1. Trang chủ
  2. » Tất cả

Nghiên cứu bộ lọc quang học bậc cao dựa trên sự ghép nối tiếp của nhiều cộng hưởng qua khe dẫn sóng hẹp trong cấu trúc tinh thể quang tử hai chiều

4 1 0

Đang tải... (xem toàn văn)

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Nội dung

Untitled 560(6) 6 2018 Khoa học Tự nhiên Mở đầu Việc nghiên cứu cấu trúc tinh thể quang tử ứng dụng cho các linh kiện quang học đã và đang thu hút rất nhiều sự quan tâm của các nhà khoa học bởi tính c[.]

Khoa học Tự nhiên Nghiên cứu lọc quang học bậc cao dựa ghép nối tiếp nhiều cộng hưởng qua khe dẫn sóng hẹp cấu trúc tinh thể quang tử hai chiều Hồng Thu Trang1,2, Ngơ Quang Minh1,2* Viện Khoa học Vật liệu, Viện Hàn lâm Khoa học Công nghệ Việt Nam Học viện Khoa học Công nghệ, Viện Hàn lâm Khoa học Công nghệ Việt Nam Ngày nhận 9/2/2018; ngày chuyển phản biện 13/2/2018; ngày nhận phản biện 15/3/2018; ngày chấp nhận đăng 22/3/2018 Tóm tắt: Bài báo trình bày kết lý thuyết tính tốn mô lọc quang học bậc cao sử dụng cấu trúc khe dẫn sóng hẹp tinh thể quang tử hai chiều kết hợp với dãy hốc vi cộng hưởng nối tiếp Sự dẫn sóng khe hẹp thiết kế để tăng khả giam giữ cường độ điện-từ trường bên vùng điện mơi có chiết suất thấp, điều làm gia tăng tỷ số Q/V cộng hưởng thiết kế từ khe hẹp Việc ghép nối tiếp nhiều cộng hưởng phân tích dựa vào phương pháp lý thuyết ghép mode cộng hưởng miền thời gian (CMT) Kết lý thuyết tác giả kiểm chứng lại mô qua việc sử dụng phương pháp đạo hàm hữu hạn miền thời gian (FDTD) Kết cho thấy có phù hợp tốt lý thuyết mô Bộ lọc quang học bậc cao dựa ghép nối tiếp nhiều cộng hưởng coi tảng để tác giả nghiên cứu linh kiện quang học tích hợp phẳng Từ khóa: Bộ lọc quang học, phương pháp FDTD, tinh thể quang tử Chỉ số phân loại: 1.3 Mở đầu Việc nghiên cứu cấu trúc tinh thể quang tử ứng dụng cho linh kiện quang học thu hút nhiều quan tâm nhà khoa học tính chất quang đặc biệt mà loại vật liệu sẵn có tự nhiên khơng có Cấu trúc tinh thể quang tử cấu trúc vật liệu nhân tạo tạo nên việc xếp tuần hồn lớp vật liệu có số điện mơi khác theo chiều (1D), chiều (2D), chiều (3D) không gian tạo thành vùng cấm quang theo 1D, 2D 3D tương ứng Các bước sóng (tần số) nằm vùng cấm quang bị phản xạ hoàn toàn gặp bề mặt cấu trúc tinh thể quang tử, nhiên lại có tính chất đặc biệt điều khiển ta thiết kế cộng hưởng dẫn sóng cấu trúc tinh thể quang tử đó, có nghĩa ánh sáng với bước sóng (tần số) giam giữ cấu trúc truyền qua cấu trúc với hiệu suất 100% [1-3] Nhờ phát triển trang thiết bị công nghệ đại, đặc biệt công nghệ nano, cấu trúc tinh thể quang tử 2D nghiên cứu chế tạo thành cơng với bước sóng (tần số) làm việc vùng thông tin quang vùng khả kiến có số kết ứng dụng, đặc biệt cho viễn thông quang học, laze, đi-ốt phát quang (LED), cảm biến quang học… Tuy nhiên để ứng dụng rộng rãi cấu trúc tinh thể quang tử 2D số lĩnh vực cụ thể, đặc biệt * viễn thơng quang học mạch tích hợp phẳng khác cần thêm nhiều nghiên cứu chuyên sâu vật liệu cấu trúc [3-5] Trong linh kiện quang tích hợp phẳng dựa kết hợp dẫn sóng cộng hưởng, tỷ số (Q/V), Q hệ số phẩm chất V thể tích hình thái học coi tham số định hiệu suất linh kiện quang, tỷ số Q/V cao hiệu suất linh kiện tốt Hệ số phẩm chất Q thể tích hình thái học V cộng hưởng thiết kế từ cấu trúc tinh thể quang tử 2D mà công bố gần đề cập ~3,3x106 ~1,18 (l/n)3, Q/V ~2,80x106 (l/n)-3, l bước sóng hoạt động n số chiết suất vật liệu [6-8] Việc chế tạo cộng hưởng có hệ số phẩm chất Q cao khó thay đổi kích thước nhỏ cộng hưởng dẫn tới thay đổi lớn hệ số phẩm chất Q Bên cạnh đó, hệ số phẩm chất Q cao, cường độ điện-từ trường tập trung lớn không gian hẹp cộng hưởng làm gia tăng hiệu ứng phi tuyến không mong muốn vật liệu Vậy nên, không quan tâm đến thể tích hình thái học V, việc làm tăng hệ số phẩm chất Q lọc quang học cách ghép nối tiếp nhiều cộng hưởng thông qua khe dẫn sóng hẹp tinh thể quang tử 2D phương án có tính khả thi cao [9-11] Việc sử dụng dẫn sóng khe hẹp làm tăng khả giam giữ cường độ điện-từ trường bên vùng điện mơi có chiết suất thấp, điều làm tăng tỷ số Q/V cộng hưởng thiết kế từ khe hẹp Tác giả liên hệ; Email: minhnq@ims.vast.ac.vn 60(6) 6.2018 Khoa học Tự nhiên tốt Kết báo tảng cho nghiên cứu linh kiện quang tốt Kết báo tảng cho nghiên cứu linh kiện quang tích hợp phẳng tích hợp phẳng Cơ sở lý thuyết Cơ sở lý thuyết Để phân ghép nốighép tiếp nối tiếp n bộvới cộng hưởng Hình mơ hình n tích cộng hưởng thơngnhư qua bus dẫn Hình mơ hình n cộng hưởng ghép nối tiếp với thơng qua bus dẫn hình 1, sử dụng lý thuyết ghép mode cộng sóng sóng A study on high-order optical filters hưởng miền thời gian [14] Để đơn giản, giả based on coupled resonators sử cộng hưởng có tần số cộng hưởng độ suy hao theo thời gian tương ứng ω 1/τ s s biên độ through the slot waveguide sóng tới sóng phản xạ cộng hưởng thứ nhất; s in two-dimensional photonic crystal s tương ứng biên độ sóng tới sóng phản xạ Hình Mơ hình n cộng hưởng ghép nối tiếp với +1 -1 +n -n nối |s|2 tiếp lượng n; |a| Hình Mơ hìnhcộng hưởng n cộngthứ hưởng ghép với Thu Trang Hoang1,2, Quang Minh Ngo1,2* cộng hưởng sóng Để phân tích ghép nối tiếp n cộng hưởng hình 1, chúng tơi sử dụng phân tích ghép nối tiếp n cộng hưởng hình 1, sử dụng Institute of Materials Science, Vietnam Academy of Science and Để lý Technology thuyết ghép mode cộng hưởng miền thời gian [14] Để đơn giản, da1 cộng miền thuyếtofghép mode [14] Để đơn giản, Graduate University of Science and Technology, Vietnamlý Academy (whưởng = [ j có +δ ) − µ athời + kgian a1 + s+1 0cùng 2hưởng giả sử cộng hưởng tần ]số cộng độ suy hao theo thời gian dt Science and Tecnology giả sử cộng hưởng có tầnτsố cộng hưởng độ suy hao theo thời gian tương ứng ω0 1/τ s+1 s-1 biên độ sóng tới sóng phản xạ cộng ứng ω 1/τ s s-1 biên độ sóng tới sóng phản xạ cộng Received February; accepted 22 March 2018tương vài s=-n+1jtương ứng độ+của sóng tới1và< sóng xạ cộng hưởng thứ nhất;0 s da (w0 +ứng 2δ )làalài biên µ ađộ µ asóng +biên i < phản nphản(1) i −1 i +1 với s tới sóng xạ cộng hưởng thứ nhất; s2+n+nvà 2-n tương hưởng thứ n; |a|2 vàdt |s|2 lượng cộng hưởng sóng Abstract: hưởng thứ n; |a| |s| lượng cộng hưởng sóng da dan 1 da ( [j(w ) 1+ ]δa) − ]aa +kµs a + k s+ n In this paper, we present the theoretical and numerical dt1 [ [jdt(j= 0 0  ) 0 ] a1 1 τa2 2n k s11n −1  results of the high-order optical filters based on the dt dai da  1 j (0 hệ2số ) aghép i   acủa i 1  sóng vớicộng < ihưởng < n cho (1) slotted two-dimensional photonic crystal waveguide dti Ở j (  2 )   1   1 với < i < n (1) jθ conjugated with multiple coupled resonators Slotted dt hệ số k = e / τ δ µ độ dịch chuyển da n waveguide is designed to enhance the electromagnetic datần n  [ j (0   ) 1 ] an   an 1  k s n hệ số ghép hiệu dụng, với δ = cot j / τ [ j (cộng )  ] avà 0  hưởng dt  số n   an 1  k s n  τ , j góc lệch pha hai cộng hưởng intensity and confine the light in the narrow area with dtvà µ = − j csc j Ở hệ số ghép sóng /bộ cộng hưởng cho hệ số k  ej j /  δ hệ low refractive index, so that the figure-of-merit Ở(Q/V) of số ghép sóng cộng hưởng cho hệ số k  e /  δ µ độ dịch chuyển tần sốhệcộng hưởng không hệ số ghép hiệu dụng, với gầndịch Giả xét có táchiệu động µ độ chuyển tần sử số cộng hưởng vàlàhệ số ghép dụng, với the resonators is significantly enhanced The coupling   cot  /  từ  j csc  /  ,  góc lệch pha hai cộng hưởng gần nên = lệch Sửpha dụng phương pháphưởng CMT,gần hệ số  based cot  / on j cscngoài,  / ,    bên sgóc hai cộng among the resonators is analyzed theoretically, +n Giả sử hệ xét khơng có tác động từ bên ngồi, nên s+n = Sử dụng phương the coupled-mode theory in time (CMT) We Giả perform sử hệ chúng truyền ta xét làqua khơng có tác động từ bên ngồi, nên s+n = Sử dụng phương pháp CMT, hệ số truyền qua đượccho cho bởicông côngthức: thức: pháp CMT, hệ số truyền qua cho công thức: the finite-difference time-domain (FDTD) simulation 2 n 2 s% k* *k n n to confirm the CMT analysis It is shown that the good k k T ( )  s% f  (2) (2) n  T ( )  s%  j       1/    f 2 f i (2) i 2 i agreement between the theory and the simulation 1 s% j       1/    f i  1 This result will provide a general guide line for planar a%n  % a f  n   photonic integrated circuits f n n  a%n 1 j       1/  a%n 1 j       1/  (3) (3) trongcrystal (3) a%i Keywords: FDTD method, Optical filter, Photonic a% f  i  f i i  a%i 1 j      /   f i 1 a%i 1 j      /   f i 1 Classification number: 1.3  tần số chuẩn hóa từ tần số cộng hưởng,  =  -  Tại báo này, xem  tần số chuẩn hóa từ tần số cộng hưởng,  =  - 0.0 Tại báo này, xem xét lọc quang học bậc 1,sốbậc 2, bậc 3,từbậc 4số vàcộng bậc Sử dụng phương trình (2), D D =phương w - w0.trình xét lọc quang học bậctần 1, bậcchuẩn 2, bậchóa 3, bậctần bậc 5.hưởng, Sử dụng (2), phổ truyền qua Tại báo lọc quang họctôivới φ =xét π/2bộ vàlọc φ =quang π/6 mơ tả1,trong hình này, chúng xem học bậc phổ truyền qua lọc quang học với φ = π/2 φ = π/6 mơ tả hình 2(a) 2(b) bậc 2, bậc 3, bậc bậc Sử dụng phương trình (2), phổ 2(a) 2(b) Mơ hình lọc quang học bậc cao phân tích lý thuyết dựa truyền qua lọc quang học với φ = π/2 φ = π/6 phương pháp ghép mode cộng hưởng theo thời gian (CMT) mơ tả hình 2(a) 2(b) Các kết lý thuyết kiểm chứng mô dựa Hình cho thấy số lượng đỉnh cộng hưởng với số phương pháp đạo hàm hữu hạn miền thời gian (FDTD) lượng cộng hưởng ghép nối tiếp Hình 2(a) phổ phương pháp khai triển sóng phẳng [12, 13] Các kết lý truyền qua lọc φ = π/2, lọc có bậc thuyết mơ cho thấy có phù hợp tốt Kết báo tảng cho nghiên cứu linh kiện quang khác có chung tần số cộng hưởng trung tâm, D = Ngoài ra, lọc bậc cao cịn có thêm tần số cộng tích hợp phẳng hưởng khác nằm đối xứng hai phía tần số cộng hưởng Cơkhá sởtốt lýKết thuyết trung tâm, bán độ rộng phổ cộng hưởng nằm xa báo tảng cho nghiên cứu linh kiện quang tích hợp phẳng Hình mơ hình n cộng hưởng ghép nối tiếp với cộng hưởng trung tâm có xu hướng hẹp dần Hình 2(b) Cơ sở lý thuyết phổ truyền qua lọc φ = π/6, lọc có Hình thơng bus qua mơ hình củadẫn n sóng cộng hưởng ghép nối tiếp với thơng qua bus dẫn chung tần số cộng hưởng đỉnh cộng hưởng sóng phân bố bất đối xứng khó xác định vị trí xác Để đơn giản nghiên cứu, lọc quang học bậc cao thiết kế trường hợp góc lệch pha Hình1 Mơ của n cộngnhưởng nối tiếp với Hình Mơhình hình cộngghép hưởng ghép nối tiếp với hai cộng hưởng gần φ = π/2 Để phân tích ghép nối tiếp n cộng hưởng hình 1, chúng tơi sử dụng lý thuyết ghép mode cộng hưởng miền thời gian [14] Để đơn giản, giả sử cộng hưởng có tần số cộng hưởng độ suy hao theo thời gian tương ứng ω0 1/τ s+1 s-1 biên độ sóng tới sóng phản xạ cộng hưởng thứ nhất; s+n s-n tương ứng biên độ sóng tới sóng phản xạ cộng 60(6) hưởng thứ n; |a|2 |s|2 lượng6.2018 cộng hưởng sóng da1  [ j (0   )  ] a1   a2  k s1  dt dai  j (0  2 )   1   1 với < i < n (1) Khoa học Tự nhiên Hình Cấu trúc lọc quang học bậc (hình chính) chi tiết cộng hưởng (hình phụ) Hình Phổ truyền qua lọc quang học: (a) φ = p/2 (b) φ = p/6 Kết mô Để kiểm chứng cho kết lý thuyết trình bày trên, lọc quang học bậc cao dựa ghép nối tiếp nhiều cộng hưởng qua khe dẫn sóng hẹp cấu trúc tinh thể quang tử 2D chúng tơi mơ nhờ sử dụng phương pháp FDTD Hình cấu trúc lọc quang học bậc với tham số cấu trúc vật liệu sau: Chiết suất hiệu dụng vật liệu silic n = 2,98, bán kính hố r = 0,3a (a số mạng, a = 380 nm) mạng tinh thể hình tam giác Cộng hưởng tạo cách thay đổi độ rộng khe hẹp từ d = 50 nm tới d = 120 nm với khoảng cách 10 nm/a Khe dẫn sóng hẹp hố điền đầy vật liệu hữu quang phi tuyến bậc DDMEBT (nfill = 1,8), DDMEBT vật liệu có hệ số phi tuyến bậc lớn, hy vọng cách sử dụng vật liệu DDMEBT khắc phục nhược điểm vật liệu silic hiệu ứng hấp thụ hạt tải tự hiệu ứng hấp thụ hai photon nghiên cứu linh kiện quang lưỡng trạng thái ổn định Sự dẫn truyền sóng điện từ dẫn sóng minh họa hình Sử dụng phương pháp khai triển sóng phẳng hệ phương trình Maxwell để giải toán với biến số mode dẫn dẫn sóng với độ rộng khe hẹp d khác với phân cực điện trường mặt phẳng (TE mode) Với tham số chọn cấu trúc tinh thể quang tử 2D hình 3, vùng cấm quang chuẩn hóa (0,235-0,250 a/l), tương ứng với dải sóng vùng thơng tin quang (1520-1617 nm) chứa dải dẫn sóng tương ứng với trường hợp độ khe hẹp d (~ 50-120 nm) Khi độ rộng khe hẹp tăng, dải dẫn sóng có xu hướng dịch bước sóng ngắn Khi d tăng ~120 nm dải dẫn sóng nằm ngồi vùng cấm quang, việc lựa chọn độ rộng khe hẹp d = 120 nm xem vách ngăn sóng điện từ, tức sóng điện từ bị giam giữ cộng hưởng tạo nên từ khe hẹp có độ rộng d ~ 50 nm Việc thiết kế buồng cộng hưởng có độ rộng khe hẹp tăng dần làm giảm thay đổi đột ngột sóng điện từ buồng cộng hưởng Độ rộng khe hẹp d = 50 nm chọn làm độ rộng khe dẫn sóng lọc quang học hình 60(6) 6.2018 Hình Các dải dẫn sóng tương ứng với độ rộng khe hẹp d khác Để mô đặc trưng truyền qua lọc quang học thiết kế hình 3, chúng tơi sử dụng phổ dạng Gauss có dải bước sóng từ 1520-1596 nm, phân cực TE, đặt đầu vào khe dẫn sóng (phía trái) đầu thu đặt lối khe dẫn sóng (phía phải) Giữa đầu vào đầu số cộng hưởng ghép nối tiếp Sử dụng phương pháp mô FDTD với điều kiện biên hấp thụ hồn hảo (PML) có độ dày đủ lớn để hấp thụ hồn tồn sóng điện từ truyền tới biên không cho phản xạ ngược lại vào cấu trúc Hình phổ mơ truyền qua sóng phân cực TE lọc quang học có bậc khác Chúng tơi tối ưu cấu trúc tinh thể quang tử 2D để góc lệch pha hai cộng hưởng gần j = p/2 Nhìn vào hình 5, hình dáng phổ mơ lọc hồn tồn giống với hình dáng phổ lọc mà phân tích lý thuyết phần trên, tức có dạng đối xứng đỉnh cộng hưởng truyền qua 100% Bước sóng cộng hưởng trung tâm 1555,28 nm hồn tồn phù hợp với bước sóng sử dụng viễn thông quang học Đối với lọc bậc 1, phổ truyền qua có dạng đối xứng Lorentz với bước sóng cộng hưởng λ1 = 1555,28 nm hệ số phẩm chất Q1 = 4463 Phổ lọc bậc cao khơng phải dạng Lorentz có nhiều đỉnh cộng hưởng Đỉnh phổ cộng hưởng lọc bậc cao mà chúng tơi quan tâm nằm phía ngồi cùng, chúng tơi sử dụng phương pháp làm khớp phổ cộng hưởng lọc bậc bậc với cộng hưởng có hàm Fano [15] Hệ số phẩm chất Q3 = 13010 Q5 = 32020 tương ứng với hai đỉnh cộng hưởng ngồi có bước sóng l3 = 1555,38 nm lọc bậc l5 = 1555,46 nm lọc bậc Phổ có đỉnh cộng Khoa học Tự nhiên hưởng xa cộng hưởng trung tâm có bán độ rộng hẹp, hệ số phẩm chất Q lớn Như vậy, cách ghép nối tiếp nhiều cộng hưởng thơng qua khe dẫn sóng hẹp tinh thể quang tử 2D, thu lọc quang học bậc cao với hệ số phẩm chất Q cao hơn, ví dụ hệ số phẩm chất Q lọc quang học bậc cao ~7,2 lần hệ số phẩm chất Q lọc bậc mà không cần thay đổi tham số khác cấu trúc tinh thể quang tử 2D tử 2D Kết lý thuyết mơ hồn tồn phù hợp Các lọc quang học có bước sóng cộng hưởng nằm vùng thông tin quang linh kiện thiết kế báo sử dụng mạhch tích hợp phẳng viễn thơng quang học chuyển mạch dẫn sóng thơng tin LỜI CẢM ƠN Nghiên cứu tài trợ Viện Hàn lâm Khoa học Công nghệ Việt Nam (VAST) thông qua đề tài mã số VAST03.05/18-19 chương trình hợp tác đào tạo nghiên cứu sinh Đại học RMIT Viện Khoa học Vật liệu Học viện Khoa học Công nghệ, VAST TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] E Yablonovitch (1987), “Inhibited spontaneous emission in solid-state physics and electronics”, Phys Rev Lett., 58(20), pp.2059-2062 Hình Phổ mô truyền qua lọc quang học sử dụng phương pháp mô FDTD [2] S John (1987), “Strong localization of photons in certain disordered dielectric superlattices”, Phys Rev Lett., 58(23), pp.2486-2489 Phân bố lượng điện trường lọc minh họa hình Hình 6(a), 6(b) 6(c) tương ứng phân bố lượng điện trường lọc quang học bậc 1, bậc bậc tương ứng với bước sóng λ1 = 1555,28 nm, l3 = 1555,38 nm, l5 = 1555,46 nm Chúng ta thấy rằng, với lọc quang học bậc cao, lượng phân bố lưu trữ tất buồng cộng hưởng, điều làm cho thời gian sống bước sóng cộng hưởng cấu trúc lâu hơn, tức hệ số phẩm chất Q cao [3] J.D Joannopoulos, S.G Johnson, J.N Winn, and R.D Meade (2008), Photonic Crystals: Molding the flow of light, Second edition Princeton Univ Press [4] P.N Prasad (2004), Nanophotonics, John Wiley & Sons [5] R Kirchain and L Kimerling (2007), “A roadmap for nanophotonics”, Nat Photonics, 1, pp.303-305 [6] K.J Vahala (2003), “Optical microcavities”, Nature, 424, pp.839-846 [7] K Nozaki and T Baba (2006), “Laser characteristics with ultimate-small modal volume in photonic crystal slab point-shift nanolasers”, Appl Phys Lett., 88, 211101 (3pp) [8] G.H Kim, Y.H Lee, A Shinya and M Notomi (2004), “Coupling of small, low-loss hexapole mode with photonic crystal slab waveguide mode”, Opt Express, 12(26), pp.6624-6631 [9] V.R Almeida, Q Xu, C.A Barrios, and M Lipson (2004), “Guiding and confining light in void nanostructure”, Opt Lett., 29(11), pp.1209-1211 [10] Q.M Ngo, S Kim, J Lee, H Lim (2012), “All-optical switches based on multiple cascaded resonators with reduced switching intensity-response time products”, J Lightwave Technol., 30(22), pp.3525-3531 Hình Phân bố lượng điện trường cấu trúc lọc quang học bậc (a), bậc (b) bậc (c) tương ứng với bước sóng cộng hưởng λ1 = 1555,28 nm, λ3 = 1555,38 nm λ5 = 1555,46 nm [11] T.T Hoang, Q.M Ngo, D.L Vu, K.Q Le, T.K Nguyen, H.P.T Nguyen (2018), “Induced high-order resonance linewidth shrinking with multiple coupled resonators in silicon-organic hybrid slotted two-dimensional photonic crystals for reduced optical switching power in bistable devices”, J Nanophotonics, 12(1), pp.016014(1-13) Kết luận [12] A Taflove (1995), Computational electrodynamics, Norwood, MA: Artech House Trong báo này, chúng tơi trình bày kết lý thuyết việc ghép nối tiếp nhiều cộng hưởng thông qua bus dẫn sóng chung nhờ sử dụng phương pháp ghép mode cộng hưởng theo thời gian Kết lý thuyết kiểm chứng kết mô FDTD lọc quang học bậc cao dựa ghép cặp nối tiếp nhiều cộng hưởng qua khe dẫn sóng hẹp cấu trúc tinh thể quang 60(6) 6.2018 [13] A Farjadpour, D Roundy, A Rodriguez, M Ibanescu, P Bermel, J.D Joannopoulos, S.G Johnson, and G Burr (2006), “Improving accuracy by subpixel smoothing in FDTD”, Opt Lett., 31(20), pp.2972-2974 [14] H.A Haus (1984), Waves and fields in optoelectronics, Massachusetts Institute of Technology [15] A.E Miroshnichenko, S Flach, Y.S Kivshar (2010), “Fano resonances in nanoscale structures”, Rev Mod Phys., 82(3), pp.2257-2298 ... trên, lọc quang học bậc cao dựa ghép nối tiếp nhiều cộng hưởng qua khe dẫn sóng hẹp cấu trúc tinh thể quang tử 2D mô nhờ sử dụng phương pháp FDTD Hình cấu trúc lọc quang học bậc với tham số cấu. .. cách ghép nối tiếp nhiều cộng hưởng thông qua khe dẫn sóng hẹp tinh thể quang tử 2D, chúng tơi thu lọc quang học bậc cao với hệ số phẩm chất Q cao hơn, ví dụ hệ số phẩm chất Q lọc quang học bậc cao. .. thời gian Kết lý thuyết kiểm chứng kết mô FDTD lọc quang học bậc cao dựa ghép cặp nối tiếp nhiều cộng hưởng qua khe dẫn sóng hẹp cấu trúc tinh thể quang 60(6) 6.2018 [13] A Farjadpour, D Roundy,

Ngày đăng: 18/02/2023, 09:55

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w