1. Trang chủ
  2. » Giáo Dục - Đào Tạo

Nghiên cứu sự phát siêu liên tục trong sợi tinh thể quang tử với lõi được lấp đầy bởicarbon disulfide trong vùng hồng ngoại gần

56 27 0
Nghiên cứu sự phát siêu liên tục trong sợi tinh thể quang tử với lõi được lấp đầy bởicarbon disulfide trong vùng hồng ngoại gần

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

Thông tin tài liệu

CHƯƠNG 2 LÝ THUYẾT LAN TRUYỀN ÁNH SÁNG TRONG SỢI QUANG LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan đây là công trình khoa học nghiên cứu của riêng tôi dưới sự hướng dẫn của TS Lê Văn Hiệu, các kết quả là trung thực và chưa từng được công bố trong các công trình khoa học khác Tác giả luận văn Lê Thị Hà i LỜI CẢM ƠN Đề tài “Nghiên cứu quá trình phát siêu liên tục trong sợi tinh thể quang tử với lõi được lấp đầy bởi carbon disulfide trong vùng hồng ngoại gần” là nội dung tôi chọn để nghiên cứu và làm luận văn th.

Ngày đăng: 26/05/2022, 18:13

Xem thêm:

Hình ảnh liên quan

Hình 1.1. Mặt cắt của index guidinh PCF với lõi được làm từ silica [14]. - Nghiên cứu sự phát siêu liên tục trong sợi tinh thể quang tử với lõi được lấp đầy bởicarbon disulfide trong vùng hồng ngoại gần

Hình 1.1..

Mặt cắt của index guidinh PCF với lõi được làm từ silica [14] Xem tại trang 16 của tài liệu.
Hình 1.2. Sơ đồ chiết suất thủy tinh / không khí truyền dẫn trong PCF (trái) với cấu hình chiết suất (phải) [14]. - Nghiên cứu sự phát siêu liên tục trong sợi tinh thể quang tử với lõi được lấp đầy bởicarbon disulfide trong vùng hồng ngoại gần

Hình 1.2..

Sơ đồ chiết suất thủy tinh / không khí truyền dẫn trong PCF (trái) với cấu hình chiết suất (phải) [14] Xem tại trang 16 của tài liệu.
Hình 1.4. Mô tả khoảng cách dải quang tử mẫu [19]. - Nghiên cứu sự phát siêu liên tục trong sợi tinh thể quang tử với lõi được lấp đầy bởicarbon disulfide trong vùng hồng ngoại gần

Hình 1.4..

Mô tả khoảng cách dải quang tử mẫu [19] Xem tại trang 17 của tài liệu.
Hình 1.3.Ảnh chụp mặt cắt ngang của sợi suspendedNL_50B[4]. - Nghiên cứu sự phát siêu liên tục trong sợi tinh thể quang tử với lõi được lấp đầy bởicarbon disulfide trong vùng hồng ngoại gần

Hình 1.3..

Ảnh chụp mặt cắt ngang của sợi suspendedNL_50B[4] Xem tại trang 17 của tài liệu.
Hình 1.4 mô tả vùng giải cấm quang tử. Trong đó vùng màu vàng cho phép hiệu ứng band gap xảy ra trong sợi tinh thể quang tử.Các ví dụ cơ bản về các sợi loại này được thể hiện trong hình 1.5. - Nghiên cứu sự phát siêu liên tục trong sợi tinh thể quang tử với lõi được lấp đầy bởicarbon disulfide trong vùng hồng ngoại gần

Hình 1.4.

mô tả vùng giải cấm quang tử. Trong đó vùng màu vàng cho phép hiệu ứng band gap xảy ra trong sợi tinh thể quang tử.Các ví dụ cơ bản về các sợi loại này được thể hiện trong hình 1.5 Xem tại trang 18 của tài liệu.
Hình 1.6. Kỹ thuật chế tạo sợi tinh thể quang tử từ phôi - Nghiên cứu sự phát siêu liên tục trong sợi tinh thể quang tử với lõi được lấp đầy bởicarbon disulfide trong vùng hồng ngoại gần

Hình 1.6..

Kỹ thuật chế tạo sợi tinh thể quang tử từ phôi Xem tại trang 19 của tài liệu.
Hình 1.8. Chế tạo sợi tinh thể quang tử: (a) tạo ra các mao quản riêng lẻ, (b) hình thành phôi, (c) vẽ phôi trung gian, (d) vẽ sợi cuối cùng. - Nghiên cứu sự phát siêu liên tục trong sợi tinh thể quang tử với lõi được lấp đầy bởicarbon disulfide trong vùng hồng ngoại gần

Hình 1.8..

Chế tạo sợi tinh thể quang tử: (a) tạo ra các mao quản riêng lẻ, (b) hình thành phôi, (c) vẽ phôi trung gian, (d) vẽ sợi cuối cùng Xem tại trang 20 của tài liệu.
Hình 1.7. Tháp kéo sợi để chế tạo PCF tại Viện Công nghệ Vật liệu Điện tử, Warsaw, Ba Lan. - Nghiên cứu sự phát siêu liên tục trong sợi tinh thể quang tử với lõi được lấp đầy bởicarbon disulfide trong vùng hồng ngoại gần

Hình 1.7..

Tháp kéo sợi để chế tạo PCF tại Viện Công nghệ Vật liệu Điện tử, Warsaw, Ba Lan Xem tại trang 20 của tài liệu.
Hình 2.1. (a) Phổ khuyếch đại Raman của thủy tinh nóng chảy. (b) Giản đồ mức năng lượng trong quá trình tán xạ Raman - Nghiên cứu sự phát siêu liên tục trong sợi tinh thể quang tử với lõi được lấp đầy bởicarbon disulfide trong vùng hồng ngoại gần

Hình 2.1..

(a) Phổ khuyếch đại Raman của thủy tinh nóng chảy. (b) Giản đồ mức năng lượng trong quá trình tán xạ Raman Xem tại trang 34 của tài liệu.
Hình 2.2. Tự biến điệu pha phụ thuộc thời gian được tạo ra a) dịch pha phi tuyến và b) dịch tần số đối với xung Gauss - Nghiên cứu sự phát siêu liên tục trong sợi tinh thể quang tử với lõi được lấp đầy bởicarbon disulfide trong vùng hồng ngoại gần

Hình 2.2..

Tự biến điệu pha phụ thuộc thời gian được tạo ra a) dịch pha phi tuyến và b) dịch tần số đối với xung Gauss Xem tại trang 35 của tài liệu.
Hình 2.7. Giao diện của phần mềm MODE Solutions - Nghiên cứu sự phát siêu liên tục trong sợi tinh thể quang tử với lõi được lấp đầy bởicarbon disulfide trong vùng hồng ngoại gần

Hình 2.7..

Giao diện của phần mềm MODE Solutions Xem tại trang 39 của tài liệu.
Hình 3.1.Sơ đồ mặt cắt ngang cấu trúc PCF với lõi được bơm đầy bởi CS2.Dc là đường kính của lõi. - Nghiên cứu sự phát siêu liên tục trong sợi tinh thể quang tử với lõi được lấp đầy bởicarbon disulfide trong vùng hồng ngoại gần

Hình 3.1..

Sơ đồ mặt cắt ngang cấu trúc PCF với lõi được bơm đầy bởi CS2.Dc là đường kính của lõi Xem tại trang 43 của tài liệu.
Bảng 3.1. Các hệ số của Sellmeier của silica và CS2[33, 34] - Nghiên cứu sự phát siêu liên tục trong sợi tinh thể quang tử với lõi được lấp đầy bởicarbon disulfide trong vùng hồng ngoại gần

Bảng 3.1..

Các hệ số của Sellmeier của silica và CS2[33, 34] Xem tại trang 44 của tài liệu.
trong đó, Bi và Ci(μm2) là các hệ số Sellmeier được trình bày trong Bảng 3.1. - Nghiên cứu sự phát siêu liên tục trong sợi tinh thể quang tử với lõi được lấp đầy bởicarbon disulfide trong vùng hồng ngoại gần

trong.

đó, Bi và Ci(μm2) là các hệ số Sellmeier được trình bày trong Bảng 3.1 Xem tại trang 44 của tài liệu.
Bảng 3.2. Đường kính lõi CS2 với các giá trị khác nhau của Ʌ và f. - Nghiên cứu sự phát siêu liên tục trong sợi tinh thể quang tử với lõi được lấp đầy bởicarbon disulfide trong vùng hồng ngoại gần

Bảng 3.2..

Đường kính lõi CS2 với các giá trị khác nhau của Ʌ và f Xem tại trang 45 của tài liệu.
Hình 3.3 mô tả đặc tính tán sắc của sợi tinh thể quang tử khi thay đổi Ʌ và f. Kết quả cho thấy rằng,đặc tính tán sắc của sợi có thể được điều chỉnh bằng cách thay đổi hệ số lấp đầy f và hằng số mạng Ʌ - Nghiên cứu sự phát siêu liên tục trong sợi tinh thể quang tử với lõi được lấp đầy bởicarbon disulfide trong vùng hồng ngoại gần

Hình 3.3.

mô tả đặc tính tán sắc của sợi tinh thể quang tử khi thay đổi Ʌ và f. Kết quả cho thấy rằng,đặc tính tán sắc của sợi có thể được điều chỉnh bằng cách thay đổi hệ số lấp đầy f và hằng số mạng Ʌ Xem tại trang 46 của tài liệu.
PCF với các thông số cấu trúc: Λ= 1.5µm và f= 0.30. Hình 3.4 mô tả phân - Nghiên cứu sự phát siêu liên tục trong sợi tinh thể quang tử với lõi được lấp đầy bởicarbon disulfide trong vùng hồng ngoại gần

v.

ới các thông số cấu trúc: Λ= 1.5µm và f= 0.30. Hình 3.4 mô tả phân Xem tại trang 47 của tài liệu.
Hình 3.5.Tính toán số đường cong tán sắc trong cấu trúc sợi tối ưu với lõi được lấp đầy CS2. - Nghiên cứu sự phát siêu liên tục trong sợi tinh thể quang tử với lõi được lấp đầy bởicarbon disulfide trong vùng hồng ngoại gần

Hình 3.5..

Tính toán số đường cong tán sắc trong cấu trúc sợi tối ưu với lõi được lấp đầy CS2 Xem tại trang 48 của tài liệu.
Hình 3.6 mô tả đặc tính mode hiệu dụng và hệ số phi tuyến trong cấu trúc tối ưu của mode cơ bản.Trong trường hợp này, bởi vì đường kính lõi tương đối nhỏ, vì vậy dẫn đến mode hiệu dụng của cấu trúc tối ưu có giá trị nhỏ trong vùng nghiên cứu.Ngoài ra, m - Nghiên cứu sự phát siêu liên tục trong sợi tinh thể quang tử với lõi được lấp đầy bởicarbon disulfide trong vùng hồng ngoại gần

Hình 3.6.

mô tả đặc tính mode hiệu dụng và hệ số phi tuyến trong cấu trúc tối ưu của mode cơ bản.Trong trường hợp này, bởi vì đường kính lõi tương đối nhỏ, vì vậy dẫn đến mode hiệu dụng của cấu trúc tối ưu có giá trị nhỏ trong vùng nghiên cứu.Ngoài ra, m Xem tại trang 48 của tài liệu.
Hình 3.7(a) mô tả sự mở rộng phổ khi thay đổi năng lượng bơm của xung đầu vào khi chiều dài sợi là 20 cm.Trong trường hợp năng lượng xung đầu vào nhỏ hơn 0.5 nJ, việc mở rộng phổ ban đầu chủ yếu là từ quá trình tự điều chế pha (SPM) - Nghiên cứu sự phát siêu liên tục trong sợi tinh thể quang tử với lõi được lấp đầy bởicarbon disulfide trong vùng hồng ngoại gần

Hình 3.7.

(a) mô tả sự mở rộng phổ khi thay đổi năng lượng bơm của xung đầu vào khi chiều dài sợi là 20 cm.Trong trường hợp năng lượng xung đầu vào nhỏ hơn 0.5 nJ, việc mở rộng phổ ban đầu chủ yếu là từ quá trình tự điều chế pha (SPM) Xem tại trang 49 của tài liệu.
Hình 3.8. Các tính toán số của phổ đầu ra (a) và sự tiến hóa theo thời gian (b) - (c) của xung dọc theo sợi quang trong sợi tinh thể quang tử với lõi được - Nghiên cứu sự phát siêu liên tục trong sợi tinh thể quang tử với lõi được lấp đầy bởicarbon disulfide trong vùng hồng ngoại gần

Hình 3.8..

Các tính toán số của phổ đầu ra (a) và sự tiến hóa theo thời gian (b) - (c) của xung dọc theo sợi quang trong sợi tinh thể quang tử với lõi được Xem tại trang 50 của tài liệu.

Trích đoạn

được định nghĩa là:

Phát siêu liên tục và các hiệu ứng phi tuyến chính trong sợi tinh thể quang tử

Tán xạ Raman

Tự điều chế pha (Self-Phase Modulation SPM)

CARBON DISULFIDE TRONG VÙNG HỒNG NGOẠI GẦN 3.1 Giới thiệu

Sự phát siêu liên tục trong cấu trúc tối ưu

KẾT LUẬN VÀ KIẾN NGHỊ

Tài liệu cùng người dùng

  • Đang cập nhật ...

Tài liệu liên quan