Bài tập lớn Điện tử công suất N6

58 3 0
Tài liệu đã được kiểm tra trùng lặp
Bài tập lớn Điện tử công suất N6

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

Thông tin tài liệu

Bản trình bày PowerPoint YÊU CẦU Phần 1 Đặc tính van bán dẫn, mạch Driver và mạch Snubber Phần 2 Chỉnh lưu Tiristor 1 pha Phần 3 Chỉnh lưu Tiristor 3 pha Phần 1 Đặc tính van bán dẫn, mạch Driver và.

YÊU CẦU Phần 1: Đặc tính van bán dẫn, mạch Driver và mạch Snubber Phần 2: Chỉnh lưu Tiristor 1 pha Phần 3: Chỉnh lưu Tiristor 3 pha Phần 1: Đặc tính van bán dẫn, mạch Driver và mạch Snubber 3 Phần 1: Đặc tính van bán dẫn, mạch Driver và mạch Snubber • Yêu cầu: Thiết kế mạch driver, snubber cho IGBT SGL160N60UFD 4 Datasheet 5 Thiết kế mạch driver cho IGBT SGL160N60UFD Các bước thiết kế thông số driver cho IGBT SGL160N60UFD 1 Các thông số thể hiện khả năng đóng cắt củaIGBT 2 Xác định điện áp điều khiển Vge 3 Tính toán dòng điện peak cực G 4 Chọn điện trở cổng 6 Thiết kế mạch driver cho IGBT SGL160N60UFD 1 Các thông số thể hiện khả năng đóng cắt của IGBT Giá trị các tụ ký sinh: IGBT SGL160N60UFD CGC = CRES 200 pF CGE = CIES - CRES 4800 pF CCE = COES - CRES 400 pF 7 Thiết kế mạch driver cho IGBT SGL160N60UFD 2 Xác định điện áp điều khiển Công suất mạch Driver :Pdrv =VGE, max * QG * fSW Dựa vào đồ thị V-Qg trong datasheet, chọn: VGE = -5/15 (V) => QG = 336 (nC) Với fSW = 100000 (Hz) => Pdrv = 15*336*10-9*100000 = 0.504 (W) 3 Tính toán dòng điên peak cực G * Từ datasheet, chọn rise/fall time: tr = 101 (ns), tf = 75 (ns) * Dòng điện peak cực G: ION = IOFF = = 8 Thiết kế mạch driver cho IGBT SGL160N60UFD 4 Lựa chọn điện trở cổng ) = (Ω) = = 1.8 (Ω) Công suất tiêu tán trên (W) 0.938 (W) 9 Thiết kế mạch driver cho IGBT SGL160N60UFD 10 ... Dòng điện peak cực G: ION = IOFF = = Thiết kế mạch driver cho IGBT SGL16 0N60 UFD Lựa chọn điện trở cổng ) = (Ω) = = 1.8 (Ω) Công suất tiêu tán (W) 0.938 (W) Thiết kế mạch driver cho IGBT SGL16 0N60 UFD... sinh viên tham khảo tập điện tử công suất làm ngày 16/11/2021 Mô kiểm chứng phần mềm Matlab với phương pháp xung chùm So sánh kết mô tính tốn lý thuyết Phân tích phổ dịng điện sơ cấp máy biến... - CRES 4800 pF CCE = COES - CRES 400 pF Thiết kế mạch driver cho IGBT SGL16 0N60 UFD Xác định điện áp điều khiển Công suất mạch Driver :Pdrv =VGE, max * QG * fSW Dựa vào đồ thị V-Qg datasheet, chọn:

Ngày đăng: 24/11/2022, 09:37

Tài liệu cùng người dùng

Tài liệu liên quan