Đang tải... (xem toàn văn)
Trong bài viết này, một cấu hình và phương pháp PWM mới cho nghịch lưu ba bậc tăng áp tựa khóa chuyển mạch hình T để giảm điện áp đặt trên tụ được trình bày. Trạng thái ngắn mạch (ST) được chèn vào các vector zero để không ảnh hưởng đến điện áp đầu ra.
JOURNAL OF TECHNOLOGY EDUCATION SCIENCE Ho Chi Minh City University of Technology and Education Website: https://jte.hcmute.edu.vn/ Email: jte@hcmute.edu.vn ISSN: 1859-1272 Three Level Boost Inverter with Reduction Stress Voltage of Capacitor Tran Thi Quynh Nhu1, Nguyen Thanh Long2, Le Van Thiep3, Do Duc Tri 1* Ho Chi Minh City University of Technology and Education, Vietnam An giang Power company, Vietnam Southern Power Service Company-Kien Giang power service subsidiary, Vietnam * Corresponding author Email: tridd@hcmute.edu.vn ARTICLE INFO Received: 8/2/2022 Revised: 19/4/2022 Accepted: 4/5/2022 Published: 30/8/2022 ABSTRACT In this paper, a new topology and pulse-width modulation (PWM) strategy for the three-level quasi-switched boost T-type inverter (TL-MqSBT2I) to reduce stress voltage of capacitor is presented The Shoot through (ST) state is inserted into zero vector in order not to affect the output voltage The new topology of intermediate network is also presented to improve the boost factor and voltage gain As a result, the voltage stress on power devices like capacitors, diodes, and power switches is decreased, significantly Shoot through pulse control method can decrease voltage stress on capacitor up to 40% as compared to the traditional control method when the duty cycle D is 0.15 and duty cycle D1 is 0.7 By controlling the technique of alternating short-through between impedance source network and T-Type inverter The operation principle and overall control strategy for this configuration are also detailed The simulation is implemented with the help of PSIM software to demonstrate the accuracy of this strategy KEYWORDS Multilevel inverter; Z Source; Quasi Switch Boost; T-Type inverter; High boost factor Nghịch Lưu Tăng Áp Ba Bậc Với Khả Năng Giảm Điện Áp Đặt Trên Tụ Trần Thị Quỳnh Như1, Nguyễn Thanh Long2, Lê Văn Thiếp3, Đỗ Đức Trí1* Đại học Sư phạm Kỹ thuật Thành Phố Hồ Chí Minh, Việt Nam Công ty điện lực An Giang, Việt Nam Cơng ty dịch vụ điện lực Miền Nam-Xí nghiệp dịch vụ điện lực Kiên Giang, Việt Nam * Corresponding author Email: tridd@hcmute.edu.vn THÔNG TIN BÀI BÁO Ngày nhận bài: 8/2/2022 Ngày hoàn thiện: 19/4/2022 Ngày chấp nhận đăng: 4/5/2022 Ngày đăng: 30/8/2022 TỪ KHÓA Nghịch lưu đa bậc; Nguồn Z; Tăng áp tựa khóa chuyển mạch; Nghịch lưu hình T; Hệ số tăng áp cao TÓM TẮT Trong báo này, cấu hình phương pháp PWM cho nghịch lưu ba bậc tăng áp tựa khóa chuyển mạch hình T để giảm điện áp đặt tụ trình bày Trạng thái ngắn mạch (ST) chèn vào vector zero để không ảnh hưởng đến điện áp đầu Cấu hình mạng nguồn kháng trình bày để cải thiện hệ số tăng áp độ lợi điện áp Kết điện áp đặt phần tử công suất giống tụ điện, diode khóa chuyển mạch cơng suất giảm cách đáng kể Phương pháp điều khiển xung ngắn mạch giảm điện áp đặt tụ điện lên đến 40% so với phương pháp điều khiển truyền thống chu kỳ đóng D0 0.15 chu kỳ đóng D1 0.7 Bằng cách điều khiển kỹ thuật xung xen kẽ mạng nguồn kháng nghịch lưu hình T Nguyên lý hoạt động phương pháp điều khiển tổng thể cho cấu hình trình bày chi tiết Kết mô thực với trợ giúp phần mềm PSIM để chứng minh tính xác phương pháp Doi: https://doi.org/10.54644/jte.71B.2022.1134 This is an open access article distributed under the terms and conditions of the Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License which permits unrestricted use, distribution, and reproduction in any medium for non-commercial purpose, provided the original work is properly cited Copyright © JTE JTE, Issue 71B, August 2022 29 JOURNAL OF TECHNOLOGY EDUCATION SCIENCE Ho Chi Minh City University of Technology and Education Website: https://jte.hcmute.edu.vn/ Email: jte@hcmute.edu.vn ISSN: 1859-1272 Giới thiệu Nghịch lưu nguồn áp (VSI) ngày ứng dụng rộng rãi hệ thống như: hệ thống điện PV dân dụng nối lưới, hệ thống tua bin điện gió, hệ thống nguồn dự phịng UPS, động AC, xe điện,… [1], [2] So với nghịch lưu hai bậc truyền thống (Hình 1), năm gần nghịch lưu đa bậc [3] sử dụng phổ biến với ưu điểm như: chất lượng điện đầu tốt hơn, giảm kích thước lọc LC Theo số khảo sát, VSI đa bậc truyền thống thường hoạt động trạng thái giảm áp Do vậy, để sử dụng VSI cho mục đích tăng áp cần tăng cường DC/DC tăng áp phía trước nghịch lưu Điều gây tăng kích thước chi phí đầu tư cho nghịch lưu S1a S1b S1c A Vdc TẢI B C C S2a S2b S2c Hình Cấu trúc nghịch lưu nguồn áp truyền thống Ngồi ra, VSI khơng cho phép hai khóa công suất nhánh dẫn đồng thời (ngắn mạch Shoot Through) Hiện tượng làm ngắn mạch nguồn áp đầu vào nghịch lưu gây hư hỏng hệ thống nghịch lưu Để hạn chế ảnh hưởng vấn đề ngắn mạch, dead-time thường sử dụng Tuy vậy, việc sử dụng dead-time làm suy giảm hiệu suất chuyển đổi Nghịch lưu dùng nguồn Z (Z Source) giới thiệu nghiên cứu [4] đề xuất để khắc phục hạn chế nghịch lưu nguồn áp truyền thống Cấu hình biết đến mạch chuyển đổi công suất có khả tăng - giảm áp chặng có khả chống lại tượng trùng dẫn Tuy vậy, nghịch lưu nguồn Z tồn số nhược điểm như: dòng điện đầu vào gián đoạn điện áp đặt tụ lớn Để cải thiện bất lợi nghịch lưu mạng nguồn Z, mạng nghịch lưu tựa nguồn Z (qZSI) trình bày [5] để thay cho mạng nghịch lưu nguồn Z Nghiên cứu [5] cấu hình nghịch lưu ba bậc hình T tựa nguồn Z kết hợp hai phần mạng nguồn kháng (qZS) nghịch lưu bậc hình T Mạng qZS gồm có cuộn cảm (L1, L2, L3, L4), tụ điện (C1, C2, C3, C4) diode (D1, D2), chúng ghép với để tạo điểm (0) Nghiên cứu [5] không kế thừa thuận lợi nghịch lưu nguồn áp truyền thống nghịch lưu nguồn Z mà cải thiện bất lợi nguồn Z Trong nghiên cứu [6] giới thiệu mạng nghịch lưu bậc tựa nguồn Z (Quasi Z Source) kết hợp với cấu hình nghịch lưu hình T hoạt động điều kiện cân điểm kỹ thuật vector khơng gian Tuy nhiên sử dụng nhiều phần tử công suất thụ động kích thước, trọng lượng chuyển đổi gia tăng Để khắc phục nhược điểm nghịch lưu tựa nguồn Z, số báo trình bày cấu hình nghịch lưu tăng áp tựa khóa chuyển mạch pha [7]-[12] Việc sử dụng hai cuộn dây, hai tụ điện giúp cho [7] giảm kích thước trọng lựng hệ thống Tuy nhiên, với phương pháp chèn xung ngắn mạch đồng thời, điều làm cho độ gợn dòng điện cuộn dây tăng áp cao số điều chế thấp Để giảm độ gợn dòng điện cuộn dây tăng áp độ lợi điện áp cao so với cấu hình tương tự nghiên cứu [8] đề xuất Một đề xuất trình bày [9], với khả tăng hệ số tăng áp mà trì thuận lợi [8] Với việc sử dụng cấu hình với [8], nhiên nghiên cứu [10] mạng nghịch lưu bậc tựa khóa chuyển mạch hình T hoạt động chế độ bình thường chịu lỗi mà giữ thuận lợi nghiên cứu [8] Trong nghiên cứu [11], [12] trình bày phương pháp cấu hình nghịch lưu bậc tựa khóa chuyển mạch hình T với kỹ thuật chèn xung theo phương pháp vector khơng gian, phương pháp có khả giảm triệt tiêu điện áp commom mode mà giảm độ gợn dòng điện cuộn dây tăng áp tăng số điều chế so với [8] Với mục tiêu giảm điện áp đặt phần tử công suất thụ động mạng nguồn kháng cấu hình nghịch lưu tăng áp tựa khóa chuyển mạch hai bậc đề xuất nghiên cứu [13] JTE, Issue 71B, August 2022 30 JOURNAL OF TECHNOLOGY EDUCATION SCIENCE Ho Chi Minh City University of Technology and Education Website: https://jte.hcmute.edu.vn/ Email: jte@hcmute.edu.vn ISSN: 1859-1272 Trong báo này, cấu hình và phương pháp điều khiển tiêm hài bậc nhằm mục đích giảm điện áp đặt phần tử công suất mạng nguồn kháng mà giữ khả giảm độ gợn dòng điện cuộn dây tăng áp [8] Nguyên lý hoạt động giải thuật chèn xung ngắn mạch cho cấu hình nghịch lưu tăng áp tựa khóa chuyển mạch hình T phân tích kết mơ phần mềm PSIM thực để kiểm chứng sở lý thuyết Cấu hình nghịch lưu tăng áp tựa khóa chuyển mạch hình T ba bậc L1 D1 T1 D2 Vdc/2 P Sa1 Sb1 Sc1 ia Ra ib Rb C1 Sa2 O D3 C2 T2 D4 N LC Filter Sb2 Vdc/2 Sc2 Sa3 Sb3 G ic R c Sc3 L2 Hình Cấu trúc ba bậc qSBT2I Nghịch lưu tăng áp tựa khóa chuyển mạch hình T ba bậc (3L qSBT 2I) kết hợp hai chặng mạng nguồn kháng (qSB) nghịch lưu bậc hình T truyền thống Mạng nguồn kháng (qSB) gồm có nguồn DC đầu vào chia thành nguồn DC đưa đến mạng nguồn kháng độc lập Mỗi mạng nguồn kháng gồm có: cuộn cảm (L1), tụ điện (C1), diode (D1, D2), khóa cơng suất IGBT (mạng nguồn kháng phía trên) Các phần tử mạng nguồn kháng kết nối với để tạo điểm (O) Điểm hai đầu mạng qSB (P, N) cung cấp lượng cho mạch nghịch lưu bậc hình T truyền thống gồm nhánh (pha a, b, c), nhánh gồm IGBT Trong đó, khóa hai chiều cấu tạo IGBT mắc ngược chiều trình bày Hình L1 D1 L1 D1 L1 D1 IL1 T1 C1 IL1 T1 C1 IL1 T1 C1 D2 Vdc/2 D2 Vdc/2 O O Vdc/2 O Vdc/2 D3 D2 Vdc/2 Vdc/2 D3 D3 IL2 T2 C2 IL2 T2 C2 IL2 T2 C2 L2 D4 L2 D4 L2 D4 (a) (b) (c) Hình Nguyên lý hoạt động 3L qSBT2I (a) trạng thái ST, (b) trạng thái NST1, (c) trạng thái NST2 Với cấu trúc bậc, nghịch lưu hình T có khả tạo cấp điện áp đầu cách kích đóng khóa S1x (x = a, b, c) điện áp VXO đạt giá trị +VC Điện áp VXO đạt giá trị khóa S2x kích đóng Tương tự, điện áp VXO đạt giá trị –VC cách kích đóng S3x 2.1 Ngun lý hoạt động Cấu hình nghịch lưu tăng áp bậc tựa khóa chuyển mạch hình T với khả giảm điện áp đặt tụ (3L-qSBT2I-RSV) có hai trạng thái chuyển mạch “Khơng ngắn mạch (NST)” “Ngắn mạch (ST)” Hình trình bày trạng thái hoạt động 3L-qSBT2I-RSV JTE, Issue 71B, August 2022 31 JOURNAL OF TECHNOLOGY EDUCATION SCIENCE Ho Chi Minh City University of Technology and Education Website: https://jte.hcmute.edu.vn/ Email: jte@hcmute.edu.vn ISSN: 1859-1272 2.1.1 Trạng thái không ngắn mạch (NST) Trạng thái NST 1: khóa T1 khóa T2 kích đóng trình bày Hình 3(a) Kết diode D1 D4 bị phân cực ngược Trong diode D2, D3 phân cực thuận Năng lượng tích trữ cuộn dây L1 L2 hai khóa T1, T2 D2, D3 mạng nguồn kháng Mạch nghịch lưu làm việc mạch nghịch lưu hình T truyền thống đại diện nguồn dịng Hình 3(b) Điện áp đặt cuộn dây L1 L2 xác định sau: VL1 VL2 (1) Trạng thái NST 2: khóa T1 khóa T2 kích ngắt trình bày Hình 3(b) Kết tất diode D1, D2, D3 D4 phân cực thuận Năng lượng nạp cho tụ điện C1 C2 từ cuộn dây L1 L2 Mạch nghịch lưu làm việc mạch nghịch lưu hình T truyền thống đại diện nguồn dịng Hình 3(c) Điện áp đặt cuộn dây L1 L2 xác định sau: VL1 VC1 VL VC (2) 2.1.2 Trạng thái ngắn mạch Khóa T1 T2 kích đóng đồng thời với tất khóa bên phía nghịch lưu hình T, S1x-S3x trình bày hình 3(c) Kết diode D2 D3 bị phân cực ngược Trong diode D1, D4 phân cực thuận Năng lượng tích trữ cuộn dây L1 L2 từ nguồn điện đầu vào Vdc Điện áp đặt cuộn dây L1 L2 biểu diễn sau: VLP VLN Vdc / (3) 2.2 Phương pháp điều khiểm tiêm hài bậc cho 3L-qSBT2I-RSV VST Vcon T Va T/4 Vcar1 Vcar2 -Va Tiêm hài bậc t -Vcon -VST -1 IL1=IL2 T1=T2 Sa1 Sa2 Sa3 t t t t DST.T/2 D0.T/2 Ngắn mạch (ST) t Hình Phương pháp điều khiển tiêm hài bậc cho pha A nghịch lưu 3L qSBT2I Hình trình bày phương pháp điều khiển PWM cho 3L qSBT2I dựa vào phương pháp tiêm hài bậc Tương tự phương pháp PWM truyền thống dựa vào kỹ thuật điều khiển dịch pha cho 3L-T2I, phương pháp điều khiển sử dụng hai dạng sóng tín hiệu tham chiếu (Vx -Vx, x=a, b, c) với sóng mang tần số cao Vcar1 để tạo điện áp cực đầu ba bậc Sóng mang Vcar1 kết hợp với số điện áp VST -VST để tạo tín hiệu điều khiển cho khóa nghịch lưu ba bậc hình T Ngồi ra, tín hiệu điều khiển cho hai khóa T1, T2 mạng nguồn kháng thực tín hiệu Vcar2 so sánh với hai số điện áp Vcon -Vcon Lưu ý, sóng mang Vcar2 lệch 900 (như trình bày hình 4) so với sóng mang Vcar1 với mục đích giảm độ gợn dịng điện cuộn dây tăng áp Tín hiệu tham chiếu ba pha định nghĩa sau: JTE, Issue 71B, August 2022 32 JOURNAL OF TECHNOLOGY EDUCATION SCIENCE Ho Chi Minh City University of Technology and Education Website: https://jte.hcmute.edu.vn/ Email: jte@hcmute.edu.vn ISSN: 1859-1272 Va / 3m sin( ) m sin(3 ) Vb / 3m sin( 2 / 3) m sin(3 ) Vc / 3m sin( 2 / 3) m sin(3 ) (4) Với: m số điều chế Va, Vb, Vc tín hiệu tham chiếu 2.3 Phân tích trạng thái ổn định Trong chu kỳ đóng ngắt, thời gian tác dụng trạng thái NST1 D1T trạng thái ngắn mạch ST chu kỳ sóng mang D0T Do đó, xác định thời gian tồn trạng thái NST2 (1 – D0 – D1)T Với D1 chu kỳ ngắn mạch mạng nguồn kháng, D0 chu kỳ ngắn mạch nghịch lưu hình T Với giả thuyết điện dung tụ điện đủ lớn để điện áp đặt tụ xem số, áp dụng tính chất cân điện áp cuộn dây, xác định điện áp tụ điện áp DC-link 3L-MqSBT2I-RSV sau: D0 VC VCP VCN V D0 D1 dc D0 VPN Vdc 2.VC V D0 D1 dc (5) (6) Khi đó, giá trị đỉnh điện áp đầu tải xác định sau: Vx, peak m VPN m D0 Vdc 3 D0 DST (7) Với m số điều chế phần nghịch lưu Hệ số tăng áp (B) xác định sau: V D0 B PN (8) Vdc D0 D1 Độ lợi điện áp chuyển đổi xác định sau: Vx , peak D0 m (9) G Vdc D0 D1 Mối quan hệ số điều chế tỷ số đóng mạng nguồn kháng, tỷ số đóng nghịch lưu hình T định nghĩa sau: 0 m (10) m D0 D D 1 Hình trình bày điện áp đặt phần tử công suất mạng nguồn kháng điện áp đặt tụ, điện áp đặt diode điện áp đặt khóa điều khiển mạng nguồn kháng Tại độ lợi điện áp 4, điện áp đặt tụ phương pháp đề xuất theo tỷ số điện áp đặt tụ Vc so với điện áp đầu vào Vdc điện áp đặt tụ phương pháp [6] phương pháp [7]-[12] 7.5 trình bày hình (a) Kết phương pháp đề xuất giảm 40% so với phương pháp [6] 50% so với phương pháp [7]-[12] Tương tự, hình (b) trình bày điện áp đặt diode phương pháp đề xuất theo tỷ số điện áp đặt diode VD so với điện áp đầu vào Vdc 3.7 điện áp đặt diode phương pháp [6] 6.3 phương pháp [7]-[12] 12.5 độ lợi điện áp Hình (c) trình bày điện áp đặt khóa cơng suất phương pháp đề xuất theo tỷ số điện áp khóa cơng suất VS so với điện áp đầu vào Vdc điện áp tụ phương pháp [7]-[12] 7.5 JTE, Issue 71B, August 2022 33 JOURNAL OF TECHNOLOGY EDUCATION SCIENCE Ho Chi Minh City University of Technology and Education Website: https://jte.hcmute.edu.vn/ Email: jte@hcmute.edu.vn ISSN: 1859-1272 Hình So sánh điện áp phần tử công suất phương pháp đề nghị phương pháp [6], [7]-[12] Kết mơ Nhóm nghiên cứu tiến hành mơ hỗ trợ phần mềm PSIM với thông số sau: Bảng Các thông số mô nghịch lưu Thông số thành phần Giá trị Điện áp đầu vào Vg 200V Điện áp đầu Vo 220V Tần số đầu fo 50 Hz Tần số sóng mang fs kHz Tỉ số ngắn mạch mạng nguồn kháng D1 0.7 Tỉ số ngắn mạch nghịch lưu hình T D0 0.21 Chỉ số điều chế M 0.79 Điện cảm L 3mH Tụ điện C2 = C3 2200 F Mạch lọc LC Lf Cf mH 10 F Tải trở Rt 40 Ω JTE, Issue 71B, August 2022 34 JOURNAL OF TECHNOLOGY EDUCATION SCIENCE Ho Chi Minh City University of Technology and Education Website: https://jte.hcmute.edu.vn/ Email: jte@hcmute.edu.vn ISSN: 1859-1272 (a) (b) Hình Kết mơ dạng sóng điện áp 3L-qSBT2I-RSV: (a) Điện áp đầu vào, điện áp tụ, điện áp cực điện áp pha đầu ra; (b) điện áp DC-link (VPN) điện áp dây đầu VAB Hình 6(a) trình bày kết mơ cho cấu hình 3L-qSBT2I-RSV điện áp đầu vào Vdc = 200V D0 = 0.21 Nhìn từ xuống dưới: điện áp đầu vào Vdc điện áp tụ C1, C2, điện áp pha so với trung tính nguồn VAO, điện áp pha đầu VAG, điện áp pha đầu VAG hài bậc Như trình bày Hình điện áp tụ C1 C2 tăng áp lên 240 V 240 V từ điện áp đầu vào 200 V Điện áp pha so với tâm nguồn (VA0) có điện áp 340 V, -340 V, điện áp pha đầu (VAG) có bậc điện áp pha đầu hài bậc đỉnh 310 V Hình 6(b) Điện áp DC-link (VPN) mô với giá trị thay đổi từ zero tới giá trị đỉnh 670 V Giá trị đỉnh điện áp dây VAB với giá trị đỉnh điện áp DC-link giá trị VAB thay đổi từ zero tới giá trị đỉnh 670 V (a) (b) Hình Dạng sóng tín hiệu điều khiển cho điện áp DC-link (VPN) dòng điện đầu vào (IL), khóa cơng suất mạng nguồn kháng (VT1) điện áp Diode (VD1 VD2 Vdc = 200 V D1 = 0.7 JTE, Issue 71B, August 2022 35 JOURNAL OF TECHNOLOGY EDUCATION SCIENCE Ho Chi Minh City University of Technology and Education Website: https://jte.hcmute.edu.vn/ Email: jte@hcmute.edu.vn ISSN: 1859-1272 Hình 7(a) trình bày kết dạng sóng điện áp DC-link, dạng sóng dịng điện cuộn dây tăng áp, dạng sóng điện áp đặt khóa T1, dạng sóng diode D1, D2 Khi trạng thái ngắn mạch (ST), D2 phân cực ngược cuộn dây tăng áp L1 tích lũy lượng khoảng thời gian dịng điện gia tăng tuyến tính Độ gợn dịng điện cuộn dây tăng áp mơ A Hình 7(b) trình bày kết mơ cuộn dây tăng áp, điện áp pha đầu dịng điện pha đầu Như trình bày hình 7(b) sử dụng mạch lọc cho điện áp ba pha đầu độ méo hài tổng (THD) dòng điện xác định 1.32%, điện áp đầu 220 VRMS dòng điện đầu 1.45ARMS Kết luận Bài báo trình bày mạng nguồn kháng qSB kết nối với nghịch lưu ba bậc hình T Bên cạnh tính tăng, giảm áp (Buck-Boost) đa bậc Cấu hình 3L-qSBT2I-RSV cịn có khả giảm điện áp tụ lên đến 40% so với báo [6] 50% so với báo [7]-[12] chu kỳ đóng D0 0.21 chu kỳ đóng D1 0.7 Nguyên lý hoạt động kết mô cho cấu hình 3L-qSBT2I-RSV phân tích phù hợp với sở lý thuyết Cấu hình giải thuật cho 3L-qSBT2I-RSV phù hợp với ứng dụng công suất trung bình nhỏ như: hệ thống PV, pin nhiên liệu động Lời cám ơn Bài báo thực phịng thí nghiệm điện tử công suất nâng cao D405 với hỗ trợ dự án thuộc năm 2022 Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật Thành phố Hồ Chí Minh Danh mục từ viết tắt 3L Three level PWM Pulse Width Modulation NPC Neutral point clamped qSB Quasi-Z-Source qZSI Quasi-Z-Source Inverter SPWM Sine Pulse Width Modulation T 2I T-Type inverter ST Shoot Through NST Non Shoot Through 3L Three level TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] Mohammad Ahmad, Anil Kumar Jha, Sitaram Jana and, Kishore Kumar, “Simulation and Performance Analysis of a Grid Connected Multilevel Inverter Considering Either Battery or Solar PV as DC Input Sources”, IEEE, 978-1-5090- 6218-8/17, 2017 [2] Ngô Văn Quang Bình, Nguyễn Văn Liễn, “Ứng dụng nghịch lưu áp đa mức hệ truyền động”, Tạp chí Khoa Học Công Nghệ, đại học Đà Nẵng, số 1(36), xuất năm 2010 [3] Ngo Bac Bien, Nguyen Minh Khai, Do Duc Tri, Ngo Van Thuyen, “Bộ nghịch lưu chuyển tụ điện bậc”, Tạp chí Khoa Học Giáo Dục Kỹ Thuật, Đại học Sư Phạm Kỹ Thuật Tp HCM, số 44A, xuất tháng 10 năm 2017 [4] F Z Peng, ‘‘Z-source inverter,’’ IEEE Trans Ind Appl., vol 39, no 2, pp 504–510, Mar./Apr 2003 [5] Lê Hoàng Linh.; Hồ Anh khoa.; Đỗ Đức Trí.; Trần Vĩnh Thanh.; Quach, T.H, “Nghịch lưu pha bậc hình T có khả chịu lỗi,” Tạp chí khoa học kỹ thuật số 54, pp 50-57, 2019 [6] Xing, X.; Zhang, C.; Chen, A.; He, J.; Wang, W.; Du, C Space-Vector-Modulated Method for Boosting and Neutral Voltage Balancing in Z-Source Three-Level T-Type Inverter IEEE Trans Ind Appl 2016, 52, 1621-1631 JTE, Issue 71B, August 2022 36 JOURNAL OF TECHNOLOGY EDUCATION SCIENCE Ho Chi Minh City University of Technology and Education Website: https://jte.hcmute.edu.vn/ Email: jte@hcmute.edu.vn ISSN: 1859-1272 [7] Sahoo, M.; Keerthipati, S Fault tolerant three-level boost inverter with reduced source and LC count IET Power Electron 2018, 11, 399-405 [8] Do, D T.; Nguyen M K Three-Level Quasi-Switched Boost T-Type Inverter: Analysis, PWM Control, and Verification, IEEE Transactions on Industrial Electronics, 2018, 65, 10, 8320–8329 [9] Do, D.T.; Tran, V.T.; Nguyen, M.K Enhanced Boost Factor for Three-Level Quasi- Switched Boost T-Type Inverter Energies 2021, Vol 14, 13, 1-17 [10] Do, D T.; Nguyen, M K.; Quach, T H.; Tran, V T.; Blaabjerg, F.; Vilathgamuwa, D M “A PWM Scheme for a Fault-Tolerant ThreeLevel Quasi-Switched Boost T-Type Inverter” IEEE J Emerg Sel Top Power Electron 2019, 8, 3029-3040 [11] Lê Văn Tài, Nguyễn Văn An, Quách Thanh Hải, Trần Vĩnh Thanh, Huỳnh Thị Thu Hiền, Đỗ Đức Trí, “Kỹ thuật vector khơng gian cải tiến cho nghịch lưu hình T ba bậc để giảm điện áp Common Mode” Tạp chí khoa học kỹ thuật số 54, pp 58-66, 2019 [12] Duc-Tri Do, Minh-Khai Nguyen, Van-Thuyen Ngo, Thanh-Hai Quach, Vinh-Thanh Tran Common Mode Voltage Elimination for Quasi-Switch Boost T-Type Inverter Based on SVM Technique Electronics 2020, Vol 9, 1, 1-16 [13] Nguyen, M K.; Duong, T D.; Lim, Y C.; Choi, J H.; Vilathgamuwa, D M.; Walker, G R DC-Link Quasi-Switched Boost Inverter With Improved PWM Strategy and its Comparative Evaluation IEEE Access, 2020, 8, 53857-53867 Thi-Quynh-Nhu Tran was born in Vietnam in 1984 She received the B.S., M.S degrees in electronic engineering from the Ho Chi Minh City University of Technology and Education, Ho Chi Minh City, Vietnam, in 2008 and 2014 respectively She is currently a Lecturer with the Faculty of Electrical and Electronics Engineering, Ho Chi Minh City University of Technology and Education Her current research interests include power converters for renewable energy systems, image processing Thanh-Long-Nguyen was born in Vietnam in 1977 I received a degree in Electrical engineering and a Master of Electrical Engineering from the Ho Chi Minh City University of Technical Education, Ho Chi Minh City, Vietnam, in 2012 and 2019 I am currently the Deputy Technical Director of Long Xuyen Electricity of An Giang Power Company My current research interests include power loss calculations, renewable energy systems Van-Thiep-Le was born in Vietnam in 1975 I received a degree in Electrical engineering from the Ho Chi Minh City University of Technical Education, Ho Chi Minh City, Vietnam, in 2014 Currently, I am the Deputy Director of Kien Giang Electricity Service Enterprise, Southern Electricity Service Company My current research interests include power loss calculations, renewable energy systems Duc-Tri Do was born in Vietnam in 1973 He received the B.S., M.S and Ph.D degrees in electronic engineering from the Ho Chi Minh City University of Technology and Education, Ho Chi Minh City, Vietnam, in 1999, 2012 and 2021, respectively He is currently a Lecturer with the Faculty of Electrical and Electronics Engineering, Ho Chi Minh City University of Technology and Education His current research interests include power converters for renewable energy systems JTE, Issue 71B, August 2022 37 ... điện áp 4, điện áp đặt tụ phương pháp đề xuất theo tỷ số điện áp đặt tụ Vc so với điện áp đầu vào Vdc điện áp đặt tụ phương pháp [6] phương pháp [7]-[12] 7.5 trình bày hình (a) Kết phương pháp... bày Hình điện áp tụ C1 C2 tăng áp lên 240 V 240 V từ điện áp đầu vào 200 V Điện áp pha so với tâm nguồn (VA0) có điện áp 340 V, -340 V, điện áp pha đầu (VAG) có bậc điện áp pha đầu hài bậc đỉnh... sóng điện áp 3L-qSBT2I-RSV: (a) Điện áp đầu vào, điện áp tụ, điện áp cực điện áp pha đầu ra; (b) điện áp DC-link (VPN) điện áp dây đầu VAB Hình 6(a) trình bày kết mơ cho cấu hình 3L-qSBT2I-RSV điện