PowerPoint Presentation Tìm hiểu về Phần 1 Đặc tính van bán dẫn, mạch Driver và mạch Snubber Phần 2 Chỉnh lưu Tiristor 1 pha Phần 3 Chỉnh lưu Tiristor 3 pha 3 Phần 1 Đặc tính van bán dẫn, mạch Driver.
Tìm hiểu về: Phần 1: Đặc tính van bán dẫn, mạch Driver mạch Snubber Phần 2: Chỉnh lưu Tiristor pha Phần 3: Chỉnh lưu Tiristor pha Phần 1: Đặc tính van bán dẫn, mạch Driver mạch Snubber Phần 1: Đặc tính van bán dẫn, mạch Driver mạch Snubber • Yêu cầu: Thiết kế mạch driver, subber cho IGBT GT50J325 ( Do chưa tìm spice model cho IGBT GT50J325 nên thay IGB50N60T) Datasheet 1.Các thơng số cần tính tốn để thiết kế a)Các thông số thể khả đóng cắt IGBT IGB50N60T b)Xác định điện áp điều khiển Vgs c)Tính tốn dịng điện peak cực G d)Chọn điện trở cổng Các thông số thể khả đóng cắt IGBT IGB50N60T • Giá trị tụ kí sinh IGBT IGB50N60T Xác định điện áp điều khiển Vgs • Dựa vào đồ thị V-Qg datasheet, chọn điện áp điều khiển: • IGBT: Vge = 0/15 V • QG = 310 nC • Pdrv =15*310 10−9*100000 •=> Pdrv = 0,465 (W) Tính tốn dịng điện peak cực G • Dựa vào datasheet, chọn rise/fall time sau : • tr = 29 ns, tf = 29 ns •- Rise/fall time thời gian để van bán dẫn chuyển từ trạng thái khóa sang trạng thái dẫn ngược lại • Tổn hao cơng suất q trình đóng cắt van: • PSW = ½*UDS*ID*fSW*(tr + tf) • Dịng điện peak cực G: Chọn điện trở cổng • ) • = 1,4(Ω) • = 1,4(Ω) Cơng suất tiêu tán • 0,466(W) • 0,466(W) 10 ... IGB50N60T b)Xác định điện áp điều khiển Vgs c)Tính tốn dịng điện peak cực G d)Chọn điện trở cổng Các thông số thể khả đóng cắt IGBT IGB50N60T • Giá trị tụ kí sinh IGBT IGB50N60T Xác định điện áp điều... dẫn ngược lại • Tổn hao cơng suất quỏ trỡnh úng ct trờn van: ã PSW = ẵ*UDS*ID*fSW*(tr + tf) • Dịng điện peak cực G: Chọn điện trở cổng • ) • = 1,4(Ω) • = 1,4(Ω) Cơng suất tiêu tán • 0,466(W) •... • Dựa vào đồ thị V-Qg datasheet, chọn điện áp điều khiển: • IGBT: Vge = 0/15 V • QG = 310 nC • Pdrv =15*310 10−9*100000 •=> Pdrv = 0,465 (W) Tính tốn dịng điện peak cực G • Dựa vào datasheet,