Bài giảng Kỹ thuật điện tử (2)

86 2 0
Bài giảng Kỹ thuật điện tử (2)

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

Thông tin tài liệu

Bài giảng Kỹ thuật điện tử . Chương 4 TRANSISTOR 4 1 Cấu tạo, nguyên lý làm việc, đặc tuyến và tham số của transistor lưỡng cực (BJT Bipolar Junction Transistor) 4 1 1 Cấu tạo BJT Transistor có cấu tạo gồm các miền bán dẫn P và N xen kẽ nhau, tùy theo trình tự sắp xếp các miền P và N mà ta có hai loại cấu trúc điển hình là PNP và NPN Hình 4 1 Mô hình lý tưởng hóa và kí hiệu của transistor pnp (a) và npn (b) Miền bán dẫn thứ nhất của transistor là miền Emitơ với đặc điểm là có nồng độ tạp chất lớn nhất, điện cực nối với m.

Chương TRANSISTOR 4.1 Cấu tạo, nguyên lý làm việc, đặc tuyến tham số transistor lưỡng cực (BJT- Bipolar Junction Transistor) 4.1.1 Cấu tạo BJT Transistor có cấu tạo gồm miền bán dẫn P N xen kẽ nhau, tùy theo trình tự xếp miền P N mà ta có hai loại cấu trúc điển hình PNP NPN Hình 4.1 Mơ hình lý tưởng hóa kí hiệu transistor pnp (a) npn (b) Miền bán dẫn thứ transistor miền Emitơ với đặc điểm có nồng độ tạp chất lớn nhất, điện cực nối với miền gọi cực Emitơ Miền thứ hai miền Bazơ với nồng độ tạp chất nhỏ độ dày nhỏ cỡ μm, điện cực nối với miền gọi cực Bazơ Miền lại miền Colectơ với nồng độ tạp chất trung bình điện cực tương ứng colectơ Tiếp giáp p-n miền emitơ bazơ gọi tiếp giáp emitơ (JE), tiếp giáp p-n miền bazơ miền colectơ tiếp giáp colec tơ (JC) Về mặt cấu trúc coi transistor hai diode mắc đối Về kí hiệu transistor cần ý mũi tên đặc cực emitơ bazơ có chiều từ bán dẫn P sang bán dẫn N 4.1.2 Nguyên lý làm việc BJT Để transistor làm việc, người ta phải đưa điện áp chiều tới điện cực nó, gọi phân cực cho transistor Tùy theo điện áp đặt vào cực mà 57 transistor làm việc chế độ khác Có ba chế độ làm việc transistor: chế độ khuếch đại, chế độ cắt dòng chế độ bão hòa  Chế độ khuếch đại chế độ mà transistor hoạt động vùng tuyến tính Để transistor làm việc chế độ khuếch đại cần phân cực cho transistor nghĩa cấp nguồn điện chiều cho chuyển tiếp Emitơ JE phân cực thuận, chuyển tiếp Colectơ JC phân cực ngược Chế độ sử dụng mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ, mạch tạo dao động  Chế độ bão hòa chế độ tăng dòng IB dịng IC giữ khơng đổi Ở chế độ bão hòa ta phải cung cấp nguồn điện chiều lên cực transistor cho hai chuyển tiếp emitơ JE chuyển tiếp colectơ JC phân cực thuận Khi điện trở hai chuyển tiếp JE JC nhỏ Dòng điện qua transistor IC lớn gần dòng bão hòa  Chế độ cắt dòng: Khi điện áp vào Vin = transistor trạng thái khóa (off) Ở chế độ cắt dòng ta phải cung cấp nguồn điện chiều lên cực cho hai chuyển tiếp emitơ JE chuyển tiếp colectơ JC phân cực ngược Lúc điện trở transistor lớn qua transistor có dịng điện ngược nhỏ chuyển tiếp colectơ ICB0 Chế độ bão hòa chế độ cắt dòng thường sử dụng mạch xung, mạch số Đối với chế độ khuếch đại JE phân cực thuận JC phân cực ngược hình 4.2 Hình 4.2 Sơ đồ phân cực transistor NPN (a) PNP (b) Để phân tích nguyên lý làm việc ta lấy transistor PNP làm ví dụ Do JE phân cực thuận hạt đa số (lỗ trống) từ miền E phun qua JE tạo nên dòng emitơ IE Chúng tới vùng bazơ trở thành hạt thiểu số tiếp tục khuếch tán sâu vào vùng bazơ hướng tới JC Trên đường khuếch tán phần nhỏ bị tái hợp với hạt đa số bazơ tạo nên dòng điện cực bazơ IB Do cấu tạo miền bazơ mỏng nên gần toàn 58 hạt khuếch tán tới bờ JC bị trường gia tốc (do JC phân cực ngược) qua tới miền colectơ tạo nên dòng điện colectơ IC Qua việc phân tích rút hệ thức dòng điện transistor (hệ thức gần bỏ qua dòng ngược JC): (4-1) Để đánh giá mức hao hụt dòng khuếch tán vùng bazơ người ta định nghĩa hệ số truyền đạt dòng điện α transistor (4-2) Hệ số α xác định chất lượng transistor, transistor loại tốt α có giá trị gần Để đánh giá tác dụng điều khiển dòng điện IB tới dòng colectơ IC, người ta định nghĩa hệ số khuếch đại dòng điện β transistor (4-3) β thường có giá trị khoảng vài chục đến vài trăm Từ biểu thức (4-1), (4-2), (4-3) ta suy vài hệ thức hay sử dụng transistor: (4-4) (4-5) 4.1.3 Tham số transistor Dòng ICmax dòng qua cực colector lớn thời gian dài mà khơng làm transistor nóng nhiệt độ cho phép Điện áp UCmax điện áp lớn đặt vào hai cực colector - emitơ (trong sơ đồ EC CC) bazơ - colectơ (trong sơ đồ BC) mà không làm chuyển tiếp colectơ bị đánh thủng Hệ số α: Xác định chất lượng transistor (càng gần tốt) Hệ số β: Hệ số khuếch đại dòng điện tĩnh, cho biết khả khuếch đại dòng điện transistor 59 4.1.4 Cách mắc transistor tham số chế độ tín hiệu nhỏ Khi sử dụng nguyên tắc lấy số cực transistor đầu vào cực thứ lại với cực đầu vào làm đầu Như vậy, có tất cách mắc khác Nhưng dù mắc cần có cực chung cho đầu vào đầu Trong cách mắc có cách transistor khuếch đại cơng suất cách mắc chung emitơ (EC), chung bazơ (BC), chung colectơ (CC) hình 4.3 Ba cách mắc cịn lại khơng có ứng dụng thực tế Hình 4.3 Phương pháp mắc transistor thực tế Từ cách mắc dùng thực tế transistor mặt sơ đồ coi transistor phần tử cực gần tuyến tính có đầu vào đầu (hình 4.4) Hình 4.4 Transistor mạng bốn cực Có thể viết cặp phương trình mô tả quan hệ đầu vào đầu mạng cực dịng điện điện áp biến số độc lập Nhưng thực tế tính tốn thường dùng cặp có phương trình tuyến tính sau: Cặp phương trình trở kháng có coi điện áp hàm, dịng điện biến có dạng sau: U1  f ( I1 , I )  r11.I1  r12 I  r11 r12   I1  =   I  U  f ( I , I )  r I  r I r r  2 21 22  21 22    60 Cặp phương trình dẫn nạp có coi dịng điện hàm biến điện áp:  I1  f (U1 ,U )  g11.U1  g12 U  g11 g12  U1  =   U  I  f ( U , U )  g U  g U g g  2 21 22  21 22    Cặp phương trình hỗn hợp: U1  f ( I1 ,U )  h11.I1  h12 U  h11 h12   I1  =  .   I  f ( I1 , U )  h21.I1  h22 U  h21 h22  U  Trong rij, gij, hij tương ứng tham số trở kháng, dẫn nạp hỗn hợp transistor Bằng cách lấy vi phân toàn phần hệ phương trình trên, ta xác định tham số vi phân tương ứng transistor Khi xác định đặc tuyến tĩnh (chế độ chưa có tín hiệu đưa tới) transistor, dùng hệ phương trình hỗn hợp thuận tiện dễ dàng xác định tham số hệ phương trình 4.1.5 Các họ đặc tuyến tĩnh transistor Đặc tuyến tĩnh dựa vào hệ phương trình nêu ta đưa tuyến tĩnh transistor coi đại lượng hàm biến đại lượng thứ ba coi tham số Trong trường hợp tổng quát có họ đặc tuyến tĩnh: Đặc tuyến vào: I vao = f(Uvao ) U const Đặc tuyến phản hồi: Uvao = f(Ura ) I vao const Đặc tuyến truyền đạt: I = f(Ivao ) U const Đặc tuyến ra: I = f(Ura ) I vao  const Tùy theo cách mắc transistor khác mà quan hệ có tên gọi cụ thể dịng điện điện áp khác nhau, ví dụ kiểu mắc EC: đặc tuyến vào quan hệ: I B = f(U BE ) U 61 CE  const 4.2 Các dạng mắc mạch transistor họ đặc tuyến 4.2.1 Sơ đồ emitơ chung (EC) Trong cách mắc EC, điện áp vào mắc cực Bazơ cực Emitơ, điện áp lấy từ cực Colectơ cực Emitơ Sơ đồ xác định đặc tuyến hình 4.5 Dịng điện vào, điện áp vào, dịng điện ra, điện áp đo miliampe kế vơn kế hình vẽ Hình 4.5 Sơ đồ xác định đặc tuyến transistor mắc EC a) Đặc tuyến vào Đặc tuyến vào quan hệ dòng điện vào IB biến thiên theo điện áp vào UBE điện áp UCE giữ không đổi: I B = f(U BE ) U CE  const Để có đặc tuyến vào cách mắc EC cần giữ UCE giá trị không đổi, thay đổi giá trị điện áp UBE ghi lại giá trị dòng IE tương ứng, biểu diễn kết trục tọa độ IB, UBE Ta dùng nguồn U1, U2 để phân cực cho tiếp giáp JE, JC Để xác định đặc tuyến vào, cần giữ UCE = const, thay đổi trị số điện áp UBE cách điều chỉnh biến trở VR1 ghi lại giá trị tương ứng IB, thay đổi UCE đến giá trị khác làm tương tự ta nhận họ đặc tuyến vào hình 4.6 Hình 4.6 Họ đặc tuyến vào transistor mắc EC 62 Nhận xét: Ta thấy, đặc tuyến vào giống đặc tuyến thuận tiếp giáp P-N Khi UBE > U0 dòng IB tăng nhanh theo UBE Ứng với giá trị UBE tăng UCE đặc tuyến dịch sang phải, dịng IB giảm, vì: Khi tăng UCE tức UCE = UCB + UBE, coi UBE số, tức tăng UCB, điện áp ngược tiếp giáp JC tăng vùng nghèo mở rộng chủ yếu miền bazơ pha tạp ít, khả tái hợp điện tử lỗ trống miền gốc giảm, dịng IB giảm b) Đặc tuyến Đặc tuyến quan hệ dòng điện IC biến thiên theo điện áp UCE dòng điện vào IB giữ không đổi: I C = f(UCE ) I B  const Để có đặc tuyến vào cách mắc EC, cần giữ IB giá trị không đổi, thay đổi giá trị điện áp UCE ghi lại giá trị dòng IC tương ứng, biểu diễn kết trục tọa độ IC, UCE Hình 4.7 Đặc tuyến truyền đạt (a) đặc tuyến (b) transistor cách mắc EC transistor NPN Nhận xét: Họ đặc tuyến chia làm ba vùng: vùng khuếch đại (tích cực), bão hịa cắt dòng + Vùng khuếch đại: Độ dốc đặc tuyến nhỏ nhất, dòng điện IB gần tỷ lệ thuận với UBE Khi tăng UCE độ rộng hiệu dụng miền bazơ làm cho hạt dẫn đến colectơ nhiều hơn, IC tăng lên Khi UCE giảm xuống IC giảm Vì JC phân cực thuận đẩy hạt thiểu số tạo thành dòng colectơ quay trở lại miền bazơ làm IC giảm xuống Nếu tăng UCE lớn dịng IC tăng lên 63 đột ngột, transistor bị đánh thủng Cùng giá trị UCE, dòng IB tăng dịng IC tăng theo + Vùng cắt dòng: Với tiếp giám JC phân cực ngược, JE phân cực ngược UBE = 0, dòng điện cực góp dịng điện ngược tiếp giáp JC, iC = iCB0 = + Vùng bão hòa: Là vùng mà giá trị IB khác dịng IC có giá trị cố định Khi điện áp cực transistor nhỏ transistor xem quy tụ thành điểm c) Đặc tuyến truyền đạt Đặc tuyến truyền đạt quan hệ dòng điện IC biến thiên theo dòng điện vào IB điện áp UCE giữ không đổi I C = f(I B ) U CE  const Để vẽ đặc tuyến có hai cách: Bằng thực nghiệm suy từ đặc tuyến (hình 4.7a) Bằng thực nghiệm: Giữ nguyên điện áp UCE, thay đổi dòng vào IB, ghi lại kết tương ứng dịng IC, sau biểu diễn tọa độ IC, IB Bằng cách suy từ đặc tuyến ra: Tại vị trí UCB cho trước đặc tuyến ra, vẽ đường song song với trục tung, đường cắt đặc tuyến điểm khác nhau.Tương ứng với giao điểm tìm giá trị IC Trên tọa độ IC, IE vẽ điểm có tọa độ IC, IE vừa tìm 4.2.2 Sơ đồ bazơ chung (BC) Tín hiệu vào đặt hai cực emitơ bazơ, cịn tín hiệu lấy từ cực colectơ bazơ Sơ đồ xác định đặc tuyến hình 4.8 Hình 4.8 Sơ đồ xác định đặc tuyến transistor mắc BC a) Đặc tuyến vào Đặc tuyến vào transistor mắc BC quan hệ dòng điện vào IE biến thiên theo điện áp vào UEB điện áp UCB giữ không đổi: 64 I E = f(U BE ) U CB  const Đặc tuyến vào giống đặc tuyến thuận diode, tăng UEB dịng IE tăng tương ứng Hình 4.9 Đặc tuyến vào transistor mắc BC Ứng với giá trị UEB tăng UCB dịng IE tăng vì: Tăng UCB làm điện áp phân cực ngược IC tăng, điện trường ngược vùng điện trường thuận hạt dẫn điện đa số miền phát làm cho hạn dẫn điện từ miền bazơ chuyển sang miền colecttơ tăng, IC tăng IE tăng b) Đặc tuyến Đặc tuyến quan hệ dòng điện IC biến thiên theo điện áp UCB dịng điện vào IE giữ khơng đổi I C = f(UCB ) I E  const Để nhận đặc tuyến cách mắc BC, cần giữ IE giá trị không đổi, thay đổi giá trị điện áp UCB ghi lại giá trị dòng IC tương ứng, sau biểu diễn kết trục tọa độ IC, UCB (hình 4.10) Hình 4.10 Đặc tuyến truyền đạt đặc tuyến transistor mắc BC 65 Nhận xét: - Khi UCB tăng lên, IC tăng không đáng kể, nghĩa hầu hết hạt dẫn phun vào miền bazơ đến colectơ; - Khi UCB giảm tới dịng IC chưa giảm tới Vì điện áp UCB giảm, thân chuyển tiếp colectơ điện tiếp xúc, điện tiếp xúc hạt dẫn từ bazơ sang colectơ làm cho dòng IC tiếp tục chảy; - Nếu tăng điện áp ngược UCB đến giá trị định (gọi điện áp đánh thủng) dịng IC tăng lên đột ngột dẫn đến hỏng transistor c) Đặc tuyến truyền đạt Đặc tuyến truyền đạt quan hệ dòng điện IC biến thiên theo dòng điện vào IE điện áp UCB giữ không đổi I C = f(I E ) U CB  const Để vẽ đặc tuyến có hai cách: + Bằng thực nghiệm: Giữ nguyên điện áp UCB, thay đổi dòng vào IE, ghi lại kết tương ứng dịng IC, sau biểu diễn tọa độ IC, IE; + Bằng cách suy từ đặc tuyến ra: Tại vị trí UCB cho trước đặc tuyến ra, vẽ đường song song với trục tung, đường cắt đặc tuyến điểm khác Tương ứng với giao điểm tìm giá trị IC Trên tọa độ IC, IE vẽ điểm có tọa độ IC, IE vừa tìm (hình 4.10) 4.2.3 Mạch colectơ chung (CC) Trong cách mắc CC, điện áp vào mắc cực Bazơ cực Colectơ, điện áp lấy từ cực Emitơ cực Colectơ Sơ đồ xác định đặc tuyến hình 4.11 Hình 4.11 Sơ đồ xác định đặc tuyến transistor mắc CC 66 6.3.2 Các tham số đặc trưng Điac - Điện áp đánh thủng VBO: 20 ~ 200 V - Điện áp ngõ ra: Vo - Điện áp Điac dẫn, đo 10 mA: Vf - Điện áp đánh thủng động ΔV = VBO - Vf: ±5, 10, 20 V tùy thuộc Điac Con số thường khơng xác, datasheet đưa giá trị nhỏ - Điện trở trạng thái kháng cao: vài MΩ - Điện trở trạng thái kháng thấp: vài Ω - Dịng đỉnh cơng suất tiêu hao tối đa - Với ứng dụng cần tốc độ cao cần xét tới thời gian tăng dòng dẫn tρ hay tr (khoảng vài trăm ns vài us) 6.3.3 Ứng dụng Điac - Điac sử dụng diode zener mạch điện xoay chiều, thường dùng để kích cực Gate cho Triac điện áp xác định - Dùng để kích cực Base Gate BJT Mosfet mạch dao động - Dùng mạch điện tử thông dụng mạch Dimmer hay mạch kích CDI xe gắn máy 128 CÂU HỎI ƠN TẬP CHƯƠNG Trình bày cấu tạo, nguyên lý làm việc, đặc tuyến V-A Thyristo Tại nói Thyristor van bán dẫn có điều khiển? Cho ví dụ minh họa Nêu đặc điểm giống khác diode bán dẫn Thyristor Trình bày cấu tạo, nguyên lý làm việc, đặc tuyến V-A Triac, ứng dụng Triac Trình bày cấu tạo, nguyên lý làm việc, đặc tuyến V-A Điac 129 Phụ lục A MỘT SỐ MẠCH ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Mạch tự động bật đèn trời tối Mạch phát FM Mạch điện dùng làm micro không dây đơn giản, tầm phát xa khoảng m C535 dao động tạo sóng mang tín hiệu từ mic điện dung đưa vào làm thay đổi điện dung BE Transisto làm tần số sóng mang thay đổi qua antenna phát xạ Điều chỉnh C20p tần số phát mong muốn (trong dải FM) Antena dùng đoạn dây nhiều lõi dài 75 cm Các cuộn dây L1, L2, L3 quấn theo thứ tự số vòng dây - đường kính - cỡ dây: vịng - mm - 0,61; - 5,5 mm - 0,61; vòng - 5,5 mm - 0,61 130 Mạch sạc ắc quy Mạch khuếch đại âm công suất < 10 W Mạch còi báo động 131 Phụ lục B GIỚI THIỆU MỘT SỐ PHẦN MỀM MÔ PHỎNG MẠCH ĐIỆN TỬ Hiện nay, với phát triển vũ bão ngành công nghệ thông tin, nhiều phần mềm ứng dụng cho ngành khoa học phát triển Trong điều kiện chưa có thiết bị thí nghiệm mạch điện tử chuyên dụng, sinh viên sử dụng phần mềm mô mạch chuyên dụng để mô phỏng, thiết kế, kiểm tra mạch Trong lĩnh vực điện tử, phần mềm mô mạch điện tử SPICE, PROTEUS, CIRCUT MAKER đời sử dụng rộng rãi Đó cơng cụ cần thiết cho kỹ sư thiết kế mạch điện tử thực tế Phần mềm Circuit Maker 1.1 Giới thiệu Circuit Maker chương trình điện tốn ứng dụng với tính mạnh dễ dàng sử dụng công cụ mô mạch thông qua mạch điện vẽ máy tính Chương trình cơng ty Microcode Engineering phát hành Trong phần giới thiệu phiên Circuit Maker 2000 ổn định có nhiều tính nâng cao so với phiên trước Phần mềm có thư viện link dồi nhiều thiết bị dùng cho thí nghiệm, mơ Nó phịng thí nghiệm kỹ thuật điện tử ảo với máy đo đại máy sóng nhiều kênh, máy đo điện áp, dịng điện, đo nhiễu Circuit Maker có khả mô mạch điện tử tương tự điện tử số Sau cài đặt Circuit Maker 2000 vào máy tính chạy hệ điều hành window, vào Menu start/program/Circuit Maker 2000 nhấp chuột vào biểu tượng Circuit Maker Màn hình Circuit Maker hình Hình Màn hình giao diện Circuit Maker 2000 132 1.2 Một số ví dụ mơ Trước mô với Circuit Maker, người sử dụng phải vẽ sơ đồ nguyên lý mạch phần mềm Sơ đồ nguyên lý Circuit Maker bao gồm ký hiệu linh kiện lấy từ thư viện linh kiện, dây nối khung vẽ Các linh kiện sơ đồ có kích thước chân cắm tương ứng với linh kiện thực tế lắp ráp mạch in Trong Circuit Maker, linh kiện điện tử chứa liệu để chạy mơ ta chạy chương trình mơ mạch Để thấy khả ứng dụng Circuit Maker, xem xét số ví dụ sau: Ví dụ 1: Mơ đặc tuyến transistor PNP Sơ đồ mạch kết đo hình Hình Mơ đặc tuyến transistor PNP Ví dụ 2: Mơ ứng dụng khuếch đại thuật toán làm khuếch đại đảo Sơ đồ mạch kết đo hình 133 Hình Mơ khuếch đại đảo dùng khuếch đại thuật toán Phần mềm Proteus 2.1 Giới thiệu Proteus phần hỗ trợ thiết kế mô loại mạch điện tử Phần mềm Proteus có ưu so với phần mềm thiết kế mạch điện tử khác Circuitmaker, workBench, Orcad đặc điểm sau: - Thư viện linh kiện phong phú; - Hỗ trợ nhiều thiết bị đo kiểm tra; - Cho phép thiết kế chạy mô sơ đồ nguyên lý gồm mạch tương tự, mạch số, mạch tổng hợp số, tương tự; - Cho phép chạy mô chạy mô loại vi điều khiển, EPPROM, PIC; - Hỗ trợ thiết kế mạch in (PCB) 2.2 Hướng dẫn vẽ sơ đồ nguyên lý Bước 1: Khởi động chương trình Proteus Professional Sau cài đặt hoàn tất phần mềm Proteus Professional Chạy chương trình Proteus Professional cách nhấp vào biểu tượng ISIS Professional Desktop chọn Windows >> Programs >> Proteus Professional >> ISIS Professional Sau phần mềm khởi động xong thấy phần giao diện sau: 134 Bước 2: Mở chương trình ISIS Professional Bạn nhấp vào biểu tượng Schematic Capture công cụ giao diện Proteus để mở chương trình ISIS Professional Nhấp vào Sau chương trình ISIS mở ra, vùng làm việc với nút giao diện để thiết kế mạch xuất hình bên Các bạn lưu ý vùng làm việc ISIS có khung vng màu xanh, vẽ mạch bạn phải đảm bảo toàn phần mạch bạn vẽ phải nằm khung vuông 135 Bước 3: Lấy tất linh kiện sử dụng từ thư viện Proteus Click chọn biểu tượng , click vào nút P linh kiện ta tiến hành chọn linh kiện bắt đầu tiến hành thiết kế mạch điện Khi thư viện mở ra, cửa sổ xuất sau: 136 Trong đó: Keywords: Tìm kiếm linh kiện; Category Sub-category: Chứa thư viện linh kiện chương trình Proteus; Results: Hiển thị linh kiện chọn thư viện; Schematic Review: Hiển thị hình dạng linh kiện; PCB Preview: Hiển thị sơ đồ chân PCB linh kiện Trong cửa sổ chọn linh kiện bạn gõ tên linh kiện cần tìm vào Keywords Ví dụ: Bạn tìm IC 555, gõ 555 vào Keywords IC 555 tất linh kiện liên quan đến 555 xuất tự động phần Results Bạn double click vào IC để chọn Những linh kiện chọn xuất ô Devices Bạn thực tương tự lấy thêm linh kiện: điện trở, tụ hóa, tụ thường, led đơn, nguồn pin Sau lấy đầy đủ linh kiện từ thư viện, bạn nhấp vào nút OK để đóng cửa sổ thư viện trở hình thiết kế Bước 4: Đưa linh kiện ngồi hình thiết kế Nhấp chuột vào linh kiện cần lấy Devices, sau di chuyển trỏ ngồi hình thiết kế nơi cần đặt linh kiện click chuột linh kiện đặt Bạn di chuyển hết linh kiện ngồi hình thiết kế hình sau: 137 Di chuyển linh kiện Để di chuyển linh kiện từ vị trí đến vị trí khác, bạn thao tác sau: Nhấp giữ trái chuột vào linh kiện cần di chuyển, sau rê chuột đến vị trí thả chuột Bạn dùng lệnh Block Move công cụ di chuyển linh kiện Xoay linh kiện Để xoay linh kiện bạn thao tác sau: Đặt trỏ lên linh kiện cần xoay sau bấm phải chuột, bạn chọn lệnh xoay (rotate) theo chiều kim đồng hồ, ngược chiều kim đồng hồ, xoay 1800 Bạn lật (mirror) linh kiện theo chiều ngang hay chiều dọc từ cửa sổ tắt Bạn dùng cơng cụ Block Rotate cơng cụ để xoay linh kiện 138 Xóa linh kiện Để trỏ lên linh kiện cần xóa bấm phải chuột sau chọn lệnh Delete Object từ shortcut menu Có thể dùng phím Delete để xóa linh kiện dùng công cụ Block Delete thành công cụ để xóa linh kiện Bước 5: Thay đổi thơng số kỹ thuật linh kiện Để vẽ mạch cách nhanh chóng khơng thiết phải lấy linh kiện có thơng số xác, mạch có nhiều linh kiện giống khác thông số kỹ thuật Nếu lấy linh kiện với thơng số u cầu nhiều thời gian thư viện linh kiện với thơng số cần tìm Vì vậy, ta cần phải thay đổi thông số kỹ thuật cho linh kiện Ví dụ: Sau đặt điện trở ngồi hình thiết kế, bạn double click vào linh kiện này, cửa sổ bạn tiến hành thay đổi tên giá trị điện trở vào ô Part Reference Resistance tương ứng Cuối bạn nhấp chọn OK để hoàn tất việc chỉnh sửa 139 Bước 6: Bố trí, xếp lại linh kiện cho hợp lý Dùng lệnh di chuyển linh kiện, lật linh kiện… trình bày để bố trí, xếp lại linh kiện mạch cho thật hợp lý trước tiến hành bước Mục đích việc làm làm cho sơ đồ mạch rõ ràng q trình thiết kế mạch hồn tất Bước 7: Nối dây Sau lấy xếp linh kiện theo mong muốn, bạn tiến hành nối chân linh kiện cho mạch Bạn tiến hành sau: Đặt trỏ chân linh kiện cần nối dây ô vuông màu đỏ xuất sau bạn click chuột vào chân linh kiện chế độ nối dây bắt đầu Bạn rê chuốt đến chân linh kiện cần nối khác click chuột lần để kết thúc trình nối dây Bạn thao tác tương tự hoàn thành sơ đồ mạch Để xóa đường nối dây sai, bạn nhấp phải chuột đường dây nối chọn Delete Wire double click phải đường dây nối Bước 8: Kiểm tra sơ đồ mạch nguyên lý Kiểm tra sơ đồ mạch sau hoàn thành xong mạch thiết kế quan trong, giúp bạn tìm lỗi mà trình thiết kế bạn chưa phát Để kiểm tra lỗi ta thao tác sau: Trên công cụ, bạn chọn Tool >> Electrical Rule Check Nếu có thơng lỗi bạn tìm cách khắc phục khơng cịn lỗi nhận dịng thơng báo (No ERC errors found) hình 140 Sau kiểm tra hiệu chỉnh sơ đồ mạch mong muốn bạn nhớ lưu lại Mạch dạo động đa hài phi ổn dùng IC 555 vẽ chương trình ISIS Proteus sau: 141 TÀI LIỆU THAM KHẢO Đặng Văn Chuyết (chủ biên) (2008) Giáo trình Kỹ thuật mạch điện tử NXB Giáo dục, Hà Nội Https://dientuadenz.com/huong-dan-su-dung-proteus/ Võ Thạch Sơn, Lê Văn Doanh (2004) Kỹ thuật điện tử NXB Khoa học Kỹ thuật, Hà Nội Võ Thạch Sơn, Lê Văn Doanh (2000) Kỹ thuật điện tử - phần tập NXB Khoa học Kỹ thuật, Hà Nội Lê Trung Thành (2013) Kỹ thuật điện tử NXB Khoa học Kỹ thuật, Hà Nội Đỗ Xuân Thụ (chủ biên) (2014) Kỹ thuật điện tử NXB Giáo dục Việt Nam, Hà Nội Nguyễn Thanh Trà, Thái Vĩnh Hiển (2004) 250 tập kỹ thuật điện tử NXB Giáo dục, Hà Nội 142 ... cho BJT dòng điện, FET điện áp JFET dùng làm khóa điện tử, khuếch đại tín hiệu vi sai phát sóng RC tham gia linh kiện điện tử khác để hình thành mạch chức hầu hết thiết bị điện tử ngày 4.5.1.2... đại Phần tử phần tử điều khiển (PKĐ - transistor) có điện trở thay đổi theo điều khiển điện áp hay dòng điện đặt tới cực điều khiển bazơ nó, điều khiển quy luật biến đổi dòng điện, điện áp theo... khuếch đại thuật toán sơ đồ điện tử Đầu vào vi sai mạch khuếch đại gồm có đầu vào đảo đầu vào không đảo, mạch khuếch đại thuật toán thực tế khuếch đại hiệu số điện hai đầu vào Điện áp gọi điện áp

Ngày đăng: 10/07/2022, 19:50

Tài liệu cùng người dùng

  • Đang cập nhật ...

Tài liệu liên quan