kiện vào ứng dụng thực tế Đặc tính điện trở khác biệt âm (NDR: negative differential resistance) làm cho loại linh kiện có khả ứng dụng rộng rãi lĩnh vực điện tử logic đa giá trị [2], chuyển đổi tương tự - số [3], dao động cộng hưởng tần số cao [4, 5] Trong việc sử dụng linh kiện RTD dao động tần số cao có khả ứng dụng lớn thực tế Diode cộng hưởng đường hầm diode có cấu trúc cộng hưởng - đường hầm electron lỗ trống xuyên hầm qua số mức cộng hưởng với giá trị lượng định RTD chế tạo sử dụng nhiều loại vật liệu bán dẫn khác thuộc loại III-V, loại IV loại IIVI, nhiều dạng cấu trúc cộng hưởng đường hầm khác tiếp giáp pn Esaki diode, cấu trúc hai rào thế, ba rào thế, cấu trúc giếng lượng tử, dây lượng tử chấm lượng tử Gần Britnell cộng [6] nghiên cứu thành cơng q trình cộng hưởng xun hầm vật liệu có cấu trúc lớp graphene, vật liệu màng mỏng nghiên cứu nhiều thời gian gần Bên cạnh graphene, vật liệu có cấu trúc lớp nguyên tử khác thu hút nhiều ý molybdenum disulfide (MoS2) với nhiều cơng trình nghiên cứu xuất tạp chí khoa học có uy tín hàng đầu giới [7-9] MoS2 vật liệu có cấu trúc lớp nguyên tử Mo liên kết cộng hoá trị xen kẽ với hai nguyên tử S Mỗi lớp nguyên tử MoS2 có độ dày 0,72nm khoảng cách lớp MoS2 0,65nm Một khối MoS2 nhiều lớp tạo thành thường sử dụng tạo chất bơi trơn rắn, nhiên đặc tính vật lý đặc tính điện tử quang tử lớp MoS2 hồn tồn khác biệt so với cấu trúc khối [10, 11] Trong vật liệu cấu trúc khối MoS2 chất bán dẫn có độ rộng vùng cấm không trực tiếp với mức lượng 1,2eV đơn lớp MoS2 lại có độ rộng vùng cấm trực tiếp với mức lượng 1,8eV Bên cạnh đó, tương tự graphene, MoS2 có đặc tính bật độ suốt cao, cấu trúc hai chiều linh hoạt Với tính chất đặc biệt này, MoS2 có tiềm ứng dụng lớn lĩnh vực điện tử quang điện tử [7-9] Trong nghiên cứu này, chế tạo khảo sát linh kiện diode cộng hưởng đường hầm làm từ vật liệu có cấu trúc lớp nguyên tử MoS2 Q trình tổng hợp phân tích đặc tính vật liệu bước chế tạo linh kiện diode trình bày Kết đo đạc đặc tính dịng áp cho thấy linh kiện diode chế tạo thể đặc tính NDR, biểu quan trọng RTD Kết khảo sát linh kiện mức nhiệt độ từ trường khác thực thảo luận Vật liệu phương pháp Hình 1a mơ tả q trình tổng hợp vật liệu cấu trúc lớp nguyên tử MoS2 [12] 0,25g (NH4)2MoS4 (AlfaAesar, độ tinh khiết: 99,99%) hịa tan 20ml dung mơi phân cực dimethylformamide (DMF) với nồng độ 1,25wt% Một đế cách điện Sapphire nhúng vào dung mơi hịa tan sau từ từ kéo lên (vận tốc khoảng 0,5mm/s) để hình thành lớp màng mỏng (NH4)2MoS4 bề mặt đế sapphire Sau đế sapphire xấy khô nhiệt độ 120°C thời gian 30 phút Đế sapphire với lớp màng (NH4)2MoS4 bề mặt ủ lần thứ buồng nung môi trường hỗn hợp khí Ar/H2 (theo tỉ lệ lưu lượng 4:1) áp suất Torr 500°C thời gian Trong q trình ủ này, khí H2 phản ứng với lớp màng (NH4)2MoS4 đế sapphire để tạo thành lớp màng mỏng MoS2 theo phương trình phản ứng sau: (NH4)2MoS4 + H2 → 2NH3 + 2H2S + MoS2 70 Nguyễn Linh Nam MoS2 tạo thành (Hình 1c) Thí nghiệm phân tích nhiễu xạ electron vùng quan sát (250nm) Hình 1d cho thấy màng MoS2 thể tổ hợp cấu trúc lưới hình lục giác tương ứng với lớp nguyên tử MoS2 Kết lần chứng minh lớp nguyên tử MoS2 tổng hợp có cấu trúc lớp trình bày Hình 1c Từ kết phân tích vật liệu TEM, thấy màng mỏng MoS2 tổng hợp gồm lớp nguyên tử tạo thành với đặc tính cấu trúc tinh thể cao Hình (a) Quá trình tổng hợp vật liệu lớp nguyên tử MoS2 qua hai bước ủ lò nung (b) Ảnh TEM hiển thị cấu trúc tinh thể màng MoS2 (c) Cấu trúc lớp màng MoS2 (d) Ảnh phân tích nhiễu xạ electron vùng quan sát (250nm) cho thấy màng MoS2 thể tổ hợp cấu trúc lưới hình lục giác tương ứng với lớp nguyên tử MoS2 Hình (a) Lỗ nano chế tạo màng cách điện Si3N4 (b) Quá trình đặt màng MoS2 đỉnh lỗ nano Toàn hỗn hợp thừa tạp chất bị loại bỏ sau trình Đế sapphire với lớp màng mỏng MoS2 bề mặt tiếp tục đưa vào buồng nung trải qua trình ủ lần thứ hai áp suất 500Torr 1000°C 30 phút Trong trình ủ này, khí Ar điều khiển đưa vào buồng với lưu lượng khí 20sccm kết hợp với khí sulfur (S) Lưu ý rằng, sulfur đưa vào buồng nung dạng bột bột sulfur bị bay nhiệt độ buồng nung cao (1000°C) để tạo thành khí S Việc đưa thêm khí S q trình ủ thứ hai giúp cải thiện cấu trúc tinh thể lớp màng MoS2 Khí S sử dụng lớp khí bảo vệ chống lại tác động oxy hóa bề mặt MoS2 Các kết nghiên cứu khác cho thấy có mặt phân tử oxy xuất ẩm bám bề mặt MoS2 phá liên kết tinh thể màng [12] Bằng cách kiểm soát tối đa hoá thơng số kỹ thuật hai q trình này, tạo lớp vật liệu cấu trúc lớp nguyên tử MoS2 với xác suất lên đến 90% qua hai q trình ủ Đặc tính cấu trúc tinh thể lớp màng MoS2 phân tích kính hiển vi điện tử đường hầm (TEM: Tunneling Electron Microscope), kết thể Hình 1b-d Hình 1b cho thấy lớp màng MoS2 có cấu trúc tinh thể tốt, thấy rõ nguyên tử xếp theo trật tự định đồng bề mặt Quan sát kính hiển vi điện tử cạnh lớp màng MoS2 này, kết chụp cho thấy rõ lớp màng lớp Quá trình chế tạo RTD làm từ lớp màng nguyên tử lớp MoS2 dựa cấu trúc lỗ nano thực theo bước sau Đầu tiên lỗ nano có đường kính 36nm (Hình 2a) tạo màng Si3N4 (30nm) cách kết hợp kỹ thuật quang khắc dùng chùm electron kỹ thuật khắc vật lý đựa hiệu ứng phản ứng ion Sau màng phim nhơm (Al-20nm) màng phim ôxit nhôm (Al2O38nm) lắng động bề mặt lỗ nano kỹ thuật bốc kim loại dùng máy phát chùm electron, màng Al bao quanh giúp làm hẹp lỗ nano màng Al2O3 tạo thành lớp cách điện với điện cực chế tạo sau [13] Sau lớp nguyên tử MoS2 đặt đỉnh lỗ nano thơng qua q trình chuyển đổi mơ tả Hình 2b Lớp MoS2 đế sapphire phủ lớp PMMA nhúng vào dung dịch NaOH để ăn mòn đế sapphire Lớp PMMA với MoS2 lại làm nước cất đặt màng Si3N4 có lỗ nano Sau đặt xong, toàn đưa vào dung dịch acêton để loại bỏ PMMA trình chuyển MoS2 lên đỉnh lỗ nano hoàn thành Kết phân tích cấu trúc vật liệu lớp nguyên tử MoS2 lỗ nano thiết bị đo phổ tán xạ không đàn hồi Raman trình bày Hình 3a Từ phổ Raman, thấy có hai đỉnh lượng vị trí 383,3 405,6cm-1 tương ứng với hai mức lượng E2g1 and A1g tiêu biểu cho vật liệu MoS2 Hơn nữa, khoảng cách lượng hai mực 22,3cm-1, tham khảo theo tài liệu nghiên cứu [12], khoảng cách lượng rõ màng MoS2 lớp MoS2 tạo thành Sau đặt màng MoS2 lỗ nano, lớp phim nhôm (Al) dày 40nm chế tạo kỹ thuật nhiệt - bốc kim loại lên phía màng để tạo thành điện cực cho việc đo đặc tính dịng-áp (I-V) qua màng Hình 3b minh họa cấu trúc hồn chỉnh linh kiện MoS2RTD Đặc tính điện tử linh kiện khảo sát đo lường hệ đo đặc tính vật lý (Physics Properties Measurement System-PPMS) kết hợp với khuếch đại dòng áp tự chế tạo có khả kiểm sốt mức nhiễu tín hiệu mức 10fA Hình (a) Phổ lượng Raman màng MoS2 cấu trúc lớp nguyên tử (b) Cấu trúc hoàn chỉnh linh kiện MoS2-RTD sau chế tạo xong Màng MoS2 lớp (ký hiệu L1, L2, L3) đặt điện cực Al (T) (D) để đo dòng điện chạy theo trục vng góc với màng MoS2 ISSN 1859-1531 - TẠP CHÍ KHOA HỌC VÀ CƠNG NGHỆ ĐẠI HỌC ĐÀ NẴNG, SỐ 1(86).2015 Kết nghiên cứu thảo luận Hình (a) Đặc tính dịng-áp (I-V) linh kiện lớp nguyên tử MoS2 đo nhiệt độ khác (b) Sơ đồ rào Schottky hình thành tiếp xúc kim loại Al với lớp ngun tử MoS2 (c) Mơ hình hố cấu trúc linh kiện MoS2-RTD gồm hai giếng lượng tử hình thành giam hãm lượng tử hạt dẫn hai lớp L2, L3 giếng lượng tử xen kẽ rào (d) Mô tả trình dịng cộng hưởng đường hầm hai trường hợp đạt đỉnh đáy Đặc tính dịng-áp (I-V) linh kiện màng MoS2 trình bày Hình 4a, thấy linh kiện thể đặc tính chỉnh lưu tốt đặc tính I-V thông thường linh kiện diode với rào Schottky Tiếp xúc Schottky kim loại Al lớp ngun tử MoS2 hình thành có khác biệt mức lượng tự Al (4,28eV) với lực điện tử MoS2 (4,0eV) Chúng ta đồng thời lưu ý rằng, cấu trúc linh kiện mơ tả Hình 3b, điện cực Al (T) có bề mặt tiếp xúc lớn với MoS2 ngược lại bề mặt tiếp xúc bị giới hạn lỗ nano nên điện cực Al (D) có bề mặt tiếp xúc nhỏ với màng Tỉ lệ khác biệt hai mặt tiếp xúc T/D lớn dẫn đến khác điện trở tiếp túc hay bất đối xứng chiều cao rào Schottky hai mặt tiếp xúc [13] Như mô tả Hình 4b, có bề mặt tiếp xúc nhỏ bị giới hạn với lỗ nano rào Schottky điện cực Al với MoS2là ΦbD cao so với rào Schottky ΦbT hình thành điện cực Al với MoS2 (bề mặt tiếp xúc lớn), kết quả, linh kiện thể khả chỉnh lưu đặc tính I-V Đặc biệt lưu ý rằng, đặc tuyến I-V linh kiện biểu hai lần thay đổi giá trị dòng điện, độ gợn nhỏ vùng điện áp đặt thấp đỉnh dòng điện vùng điện áp đặt cao Đặc biệt, vùng điện áp đặt cao, dòng điện tăng dần đạt đến giá trị đỉnh (IP) sau giảm dần xuống giá trị đáy (IV) tăng trở lại Đặc tính đỉnh dịng hay tượng điện trở khác biệt âm hiển thị rõ nét trình hạt dẫn di chuyển cộng hưởng đường hầm từ điện cực đo điện qua mức lượng gián đoạn Những tượng tương tự trình bày nghiên cứu trình di chuyển hạt dẫn cộng hưởng đường hầm mức lượng gián đoạn hình thành hiệu ứng lượng tử linh kiện có cấu trúc hai giếng lượng tử làm từ vật liệu đa lớp Ge/Si [14] Chính vậy, giải thích rằng, linh kiện MoS2 này, đỉnh dòng điện đặc tuyến I-V hạt dẫn di chuyển cộng hưởng đường hầm qua mức lượng gián đoạn sinh giam hãm lượng tử hạt dẫn 71 lớp MoS2 bị giới hạn lỗ nano [15] Có thể giải thích rằng, bên ngồi lỗ nano, lớp MoS2 tiếp xúc trực tiếp với vật liệu Al2O3/Si3N4 nên cấu trúc vùng lượng bị làm nhoà tác động liên kết với vật liệu nền, cấu trúc vùng lượng bên lỗ nano khơng bị ảnh hưởng hình thành mức lượng gián đoạn hiệu ứng lượng tử hạt dẫn Kết xem lớp MoS2 bên lỗ nano giếng lượng tử bị bao quanh rào Trong linh kiện MoS2 cấu trúc lớp nguyên tử, mô tả Hình 3b, lớp (L1) tạo liên kết tốt với điện cực Al có bề mặt tiếp xúc lớn, có rào Schottky hình thành lớp MoS2 thứ (L3) với điện cực Al Thêm lớp MoS2 tồn điện dung liên kết lớp lực liên kết Vander Wal Cho nên, cấu trúc vùng lượng gián đoạn tồn hai lớp L2, L3 cấu trúc lượng lớp L1 bị đồng với mức lượng Fermi kim loại Al Kết quả, xem cấu trúc linh kiện MoS23 lớp nguyên tử nàyđược cấu thành bao gồm hai giếng lượng tử (hình thành giam hãm lượng tử hạt dẫn L2, L3) với mức lượng gián đoạn xen kẽ ba rào b1, b2 (sinh điện dung liên kết lớp) b3 (rào Schottky) mơ tả Hình 4c Khi đặt điện áp hai đầu điện cực Al, hạt dẫn di chuyển cộng hưởng đường hầm từ cực phát, qua mức lượng gián đoạn hai lớp L2, L3 đến cực thu Như mô tả Hình 4d, mức lượng hai giếng lượng tử ngang nhau, giá trị dòng điện cộng hưởng đường hầm đạt giá trị đỉnh (P) ngược lại hai mức lượng lệch giá trị dịng điện giảm xuống mức thấp (V) Một tham số quan trọng linh kiện RTD tỉ số dịng đỉnh/dịng đáy PVCR=IP/IV (Peak to Valley Curent Ratio) phân tích kết phụ thuộc PVCR vào nhiệt độ trình bày Hình Giá trị tỉ số PVCR phụ thuộc vào độ rộng mức lượng cộng hưởng lực liên kết điện dung hai mức lượng hai giếng lượng tử với Về mặt nguyên tắc, lực liên kết điện dung không thay đổi theo nhiệt độ độ rộng rào không đổi theo nhiệt độ Tuy nhiên, nhiệt độ giảm, độ rộng mức lượng cộng hưởng rõ hẹp suy giảm tác động hiệu ứng mở rộng vùng lượng nhiệt Khi nhiệt độ đo giảm dịng cộng hưởng đường hầm có biên độ đỉnh IPcao hạt dẫn di chuyển cộng hưởng đường hầm qua mức lượng hẹp hơn, dòng IV thay đổi tượng Kết đo phụ thuộc theo nhiệt độ dòng IP IV trình bày Hình cho thấy, giá trị thực nghiệm hoàn toàn phù hợp với lý giải vật lý nêu Kết là, nhiệt độ giảm dịng IP tăng mạnh dịng IV thay đổi dẫn đến tỉ số PVCR tăng theo suy giảm nhiệt độ trình bày Hình Kết thực nghiệm tượng tự nghiên cứu báo cáo cho Ge/Si-RTD tài liệu tham khảo số 14 Sự phụ thuộc từ trường đặc tính linh kiện lớp MoS2 đo khảo sát Hướng từ trường đặt vng góc với bề mặt màng MoS2 theo chiều di chuyển hạt dẫn Hình biểu thị phụ thuộc điện áp đỉnh cộng hưởng (VRP) tác động giá trị từ 72 Nguyễn Linh Nam trường khác nhau, từ đến 9T Kết đo cho thấy, điện áp đỉnh cộng hưởng thay đổi theo độ lớn từ trường Đặc biệt giá trị điện áp bắt đầu tăng tuyến tính theo từ trường 3T Sự thay đổi tuyến tính tương tự nghiên cứu khác báo cáo [14] giải thích dịch chuyển mức Landau tác động từ trường Khi từ trường đưa vào, hạt dẫn lớp nguyên tử MoS2 chịu tác động di chuyển theo quỹ đạo cyclotron với mức lượng lượng tử gọi mức Landau Dưới tác động từ trường lượng mức Landau thay đổi tuyến tính với từ trường theo cơng thức E eB / m*, đó, E, e, ħ m* lượng, điện tích bản, độ lớn tự tường khối lượng hiệu dụng hạt dẫn Chúng ta thấy phụ thuộc tuyến tính đỉnh lượng theo từ trường đo thực nghiệm hoàn toàn phù hợp với lý thuyết vật lý Giá trị điện áp cộng hưởng thay đổi từ 3T giải thích quỹ đạo cyclotron tồn MoS2 bị giới hạn lỗ nano, lỗ quỹ đạo bị phá tán xạ với cạnh lỗ nơi màng MoS2 bắt đầu tiếp xúc trực tiếp với đế cách điện Al2O3/Si3N4 Hình Sự phụ thuộc theo nhiệt độ tham số PVCR linh kiện MoS2-RTD Hình Sự phụ thuộc theo từ trường điện áp đỉnh linh kiện MoS2-RTD Kết luận Tóm lại, nghiên cứu này, chúng tơi thành công việc chế tạo khảo sát đặc tính hoạt động linh kiện diode cộng hưởng đường hầm làm từ vật liệu lớp nguyên tử MoS2 dựa linh kiện cấu trúc lỗ nano Các màng cấu lớp MoS2 với cấu trúc tinh thể cao, tổng hợp sử dụng để chế tạo linh kiện cho nghiên cứu Hiệu ứng giam hãm lượng tử hạt dẫn lớp MoS2 hình thành nên giếng lượng tử với mức lượng gián đoạn cho hạt dẫn di chuyển cộng hưởng đường hầm Sự thành công nghiên cứu mở khả ứng dụng lớn việc sử dụng vật liệu lớp nguyên tử ứng dụng điện tử quang điện tử Kết tổng hợp vật liệu MoS2 thực phịng thí nghiệm vật liệu 2D thuộc Viện Khoa học Phân tử, Viện Khoa học Đài Loan Quá trình chế tạo đo khảo sát linh kiện diode thực Phịng Thí nghiệm Trọng điểm Khoa học Cơng nghệ Nano Phịng Thí nghiệm Điện tử Lượng tử thuộc Viện Vật lý, Viện Khoa học Đài Loan TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] L L Chang, L Esaki, R Tsu, “Resonant tunneling in semiconductor double barriers”, Appl Phys Lett 24, 593, 1974 [2] R C Potter, A A Lakhani, D Beyea, H Hier, E Hempfling, A Fathimulla, “Three‐dimensional integration of resonant tunneling structures for signal processing and three‐state logic”, Appl Phys Lett 52, 2163, 1988 [3] Y Yokoyama, Y Ohno, S Kishimoto, K Maezawa, T Mizutani, “A Delta-Sigma Analog-to-Digital Converter Using Resonant Tunneling Diodes”, Jpn J Appl Phys 40, L1005, 2001 [4] M Asada, S Suzuki, N Kishimoto, “Resonant Tunneling Diodes for Sub-Terahertz and Terahertz Oscillators”, Jpn J Appl Phys 47, 4375, 2008 [5] M Shiraishi, H Shibayama, K Ishigaki, S Suzuki, M Asada, H Sugiyama, H Yokoyama, “High Output Power (~400 µW) Oscillators at around 550 GHz Using Resonant Tunneling Diodes with Graded Emitter and Thin Barriers”, Appl Phys Express 4, 064101, 2011 [6] L Britnell, R.V Gorbachev, A.K Geim, L.A Ponomarenko, A Mishchenko, M.T Greenaway, T.M Fromhold, K.S Novoselov, L Eaves, “Resonant tunnelling and negative differential conductance in graphene transistors”, Nature Communication 4, 1794, 2013 [7] Y Yoon, K Ganapathi, S Salahuddin, “How Good Can Monolayer MoS2 Transistors Be?” Nano Lett 11, 3768−377 3, 2011 [8] J Pu, Y Yomogida, K K Liu, L J Li, Y Iwasa, T Takenobu, “Highly Flexible MoS2 Thin-Film Transistors with Ion Gel Dielectrics” Nano Lett 12, 4013−4017, 2012 [9] S Wu, Z Zeng, Q He, Z Wang, S J Wang, Y Du, Z Yin, X Sun, W Chen, H Zhang, “Electrochemically Reduced Single-Layer MoS2 Nanosheets: Characterization, Properties, and Sensing Applications” Small8, 2264−2270, 2012 [10] Y Feldman, E Wasserman, D J Srolovitz, R Tenne, “High-Rate, Gas-Phase Growth of MoS2 Nested Inorganic Fullerenes and Nanotubes”, Science 267, 222-225, 1995 [11] A Splendiani, L Sun, Y Zhang, T Li, J Kim, J F Chim, G Galli, F Wang, “Emerging Photoluminescence in Monolayer MoS2” Nano Lett 10, 1271-1275, 2010 [12] K K Li, W Zhan, Y H Lee, Y C Lin, M T Chang, C.Y Su, C S Chang, H Y.Li, Y.Shi, H Zhang, C S Lai, L J Li, “Growth of Large-Area and Highly Crystalline MoS2 Thin Layers on Insulating Substrates”, Nano Lett 12, 1538−1544, 2012 [13] L N Nguyen, M C Lin, H S Chen, Y W Lan, C S Wu, K S ChangLiao, C D Chen, “Photo-response of a nanopore device with a single embedded ZnO nanoparticle”, Nanotechnology 23, 165201, 2012 [14] O G Schmidt, U Denker, K Eberl, O Kienzle, F Ernst, R J Haug, “Resonant tunneling diodes made up of stacked selfassembledGe/Si islands”, Appl Phys Lett 77, 4341, 2000 [15] L N Nguyen, Y W Lan, J H Chen, T R Chang, Y L Zhong, H T Jeng, L J Li, C D Chen,“Resonant Tunneling through Discrete Quantum States in Stacked Atomic-Layered MoS2”, Nano Lett.14 2381-2386, 2014 (BBT nhận bài: 09/09/2014, phản biện xong: 07/12/2014) ... tạo khảo sát đặc tính hoạt động linh kiện diode cộng hưởng đường hầm làm từ vật liệu lớp nguyên tử MoS2 dựa linh kiện cấu trúc lỗ nano Các màng cấu lớp MoS2 với cấu trúc tinh thể cao, tổng hợp... trình này, tạo lớp vật liệu cấu trúc lớp nguyên tử MoS2 với xác suất lên đến 90% qua hai trình ủ Đặc tính cấu trúc tinh thể lớp màng MoS2 phân tích kính hiển vi điện tử đường hầm (TEM: Tunneling... tử linh kiện có cấu trúc hai giếng lượng tử làm từ vật liệu đa lớp Ge/Si [14] Chính vậy, giải thích rằng, linh kiện MoS2 này, đỉnh dịng điện đặc tuyến I-V hạt dẫn di chuyển cộng hưởng đường hầm