1. Trang chủ
  2. » Giáo Dục - Đào Tạo

Các nguyên tắc sáng tạo được sử dụng trong quá trình phát triển của bộ nhớ ram

16 1 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 16
Dung lượng 486,02 KB

Nội dung

TR NG Đ I H C CÔNG NGH THÔNG TIN  Đề tài: CÁC NGUYÊN TẮC TẮC SÁNG TẠO ĐƯỢC SỬ DỤNG TRONG QUÁ TRÌNH PHÁT TRIỂN CỦA BỘ NHỚ RAM GVHD: GS TSKH HOÀNG KI M SVTH : Nguy n Xuân Nghĩa MSSS : CH1101108 L P : Cao h c khóa TP.HCM 04/2012 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com Phương pháp luận khoa học sáng tạo Mục lục Mục lục Lời nói đầu Lịch sử phát triển ram Quá trình phát triển Các loại modul RAM a SIMM (Single In-line Memory Module) b DIMM (Dual In-line Memory Module) c SO-DIMM: (Small Outline Dual In-line Memory Module): Các nguyên tắc sáng tạo áp dụng trình phát triển nhớ RAM Nguyên tắc phân nhỏ Nguyên tắc phản đối xứng Nguyên tắc kết hợp Nguyên tắc vạn Nguyên tắc “chứa trong” 10 Nguyên tắc phản trọng lượng 10 Nguyên tắc thực sơ 10 Nguyên tắc dự phòng 10 Nguyên tắc đẳng 11 10 Nguyên tắc đảo ngược 11 11 Nguyên tắc giải “thiếu” “thừa” 11 12 Nguyên tắc chuyển sang chiều khác 12 13 Sử dụng dao động học 12 14 Nguyên tắc tác động theo chu kỳ 12 15 Nguyên tắc quan hệ phản hồi 13 16 Nguyên tắc sử dụng trung gian 13 Trang LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com Phương pháp luận khoa học sáng tạo 17 Nguyên tắc “rẻ” thay cho “đắt” 13 18 Thay sơ đồ học: 13 19 Sử dụng vỏ dẻo màng mỏng 14 20 Sử dụng vật liệu nhiều lỗ 14 21 Nguyên tắc thay đổi màu sắc 14 22 Nguyên tắc đồng 15 Trang LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com Phương pháp luận khoa học sáng tạo Lời nói đầu Ngày nay, máy tính đóng vai trò quan trọng sống hàng ngày người Máy tính ngày vào sống, cơng việc, giải trí, học hành… Nếu ngày khơng sử dụng máy tính, hẳn bạn cảm thấy thiếu vắng, cảm giác bị gị bó Đối với số người ác mộng công việc, gặp bạn bè, học hành… nằm máy tính Máy tính cấu thành từ nhiều phận khác nhau, phận có nhiệm vụ riêng Trong phận đó, ram phận quan trọng Nó góp phần tăng cường sức mạnh hệ thống, giúp máy tính làm việc trơn tru phải xử lý khối lượng công việc lớn, đặc biệt hệ hệ điều hành đa nhiệm Trong viết này, tơi xin đề cập đến dịng ram thơng dụng thị trường q trình tìm hiểu khơng tránh khỏi thiếu xót, mong thầy bạn góp ý thêm để luận ngày hồn thiện Trang LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com Phương pháp luận khoa học sáng tạo Lịch sử phát triển ram Quá trình phát triển: Ban đầu người ta thiết kế nhớ cho máy tính nhiều cách khác - Những máy tính hệ đầu sử dụng relay làm chức nhớ Những Relay hoạt động theo cách thiết kế Sau Gustav Tauschek phát minh nhớ trống (Drum memory) năm 1932 Áo sử dụng rộng rãi vào năm 1950 vào năm 1960 Dữ liệu chương trình nạp vào khỏi trống cách sử dụng băng giấy thẻ đục lỗ Drum memory dùng làm nhớ kéo dài nhớ bán dẫn đời - Một số Drum memory mở rộng với chi phí thấp việc truy cập vào vị trí khác nhớ phụ thuộc vào cách bố trí trống tốc độ Latches xây dựng hệ thống ống triodes, sau sử dụng transistor Chúng ngày nhỏ nhanh hơn, hình thành ghi Thanh ghi có kích thước tương đối lớn, tốn nhiều lượng đắt sử dụng nhiều, thơng thường, nhớ có vài trăm đến vài ngàn bit - Loại nhớ truy cập ngẫu nhiên Williams giới thiệu lần vào năm 1947 Nó lưu trữ liệu cách thay đổi điện tích điểm bề mặt ống tia âm cực Kể từ chùm tia electron hình CRT đọc ghi theo thứ tự bất kỳ, nhớ truy cập ngẫu nhiên đời Dung lượng ống Williams từ vài trăm đến khoảng ngàn bit Nó nhỏ nhiều, nhanh hơn, sử dụng lượng hiệu cách sử dụng ống Latches - Bộ nhớ lõi từ phát minh vào năm 1947 phát triển năm 1970, trở thành hình thức phổ biến nhớ truy cập ngẫu nhiên Nó dựa loạt vịng đồng tâm có từ tính Dữ liệu lưu trữ cách thay đổi từ tính, bit tương ứng vịng Mỗi vịng có địa để dễ dàng truy cập, vây truy cập vào vị trí nhớ - Trước năm 1970, nhớ lõi từ chuẩn nhớ hệ thống xuất nhớ thể rắn mạch tích hợp Năm 1968 Robert H Dennard phát minh nhớ động truy cập ngẫu nhiên (Dynamic random access memory).Công nghệ cho phép thay transistor transistor bit nhớ, giúp tăng mật độ dung lượng nhớ Dữ liệu lưu tụ điện nhỏ cặp tụ điện - transistor, phải đồng vài mili giây lần Trang LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com Phương pháp luận khoa học sáng tạo - Tùy theo công nghệ chế tạo, người ta phân biệt thành loại:SRAM (Static RAM - RAM tĩnh) DRAM (Dynamic RAM - RAM động)  RAM tĩnh: RAM tĩnh chế tạo theo công nghệ ECL (dùng CMOS BiCMOS) Mỗi bit nhớ gồm có cổng logic với transistor MOS SRAM nhớ nhanh, việc đọc không làm hủy nội dung ô nhớ thời gian truy cập chu kỳ nhớ SRAM bị liệu ngưng cung cấp điện Tuy nhiên mức độ tiêu thụ điện SRAM lúc nhàn rỗi thấp, không đáng kể Tốc độ SRAM nhanh, nhiên giá thành tương đối mắc SRAM thường sử dụng làm nhớ đệm CPU (cache), làm nhớ đệm ổ cứng, ổ cd… transistor ô nhớ RAM tĩnh  RAM động : RAM động dùng kỹ thuật MOS Mỗi bit nhớ gồm transistor tụ điện Việc ghi nhớ liệu dựa vào việc trì điện tích nạp vào tụ điện việc đọc bit nhớ làm nội dung bit bị hủy Do sau lần đọc ô nhớ, phận điều khiển nhớ phải viết lại nội dung nhớ Chu kỳ nhớ theo mà gấp đơi thời gian thâm nhập ô nhớ Việc lưu giữ thông tin bit nhớ tạm thời tụ điện phóng hết điện tích nạp phải làm tươi nhớ sau khoảng thời gian 2μs Việc làm tươi thực với tất ô nhớ nhớ Công việc thực tự động vi mạch nhớ Bộ nhớ DRAM chậm rẻ tiền SRAM Trang LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com Phương pháp luận khoa học sáng tạo transistor tụ điện ô nhớ RAM động Các loại modul RAM Trước đây, loại RAM hãng sản xuất thiết kế cắm chip nhớ bo mạch chủ thơng qua đế cắm (có dạng DIP theo hình minh hoạ), điều thường khơng thuận tiện cho nâng cấp hệ thống Cùng với phát triển chung cơng nghệ máy tính, RAM thiết kế thành modul SIMM, DIMM (theo hình minh hoạ) để thuận tiện cho thiết kế nâng cấp hệ thống máy tính Megabit chip – sử dụng chân cắm DIP, phát triển năm 1989 a SIMM (Single In-line Memory Module)  Được sử dụng làm nhớ máy tính từ đầu năm 1980 đến cuối năm 1990 SIMM thường gắn thành cặp chuẩn hóa theo tiêu chuẩn JEDEC JESD-21C  Hầu hết máy tính đầu sử dụng socketed DIP Sự đời IBM 286 đặt yêu cầu lượng nhớ lớn hơn, tiết kiệm không gian dễ dàng mở rộng nhớ Thay cắm vào tám chín chip DRAM dạng DIP, cần bổ sung module nhớ Vài máy 286 sử dụng nhớ SIPP 30 chân, chúng thường xuyên bị uốn cong gãy trình lắp đặt Đó lý SIMM nhanh chóng dùng để thay DIP Trang LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com Phương pháp luận khoa học sáng tạo Edo ram FPM ram b DIMM (Dual In-line Memory Module) Bao gồm nhiều chip SDRAM gắn mạch in thiết kế để sử dụng máy tính cá nhân, máy trạm máy chủ DIMMs bắt đầu thay SIMM từ vi xử lý Pentium bắt đầu sử dụng rộng rãi Sự khác biệt SIMM DIMM DIMM sử dụng dạng đơn SIMM phải sử dụng dạng cặp Một khác biệt SIMM có băng thơng 32-bit DIMM có băng thơng 64-bit Các dịng Pentium Intel nhà sản xuất khác AMD có băng thơng 64-bit đòi hỏi SIMM cài đặt thành cặp để truy cập vào hai SIMM lúc DIMM đời giải vấn đề DRAM: thiết kế thành để dễ dàng nâng cấp, bổ sung vào hệ thống SDRAM (Viết tắt từ Synchronous Dynamic RAM) gọi DRAM đồng SDRAM bao gồm loại ram sau:  SDR SDRAM (Single Data Rate SDRAM), thường giới chuyên môn gọi tắt "SDR" Có 168 chân Được dùng máy vi tính cũ, bus speed chạy vận tốc với clock speed memory chip, lỗi thời  DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM), thường giới chuyên môn gọi tắt "DDR" Có 184 chân DDR SDRAM cải tiến Trang LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com Phương pháp luận khoa học sáng tạo nhớ SDR với tốc độ truyền tải gấp đôi SDR nhờ vào việc truyền tải hai lần chu kỳ nhớ Đã thay DDR2  DDR2 SDRAM (Double Data Rate SDRAM), Thường giới chuyên môn gọi tắt "DDR2" Là hệ thứ hai DDR với 240 chân, lợi lớn so với DDR có bus speed cao gấp đôi clock speed  DDR III SDRAM (Double Data Rate III Synchronous Dynamic RAM): có tốc độ bus 800/1066/1333/1600 Mhz, số bit liệu 64, điện 1.5v, tổng số pin 240 c SO-DIMM: (Small Outline Dual In-line Memory Module): SO-DIMM có kích thước xấp xỉ nửa kích thước DIMM, thường sử dụng hệ thống bị hạn chế không gian máy tính xách tay , máy tính siêu nhỏ, máy in cao cấp… Các loại SO-DIMM nhận dạng dựa vào khe cắt ram:  100-pin SO-DIMMs có hai khe,  144-pin SO-DIMM có khe gần trung tâm  200-pin SO-DIMM có khe gần bên  204-pin SO-DIMM (DDR3) có khe gần trung tâm so với pin200 SO-DIMM Các loại ram không hốn đổi cho Các vị trí khe thiết kế để ngăn chặn việc gắn nhầm điện hoạt động chúng khác nhau, đồng thời dễ dàng xác định loại ram cách nhanh chóng Đặc điểm chung SO-DIMM chiều dài 6,76 cm chiều rộng 3,175 cm với chiều sâu tối đa 0,38 cm Trang LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com Phương pháp luận khoa học sáng tạo Các nguyên tắc sáng tạo áp dụng trình phát triển nhớ RAM Nguyên tắc phân nhỏ  Nội dung: - Chia đối tượng thành phần độc lập - Làm đối tượng trở nên tháo lắp - Tăng mức độ phân nhỏ đối tượng  Áp d ng nguyên tắc: Ram chia thành modun, modun cấu tạo chip nhớ Vì thiết kế dạng modun nên ram dễ dàng tháo lắp nâng cấp Nguyên tắc phản đối xứng  Nội dung: Chuyển đối tượng có hình dạng đối xứng thành khơng đối xứng (nói chung làm giảm bậc đối xứng)  Áp dụng nguyên tắc: ram thiết kế có khe cắm không đối xứng để không bị gắn ngược, đồng thời loại ram khác có khe cắm chống ngược vị trí khác để không bị nhầm lẫn Nguyên tắc kết hợp  Nội dung - Kết hợp đối tượng đồng đối tượng dùng cho hoạt động kế cận - Kết hợp mặt thời gian hoạt động đồng kế cận  Áp dụng ngun tắc: Bản thân ram khơng hồn tồn nhớ, cịn chứa chip điều khiển để thông báo lưu lượng, độ trễ ram, thời gian truy xuất… Nguyên tắc vạn  Nội dung: Đối tượng thực số chức khác nhau, khơng cần tham gia đối tượng khác  Áp dụng nguyên tắc: Ngoài việc sử dụng làm nhớ máy, ram cịn dùng làm ổ đĩa (ram disk) hệ thống dư ram sử dụng phần ram để lưu trữ đồ họa (share memory) Trang LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com Phương pháp luận khoa học sáng tạo Nguyên tắc “chứa trong”  Nội dung: - Một đối tượng đặt bên đối tượng khác thân lại chứa đối tượng thứ ba - Một đối tượng chuyển động xuyên suốt bên đối tượng khác  Áp dụng nguyên tắc: Thanh ram bao gồm nhiều ô nhớ kết hợp lại mạch điện, ô nhớ lại cấu tạo từ nhiều phần tử nhớ nhỏ Khi cần truy xuất liệu vị trí nào, ta cần đưa địa máy dẫn đến vị trí cần Nguyên tắc phản trọng lượng  Nội dung: - Bù trừ trọng lượng đối tượng cách gắn với đối tượng khác, có lực nâng - Bù trừ trọng lượng đối tượng tương tác với môi trường sử dụng lực thủy động, khí động  Áp dụng nguyên tắc: Ram thiết kế chạy kênh đôi, kênh ba để tăng tốc độ truy cập Hiện thiết bị phần cứng khác có tốc độ phát triển nhanh chóng, chúng ngày hoạt động nhanh, sử dụng tần số lớn Trong ram gặp phải giới hạn Chính nên nhớ kênh đơi, kênh giúp cho hệ thống giảm độ chênh lệch tốc độ ram thiết bị phần cứng khác Nguyên tắc thực sơ  Nội dung: - Thực trước thay đổi cần có, hồn toàn phần, đối tượng - Cần xếp đối tượng trước, cho chúng hoạt động từ vị trí thuận lợi nhất, khơng thời gian dịch chuyển  Áp dụng nguyên tắc: Ram thết kế với hàm, khe chống cắm ngược để không bị cắm sai, sử dụng không loại ram Đồng thời giúp nhận diện nhanh chóng loại ram khác thị trường Nguyên tắc dự phòng  Nội dung: Bù đắp độ tin cậy không lớn đối tượng cách chuẩn bị trước phương tiện báo động, ứng cứu, an toàn  Áp dụng nguyên tắc: Trang 10 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com Phương pháp luận khoa học sáng tạo Ram có hệ thống kiểm tra lỗi ECC (Error Correction Code) Ðây kỹ thuật để kiểm tra sửa lổi trường hợp bit memory bị sai giá trị lưu chuyển data Những loại RAM có ECC thường dùng cho loại computer quan trọng server Nguyên tắc đẳng  Nội dung: Thay đổi điều kiện làm việc để nâng lên hay hạ xuống đối tượng  Áp dụng nguyên tắc: Các dòng ram sau ngày dung lượng lớn, tốc độ nhanh Để làm điều này, nhà thiết kế giảm điện áp làm việc ram xuống để giảm nhiễu tiết kiệm lượng, đồng thời nâng tần số làm việc ram lên 10 Nguyên tắc đảo ngược  Nội dung: - Thay hành động u cầu tốn, hành động ngược lại (ví dụ: khơng làm nóng mà làm lạnh đối tượng) - Làm phần chuyển động đối tượng (hay môi trường bên ngoài) thành đứng yên ngược lại, phần đứng yên thành chuyển động - Lật ngược đối tượng  Áp dụng nguyên tắc: Trước chip ram tháo lắp được, thể thông qua kết nối DIP, điều gây bất ti n tháo lắp nhớ dễ gây cong, gãy chân Chính nhà thiết kế cải tiến chip ram gắn cố định lên modun Modun dễ dàng tháo lắp, giúp trình nâng cấp nhớ đơn giản 11 Nguyên tắc giải “thiếu” “thừa”  Nội dung: Nếu khó nhận 100% hiệu cần thiết, nên nhận nhiều “một chút” Lúc tốn trở nên đơn giản dễ giải  Áp dụng nguyên tắc: Đối với nh ng chương trình địi hỏi nhiều nhớ ram số lượng ram thực tế máy Vậy để chạy chương trình đó, phải nâng cấp, mở rộng dung lượng ram trước ( gồn nhiều bước: chọn loại, chọn dung lượng, tốn tiền, tốn thời gian….) Có cách đơn giản nhiều sử dụng nhớ ảo (vitual memory), giúp hệ thống sử dụng thêm dung Trang 11 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com Phương pháp luận khoa học sáng tạo lượng ổ đĩa cứng làm nơi lưu trữ tương tự ram Tuy nhiên tốc độ so sánh với ram thực tốc độ truy cập ổ cứng chậm ram nhiều 12 Nguyên tắc chuyển sang chiều khác  Nội dung: - Những khó khăn chuyển động (hay xếp) đối tượng theo đường (một chiều) khắc phục cho đối tượng khả di chuyển mặt phẳng (hai chiều) Tương tự, toán liên quan đến chuyển động (hay xếp) đối tượng mặt phẳng đơn giản hoá chuyển sang không gian (ba chiều) - Chuyển đối tượng có kết cấu tầng thành nhiều tầng - Đặt đối tượng nằm nghiêng - Sử dụng mặt sau diện tích cho trước - Sử dụng luồng ánh sáng tới diện tích bên cạnh tới mặt sau diện tích cho trước  Áp dụng nguyên tắc: Ban đầu nhớ lưu trữ relay, ống tia âm cực chúng vừa chậm, vừa cồng kềnh, lưu trữ mà lại tốn nhiều lượng Với đời mạch tích hợp giải vấn đề Bộ nhớ ngày hoạt động nhanh, tốn điện, dung lượng lớn, kích thước nhỏ 13 Sử dụng dao động học  Nội dung: - Làm đối tượng dao động Nếu có dao động, tăng tầng số dao động ( đến tầng số siêu âm) - Sử dụng tầng số cộng hưởng - Thay dùng rung học, dùng rung áp điện - Sử dụng siêu âm kết hợp với trường điện từ  Áp dụng nguyên tắc: Ngày thiết bị vi tính thường thiết kế với tần số ngày cao Tầng số cao làm cho công việc hoàn thành thời gian ngắn hơn, dẫn đến tốc độ làm việc cao 14 Nguyên tắc tác động theo chu kỳ  Nội dung: - Chuyển tác động liên tục thành tác động theo chu kỳ (xung) - Nếu có tác động theo chu kỳ, thay đổi chu kỳ Trang 12 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com Phương pháp luận khoa học sáng tạo - Sử dụng khoảng thời gian xung để thực tác động khác  Áp dụng nguyên tắc: Đối với DRAM, cần nạp điện lại cho chip nhớ định kỳ để đảm bảo liệu trì liên tục 15 Nguyên tắc quan hệ phản hồi  Nội dung: - Thiết lập quan hệ phản hồi - Nếu có quan hệ phản hồi, thay đổi  Áp dụng nguyên tắc: SRAM sử dụng rộng rãi thiết bị đòi hỏi tiết kiệm điện chúng tiêu thụ điện chế độ nhàn rỗi chế độ hoạt động chúng tiêu thụ nhiều điện Càng hoạt động mạnh tốn nhiều điện 16 Nguyên tắc sử dụng trung gian  Nội dung: Sử dụng đối tượng trung gian, chuyển tiếp  Áp dụng nguyên tắc: Sử dụng boad mạch nhỏ để làm cầu nối chip nhớ đến chân cắm nằm main 17 Nguyên tắc “rẻ” thay cho “đắt”  Nội dung : Thay đối tượng đắt tiền đối tượng rẻ có chất lượng (thí dụ tuổi thọ)  Áp dụng nguyên tắc: Thay sử dụng SRAM mắc tiền, người ta sử dụng DRAM để sản xuất nhiều ram vừa có dung lượng lớn, vừa rẻ tiền mà đáp ứng yêu cầu người sử dụng 18 Thay sơ đồ học:  Nội dung: - Thay sơ đồ học điện, quang, nhiệt, âm mùi vị - Sử dụng điện trường, từ trường điện từ trường tương tác với đối tượng - Chuyển trường đứng yên sang chuyển động, trường cố định sang thay đổi theo thời gian, trường đồng sang có cấu trúc định - Sử dụng trường kết hợp với hạt sắt từ Trang 13 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com Phương pháp luận khoa học sáng tạo  Áp dụng nguyên tắc: Trước để lưu liệu, nhà sản xuất sử dụng vật nhiễm từ, đặc điểm công nghệ thời gian truy xuất liệu ngẫu nhiên không cao Hiện chuyển sang sử dụng chip nhớ dạng ma trận nên truy xuất ô nhớ với tốc độ 19 Sử dụng vỏ dẻo màng mỏng  Nội dung: - Sử dụng vỏ dẻo màng mỏng thay cho kết cấu khối - Cách ly đối tượng với mơi trường bên ngồi vỏ dẻo màng mỏng để bảo vệ lớp mạch, làm cho sản phẩm có độ bền cao, người ta tiến hành phủ lên bên ngồi bo mạch lớp bảo vệ, có tác dụng chống ơxi hóa, mài mịn…  Áp dụng ngun tắc: Phủ bên bo mạch ram lớp bảo vệ đẻ chống ăn mịn, chống ơxi hóa, đồng thời tạo nên vẻ đẹp, sắc sảo linh kiện 20 Sử dụng vật liệu nhiều lỗ  Nội dung: - Làm đối tượng có nhiều lỗ sử dụng thêm chi tiết có nhiều lỗ (miếng đệm, phủ ) - Nếu đối tượng có nhiều lỗ, sơ tẩm chất  Áp dụng nguyên tắc: Gắn thêm lớp tản nhiệt số loại ram hoạt động điều kiện khắc nghiệt loại ram có khả hoạt động vượt cơng suất thiết kế (over lock) 21 Nguyên tắc thay đổi màu sắc  Nội dung: - Thay đổi màu sắc đối tượng hay mơi trường bên ngồi - Thay đổi độ suốt của đối tượng hay mơi trường bên ngồi - Để quan sát đối tượng trình, sử dụng chất phụ gia màu, hùynh quang - Nếu chất phụ gia sử dụng, dùng nguyên tử đánh dấu - Sử dụng hình vẽ, ký hiệu thích hợp  Áp dụng nguyên tắc: Các khe cắm ram có hỗ trợ kênh đơi, kênh thường có màu sắc giống Ví dụ main hỗ trợ dual chanel mà có khe ram, thơng thường khe màu Trang 14 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com Phương pháp luận khoa học sáng tạo vàng, khe màu đen Khi cần sử dụng chế độ này, đơn giản gắn ram tương đương khe màu 22 Nguyên tắc đồng  Nội dung: Những đối tượng, tương tác với đối tượng cho trước, phải làm từ vật liệu (hoặc từ vật liệu gần tính chất) với vật liệu chế tạo đối tượng cho trước  Áp dụng nguyên tắc: Để nâng cao độ tiếp xúc khe cắm chân ram Người ta thường chế tạo chúng loại vật liệu dẫn điện Trang 15 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com ... Module): Các nguyên tắc sáng tạo áp dụng trình phát triển nhớ RAM Nguyên tắc phân nhỏ Nguyên tắc phản đối xứng Nguyên tắc kết hợp Nguyên tắc vạn ... pháp luận khoa học sáng tạo Lịch sử phát triển ram Quá trình phát triển: Ban đầu người ta thiết kế nhớ cho máy tính nhiều cách khác - Những máy tính hệ đầu sử dụng relay làm chức nhớ Những Relay... download : add luanvanchat@agmail.com Phương pháp luận khoa học sáng tạo Các nguyên tắc sáng tạo áp dụng trình phát triển nhớ RAM Nguyên tắc phân nhỏ  Nội dung: - Chia đối tượng thành phần độc lập

Ngày đăng: 01/11/2022, 15:09

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w