Ứng dụng chip PS21691 4S điều khiển động cơ 2

Khóa luận tốt nghiệp Nhóm sinh viên thực hiện 12 CHƯƠNG 2 MODULE CÔNG SUẤT THÔNG MINH 2 1 Các hãng sản xuất chip Mitsubishi Electric Siemens Yaskawa ABB 2 2 KHÁI QUÁT Biến tần ba pha dùng PS21961 4S điều khiển động cơ cho các thiết bị điện gia dụng như điều hòa không khí, máy giặt, tủ lạnh Động cơ công nghiệp công suất thấp với điện áp cách ly 1500V trừ các ứng dụng xe ô tô − Các loại chip sử dụng + Chip PS21961 4S + Chip TPS62133A Q1 + LM 1117 (ADJG) + Chip SN74LVC1G00BVR + Chip SN74LVC2G00DCTR.

Khóa luận tốt nghiệp Nhóm sinh viên thực CHƯƠNG 2: MODULE CÔNG SUẤT THÔNG MINH 2.1 Các hãng sản xuất chip - Mitsubishi Electric - Siemens - Yaskawa - ABB… 2.2 KHÁI QUÁT Biến tần ba pha dùng PS21961-4S điều khiển động cho thiết bị điện gia dụng điều hịa khơng khí, máy giặt, tủ lạnh… Động công nghiệp công suất thấp với điện áp cách ly 1500V trừ ứng dụng xe ô tô − Các loại chip sử dụng + Chip PS21961-4S + Chip TPS62133A-Q1 + LM 1117 (ADJG) + Chip SN74LVC1G00BVR + Chip SN74LVC2G00DCTR 2.3 CHIP PS21961-4S Cầu biến tần RC-IGBT tổn thất thấp, công suất 600V/3A, chuyển đổi nguồn DC sang AC ba pha đầu phía N Hình Mặt trước chip PS21961-4S Hình 2 Mặt sau chip PS21961-4S 12 Khóa luận tốt nghiệp Nhóm sinh viên thực 2.3.1 Tính năng, đặc điểm − Đối với IGBTS chân trên: Mạch truyền động, dịch chuyển mức tốc độ cao điện áp cao, bảo vệ nguồn cung cấp điện áp (UV) − Đối với IGBTS chân thấp: Mạch truyền động, điều khiển bảo vệ điện áp (UV), bảo vệ ngắn mạch (SC) − Báo hiệu lỗi: Tương ứng với lỗi SC (IGBT chân thấp) lỗi UV (cung cấp phía dưới) − Giao diện đầu vào: nguồn 3V, 5V (hoạt động cao) − Đối với IGBT bên P: Mạch chuyển đổi mức điện áp cao, kiểm soát cung cấp mạch khóa điện áp (UV) (khơng có đầu tín hiệu lỗi) − Đối với IGBT bên N + Mạch bảo vệ -Short Circuit (SC) (bằng cách sử dụng điện trở shunt ngồi) + Kiểm sốt cung cấp mạch khóa điện áp (UV) (có đầu tín hiệu lỗi) + Bảo vệ -Over nhiệt độ (OT) (bằng cách theo dõi nhiệt độ LVIC) (Chỉ sê-ri) + Tương ứng với bảo vệ ngắn mạch IGBT bên N, bảo vệ điện áp thấp bên N nhiệt + Cung cấp ổ đĩa IGBT + Cấp nguồn 15V DC + Kiểm soát giao diện đầu vào + Schmitt kích hoạt đầu vào 3V, 5V tương thích, logic hoạt động cao 2.3.2 Thông số kỹ thuật − Thông số chip PS21961-4S Bảng Thơng số chip PS21961-4S Kí hiệu Thông số Vcc Cung cấp điện áp Vcc(surge) Vces Điều kiện Áp dụng P-NU, NV, NW Cung cấp điện áp Áp dụng P-NU, (surge) NV, NW Điện áp thu-phát 13 Định mức Đơn vị 450 V 500 V 600 V Khóa luận tốt nghiệp ±Ic ±Icp Nhóm sinh viên thực Dòng thu IGBT Dòng thu IGBT (cao) Pc Tj Tc = 25℃ A Tc = 25℃, A Tc = 25℃, cho 21.3 W 20~+125 °𝐶𝐶 1ms chip Nhiệt độ đường giao V cc Điện áp P-N tối đa không trạng thái chuyển mạch Một mạch ức chế điện áp mạch phanh cần thiết điện áp P-N vượt giá trị V cc (tăng) Điện áp tăng P-N tối đa trạng thái không chuyển mạch Một mạch snubber cần thiết điện áp P-N vượt V cc (tăng) Vces Điện áp cực đại thu-phát cực đại IGBT FWDi tích hợp IC Dịng điện chiều cho phép liên tục chảy điện cực thu (T c = 25 °𝐶𝐶) Chu kỳ công suất T j đảm bảo không 10 triệu điều kiện T f = 100 °𝐶𝐶 Tj≤125°𝐶𝐶 Các giá trị định mức trở nên thấp nhiệt độ tăng cao V cc (prot) Điện áp cung cấp tối đa cho IGBT tắt an tồn trường hợp có lỗi SC Chip điện hư hỏng điện áp cung cấp vượt đặc điểm kỹ thuật 2.3.3 Sơ đồ bên linh kiện PS21961-4S − Sơ đồ bên linh kiện PS21961-4S 14 Khóa luận tốt nghiệp Nhóm sinh viên thực Hình Sơ đồ bên linh kiện PS21961-4S 2.3.4 Sơ đồ cấu trúc chân PS21961-4S 15 Khóa luận tốt nghiệp Nhóm sinh viên thực − Sơ đồ cấu trúc chân PS21961-4S Hình 2.4 Sơ đồ cấu trúc chân PS21961-4S Bảng 2.2 Bảng mô tả chân linh kiện PS21961-4S STT Tên Mơ tả 16 Khóa luận tốt nghiệp Nhóm sinh viên thực VNC Khơng có kết nối VUFB Cực dương DC cung cấp cấp điều khiển cho pha U VVFB Cực dương DC cung cấp cấp điều khiển cho pha V VWFB Cực dương DC cung cấp cấp điều khiển cho pha W UP Điện áp phân cực mức cao cho điều khiển IGBT pha U (Input voltage) VP Điện áp phân cực mức cao cho điều khiển IGBT pha V (Input voltage) WP Điện áp phân cực mức cao cho điều khiển IGBT pha W (Input voltage) VP1 Điện áp cung cấp mức cao từ chân P (Control supply voltage) VNC* Nối đất ( GND ) 10 UN Điện áp phân cực mức thấp cho điều khiển IGBT pha U (Input voltage) 11 VN Điện áp phân cực mức thấp cho điều khiển IGBT pha V (Input voltage) 12 WN Điện áp phân cực mức thấp cho điều khiển IGBT pha W (Input voltage) 13 VN1 Điện áp cung cấp mức thấp từ cực âm chân P 14 FO Điện áp đầu bị lỗi ( Fault output supply voltage ) 15 CIN Thiết bị đầu cuối phát điện áp ngắn mạch (SC trip voltage detecting terminal) 16 VNC* Nối đất ( GND ) 17 NC Nối đất ( GND ) 18 NW Bộ phát IGBT pha WN 19 NV Bộ phát IGBT pha VN 20 NU Bộ phát IGBT pha UN 21 W Ngõ pha W 22 V Ngõ pha V 23 U Ngõ pha U 17 Khóa luận tốt nghiệp Nhóm sinh viên thực 24 P Ngõ vào chân dương nguồn DC 25 NC Khơng có kết nối 2.3.5 Ưu điểm Chip PS21961-4S so với dòng trước (PS2196X-XXX) Thứ nhất: Thay đổi khung đầu Thay đổi dự định tăng khoảng cách cách điện thiết bị đầu cuối với tiềm điện áp cao để đảm bảo không gian điện đáp ứng an toàn sản phẩm PSE Nhật Bản Thiết bị điện gia dụng vật liệu yêu cầu tiêu chuẩn giải phóng mặt khoảng cách leo Thứ hai: Thay đổi kết nối nội thiết bị đầu cuối VNO VNC Trong đời trước (PS2196X-XXX), thiết bị đầu cuối VNO (chân 17) cần kết nối bên với VNC thiết bị đầu cuối (chân 16) PCB Nhưng đời này, thiết bị đầu cuối VNO thay đổi để kết nối với thiết bị đầu cuối VNC bên mơ-đun Vì vậy, kết nối dây bên ngồi trở nên khơng cần thiết Thứ ba: Bổ sung chức bảo vệ nhiệt độ sê-ri PS2196X-T có chức bảo vệ nhiệt (OT) mà sê-ri trước (PS2196X-XXX) khơng có 2.3.6 Khối bảo vệ Mạch bảo vệ ngắn mạch bảo vệ thiếu điện áp, bảo vệ nhiệt Bảo vệ ngắn mạch (SC): PS21961-4S sử dụng điện trở shunt để phát lỗi Mạch bảo vệ bên mạch thu dòng điện lớn cách so sánh phản hồi điện áp CIN từ shunt với điện áp ngắn mạch tham chiếu tự động thực bảo vệ Mức ngắt điện áp ngưỡng bảo vệ ngắn mạch 0,48V Theo điện trở shunt phải chọn xác Trong trường hợp bảo vệ ngắn mạch xảy ra, tất cổng IGBT ba pha N bị gián đoạn với đầu tín hiệu lỗi Để ngăn chặn bảo vệ sai lệch DIP-IPM tiếng ồn chuyển đổi thơng thường dịng phục hồi, cần thiết để đặt lọc RC (hằng số thời gian: 1,5μs ~ 2μs) cho đầu vào đầu cuối CIN Ngoài ra, làm cho dây mẫu xung quanh điện trở shunt ngắn tốt − Sơ đồ bảo vệ ngắn mạch 18 Khóa luận tốt nghiệp Nhóm sinh viên thực Hình 2.5 Sơ đồ bảo vệ ngắn mạch − Cài đặt số thời gian lọc Hình 2.6 Cài đặt số thời gian lọc − Biểu đồ thời gian bảo vệ ngắn mạch 19 Khóa luận tốt nghiệp Nhóm sinh viên thực Hình 2.7 Biểu đồ thời gian bảo vệ ngắn mạch Bảo vệ ngắn mạch (Chỉ phía với điện trở shunt ngồi lọc RC) a1 Hoạt động bình thường: IGBT ON mang dòng điện a2 Phát ngắn mạch (kích hoạt SC) a3 Cổng IGBT bị gián đoạn cứng a4 IGBT tắt a5 Đầu fo (tFO (phút) = 20μs) a6 Đầu vào = ‘L ‘ IGBT tắt a7 Đầu vào = H a8 IGBT tắt đầu vào H 2.3.7 Mạch bảo vệ điện áp UV Khả chống điện áp UV thiết kế để ngăn chặn hành vi hoạt động bất ngờ mô tả Bảng 2.3 Cả bên P bên N có chức chống điện áp UV Tuy nhiên, đầu tín hiệu lỗi (fo) tương ứng với chống điện áp UV bên N Đầu fo liên tục trạng thái UV Ngồi ra, có lọc tiếng ồn (kiểu 10μs) 20 Khóa luận tốt nghiệp Nhóm sinh viên thực tích hợp mạch chống điện áp để ngăn chặn hành trình sai lầm tức thời UV Do đó, tín hiệu điều khiển truyền 10μs ban đầu sau UV xảy − Hoạt động DIP-IPM so với điện áp cung cấp điều khiển: Bảng 2.3 Hoạt động DIP-IPM so với điện áp cung cấp điều khiển Kiểm soát điện áp cung cấp Hành vi điều hành Tương đương với nguồn cung cấp điện 0-4.0 V (P,N) không Chức UV không hoạt động, đầu fo Thơng thường IGBT khơng hoạt động Nhưng, tiếng ồn bên ngồi gây Sự cố DIP-IPM (bật ON), điện áp liên kết DC cần phải bật sau bật nguồn cung cấp điều khiển Chức UV trở nên hoạt động đầu 4.0-12.5V (P, N) fo (chỉ bên N) Ngay tín hiệu điều khiển áp dụng, IGBT khơng hoạt động IGBT hoạt động Tuy nhiên, tiến 12.5-13.5V (P, N) hành tổn thất tổn thất chuyển mạch tăng lên dẫn đến tăng nhiệt độ thêm trạng thái Điều kiện đề nghị 13.5-16.5V (N) 13.0-18.5V (P) 16.5-20.0V (N) IGBT hoạt động Tuy nhiên, tốc độ 18.5-20.0V (P) chuyển đổi trở nên nhanh bão hòa trở nên lớn trạng thái này, làm tăng nguy vỡ SC 20.0V- (P, N) Mạch điều khiển bị phá hủy 2.3.8 Giới hạn điện áp Ripple nguồn cung cấp điều khiển 21 Khóa luận tốt nghiệp Nhóm sinh viên thực − Mạch giao diện PS21961-4S Hình 2.11 Mạch giao diện PS21961-4S − Lưu ý Đặt số thời gian lọc R1C4 cho đầu vào so sánh cho IGBT tắt vịng µs Kiểu dây ảnh hưởng đến thời gian tắt máy 25 Khóa luận tốt nghiệp Nhóm sinh viên thực Vui lòng đặt điện áp ngưỡng đầu vào tham chiếu so sánh giống DIPIPM SC điện áp tham chiếu (kiểu 0,48V) Vui lòng đặt điện trở shunt cho mức ngắn mạch tắt 1,7 thời gian dòng điện 2.3.13 Mạch tín hiệu đầu vào thiết bị đầu cuối 𝐟𝐟𝟎𝟎 Mạch nội đầu vào điều khiển thiết bị đầu vào PS29161-4S áp dụng logic đầu vào có hoạt động cao, điều giải phóng giới hạn trình tự nguồn cung cấp điều khiển tín hiệu đầu vào vận hành khởi động tắt, làm cho hệ thống bị lỗi an toàn Ngoài ra, điện trở kéo xuống 3,3kΩ (thấp) tích hợp mạch đầu vào DIP-IPM Hình 2.12, khơng cần sử dụng điện trở kéo xuống bên Hơn nữa, cách bật tắt giá trị ngưỡng đầu vào tín hiệu Bảng 2.4, kết nối trực tiếp với nguồn 3V máy tính DSP − Cấu trúc bên đầu vào trình điều khiển Hình 2.12 Cấu trúc bên đầu vào điều khiển Tên Bảng 2.4 Đầu vào ngưỡng điện áp (𝑇𝑇𝑗𝑗 = 25°𝐶𝐶) Kí hiệu Thơng tin 26 Tối Kiểu Tối Đơn Khóa luận tốt nghiệp Nhóm sinh viên thực đa thiểu Bật điện áp ngưỡng Tắt điện áp ngưỡng Ngưỡng điện áp trễ Vth(on) Vth(off) Vth(hys) UP , Vp , Wp -VNC UN , VN , WN -VNC - 2.1 2.6 0.8 1.3 - 0.35 0.65 - vị V − Giao diện dòng đầu vào đầu vi điều khiển Hình 2.13 MCU I /O CIRCUIT INTERFACE − Lưu ý Cài đặt khớp nối RC đầu vào (các phần hiển thị chấm) phụ thuộc vào sơ đồ điều khiển PWM trở kháng dây bảng mạch in Phần đầu vào DIP-IPM tích hợp điện trở kéo xuống 3,3kΩ (thấp) 2.3.14 Mạch Snubber − Mạch snubber 27 Khóa luận tốt nghiệp Nhóm sinh viên thực Hình 2.14 Vị trí mạch snubber Để ngăn chặn DIP-IPM khỏi phá hủy đột biến, chiều dài dây nối tụ điện làm nhỏ đầu nối P-N DIP-IPM nên ngắn tốt Ngoài ra, tụ điện snubber 0,1μF ~ 0,22μF / 630V nên gắn liên kết DC gần với DIPIPM Có hai vị trí ((1) (2)) để gắn tụ điện snubber Hình 2.14 Tụ điện snubber nên lắp đặt vị trí (2) để triệt tiêu điện áp đột biến hiệu Tuy nhiên, dòng sạc xả tạo độ tự cảm dây dẫn công suất snubber chảy qua điện trở shunt, điều gây bảo vệ sai lầm dòng điện đủ lớn Để triệt tiêu tối đa điện áp đột biến, hệ thống dây điện phần A phải ngắn tốt lắp tụ điện snubber bên điện trở shunt thể vị trí (1) Một ví dụ dây tốt hiển thị vị trí (3) 2.3.15 Mạch điện trở shunt Điện trở shunt bên sử dụng để phát tai nạn ngắn mạch Một dây dài shunt điện trở DIP-IPM gây đột biến lớn đến mức làm hỏng IC tích hợp Để giảm độ tự cảm mẫu, dây nối shunt DIP-IPM phải ngắn tốt sử dụng điện trở loại có độ tự cảm thấp điện trở SMT thay điện trở loại dẫn dài R shunt = VSC / SC 28 Khóa luận tốt nghiệp Nhóm sinh viên thực − Sơ đồ nối dây điện trở shunt Hình 2.15 Sơ đồ nối dây điện trở shunt 2.4 Nguồn 15V − Nguồn 15V lấy từ thiết bị ngoại vi thông qua jack DC − Sơ đồ chân hình ảnh jack DC Hình 2.16 Jack DC 2.5 TPS62133A-Q1 TPS6213A-Q1 chuyển đổi giảm DC-DC đồng dễ sử dụng tối ưu hóa cho ứng dụng có mật độ lượng cao Tần số chuyển đổi cao thường 2,5 MHz cho phép sử dụng cuộn cảm nhỏ cung cấp đáp ứng thời nhanh độ xác điện áp đầu cao thơng qua việc sử dụng cấu trúc liên kết DCS-Control Hình 17 TPS62133A-Q1 29 Khóa luận tốt nghiệp Nhóm sinh viên thực Với dải điện áp đầu vào hoạt động rộng từ đến 17 V, thiết bị phù hợp lý tưởng cho hệ thống cung cấp từ bus công suất đến bus trung gian Các thiết bị hỗ trợ dòng đầu liên tục lên đến 3A điện áp đầu khoảng 0,9V đến 6V (với chế độ chu kỳ nhiệm vụ 100%) Đường nối khởi động điện áp đầu điều khiển chân khởi động mềm, cho phép hoạt động nguồn cung cấp điện độc lập cấu hình theo dõi Trình tự nguồn cách cấu hình chân kích hoạt nguồn mở thoát nước Ở chế độ tiết kiệm lượng, thiết bị hiển thị dòng tĩnh khoảng 17μA Chế độ tiết kiệm lượng nhập tự động liền mạch tải nhỏ, trì hiệu cao toàn phạm vi tải Ở chế độ tắt máy, thiết bị tắt tắt mức tiêu thụ nhỏ 2μA Các thiết bị đóng gói 16 pin, có kích thước 3× mm (RG) 2.5.1 Tính năng, đặc điểm − Đạt tiêu chuẩn AEC-Q100 với kết quả: Nhiệt độ thiết bị: 40 °C đến 125 °C − Phạm vi điện áp đầu vào: đến 17V − Điều chỉnh điện áp đầu từ 0,9 đến 6V − Điện áp đầu pin (+ 5%) − Phần mềm theo dõi khởi động lập trình − Chuyển đổi chế độ tiết kiệm lượng liền mạch − Dòng điện tĩnh 17µA − Có thể lựa chọn tần số hoạt động − Năng lượng đầu tốt − Chu kỳ hoạt động 100% − Bảo vệ ngắn mạch − Bảo vệ nhiệt 2.5.2 Sơ đồ nguyên lý 30 Khóa luận tốt nghiệp Nhóm sinh viên thực − Sơ đồ ngun lý TPS62133A-Q1 Hình 2.18 Sơ đồ ngun lí TPS62133A-Q1 2.5.3 Cấu trúc chân − Sơ đồ chân TPS62133A-Q1 Hình 19 Cấu trúc chân TPS62133A-Q1 − Mơ tả chân linh kiện TPS62133A-Q1 31 Khóa luận tốt nghiệp Nhóm sinh viên thực Bảng 2.5 Bảng mơ tả chân linh kiện TPS62133A-Q1 STT TÊN 1,2,3 SW MÔ TẢ Nút Pin FunSwitch, kết nối với công tắc MOSFET bên Kết nối cuộn cảm SW tụ điện đầu PG Công suất đầu tốt; cổng mở (yêu cầu điện trở kéo lên) FB Chân phản hồi điện áp AGND Nối đất analog LOG Sử dụng cho logic bên phải kết nối với GND DEF Tỉ lệ điện áp đầu SS/TR (Soft-Start / Tracking Pin) Một tụ điện bên kết nối với pin đặt thời gian tăng điện áp tham chiếu nội Nó sử dụng để theo dõi xếp 10 AVIN Cung cấp điện áp cho mạch điều khiển 11,12 PVIN Nối với cực dương nguồn vào 13 EN Ngõ vào (hight = bật, low = tắt) 14 VOS Chân cảm ứng điện áp đầu kết nối cho mạch vòng điều khiển PGND Nối đất công suất 15,16 PAD Nối đất, kết nối với PGND AGND 2.6 SN74LVC1G00DBVR (SN74LVC1G00 Single 2-Input Positive-NAND Gate) Cổng NAND tích cực đầu vào kép thiết kế cho hoạt động VCC 1.65V đến 5.5V SN74LVC1G00 thực chức Boolean � +𝐵𝐵 � theo logic dương Y = �������� 𝐴𝐴 × 𝐵𝐵 Y = 𝐴𝐴 Cơng nghệ gói NanoStar NanoFree bước đột phá lớn khái niệm đóng gói IC, sử dụng khn làm gói Thiết bị định đầy đủ cho ứng Hình 2.20 SN74LVC1G00BVR dụng giảm điện phần Ioff Mạch Ioff vô hiệu hóa đầu ra, ngăn chặn dịng chảy ngược làm hỏng thiết 32 Khóa luận tốt nghiệp Nhóm sinh viên thực bị thiết bị tắt nguồn 2.6.1 Tính năng, đặc điểm − Đầu vào điện áp 5,5 V − Tối đa t pd 3.8 ns 3,3 V − Tiêu thụ điện thấp, 10-µA Max Icc − Điều khiển đầu ± 24 mA 3,3 V − Ioff hỗ trợ chèn trực tiếp Chế độ giảm điện phần bảo vệ ổ đĩa − Bảo vệ phóng tĩnh điện + Cơ thể người 2000V + Mơ hình thiết bị 1000V 2.6.2 Sơ đồ đơn giản hóa − Sơ đồ chân hình ảnh SN74LVC1G00BVR: Hình 2.21 Cấu trúc chân SN74LVC1G00BVR − Bảng chức SN74LVC1G00BVR: Bảng 2.6 Chức SN74LVC1G00BVR Đầu Đầu vào A B Y H H L L X H X L H − Các chân linh kiện SN74LVC1G00BVR: 33 Khóa luận tốt nghiệp Nhóm sinh viên thực Bảng 2.7 chân linh kiện SN74LVC1G00BVR STT TÊN MÔ TẢ A Đầu vào tín hiệu B Đầu vào tín hiệu GND Nối đất Y Đầu tín hiệu Vcc Nguồn áp đầu vào NC Chân khơng kết nối 2.7 SN74LVC2G08DCTR Cổng NAND tích cực đầu vào kép thiết kế cho hoạt động VCC 1.65-V đến 5.5-V.Thiết bị SN74LVC2G08 thực chức Boolean Y = A × B Y = 𝐴𝐴 + 𝐵𝐵 theo logic tích cực Thiết bị định đầy đủ cho ứng dụng giảm điện phần Ioff Mạch Ioff vô hiệu Hình 22 SN74LVC2G08DCTR hóa đầu ra, ngăn chặn dòng chảy ngược làm hỏng thiết bị thiết bị tắt nguồn 2.7.1 Tính năng, đặc điểm − Hỗ trợ vận hành Vcc 5V − Đầu vào chấp nhận điện áp đến 5,5V − Tối đa t pd 4,7 ns 3,3V − Tiêu thụ điện thấp, 10 µA MAX Icc − Đầu ± 24 mA 3,3V − VOLP ( Output Ground Bounce) V Vcc = 3,3 V, TA = 25°C − Icc hỗ trợ chèn trực tiếp, Chế độ giảm áp phần Bảo vệ dịng quay lại − Có thể dịch mức điện áp tối đa 5,5V xuống mức Vcc − Hiệu suất chốt vượt 100 mA 34 Khóa luận tốt nghiệp Nhóm sinh viên thực − Bảo vệ phóng tĩnh điện + Cơ thể người 2000V + Thiết bị 1000V − Cấu trúc chân SN74LVC2G08DCTR Hình 2.23 Sơ đồ cấu trúc chân đơn giản SN74LVC2G08DCTR − Sơ đồ chân hình thực tế SN74LVC2G08DCTR Hình 2.24 cấu trúc chân SN74LVC2G08DCTR − Bảng chức SN74LVC2G08DCTR 35 Khóa luận tốt nghiệp Nhóm sinh viên thực Bảng 2.8 Chức SN74LVC2G08DCTR Đầu vào Đầu A B Y H H H L X L X L L − Mô tả chân linh kiện SN74LVC2G08DCTR Bảng 2.9 Mô tả chân linh kiện SN74LVC1G08BVR STT TÊN MÔ TẢ A Đầu vào tín hiệu B Đầu vào tín hiệu GND Ground Y Đầu tín hiệu Vcc Nguồn áp đầu vào NC Chân không kết nối 2.8 LM1117 (ADJ/G) LM1117 điều chỉnh điện áp điều tiết độ sụt áp thấp 1,2 V 800 mA dịng tải LM1117 có sẵn phiên điều chỉnh, đặt điện áp đầu từ 1,25 đến 13,8 V với hai điện trở bên ngồi Ngồi ra, có sẵn năm điện áp cố định, 1,8 V, 2,5 V, 3,3 V V LM1117 cung cấp giới hạn tắt máy nhiệt Mạch bao gồm tham chiếu bandgap cắt Zener để đảm Hình 2.25 LM 1117 bảo độ xác điện áp đầu phạm vi ± 1% Cần có tối thiểu 10-𝜇𝜇F tantalum đầu để cải thiện phản ứng thời ổn định Phiên điều chỉnh LM1117 phát triển điện áp tham chiếu 1.25V, VREF , đầu điều chỉnh thiết bị đầu cuối Điện áp đặt điện trở R1 để tạo dịng điện I1 khơng đổi Các IADJ từ thiết bị đầu cuối điều chỉnh gây lỗi cho đầu Nhưng nhỏ (60 𝜇𝜇𝜇𝜇) so với I1 không đổi với thay đổi 36 Khóa luận tốt nghiệp Nhóm sinh viên thực dịng tải, lỗi bỏ qua Hằng số I1 sau chảy qua điện trở đặt đầu R2 đặt điện áp đầu mức mong muốn 2.8.1 Tính năng, đặc điểm − Có sẵn 1.8V, 2.5V, 3.3V, 5V có phần mềm chỉnh − Hạn chế bảo vệ nhiệt − Dòng 800 mA − Quy định dòng 0,2% (Max) − Quy định tải 0,4% (Max) − Phạm vi nhiệt độ + LM1117: 0°C đến 125°C + LM1117I: −40°C đến 125°C 2.8.2 Ứng dụng − Bộ điều chỉnh chuyển đổi cho DC chuyển đổi DC-DC − Bộ điều chỉnh tuyến tính hiệu cao − Bộ sạc pin − Thiết bị cầm tay − Bộ điều chỉnh kết thúc SCSI hoạt động − Sơ đồ khối chức LM 1117 37 Khóa luận tốt nghiệp Nhóm sinh viên thực Hình 2.26 Sơ đồ khối chức LM 1117 − Sơ đồ ngun lí LM1117 Hình 2.27 Sơ đồ nguyên lý LM 11117 − Cấu trúc chân LM 1117: 38 Khóa luận tốt nghiệp Nhóm sinh viên thực Hình 2.28 Cấu trúc chân LM 1117 Bảng 2.10 Mô tả chân linh kiện LM 1117 STT TÊN MÔ TẢ ADJ/GND Điều chỉnh Pin cho đầu ra.Chân nối đất V IN Điện áp đầu vào pin cho điều khiển V OUT Điện áp đầu pin cho điều khiển 39 ... linh kiện PS21961 -4S 2. 3.4 Sơ đồ cấu trúc chân PS21961 -4S 15 Khóa luận tốt nghiệp Nhóm sinh viên thực − Sơ đồ cấu trúc chân PS21961 -4S Hình 2. 4 Sơ đồ cấu trúc chân PS21961 -4S Bảng 2. 2 Bảng mô tả... thích, logic hoạt động cao 2. 3 .2 Thông số kỹ thuật − Thông số chip PS21961 -4S Bảng Thơng số chip PS21961 -4S Kí hiệu Thơng số Vcc Cung cấp điện áp Vcc(surge) Vces Điều kiện Áp dụng P-NU, NV, NW... nguồn cung cấp điều khiển Chức UV trở nên hoạt động đầu 4.0- 12. 5V (P, N) fo (chỉ bên N) Ngay tín hiệu điều khiển áp dụng, IGBT khơng hoạt động IGBT hoạt động Tuy nhiên, tiến 12. 5-13.5V (P, N)