Các tính chất cấu trúc và điện tử của dải nano silicene 1D hấp phụ đơn nguyên tử Flo: Nghiên cứu nguyên lý ban đầu được nghiên cứu bằng các tính toán lý thuyết phiếm hàm mật độ (DFT). Thông qua các tính toán DFT, các đại lượng vật lý được phát triển để nghiên cứu các tính chất cấu trúc và điện tử bao gồm năng lượng hấp phụ, các thông số mạng tối ưu hóa, cấu trúc vùng điện tử, mật độ trạng thái và phân bổ mật điện tích. Mời các bạn cùng tham khảo!
Các tính chất cấu trúc điện tử dải nano silicene 1D hấp phụ đơn nguyên tử Flo: Nghiên cứu nguyên lý ban đầu Nguyen Thanh Phuong1, Nguyen Duy Khanh1,2,* Trung tâm Công nghệ thông tin, Đại học Thủ Dầu Một Viện Phát triển Ứng dụng, Đại học Thủ Dầu Một Corresponding at khanhnd@tdmu.edu.vn TÓM TẮT Các tính chất cấu điện tử dải nano silicene 1D cạnh nghế bành (ASiNR) hấp phụ đơn nguyên tử flo (F) nghiên cứu tính tốn lý thuyết phiếm hàm mật độ (DFT) Thông qua tính tốn DFT, đại lượng vật lý phát triển để nghiên cứu tính chất cấu trúc điện tử bao gồm lượng hấp phụ, thông số mạng tối ưu hóa, cấu trúc vùng điện tử, mật độ trạng thái phân bổ mật điện tích Nguyên tử F hấp phụ tối ưu vị top Năng lượng hấp phụ tính khoảng -5 eV lớn thuộc hấp phụ hóa học Điều dẫn đến cấu trúc hấp phụ bền Độ dài liên kết F-Si tạo thành lớn SiSi Do vậy, hấp phụ ngun tử F độ mấp mơ cấu trúc tăng cường đáng kể cấu trúc hấp phụ ASiNR nguyên sơ có độ rộng vùng cấm 0.26 eV Khi hấp phụ nguyên tử F cấu trúc hấp phụ trở thành kim loại kiểu p với nồng độ lỗ trống cao Các kim loại kiểu p tiềm cho vật dẫn hiệu cao tương lai Từ khóa: silicene, dải silicene 1D, lượng hấp phụ, tính chất điện tử tính tốn DFT Structural and electronic properties of single fluorine-adsorbed silicene nanoribbons: A first-principles study Nguyen Thanh Phuong1, Nguyen Duy Khanh1,2,* Information Technology Center, Thu Dau Mot University Institute of Applied Technology, Thu Dau Mot University ABSTRACTS 79 Structural and electronic of single fluorine atom-adsorbed armchair silicene nanoribbons (ASiNR) are studied through the density functional theory calculations Using the DFT calculations, the physical quantities to determine the structural and electronic properties are thoroughly developed that includes the adsorption energies, optimal structural parameters, electronic band structures, density of states, and spatial charge density distributions F adatoms optimally adsorb at the top site of ASiNR, regardless of adatom concentrations and distributions The large adsorption energies are achieved that lead to a very stable structure This adsorbed system can be considered as the chemical adsorption The created F-Si bond lengths are very shorter than the Si-Si bond lengths, causing the higher buckling in the F-adsorbed systems The pristine ASiNR has the bandgap of 0.26 eV that can ben regarded as the semiconductor Under the single F adsorption, it becomes the p-type metals with high free hole density that is due to the F adatoms adsorbing electrons from Si atom to create holes The p-type metallic properties of Fadsorbed ASiNR will be very promissing for future high-performance conductors Giới thiệu Mặc dù gần hai thập kỷ kể từ lần tổng hợp thành công vật liệu graphene hai chiều (2D) [1], vật liệu 2D giống graphene quan tâm nhiều nghiên cứu đặc tính chúng quan trọng để cải thiện hiệu suất nhiều vật liệu truyền thống thiết bị [2] Silicene biết đến vật liệu 2D giống graphene tồn cấu trúc mạng tổ Ong mấp mơ [3] Silicene sở hữu nhiều tính chất chất đặc biệt giống graphene [4] Ngoài ra, silicene thể nhiều đặc tính độc đáo khác độ rộng vùng cấm xuất bắt cập spin quỹ đạo điểm Dirac [5], xuất pha kim loại phân cực thung lũng hiệu ứng Hall lượng tử bất thường [6], spin lượng tử Hiệu ứng Hall kiểm tra phạm vi nhiệt độ thấp [7], đặc tính cách điện tơpơ trở thành pha cách điện bề mặt điện trường bên [8] Bên cạnh đó, silicene có khả tương thích tốt thiết bị điện tử cao graphene thành phần silicene dựa nguyên tử silicon [9] ngun tố ngành cơng nghiệp điện tử silicon [10] Điều làm cho silicene trở thành trọng tâm nhiều nghiên cứu gần ưu điểm việc tích hợp với thiết bị điện tử dựa Si [11, 12] Tuy nhiên, độ rộng vùng cấm silicene ngăn cản tiềm lớn cho ứng dụng thực tế [13] Do đó, việc mở rộng độ rộng vùng cấm cho silicene vấn đề quan trọng cho ứng dụng điện tử [14] Các phương pháp khác sử 80 dụng để mở dải silicene hấp phụ nguyên tử [15], thay [16], chức hóa học [17], biến dạng học [18], cấu hình xếp lớp [19], áp dụng trường bên ngồi [20] giam cầm lượng tử kích thước hữu hạn [21] Trong số phương pháp này, giam cầm kích thước hữu hạn tạo thành dải nano silicene 1D (SiNRs) mà khơng có biến dạng cấu trúc nghiêm trọng nào, xem phương pháp hiệu để mở rộng độ rộng vùng cấm silicene [22] SiNRs sở hữu hai cấu trúc cạnh điển hình, gọi ghế bành (ASiNR) cạnh ngoằn ngoèo (ZSiNR) [23] Cả ASiNR ZSiNR biểu thị độ rộng vùng cấm trực tiếp, xác định vùng hóa trị chiếm đầy cao vùng dẫn không bị chiếm dụng thấp [24] Độ rộng vùng cấm SiNR phụ thuộc mạnh vào độ rộng cấu trúc tuân theo quy tắc Eg(2n + 1)>Eg(2n)>Eg(2n + 2) ZSiNR có trạng thái spin phản sắt từ qua hai cạnh ngoằn ngoèo [25], ASiNR thể trạng thái phi từ tính [26] Cho đến nay, SiNR 1D tổng hợp thành công nhiều phương pháp thực nghiệm khác phương pháp từ xuống từ lên [27,28] Độ rộng vùng cấm mở 1D SiNRs khắc phục nhược điểm quan trọng silicene 2D cho ứng dụng thực tế Tuy nhiên, độ rộng vùng cấm nhỏ để phù hợp với thiết bị điện tử quang điện tử, điều chỉnh đặc tính điện tử 1D SiNR vấn đề cấp thiết khoa học công nghệ Nhiều phương pháp tiếp cận thực tế sử dụng để làm phong phú thêm đặc tính điện tử 1D SiNR, bao gồm chức hóa cạnh [29], hấp phụ bề mặt [30], pha tạp [31], cấu hình xếp chồng [32], biến dạng học [33], áp điện trường từ trường [34] Trong số phương pháp này, việc pha tạp trực tiếp (thay thế) nguyên tử khác 1D SiNRs đa dạng hóa đáng kể đặc tính điện tử mà khơng gây biến dạng cấu trúc nghiêm trọng Bên cạnh đó, thay nguyên tử tạo lượng hình thành lớn dẫn đến ổn định cấu trúc tốt Gần đây, thay nguyên tử SiNRs 1D quan tâm nhiều nghiên cứu lý thuyết thực nghiệm Sử dụng phép tính nguyên tắc đầu tiên, Ma Ling cộng nghiên cứu cấu trúc, lượng hình thành tính chất điện tử băng nano silicene ghế bành pha tạp thay nguyên tử N B [35] Nghiên cứu thay cạnh thuận lợi vị trí khác Việc thay nguyên tử N B đơn lẻ nguyên tử B kép dẫn đến chuyển đổi bán dẫn-kim loại, thay nguyên tử B kép giữ nguyên trạng thái bán dẫn DavoodianIdalik, M cộng nghiên cứu đặc tính cấu trúc, điện tử từ tính ASiNR thay Fe [36] Kết cho thấy thay nguyên tử Fe đơn lẻ tạo chuyển đổi độ rộng vùng cấm trực tiếp-gián tiếp 81 vùng cấm gián tiếp trở nên nhỏ Thay Fe dẫn đến chuyển đổi kim loại khơng từ tính-sắt từ bán dẫn-nửa kim loại Zhang Jian-Min cộng nghiên cứu đặc tính từ điện tử ASiNR pha tạp P [37] Kết nghiên cứu cho thấy thay P thuận lợi cạnh dải băng ASiNR thay P trở thành chất bán dẫn sắt từ phân tách spin tạo adatom Các ZSiNR thay P dẫn đến chuyển đổi phản sắt từsắt từ trạng thái spin bị triệt tiêu cạnh thay Cho đến nay, chủ đề nghiên cứu dải nano silicene 1D hấp phụ nguyên tử Flo chưa thực cách có hệ thống Do đó, nghiên cứu này, đặc tính cấu trúc điện tử dải nano silicene cạnh ghế bành hấp phụ flo (F) nghiên cứu cách có hệ thống thơng qua tính tốn ngun lý ban đầu Các chi tiết tính tốn Cấu tính chất cấu trúc điện tử ASiNR hấp phụ đơn nguyên tử flo nghiên cứu phương pháp lý thuyết hàm mật độ (DFT), tích hợp gói mơ Vienna Ab Initio Simulation Package (VASP) Các vị trí hấp phụ phân bố nguyên tử hấp phụ tối ưu khảo sát đầy đủ tính tốn VASP Phiếm hàm Perdew-Burke-Ernzerhof (PBE) phép xấp xỉ gradient tổng quát sử dụng để tính tốn lượng trao đổi tương quan, có nguồn gốc từ tương tác Coulomb nhiều hạt Tương tác electron-ion mô tả giả sóng tăng cường máy chiếu (PAW) Hàm sóng lượng trạng thái xây dựng từ sở sóng phẳng với mức cắt lượng tối đa 400 eV Các hướng tuần hoàn mạng cấu trúc ASiNR 1D áp dụng dọc theo hướng ox Để loại bỏ tương tác hai băng nano lân cận, khoảng cách chân không dọc theo hướng giới hạn lượng tử y z đặt lớn 20 Å Các lưới điểm k giản đồ Monkhorst-Pack sử dụng 1x1x12 1x1x100 để tối ưu hóa cấu trúc tính tốn cấu trúc điện tử Lực Hellmann-Feynman tối đa đặt nhỏ 0,01 eVÅ-1 Sự hội tụ lượng đặt 10-5 eV hai bước ion gần Kết thảo luận 3.1.Các tính chất cấu trúc Mơ hình cấu trúc nguyên tử dải nano silicene cạnh ghế bành (ASiNR) nguyên sơ hấp phụ nguyên tử flo (F) trình bày Hình Trong Hình 1, độ rộng ASiNR 82 sử dụng đường dimer Có vị trí hấp phụ điển hình F lên ASiNR top, hollow, bridge, valley; đó, F hấp phụ tối ưu vị trí top Độ bền cấu trúc hấp phụ xác định thông qua lượng hấp phụ Năng lượng hấp phụ biểu thị Bảng cho nguyên tử F hấp phụ vị trí 1, Các giá trị lượng hấp phụ lớn -5 eV dẫn đến cấu trúc hấp phụ bền vững Các thông số cấu trúc tối ưu độ dài liên kết Si-Si gần cạnh xa cạnh, độ dài liên kết F-Si độ mấp mô cấu trúc biểu thị Bảng Đối với cấu trúc ASiNR nguyên sơ, độ dài liên kết Si-Si gần cạnh xa cạnh tương ứng 2.09 Å 2.2 Å Điều cho thấy độ liên kết Si-Si gần cạnh nhỏ xa cạnh độ mấp mô cấu trúc 0.73 Å Khi hấp phụ nguyên tử F vị trí khác nhau, độ dài liên kết SiSi bị kéo dãn 0.24 Å ảnh hưởng tạo thành liên kết F-Si mạnh Độ dài liên kết F-Si 1.63 Å ngắn so với độ dài liên kết Si-Si Điều chứng minh cường độ liên kết F-Si mạnh so với Si-Si Liên kết F-Si mạnh dẫn đến độ mấp mô cấu trúc hấp phụ tăng lên Hình 1: Cấu trúc nguyên tử xem từ mặt thẳng đứng (top view) mặt cạnh (side view) (a) ASiNR nguyên sơ (b) ASiNR hấp phụ nguyên tử flo (F) 83 Bảng 1: Năng lượng hấp phụ [Eads (eV)], độ dài liên kết Si-Si gần cạnh (1st Si-Si), độ dài liên kết Si-Si xa cạnh (2nd Si-Si), độ dài liên kết F-Si (Å), độ mấp mô buckling (Å) độ rộng vùng cấm lượng Eg(eV) ASiNR nguyên sơ hấp phụ nguyên tử F vị trí khác configuration Concentration (%) pristine X ASiNR (1F)1 8.33% (1F)3 8.33% (1F)5 8.33% 2nd Si-Si F-Si X 1st Si-Si (Å) 2.09 2.22 -5.5274 -5.2785 -5.3317 2.332 2.320 2.323 2.223 2.221 2.259 Eads (eV) X Buckling (Å) 0.73 Eg (eV) 0.26 1.634 1.635 1.636 0.86 0.78 0.96 Metal Metal Metal 3.2.Các tính chất điện tử Cấu trúc vùng điện tử đại lượng vật lý hữu ích để nghiên cứu tính chất điện tử Cấu trúc vùng điện tử ASiNR nguyên sơ hấp phụ nguyên tử F vị trí khác trình bày Hình Cấu trúc vùng điện tử ASiNR nguyên sơ Hình 2(a) biểu thị độ rộng vùng cấm lượng 0.26 eV mở điểm Г, cấu trúc xem có tính chất bán dẫn với độ rộng vùng cấm lượng trực tiếp Các quỹ đạo Si-3pz (hình trịn màu đỏ) chiếm ưu phạm vi lượng thấp gần mức Fermi tách biệt với quỹ đạo Si-3s Si-3px+3py; nhiên quỹ đạo đồng đóng góp số vùng lượng cụ thể Điều chứng minh có hỗn hợp lai hóa sp2 sp3 cấu trúc ASiNR nguyên sơ Cấu trúc vùng lượng điện tử ASiNR hấp phụ nguyên tử F vị trí 1, tương ứng biểu thị Hình 2(b), 2(c) 2(d), cấu trúc vùng có đặc điểm chung nguyên tử F (đường tròn màu hồng) chiếm ưu mạnh vùng lượng hóa trị sâu vùng lượng khác bị chiếm ưu nguyên tử Si (đường tròn màu xanh) Điều chứng minh liên kết F-Si mạnh so với liên kết Si-Si Bên cạnh đó, cấu trúc vùng điện tử hấp phụ F tồn vùng lượng vùng hóa trị cắt mức Fermi để hình thành mật độ lỗ trống tự cấu trúc cấu trúc xem có tính chất kiêm loại kiểu p Nguyên nhân dẫn đến tạo thành mật độ lỗ trống tự lực electron mạnh F hấp phụ electron nguyên tử Si để sinh lỗ trống ASiNR 84 Hình 2: Cấu trúc vùng lượng điện tử phân tách theo đóng góp quỹ đạo nguyên tử (a) ASiNR nguyên sơ, (b) ASiNR hấp phụ nguyên tử flo vị trí 1, (c) ASiNR hấp phụ nguyên tử flo vị trí (d) ASiNR hấp phụ nguyên tử flo vị trí Mật độ trạng thái điện tử đại lượng vật lý hữu ích để kiểm chứng đặc tính cấu trúc vùng điện tử Ngoài ra, mật độ trạng thái phân tách theo đóng góp quỹ đạo nguyên tử nhận chế lai hóa quỹ đạo vật liệu Mật độ trạng thái phân tách theo quỹ đạo ASiNR nguyên sơ ASiNR hấp phụ nguyên tử F vị trí trình bày Hình Mật độ trạng thái điện tử ASiNR nguyên sơ Hình 3(a) biểu thị vùng không tồn trạng thái điện tử lân cận mức lượng Fermi Điều xác nhận cho độ rộng vùng cấm mở cấu trúc vùng điện tử Các quỹ đạo Si-3pz (đường cong màu đỏ) chiếm ưu hoàn toàn vùng lượng thấp biểu thị đỉnh chiếm ưu Các quỹ đạo Si-3pz tách biệt với quỹ đạo Si-3s (đường cong màu xanh lá) Si-3px+3py (đường cong màu xanh đậm) vùng lượng hóa trị sâu, nhiên quỹ đạo lai hóa với biểu thị đỉnh chồng chập quỹ đạo vùng 85 lượng hóa trị trung bình Điều chứng minh cho chế lai hóa hỗn hợp sp2 sp3 Khi hấp phụ F, mật độ trạng thái tồn tại mức lượng Fermi biểu thị Hình 3(b) Điều chứng minh cho trạng thái kiêm loại Ngoài ra, quỹ đạo F chiếm ưu thể mạnh vùng hóa trị sâu biểu thị đỉnh F mạnh, chứng minh cho liên kết F-Si mạnh liên kết Si-Si Hình 3: Mật độ trạng thái điện tử phân tách theo đóng góp quỹ đạo (a) ASiNR nguyên sơ (b) ASiNR hấp phụ nguyên tử F vị trí Cường độ liên kết hóa học nhận đại lượng phân bố mật độ điện tích Phân bố mật độ điện tích chiếu theo mặt cắt (z,x) (x,y) ASiNR nguyên sơ ASiNR hấp phụ nguyên tử F vị trí trình bày Hình Phân bố mật độ 86 điện tích ASiNR nguyên sơ Hình 4(a) cho thấy cường độ liên kết σ quỹ đạo Si-(3s, 3px 3py) mạnh (màu đỏ) so với liên kết π yếu (màu xanh) quỹ đạo Si-3pz Khi hấp phụ nguyên tử F liên kết σ Si-Si bị làm suy yếu liên kết F-Si mạnh Ái lực electron mạnh F hấp thụ electron từ nguyên tử Si dẫn đến điện tích phân bổ dày khu vực gần nguyên tử F biểu thị màu đỏ đậm Hình 4(b) 4(c) Hình 4: Phân bổ mật độ điện tích (a) ASiNR nguyên sơ (b) ASiNR hấp phụ nguyên tử flo vị trí (c) ASiNR hấp phụ nguyên tử flo vị trí Kết luận Các tính tốn DFT triển khai gói VASP cơng cụ hữu ích để nghiên cứu tính chất vật liệu sử dụng rộng rãi cho nhiều nghiên cứu in silico gần Nhiều định lượng vật lý thiết yếu phát triển thơng qua tính tốn VASP để nghiên cứu tính chất cấu trúc, điện tử, từ tính quang học bao gồm lượng liên kết, phổ phonon, độ dài liên kết tối ưu, góc liên kết, cấu trúc vùng điện tử, mật độ trạng thái điện tử, phân bố mật độ điện tích, chênh lệch mật độ điện tích, mơ men từ, phân bố mật độ spin, hàm điện môi, phổ hấp thụ, hàm lượng electron Trong nghiên cứu này, sử dụng tính tốn VASP, chúng tơi 87 báo cáo chi tiết tính chất cấu trúc điện tử ASiNR hấp phụ nguyên tử F Cụ thể, tính chất vật lý thiết yếu xác định đại lượng vật lý lượng hấp phụ, thông số cấu trúc tối ưu, cấu trúc vùng điện tử, mật độ trạng thái điện tử phân bổ mật độ điện tích Các độ dài liên kết Si-Si kéo dãn 0.24 Å hấp phụ nguyên tử F nguyên nhân có chuyển dời điện tích từ nguyên tử Si đến F Sự tạo thành liên kết F-Si mạnh dẫn đến độ mấp mô cấu trúc hấp phụ tăng lên so với ASiNR nguyên sơ Cấu trúc vùng điện tử ASiNR biểu thị độ rộng vùng cấm lượng 0.26 eV định quỹ đạo Si-3pz Khi hấp phụ nguyên tử F vị trí khác nhau, cấu trúc vùng điện tử cấu trúc hấp phụ tồn nhiều vùng hóa trị cắt mức lượng Fermi chứng minh cho tính chất kim loại Các đặc tính kiêm loại nhận tồn mật độ trạng thái điện tử mức Fermi đại lượng mật độ trạng thái điện tử Ngồi ra, chế lai hóa quỹ đạo ASiNR nguyên sơ nhận hỗn hợp sp2 sp3 Khi hấp phụ nguyên tử F, lại hóa quỹ đạo F Si xuất liên kết F-Si mạnh Các tính chất kim loại với mật độ lỗ trống cao ASiNR hấp phụ F ứng dụng cho vật liệu dẫn hiệu cao tương lai Lời cảm ơn: Nghiên cứu tài trợ trường Đại học Thủ Dầu Một Nghiên cứu sử dụng tài ngun Hệ thống tính tốn hiệu cao (HPCC) Trường Đại học Thủ Dầu Một Tài liệu tham khảo [1] Novoselov K S et al., Electric field effect in atomically thin carbon films, Science 306, 666669, 2004 [2] Geim A K, Graphene prehistory, Physica Scripta 146, 14003, 2012 [3] Novoselov K S et al., Two-dimensional gas of massless Dirac fermions in graphene, Nature 438, 197-200, 2005 [4] Zhang C and Liu T, A review on hybridization modification of graphene and its polymer nanocomposites, Chinese Sci Bull 57, 3010–21, 2012 [5] Ahuja R, Auluck S, Trygg J, Wills J M, Eriksson O and Johansson B, Electronic structure of graphite: effect of hydrostatic pressure, Phys Rev B 51, 4813, 1995 [6] Li K et al., Self-assembly of graphene on carbon nanotube surfaces, Sci Rep 3, 2353, 2013 [7] Ren W, Gao L, Liu B, Zhao J and Cheng H-M, Efficient synthesis of graphene nanoribbons 88 sonochemically cut from graphene sheets Nano Res 3, 16–22, 2010 [8] Tang C, Oppenheim T, Tung V C and Martini A, Structure-stability relationships for graphene-wrapped fullerene-coated carbon nanotubes, Carbon 61, 458–66, 2013 [9] Kariyado T and Hatsugai Y, Manipulation of Dirac Cones in mechanical graphene, Sci.Rep 5, 18107, 2015 [10] Phiri J, Johansson L-S, Gane P and Maloney T, A comparative study of mechanical, thermal and electrical properties of graphene-, graphene oxide- and reduced graphene oxide-doped microfibrillated cellulose nanocomposites, Compos Part B Eng 147, 104–13, 2018 [11] Han T-H, Kim H, Kwon S-J and Lee T-W, Graphene-based flexible electronic devices, Mater Sci Eng R Reports 118, 1–43, 2017 [12] Wassei J K and Kaner R B, Graphene, a promising transparent conductor, Mater Today 13 529, 2010 [13] Zhang F et al., A high-performance supercapacitor-battery hybrid energy storage device based on graphene-enhanced electrode materials with ultrahigh energy density, Energy Environ Sci 6, 1623–32, 2013 [14] Sahu S and Rout G C, Band gap opening in graphene: a short theoretical study, Int Nano Lett 7, 819, 2017 [15] Xu X et al., Interfacial engineering in graphene band gap, Chem Soc Rev 47, 3059-99, 2018 [16] Fan X, Shen Z, Liu A Q and Kuo J-L, Band gap opening of graphene by doping small boron nitride domains, Nanoscale 4, 2157-65, 2012 [17] Gui G, Li J and Zhong J, Band structure engineering of graphene by strain: first-principles calculations, Phys Rev B 78 75435, 2008 [18] Tang S, Wu W, Xie X, Li X and Gu J, Band gap opening of bilayer graphene by graphene oxide support doping, RSC Adv 7, 9862-71, 2017 [19] Villamagua L, Carini M, Stashans A and Gomez C V, Band gap engineering of graphene through quantum confinement and edge distortions, Ric di Mat 65, 579-84, 2016 [20] Iyakutti K, Mathan Kumar E, Thapa R, Rajeswarapalanichamy R, Surya V J and Kawazoe Y, Effect of multiple defects and substituted impurities on the band structure of graphene: a DFT study, J Mater Sci Mater Electron 27, 12669-79, 2016 [21] Mak K F, Lui C H, Shan J and Heinz T F, Observation of an electric-field-induced band gap 89 in bilayer graphene by infrared spectroscopy, Phys Rev Lett 102, 256405, 2009 [22] Oughaddou H et al., Silicene, a promising new 2D material, Prog Surf Sci 90, 46–83, 2015 [23] Acun A et al., Germanene: the germanium analogue of graphene, J Phys Condens Matter 27, 443002, 2015 [24] Zhu F et al., Epitaxial growth of two-dimensional stanene, Nat Mater 14, 1020–5, 2015 [25] Khandelwal A, Mani K, Karigerasi M H and Lahiri I, Phosphorene-the two-dimensional black phosphorous: properties, synthesis and applications, Mater Sci Eng B 221, 17–34, 2017 [26] Singh D, Gupta S K, Sonvane Y and Lukačević I, Antimonene: a monolayer material for ultraviolet optical nanodevices, J Mater Chem C 4, 6386–90, 2016 [27] Aktürk E, Aktürk O Ü and Ciraci S, Single and bilayer bismuthene: stability at high temperature and mechanical and electronic properties, Phys Rev B 94, 14115, 2016 [28] Manzeli S, Ovchinnikov D, Pasquier D, Yazyev O V and Kis A, 2D transition metal dichalcogenides, Nat Rev Mater 2, 17033, 2017 [29] Moore J E, The birth of topological insulators, Nature 464, 194–8, 2010 [30] Li G, Xia L, Dong J, Chen Y and Li Y, Metal-organic frameworks, Handbooks in Separation Science, Elsevier, 285–309, 2020 [31] Gogotsi Y and Anasori B, The rise of Mxenes, ACS Nano 13, 84914, 2019 [32] Akbari E, Buntat Z, Afroozeh A, Pourmand S E, Farhang Y and Sanati P, Silicene and graphene nanomaterials in gas sensing mechanism, RSC Adv 6, 81647–53, 2016 [33] Kharadi M A, Malik G F A, Khanday F A, Shah K A, Mittal S and Kaushik B K, Reviewsilicene: from material to device applications, ECS J Solid State Sci Technol 9, 115031, 2020 [34] Meng L et al., Buckled silicene formation on Ir(111), Nano Lett 13, 685–90, 2013 [35] Fleurence A, Friedlein R, Ozaki T, Kawai H, Wang Y and Yamada-Takamura Y, Experimental evidence for epitaxial silicene on diboride thin films, Phys Rev Lett 108, 245501, 2012 [36] Vogt P et al., Silicene: compelling experimental evidence for graphene-like twodimensional silicon, Phys Rev Lett 108, 155501, 2012 [37] Takeda K and Shiraishi K, Theoretical possibility of stage corrugation in Si and Ge analogs of graphite, Phys Rev B 50, 14916, 1994 90 ... 3.2 .Các tính chất điện tử Cấu trúc vùng điện tử đại lượng vật lý hữu ích để nghiên cứu tính chất điện tử Cấu trúc vùng điện tử ASiNR nguyên sơ hấp phụ nguyên tử F vị trí khác trình bày Hình Cấu trúc. .. đó, nghiên cứu này, đặc tính cấu trúc điện tử dải nano silicene cạnh ghế bành hấp phụ flo (F) nghiên cứu cách có hệ thống thơng qua tính tốn ngun lý ban đầu Các chi tiết tính tốn Cấu tính chất cấu. .. nghiên cứu này, sử dụng tính tốn VASP, chúng tơi 87 báo cáo chi tiết tính chất cấu trúc điện tử ASiNR hấp phụ nguyên tử F Cụ thể, tính chất vật lý thiết yếu xác định đại lượng vật lý lượng hấp phụ,