ky thuat dien tu vo ky chau chapter 3 bipolar junction transistors cuuduongthancong com

Biên soạn: Võ Kỳ Châu – Bộ môn Điện tử, Khoa Điện – Điện tử Email: vkchau@dee.hcmut.edu.vn Transistor lưỡng cực (Bipolar Junction Transistor) 3-1 Giới thiệu Transistor linh kiện quan trọng điện tử, bao gồm mạch điện tử rời rạc mạch tích hợp Sự quan trọng thiết bị xuất phát từ khả việc tạo khuếch đại Một mạch xem mạch khuếch đại có khả sử dụng thay đổi nhỏ dòng áp ngõ vào để tạo thay đổi lớn ngõ Tín hiệu nhỏ xem ngõ vào khuếch đại, tín hiệu lớn nhận ngõ khuếch đại Hai dạng transistor quan trọng transistor lưỡng cực tính (Bipolar Junction Transistor – BJT) transistor hiệu ứng trường (Field Effect Transistor – FET) BJT sử dụng hai loại hạt dẫn để tạo dòng điện lỗ trống electron tự do, gọi lưỡng cực Chúng ta tìm hiểu BJT chương Hoạt động FET đề cập chương sau BJT loại transistor phát triển kể từ sử dụng rộng rãi điện tử Ngày nay, BJT giữ vai trò quan trọng công nghiệp bán dẫn Tuy nhiên, kỹ thuật FET ngày phát triển nhiều chí sử dụng nhiều BJT mạch tích hợp 3-2 Lý thuyết hoạt động BJT Transistor lưỡng cực tính (BJT) linh kiện ba cực tạo nên từ hai chuyển tiếp PN Nó tạo nên từ bán dẫn kích thích cho mật độ hạt dẫn thay đổi dần từ N sang P trở lại N từ P chuyển sang N trở lại P Trong hai trường hợp, chuyển tiếp hình thành ranh giới chuyển đổi tính chất bán dẫn từ loại N (hoặc P) sang loại P (hoặc N) Hình 3-1 cho thấy hai dạng BJT Hình 3-1 Cấu trúc transistor NPN PNP 1/31 Biên soạn: Võ Kỳ Châu – Bộ môn Điện tử, Khoa Điện – Điện tử Email: vkchau@dee.hcmut.edu.vn Khi BJT tạo nên cách đặt bán dẫn loại P hai bán dẫn loại N hình 3-1(a), gọi BJT loại NPN Ngược lại, hình 3-1(b) cho thấy cấu trúc BJT loại PNP Vùng bán dẫn nằm gọi miền (base) Hai vùng hai bên, vùng gọi miền phát (emitter) vùng gọi miền thu (collector) Ở phần sau ta dùng thuật ngữ tiếng Việt tiếng Anh để cực miền transistor Thông thường, BJT rời, miền gắn với chân linh kiện nối bên ngồi để thực kết nối với mạch Các BJT mạch tích hợp khơng có chân kết nối Các chân linh kiện đặt theo tên miền mà kết nối vào Hình 3-2 trình bày chân linh kiện kết nối với vùng BJT Hình 3-2 Các cực base, emitter, collector transistor NPN PNP Trong thực tế, BJT chế tạo với miền hẹp mật độ hạt dẫn thấp kích thích với tạp chất Cả hai đặc điểm quan trọng transistor Vì hai loại BJT có đặc tính giống ta xem xét loại NPN Các tính chất loại PNP suy từ NPN cách thay đổi loại hạt dẫn, cực tính điện áp chiều dịng điện ta thấy phần sau Để BJT hoạt động bình thường chế độ khuếch đại, cần phải phân cực hai chuyển tiếp BJT Chuyển tiếp miền miền phát jE phải phân cực thuận chuyển tiếp miền miền thu jC phải phân cực ngược Hình 3-3 trình bày cách thức phân cực cho hai chuyển tiếp Hình 3-3 Phân cực hai chuyển tiếp PN transistor NPN Ta thấy hình 3-3(a), chuyển tiếp jE phân cực thuận nguồn áp VEE Khi chuyển tiếp phân cực thuận, dòng khuếch tán electron tự “phát” từ miền phát emitter, bề rộng vùng nghèo thu hẹp Ta biết đến điều xét phân cực chuyển tiếp chương Ta nói hạt dẫn phun (injected) từ emitter vào miền base Thật jE phân cực thuận, có dịng lỗ trống từ base sang emitter, nhiên 2/31 Biên soạn: Võ Kỳ Châu – Bộ môn Điện tử, Khoa Điện – Điện tử Email: vkchau@dee.hcmut.edu.vn ta đề cập phần trên, mật độ hạt dẫn miền thấp nên ta bỏ qua dòng so với dòng electron tự phát từ emitter Hình 3-3(b) trình bày phân cực ngược chuyển tiếp jC thực nguồn VCC Kết phân cực ngược bề rộng vùng nghèo mở rộng, dịng điện từ miền base sang miền thu collector dòng hạt dẫn thiểu số Tuy nhiên, phân tích phần trên, electron tự phun vào miền trở thành hạt dẫn thiểu số, electron tiếp tục trôi sang miền thu collector tác dụng phân cực ngược Hình 3-4 cho thấy transistor NPN phân cực đồng thời hai chuyển tiếp Chú ý miền base nối đất, tức điểm có điện qui ước volts Miền phát emitter âm so với miền base miền thu collector dương so với miền base Đây điều kiện cần thiết để phân cực thuận jE phân cực ngược jC Hình 3-4 Transistor NPN có nguồn phân cực Vì miền hẹp mật độ hạt dẫn thấp electron bị tái hợp miền Các electron khuếch tán sang miền thu tác dụng phân cực ngược jC Chúng ta kết luận dòng electron dòng chi phối transistor NPN Đối với transistor PNP, dòng lỗ trống dòng chi phối chủ yếu Trong thực tế, mật độ lỗ trống miền thấp, trình tái hợp xảy Khi electron tái hợp với lỗ trống, electron rời miền thơng qua cực B sinh dịng nhỏ, giá trị khoảng % dịng electron phát từ emitter Trong hình 3-4, mũi tên vẽ để hướng qui ước dòng transistor NPN, hướng ngược với hướng dòng electron Dòng qui ước chảy từ VCC vào cực C gọi dòng cực thu, dòng collector I C Dòng chảy vào cực gọi dòng nền, dòng base I B , dòng từ VEE chảy vào cực phát gọi dịng cực phát, dịng emitter IE Hình 3-5(a) trình bày biểu tượng mạch transistor NPN Hình 3-6(a) biểu tượng transistor PNP So sánh hình 3-5 hình 3-6, cần phải để ý chiều mũi tên cực E, để dễ nhớ, ta xem mũi tên chiều qui ước dịng điện Hơn nữa, cực tính nguồn VCC VEE ngược cho BJT loại NPN PNP Hình 3-5 Sơ đồ transistor NPN tương đương 3/31 Biên soạn: Võ Kỳ Châu – Bộ môn Điện tử, Khoa Điện – Điện tử Email: vkchau@dee.hcmut.edu.vn Hình 3-6 Sơ đồ transistor PNP tương đương Để nhấn mạnh làm rõ hoạt động BJT, hình 3-7 thay biểu tượng BJT khối rõ chiều dòng điện chảy vào khỏi khối Áp dụng định luật Kirchhoff ta có: I E = IC + I B (3-1) Hình 3-7 Mỗi loại transistor thay hình vng để dịng vào linh kiện 3-2-1 Dòng ngược I CBO Trong chương ta biết chuyển tiếp PN bị phân cực ngược chuyển tiếp xuất dòng điện ngược nhỏ Khi điện áp phân cực ngược tăng dần dịng ngược tiến tới giá trị bão hịa I S Vì chuyển tiếp jC bị phân cực ngược nên xuất dòng điện ngược, dòng điện chiều với dòng collector tạo hạt dẫn từ miền phát phun vào miền Do đó, dịng collector tổng cộng tổng dòng hạt dẫn phun vào miền dòng ngược Nếu ta giả sử điện áp phân cực thuận jE hở mạch jC trì phân cực ngược hình 3-8 có dịng điện qua cực thu, dòng ngược Dòng điện ngược ký hiệu I CBO có chiều từ collector đến base hở mạch (Open) cực phát Như BJT điều kiện hoạt động bình thường ta có: I C = I C ( INJ ) + I CBO (3-2) với I C ( INJ ) thành phần dòng cực thu hạt dẫn phun từ miền phát vào miền gây Hình 3-8 I CBO dịng collector emitter hở mạch Một thơng số quan trọng transistor α , định nghĩa tỉ số dòng collector, hạt dẫn phun vào miền gây ra, so với dòng emitter: I C ( INJ ) α= (3-3) IE 4/31 Biên soạn: Võ Kỳ Châu – Bộ môn Điện tử, Khoa Điện – Điện tử Email: vkchau@dee.hcmut.edu.vn Thông số α xác định phần dòng emitter tồn sau qua miền trở thành dòng collector Rõ ràng α ln ln nhỏ Nói chung, ta muốn α lớn (càng gần 1) tốt Điều có nghĩa ta muốn transistor có dịng base nhỏ tốt để I C ( INJ ) xấp xỉ I E Giá trị thông thường α nằm khoảng 0.95 đến 0.992 Từ biểu thức 3-3 ta có I C ( INJ ) = α I E Do đó: I C = α I E + I CBO (3-4) Biểu thức chứng tỏ dòng collector tổng cộng phần dòng emitter qua miền cộng với dòng thân phân cực ngược jC gây Trong transistor ngày nay, đặc biệt silicon, I CBO nhỏ nên bỏ qua hầu hết ứng dụng thực tế Tuy nhiên, cần phải nhớ I CBO thực dòng điện ngược chuyển tiếp PN Dòng ngược phụ thuộc nhiều vào nhiệt độ điện áp phân cực ngược Vì chuyển tiếp jC transistor thường phân cực ngược với điện áp khoảng vài volts nên giá trị I CBO thường xấp xỉ dòng ngược bão hòa I S Khi nhiệt độ tăng 10 C , giá trị I S tăng gấp đơi I CBO chịu ảnh hưởng Trong transistor, ngồi dịng ngược I CBO , transistor cịn có dịng rị (leakage current) chảy ngồi bề mặt transistor thường có giá trị lớn dòng ngược nhiều Trong transistor silicon, dịng rị gần chi phối hồn tồn thay đổi theo nhiệt độ dịng ngược Vì I CBO nhỏ nên ta viết I α≈ C IE (3-5) Ví dụ 3-1 Dịng cực phát transistor NPN 8.4 mA Nếu 0.8 % hạt dẫn bị tái hợp miền dòng rị 0.1 µ A Tìm (1) dịng base, (2) dịng collector, (3) giá trị xác α (4) giá trị xấp xỉ α bỏ qua dòng rò Hướng dẫn I B = ( 0.8% I E ) = ( 0.008 )( 8.4 mA ) = 67.2 µ A Từ biểu thức 3-1, I C = I E − I B = 8.4 mA − 0.0672 mA = 8.3328 mA Từ biểu thức 3-2, I C ( INJ ) = I C − I CBO = 8.3328 × 10−3 − 10−7 = 8.3327 mA Dùng 3-3, α = I C ( INJ ) I E = ( 8.3327 mA ) ( 8.4 mA ) = 0.9919881 Dùng biểu thức xấp xỉ 3-5, α ≈ I C I E = (1.3328 mA ) ( 8.4 mA ) = 0.992 3-3 Đặc tính B chung (Common-Base) Trong phần trước, ta thấy mạch phân cực (hình 3-4) cực nối với đất, tức điểm tham khảo chung mạch Cách phân cực gọi cấu hình B chung (CB) transistor Đây ba cách để thiết kế phân cực cho transistor theo nguyên tắc jE phân cực thuận jC phân cực ngược, cực làm điểm tham khảo chung Ý nghĩa việc có điểm tham khảo chung mạch điểm dùng điểm tham khảo cho ngõ vào (input) ngõ (output) cho transistor Trong cấu hình CB, điện áp emitter5/31 Biên soạn: Võ Kỳ Châu – Bộ môn Điện tử, Khoa Điện – Điện tử Email: vkchau@dee.hcmut.edu.vn base xem ngõ vào điện áp collector-base xem ngõ ra, xem hình 3-9 Đối với transistor NPN, VBE dương PNP, VEB dương Tương tự, VCB dương transistor NPN VBC dương transistor PNP Dòng emitter dòng ngõ vào dòng collector dịng ngõ Hình 3-9 Điện áp vào cấu hình CB transistor NPN PNP Trong phần phân tích ta sử dụng nguồn phân cực DC để tạo ngõ vào ngõ cho cấu hình phân cực CB Ta xem xét đáp ứng mạch tác động thay đổi nhỏ ngõ vào sau Mục tiêu phần tìm mối liên hệ dịng điện điện áp ngõ vào ngõ Đặc tuyến ngõ vào cho thấy mối quan hệ dòng điện điện áp ngõ vào, đặc tuyến ngõ cho thấy mối quan hệ dòng điện điện áp ngõ 3-3-1 Đặc tuyến ngõ vào B chung Trong phần ta xây dựng đặc tuyến ngõ vào CB transistor NPN Vì ngõ vào chuyển tiếp jE phân cực thuận nên đặc tuyến trình bày mối quan hệ dòng ngõ vào I E điện áp ngõ vào VBE Tuy nhiên, đặc tuyến phụ thuộc vào điện áp ngõ VCB Lý VCB lớn lượng hạt dẫn qua miền nhiều dẫn đến gia tăng dòng hạt dẫn từ cực phát đến cực thu kết gia tăng dịng emitter Hình 3-10 trình bày họ đặc tuyến ngõ vào cho cấu hình CB Mặc dù việc tính tốn dùng đặc tuyến thực tế ít, nhiên, hiểu đặc tuyến ta có nhìn sâu về hoạt động transistor Trong hình 3-10, đặc tuyến tương ứng với giá trị VCB khác nhau, chúng cho thấy mối quan hệ dòng emitter hiệu điện cực cực phát giá trị VCB cố định Họ đặc tuyến xác định cách đặt giá trị VCB cố định, thay đổi VBE đo dòng I E tương ứng Mỗi lần thay đổi giá trị VCB tương ứng với việc vẽ đặc tuyến họ đặc tuyến 6/31 Biên soạn: Võ Kỳ Châu – Bộ môn Điện tử, Khoa Điện – Điện tử Email: vkchau@dee.hcmut.edu.vn Hình 3-10 Đặc tuyến ngõ vào cấu hình B chung Trong hình 3-10, đường cong đặc tuyến có dạng đặc tuyến diode phân cực thuận Đối với giá trị VBE cho trước, ta thấy I E tăng VCB tăng Tuy nhiên thay đổi rõ rệt VCB thay đổi nhiều, đó, ảnh hưởng VCB lên đặc tuyến ngõ vào bỏ qua thực tế Lúc đó, dùng đặc tuyến “trung bình” để tính tốn Đặc tuyến ngõ vào CB transistor PNP có dạng giống transistor NPN, nhiên, điện áp ngõ vào dương phải VEB khơng phải VBE Ví dụ 3-2 Transistor hình 3-11 có đặc tuyến hình 3-10 Khi VCC 25 V , dòng I C = 8.94 mA Hình 3-11 Ví dụ 3-2 Tìm α transistor (bỏ qua I CBO ) Lặp lại I C = 1.987 mA ngắn mạch VCC Hướng dẫn Trong hình 3-11 ta thấy VBE = 0.7 V Từ hình 3-10, đường thẳng tương ứng với VBE = 0.7 V cắt đường cong VCB = 25 V I E = mA Do đó, α ≈ I C I E = ( 8.94 mA ) ( 9.0 mA ) = 0.9933 7/31 Biên soạn: Võ Kỳ Châu – Bộ môn Điện tử, Khoa Điện – Điện tử Email: vkchau@dee.hcmut.edu.vn Khi ngắn mạch nguồn VCC , VCB = V Từ hình 3-10, I E = mA VCB = V VBE = 0.7 V Do đó, α ≈ I C I E = (1.987 mA ) ( 2.0 mA ) = 0.9935 3-3-2 Đặc tính ngõ B chung Bây ta thử thí nghiệm dịng collector (dịng ngõ ra) đo thay đổi VCB (điện áp ngõ ra) tương ứng với giá trị dòng emitter (dòng ngõ vào) cố định Hình 3-12 vẽ sơ đồ mạch qui trình dùng thí nghiệm cho transistor NPN Lưu ý sơ đồ mạch hình 3-12 khơng phải mạch thực tế, mạch sử dụng để xây dựng đặc tuyến cho transistor Các mạch transistor thực tế phải chứa điện trở phân cực, đó, điện áp ngõ vào ngõ transistor khác với nguồn điện áp phân cực mạch Tuy nhiên, đến lúc ta tập trung vào việc tìm hiểu liên quan dòng điện điện áp linh kiện, chưa cần phải quan tâm nhiều đến mạch phân cực bên Khi I C vẽ theo VCB với giá trị I E khác nhau, có họ đặc tuyến trình bày hình 3-13 Chúng gọi họ đặc tuyến ngõ cấu hình CB Đặt VCB = −1 V , thay đổi VBE để I E = mA Đo ghi lại I C Tăng VCB bước nhỏ, lần ta đo lại I C Thay đổi VBE cần để giữ giá trị ban đầu I E Tiếp tục VCB đạt đến 20 V Vẽ I C theo VCB Lặp lại bước 1, với VBE thay đổi để tạo giá trị I E lớn chút Sau lặp lại bước Lặp lại bước giá trị I E cố định đạt đến mA Hình 3-12 Thí nghiệm dùng để vẽ đặc tuyến ngõ hình 3-13 8/31 Biên soạn: Võ Kỳ Châu – Bộ môn Điện tử, Khoa Điện – Điện tử Email: vkchau@dee.hcmut.edu.vn Hình 3-13 Đặc tuyến ngõ transistor NPN Lưu ý thang ứng với VCB âm mở rộng Đầu tiên, hình 3-13, ta thấy đặc tuyến bắt đầu I C = , sau tăng lên nhanh thay đổi nhỏ VCB Vì I E giữ cố định nên điều đồng nghĩa với việc tỉ số I C I E gia tăng Ta biết α = I C I E , α số α sau tăng dần VCB tăng Lý phần nhỏ hạt dẫn phát từ cực E đến cực C điện áp phân cực ngược VCB đủ lớn để gia tốc cho hạt dẫn vượt qua miền B Khi VCB có giá trị âm chuyển tiếp jC phân cực thuận, nên dòng điện I C lúc phụ thuộc trực tiếp vào VCB Quá trình tiếp tục xảy VCB khơng cịn phân cực thuận chuyển tiếp jC Vùng tương ứng với VCB âm gọi vùng bão hòa (saturation) Một transistor gọi bị bão hòa jE jC phân cực thuận Một VCB đủ lớn để đảm bảo phần lớn hạt dẫn vào miền thu với giá trị I E cố định, dịng collector trì giá trị không đổi, độc lập với giá trị VCB Trong đặc tuyến ta thấy giá trị I C số xấp xỉ với I E Điều cho thấy giá trị α gần với số Vùng gọi vùng tích cực (active) Trong vùng tích cực này, BJT có đặc tính ta phân tích phần trước Trong đặc tuyến cịn có vùng khác, vùng tương ứng với vùng nằm đường đặc tuyến ứng với I E = gọi vùng tắt (cutoff) Đặc tuyến nằm gần với trục hồnh, chuyển tiếp jE bị hở mạch nên dòng điện I C dòng điện ngược phân cực ngược 9/31 Biên soạn: Võ Kỳ Châu – Bộ môn Điện tử, Khoa Điện – Điện tử Email: vkchau@dee.hcmut.edu.vn jC gây Đó dịng I CBO ta thấy phần trước Một transistor làm việc vùng tắt hai chuyển tiếp bị phân cực ngược Ví dụ 3-3 Một transistor NPN có đặc tuyến ngõ vào CB hình 3-10 đặc tuyến ngõ hình 3-13 Tìm dòng cực thu VCB = 10 V VBE = 0.7 V Lặp lại VCB = V I E = 5.5 mA Hướng dẫn Từ hình 3-10, ta thấy I E = mA VBE = 0.7 V VCB = 10 V Trong hình 3-13, đường thẳng VCB = 10 V cắt đường cong I E = mA I C = 3.85 mA Với điều kiện cho, ta suy đặc tuyến ngõ nằm hai đường ứng với I E = mA I E = mA Giao điểm đường cong với đường VCB = V cho kết I C xấp xỉ 5.4 mA Phương pháp đạt độ xác cao, thực tế, ta xem I C = I E = 5.5 mA 3-3-3 Đánh thủng BJT Cũng diode phân cực ngược, chuyển tiếp jC với phân cực ngược bị đánh thủng điện áp phân cực ngược đủ lớn Sự gia tăng dòng điện thường xuất chế đánh thủng thác lũ khảo sát phần trước Tuy nhiên, transistor cịn bị đánh thủng tượng gọi punch through Dạng đánh thủng xảy bề rộng vùng nghèo, chuyển tiếp jC bị phân cực ngược, đủ lớn làm cho vùng nghèo mở rộng đến vùng nghèo chuyển tiếp jE phân cực thuận Lúc này, miền phát miền thu bị ngắn mạch xuất dòng điện lớn Hiện tượng punch through đặt giới hạn nồng độ tạp chất bề rộng miền thiết kế BJT Hình 3-14 trình bày họ đặc tuyến ngõ bao gồm đoạn đánh thủng đặc tuyến Hình 3-14 Đặc tuyến ngõ CB bao gồm vùng đánh thủng 3-4 Đặc tính E chung (Common-Emitter) Trong phần ta xem xét cấu hình phân cực E chung minh họa hình 3-15 Cần lưu ý nguồn VBB sử dụng để phân cực thuận cho chuyển tiếp jE nguồn VCC dùng để phân cực ngược cho chuyển tiếp jC Biên độ VCC phải lớn VBB để đảm bảo jC phải phân cực ngược 10/31 Biên soạn: Võ Kỳ Châu – Bộ môn Điện tử, Khoa Điện – Điện tử Email: vkchau@dee.hcmut.edu.vn VBE phải xấp xỉ khoảng 0.5 V đến 0.7 V có dịng base, từ biểu thức 3-13 ta có: VBE = VCE − VCB (3-15) Do đó, VCB tăng đến giá trị gần VCE VBE tiến đến khơng có dịng base Hình 325 biểu diễn tập hợp đặc tuyến ngõ cho transistor loại NPN cấu hình CC Chúng biểu diễn dịng emitter I E theo VCE với I B giữ cố định Các đặc tuyến có dạng gần giống với đặc tuyến ngõ cấu hình CE hình 3-19 Điều rõ ràng I E ≈ I C Hình 3-25 Đặc tuyến ngõ CC Khi bỏ qua dịng rị, ta có: I E = ( β + 1) I B (3-16) Biểu thức 3-16 biểu diễn quan hệ dòng ngõ vào dòng ngõ cấu hình CC 3-6 Các dạng mạch phân cực Trong phần phân tích trước, ta dùng từ “phân cực” (bias) để việc ta dùng điện áp bên đặt lên chuyển tiếp PN nhằm xác định cực tính Ta nhấn mạnh chuyển tiếp jE base emitter phải phân cực thuận chuyển tiếp jC base collector phải phân cực ngược Dưới tác động nguồn phân cực xác định giá trị cụ thể điện áp dòng điện ngõ ra, ta nói ta định điểm phân cực ngõ giá trị 3-6-1 Mạch phân cực B chung Trong thực tế, phân cực điều khiển cách dùng điện trở mắc nối tiếp với nguồn VEE VCC Từ ta thay đổi giá trị điện trở thay thay đổi giá trị điện áp nguồn để điều khiển dòng áp tĩnh (dc) mạch Mạch sử dụng gọi mạch phân cực Hình 3-26 trình bày cấu hình mạch phân cực CB điện trở mắc nối tiếp với emitter điện trở RC mắc nối tiếp với collector Lưu ý ngõ vào ngõ giữ nguyên phân tích phần trước cấu hình phân cực CB (hình 3-9) Sự khác biệt dạng mạch phân cực điện áp ngõ vào khơng cịn VEE có điện áp rơi điện trở RE , điện áp ngõ khơng cịn VCC điện áp rơi RC Các nguồn VEE VCC gọi nguồn cung cấp Dĩ nhiên đặc tuyến ngõ vào ngõ giữ nguyên việc biểu diễn mối quan hệ dòng áp ngõ vào ngõ 17/31 Biên soạn: Võ Kỳ Châu – Bộ môn Điện tử, Khoa Điện – Điện tử Email: vkchau@dee.hcmut.edu.vn Hình 3-26 Các mạch phân cực CB thực tế Từ hình 3-26 ta có: VCC = I C RC + VCB V −1 IC = VCB + CC RC RC (3-17) (3-18) Khi ta xem I C VCB biến, VCC RC số, ta thấy biểu thức 3-18 biểu diễn phương trình đường thẳng Nếu vẽ đồ thị có hệ trục I C − VCB , đường thẳng có độ dốc −1 RC giao với trục I C VCC RC Biểu thức 3-18 biểu thức đường tải (load line) cho cấu hình CB (NPN) Đường tải có cách hiểu hồn tồn giống đường tải diode mà ta biết chương 3: tập hợp tất tổ hợp có I C VCB mạch Điểm phân cực thật phải nằm đường tải Vị trí xác điểm phân cực phụ thuộc vào dòng áp ngõ vào I E VBE Từ biểu thức 3-18 thấy đường tải giao với trục VCB VCC Do đó, đường tải vẽ cách vẽ đường qua hai điểm VCB = 0, I C = VCC RC I C = 0, VCB = VCC Ví dụ 3-7 Xác định vẽ đường tải cho mạch hình 3-27 Hình 3-27 Ví dụ 3-7 Hướng dẫn IC = V −1 VCB + CC RC RC 20 −1 V + CB × 10 ×103 = −2.5 × 10−4 VCB + × 10−3 A = Đường tải có độ dốc −2.5 × 10−4 S , giao với trục I C mA , giao với trục VCB 20 V Hình 3-28 vẽ đường tải 18/31 Biên soạn: Võ Kỳ Châu – Bộ môn Điện tử, Khoa Điện – Điện tử Email: vkchau@dee.hcmut.edu.vn Hình 3-28 Đường tải mạch phân cực hình 4-27 Ta xác định điểm phân cực cách vẽ đường tải đặc tuyến ngõ transistor sử dụng mạch Để minh họa, đường tải xác định ví dụ 3-8 vẽ tập hợp đặc tuyến ngõ cấu hình CB hình 3-29 Hình 3-29 Đường tải họ đặc tuyến ngõ cấu hình CB Điểm phân cực Q giao điểm đường tải với đặc tuyến I E = mA Để xác định điểm phân cực đường tải vẽ hình 3-29, phải xác định dịng I E mạch hình 3-27 Một cách để tìm I E viết phương trình đường tải ngõ vào đặc tuyến ngõ vào xác định giá trị I E dựa vào giao điểm hai đường Cách giống với cách làm diode để tìm dịng áp phân cực tĩnh cho diode Tuy nhiên phương pháp khơng thực tế đặc tuyến ngõ vào thường khơng có sẵn Cách thường dùng để xác định I E xem chuyển tiếp jE phân cực thuận có điện áp rơi khoảng 0.7 V (Si) tìm dịng qua chuyển tiếp ta biết Trong hình 3-30 ta có 19/31 Biên soạn: Võ Kỳ Châu – Bộ môn Điện tử, Khoa Điện – Điện tử Email: vkchau@dee.hcmut.edu.vn IE = VEE − 0.7 RE (3-19) Chú ý ta bỏ qua ảnh hưởng hồi tiếp (feedback) VCB lên đặc tuyến ngõ vào Cũng cần phải lưu ý VEE có cực dương nối đến điểm tham khảo chung (tức ground) nên ta thường xem nguồn âm Tuy nhiên, tính toán biểu thức 3-19 giá trị VEE phải xem độ lớn nguồn Trở lại ví dụ hình 3-27, áp dụng biểu thức 3-19 ta có: V − 0.7 I E = EE RE Trong hình 3-29, điểm phân cực, điểm Q, xem giao điểm đường tải đường đặc tuyến có I E = mA Tại điểm đó, I C ≈ mA VCB = 12 V Hình 3-30 Để tính I E , phía ngõ vào transistor cấu hình CB xem diode phân cực thuận Điểm phân cực thường gọi điểm tĩnh (quiescent point), điểm Q, điểm hoạt động Nó xác định điện áp dịng ngõ dc khơng có điện áp ac ngõ vào Mạch sử dụng khuếch đại ac cách kết nối nguồn áp ac nối tiếp với cực phát Khi điện áp ac thay đổi, dòng cực phát I E thay đổi theo, kết dòng áp ngõ thay đổi dọc theo đường tải giới hạn xác định thay đổi giá trị I E Đặc tuyến ngõ vào ngõ transistor tiện lợi để nhìn thấy hoạt động bên transistor sử dụng đường tải, chúng giúp thấy thay đổi dòng áp ngõ Tuy nhiên, cách sử dụng để thiết kế phân tích mạch dùng transistor Một lý khơng phải tất transistor kiểu có đặc tính, đó, nhà chế tạo linh kiện khơng đưa tập hợp đường đặc tuyến sử dụng thiết kế Hơn nữa, độ xác sử dụng xấp xỉ phương pháp phân tích đại số thường đủ cho ứng dụng thực tế Ta thấy phương pháp tính xấp xỉ ta xem ngõ vào transistor CB tương tự diode phân cực thuận Bây ta phân tích tồn mạch phân cực mà khơng dùng đặc tuyến Vì α ≈ I C = α I E , I C ≈ I E Ta xác định I E dùng biểu thức 3-19, tính xấp xỉ I C Sau đó, ta dùng biểu thức 3-17 để tìm VCB VCB = VCC − I C RC (3-20) Ví dụ 3-8 Xác định điểm phân cực cho mạch hình 3-27 mà khơng sử dụng đặc tuyến Hướng dẫn Ta có I E = VEE − 0.7 ( − 0.7 ) V = = mA RE 2.65 kΩ 20/31 Biên soạn: Võ Kỳ Châu – Bộ môn Điện tử, Khoa Điện – Điện tử Email: vkchau@dee.hcmut.edu.vn Vì I C ≈ I E nên từ biểu thức 3-20, VCB = VCC − I C RC = 20 V − V = 12 V Chú ý điểm phân cực tính cách cho kết giống với kết tìm thấy đồ thị hình 329 Tóm lại, bốn cơng thức dùng để tìm dịng áp ngõ vào ngõ cho cấu hình CB, NPN mạch hình 3-26(a): VBE = 0.7 V ( Si ) , 0.3 V ( Ge ) IE = VEE − VBE RE (3-21) IC = I E − I B ≈ I E VCB = VCC − I C RC Biểu thức 3-21 dùng cho transistor PNP (hình 3-26(b)) cách thay VBE thành VEB VCB thành VBC , đồng thời VCC giá trị tuyệt đối nguồn 3-6-2 Mạch phân cực E chung Hình 3-31 trình bày mạch phân cực cho transistor NPN PNP cấu hình CE Chú ý mạch phân cực sử dụng nguồn đơn VCC Giá trị RB RC phải chọn cho điện áp rơi RB lớn điện áp rơi RC nhằm giữ cho chuyển tiếp jC phân cực ngược Hình 3-31 Mạch phân cực CE thực tế Sơ đồ hình 3-31 thật sử dụng thực tế, sơ đồ dùng để giúp nhận vịng kín mạch, hình 3-32 trình bày sơ đồ tương tự dạng thường gặp Hình 3-32 Sơ đồ mạch phân cực CE hình 3-31 vẽ lại Dùng định luật Kirchhoff cho vịng ngõ hình 3-31(a) 3-32(a), ta có phương trình đường tải transistor NPN cấu hình E chung: 21/31 Biên soạn: Võ Kỳ Châu – Bộ môn Điện tử, Khoa Điện – Điện tử Email: vkchau@dee.hcmut.edu.vn IC = V −1 VCE + CC RC RC (3-22) Biểu thức có dạng tương tự biểu thức đường tải cấu hình CB Đường tải CE có độ dốc −1 RC , giao với trục I C VCC RC , giao với trục VCE VCC Hình 3-33 vẽ đồ thị đường tải Hình 3-33 Đường tải cho mạch hình 3-33(a) Khi đường tải CE vẽ tập hợp đặc tuyến ngõ CE, ta xác định điểm làm việc ngõ biết trước giá trị I B Để xác định I B , ta xem ngõ vào transistor chuyển tiếp PN phân cực thuận, có điện áp rơi cố định trình bày hình 3-34 Ta có: V − VBE I B = CC (3-23) RB Hình 3-34 Ngõ vào transistor cấu hình CE xem diode phân cực thuận với điện áp rơi cố định với VBE = 0.7 V cho silicon 0.3 V cho germanium Trong tính tốn ta bỏ qua ảnh hưởng VCE lên I B Cũng cấu hình CB, điểm phân cực CE xác định biểu thức đại số Các biểu thức tóm tắt sau: VBE = 0.7 V ( Si ) , 0.3 V ( Ge ) IB = VCC − VBE RB IC = β I B IB = (3-24) VCC − VBE RB Biểu thức 3-24 áp dụng cho transistor loại PNP (mạch phân cực hình 331(b)) cách thay VCE VEC thay VBE VEB , dùng giá trị tuyệt đối VCC Ví dụ 3-9 Transistor silicon mạch phân cực hình 3-35 có β 100 Giả sử transistor có đặc tuyến ngõ hình 3-36, tìm điểm phân cực cách dùng đồ thị Tìm điểm phân cực cách dùng đại số 22/31 Biên soạn: Võ Kỳ Châu – Bộ môn Điện tử, Khoa Điện – Điện tử Email: vkchau@dee.hcmut.edu.vn Lặp lại câu RB 161.43 kΩ Hình 3-35 Ví dụ 3-8 Hình 3-36 Đường tải đặc tuyến ngõ CE Điểm phân cực dịch phía vùng bão hòa cách thay đổi RB Hướng dẫn Biểu thức đường tải 12 V + −3 CE × 10 × 103 = −0.5 ×10−3VCE + ×10−3 IC = − Đường tải giao với trục I C mA trục VCE 12 V Đường tải vẽ đặc tuyến ngõ hình 3-36 Để xác định điểm phân cực ta cần tìm I B : IB = (12 − 0.7 ) V = 30 µ A 376.67 kΩ Tại giao điểm đường cong I B = 30 µ A với đường tải, Q1 , ta có điểm phân cực Q1 ( V;3 mA ) Từ biểu thức 3-24, ta có 23/31 Biên soạn: Võ Kỳ Châu – Bộ môn Điện tử, Khoa Điện – Điện tử Email: vkchau@dee.hcmut.edu.vn VBE = 0.7 V IB = (12 − 0.7 ) V = 30 µ A 376.67 kΩ I C = (100 )( 30 µ A ) = mA VCE = 12 V − ( mA )( kΩ ) = V Kết phù hợp với giá trị tìm đồ thị Thay đổi RB = 161.43 kΩ khơng có ảnh hưởng đường tải Lưu ý đường tải 3-22 không phụ thuộc RB Tuy nhiên, giá trị I B có thay đổi IB = (12 − 0.7 ) V = 70 µ A 161.43 kΩ Vì điểm phân cực dịch chuyển dọc theo đường tải đến điểm Q2 hình 3-36 Chúng ta thấy Q2 nằm vùng bão hòa Tại Q2 , I C ≈ 5.7 mA, VCE ≈ 0.5 V Kết cho thấy điểm phân cực bị thay đổi cách thay đổi giá trị điện trở phân cực mạch Dùng biểu thức 3-24 để tìm điểm phân cực mới, ta có I C = β I B = (100 )( 70 µ A ) = mA VCE = 12 V − ( mA )( kΩ ) = −2 V(!!!) Rõ ràng kết sai giá trị tối đa I C có mA giá trị tối thiểu VCE V Biểu thức 3-24 ý nghĩa trường hợp điểm làm việc nằm vùng bão hòa 3-6-3 Mạch phân cực C chung Hình 3-37 biểu diễn mạch phân cực C chung cho transistor NPN PNP Biểu thức đường tải là: VCC = I E RE + VCE IE = V −1 VCE + CC RE RE (3-25) Hình 3-37 Mạch phân cực CC Như cấu hình trước, phải tìm I B để xác định điểm phân cực Hình 3-38 biểu diễn mạch tương đương cho vịng kín hình 3-37(a), bắt đầu VCC , qua RB , qua chuyển tiếp jE RE Ta có: 24/31 Biên soạn: Võ Kỳ Châu – Bộ môn Điện tử, Khoa Điện – Điện tử Email: vkchau@dee.hcmut.edu.vn VCC = I B RB + VBE + I E RE (3-26) Từ biểu thức 3-16 ta có I E = ( β + 1) I B Thay vào biểu thức 3-26 ta có: VCC = I B RB + VBE + ( β + 1) I B RE VCC − VBE = I B ⎡⎣ RB + ( β + 1) I B RE ⎤⎦ (3-27) Hình 3-38 Mạch tương đương phía ngõ vào hình 3-37(a) Tóm lại, biểu thức để xác định điểm phân cực cấu hình CC VBE = 0.7 V ( Si ) , 0.3 V ( Ge ) IB = VCC − VBE RB + ( β + 1) RE (3-28) I E = ( β + 1) I B VCE = VCC − I E RE Đối với transistor loại PNP, thay VCE VEC VBE VEB , sử dụng giá trị tuyệt đối VCC Ví dụ 3-10 Tìm điểm phân cực transistor loại Ge cho mạch hình 3-39 Giả sử β 120 Hình 3-39 Ví dụ 4-11 Hướng dẫn Từ biểu thức 3-28 25/31 Biên soạn: Võ Kỳ Châu – Bộ môn Điện tử, Khoa Điện – Điện tử Email: vkchau@dee.hcmut.edu.vn VBE = 0.3 V 16 0.3 = 66.105 A 116.5 ì 103 + 121ì 103 I E = (121)( 66.105 A ) = mA IB = VCE = 16 − ( ×10−3 )(103 ) = V 3-7 Thiết kế mạch phân cực 3-7-1 Thiết kế phân cực B chung Ta xem xét cách thức thiết kế phân cực cho cấu hình hai nguồn (hình 3-26) Thơng thường, giá trị nguồn VEE VCC cố định, ta phải chọn giá trị RE RC theo giá trị phân cực I E VCB biết trước Đặt I C = I E , biểu thức 3-21 viết lại: V − VBE RE = EE IE V −V RC = CC CB IE (3-29) Trong thiết kế mạch thực tế, giá trị điện trở thiết kế theo giá trị chuẩn, đó, giá trị điện trở chuẩn gần với kết thiết kế chọn Từ đó, phân tích lại giá trị phân cực I E VCB Nếu giá trị có sai số lớn so với yêu cầu, cần phải tính lại giá trị điện trở phân cực Ví dụ 3-11 Một mạch phân cực B chung thiết kế dùng transistor NPN silicon Các nguồn phân cực có giá trị +15 V −5 V Điểm phân cực I E = 1.5 mA VCB = 7.5 V Thiết kế mạch dùng điện trở chuẩn dung sai % Giá trị phân cực thật dùng các điện trở chuẩn bao nhiêu? Tìm giới hạn I E VCB tính sai số điện trở Hướng dẫn Từ biểu thức 3-29, ta có RE = RC = ( − 0.7 ) V = 2867 Ω 1.5 ×10−3 A (15 − 7.5) V = 5000 Ω 1.5 × 10−3 A Dựa vào giá trị điện trở chuẩn % , ta chọn RE = kΩ RC = 5.1 kΩ Từ biểu thức 3-21, ta có IE = ( − 0.7 ) V = 1.43 mA kΩ VCB = 15 V − (1.43 mA )( 5.1 kΩ ) = 7.69 V Giới hạn giá trị điện trở RE RC 26/31 Biên soạn: Võ Kỳ Châu – Bộ môn Điện tử, Khoa Điện – Điện tử Email: vkchau@dee.hcmut.edu.vn RE = kΩ ± 0.05 ( kΩ ) = 2850 Ω − 3150 Ω RC = 5.1 kΩ ± 0.05 ( 5.1 kΩ ) = 4845 Ω − 5355 Ω I E (min) = VEE − VBE ( − 0.7 ) V = = 1.365 mA RE (max) 3150 Ω I E (max) = VEE − VBE ( − 0.7 ) V = = 1.509 mA RE (min) 2850 Ω VCB (min) = VCC − I E (max) RC (max) = 15 V − (1.509 mA ) ( 5355 Ω ) = 6.92 V VCB (max) = VCC − I E (min) RC (min) = 15 V − (1.365 mA )( 4845 Ω ) = 8.39 V Từ kết ta thấy thay đổi điểm phân cực dùng giá trị điện trở chuẩn 3-7-2 Thiết kế mạch phân cực E chung Mạch phân cực hình 3-31 sử dụng mạch phân cực cho cấu hình CE Giả sử áp nguồn cung cấp VCC biết trước (điều thường thực tế) Biểu thức 3-24 viết lại cho trường hợp thiết kế: V − VBE RB = CC IE (3-30) VCC − VCB RC = IC β Sự khó khăn với thiết kế loại điểm phân cực bị phụ thuộc vào β , β phụ thuộc nhiều vào nhiệt độ Thêm vào đó, với loại transistor, giá trị thay đổi nhiều Chính vậy, dạng phân cực thường khơng phổ biến thực tế Ví dụ 3-12 Một transistor silicon NPN có β tối ưu 100, sử dụng mạch phân cực CE với VCC = 12 V Điểm phân cực I C = mA VCE = V Thiết kế mạch dùng điện trở chuẩn % Tìm giới hạn có điểm phân cực β transistor thay đổi từ 50 đến 150 (một giới hạn thường gặp thực tế) Giả sử điện trở % có giá trị tối ưu Hướng dẫn Từ biểu thức 3-30, ta có RB = RC = (12 − 0.7 ) V × 10−3 A /100 (12 − ) ×10−3 = 65 kΩ V = kΩ A Nếu sử dụng điện trở chuẩn % , ta chọn RB = 560 kΩ RC = kΩ Từ biểu thức 3-24 IB = (12 − 0.7 ) V = 20.18 µ A 560 kΩ 27/31 Biên soạn: Võ Kỳ Châu – Bộ môn Điện tử, Khoa Điện – Điện tử Email: vkchau@dee.hcmut.edu.vn I C (min) = β (min) I B = 50 ( 20.18 µ A ) = 1.01 mA I C (max) = β (max) I B = 150 ( 20.18 µ A ) = 3.03 mA VCE (min) = VCC − I C (max) RC = 12 V − ( 3.03 mA )( kΩ ) = 2.92 V VCE (max) = VCC − I C (min) RC = 12 V − (1.01 mA )( kΩ ) = 8.97 V Trong hầu hết giá trị VCE thay đổi từ 2.92 V đến 8.97 V 3-7-3 Thiết kế phân cực C chung Để tìm giá trị điện trở mạch phân cực CC (hình 3-36), biểu thức 3-28 viết lại sau: V −V RE = EE CE IE (3-31) β + 1) ( RB = (VCC − VBE − I E RE ) IE Ví dụ 3-13 Một transistor silicon NPN có β = 100 dùng cấu hình CC với VCC = 24 V Điểm phân cực cần thiết kế VCE = 16 V I E = mA Thiết kế mạch phân cực dùng điện trở chuẩn % Tìm điểm phân cực thật điện trở chuẩn % sử dụng, giá sử chúng có giá trị tối ưu Hướng dẫn Từ biểu thức 3-31, RE = ( 24 − 16 ) V = kΩ mA 101 RB = ⎡ 24 V − 0.7 V − ( mA )( kΩ ) ⎤⎦ = 386.325 Ω mA ⎣ Dùng điện trở chuẩn RE = kΩ RB = 390 kΩ Từ biểu thức 3-28 ( 24 − 0.7 ) V = 39.358 µ A 390 kΩ + 101( kΩ ) I E = 101( 39.358 µ A ) = 3.98 mA VCE = 24 V − ( 3.98 mA )( kΩ ) = 16.04 V IB = 3-8 BJT Inverter (Transistor switch) Transistor sử dụng rộng rãi mạch số ứng dụng switching Dạng tín hiệu ứng dụng thay đổi hai mức điện áp “cao” “thấp”, ví dụ V V Các mạch transistor dùng ứng dụng switching gọi inverter Hình 3-40 dạng mạch transistor loại NPN Trong hình này, transistor mắc cấu hình CE, nhiên, khơng có điện áp phân cực thuận đặt lên cực base thông qua điện trở Thay vào đó, điện trở RB mắc nối tiếp với cực base, tín hiệu sóng vng xung vuông đặt 28/31 Biên soạn: Võ Kỳ Châu – Bộ môn Điện tử, Khoa Điện – Điện tử Email: vkchau@dee.hcmut.edu.vn ngõ vào inverter Trong mạch, VCC điện áp mức “cao” +5 V Ngõ điện áp collector emitter ( VCE ) Hình 3-40 Inverter (switch) dùng transistor Khi ngõ vào mức cao, chuyển tiếp base-emitter phân cực thuận dòng điện chảy qua điện trở RB vào cực base transistor Giá trị RB RC chọn (khi thiết kế) cho dòng base đủ để làm cho transistor bão hòa, tức lái transistor vào vùng bão hòa đặc tuyến ngõ Hình 3-41 vẽ đường tải tập hợp đặc tuyến ngõ xác định điểm đường tải transistor bị bão hịa Chú ý giá trị VCE tương ứng với điểm này, gọi VCE ( sat ) , gần (thông thường khoảng 0.1 V ) Dòng điểm bão hòa gọi I C ( sat ) gần với giao điểm đường tải với trục tung, VCC RC Khi transistor bị bão hịa, xem dẫn (ON) Phân tích chứng tỏ ngõ vào “cao” ( +5 V ) tạo ngõ “thấp” ( ≈ V ) Hình 3-41 Khi ngõ vào inverter mức cao ( +5 V ), transistor bị bão hòa ngõ mức thấp ( ≈ V ) Khi ngõ vào inverter mức thấp, transistor bị tắt, ngõ mức cao Khi ngõ vào mạch thấp, tức V , chuyển tiếp base-emitter không phân cực thuận, khơng có dịng base khơng có dịng collector Điện áp rơi RC không VCE phải +5 V Trong trường hợp này, transistor nằm vùng tắt đặc tuyến ngõ hình 3-41, lúc transistor xem tắt (OFF) Một ngõ vào mức “thấp” tạo ngõ mức “cao” Đó lý mà mạch gọi inverter Trong thiết kế phân tích mạch inverter dùng transistor, ta thường giả sử I C ( sat ) = VCC RC VCE ( sat ) = Dùng giả sử ta có mối quan hệ dịng áp mạch inverter Vì transistor tắt ngõ vào mức “thấp” bất chấp giá trị RB RC , biểu thức sau dùng ngõ vào mức cao V (3-32) I C = I C ( sat ) = CC RC 29/31 Biên soạn: Võ Kỳ Châu – Bộ môn Điện tử, Khoa Điện – Điện tử Email: vkchau@dee.hcmut.edu.vn IB = IB = I C ( sat ) (3-33) β VHI − VBE RB (3-34) với VH điện áp mức cao tín hiệu vào, thường với VCC Ví dụ 3-14 Chứng tỏ mạch hình 3-42 hoạt động mạch inverter ngõ vào thay đổi V V Giả sử transistor loại silicon với β = 100 Hình 3-42 Ví dụ 3-14 Hướng dẫn Ta cần chứng tỏ transistor bị bão hòa Vin = +5 V Từ 3-34 ta có ( − 0.7 ) V = 10 µ A 430 kΩ I C = β I B = 100 (10 µ A ) = mA IB = VCE = − (1 mA )( kΩ ) = V = VCE ( sat ) 3-8-1 Transistor công tắc Một mạch inverter dùng transistor thường gọi công tắc transistor (transistor switch) Điều trạng thái ON OFF transistor tương ứng với trạng thái đóng mở cơng tắc Khi transistor ON, tức bão hòa, điện áp collector –emitter gần V giống cơng tắc đóng lại, dòng tối đa VCC RC Khi transistor OFF, tức bị tắt, khơng có dịng chảy từ collector đến emitter điện áp tối đa giống công tắc mở Công tắc điều khiển điện áp ngõ vào: mức “cao” cơng tắc đóng mức “thấp” cơng tắc mở Hình 3-45 vẽ số sơ đồ mạch switch dùng transistor 30/31 Biên soạn: Võ Kỳ Châu – Bộ môn Điện tử, Khoa Điện – Điện tử Email: vkchau@dee.hcmut.edu.vn Hình 3-43 Transistor công tắc điều khiển áp Ngõ vào mức cao đóng cơng tắc ngõ vào mức thấp mở công tắc 31/31 ... 3-7 -3 Thiết kế phân cực C chung Để tìm giá trị điện trở mạch phân cực CC (hình 3-3 6), biểu thức 3-2 8 viết lại sau: V −V RE = EE CE IE ( 3-3 1) β + 1) ( RB = (VCC − VBE − I E RE ) IE Ví dụ 3-1 3... ngõ vào dương phải VEB khơng phải VBE Ví dụ 3-2 Transistor hình 3-1 1 có đặc tuyến hình 3-1 0 Khi VCC 25 V , dòng I C = 8.94 mA Hình 3-1 1 Ví dụ 3-2 Tìm α transistor (bỏ qua I CBO ) Lặp lại I... Hình 3-2 3 cho thấy điện áp base-collector điện áp ngõ vào dòng base dòng ngõ vào Điện áp emitter-collector điện áp ngõ dịng emitter dịng ngõ Hình 3-2 3 Điện áp dịng điện vào cấu hình CC Hình 3-2 4