Nghiên cứu giải thuật điều chế vector không gian cho bộ nghịch lưu tăng áp ba pha

Nghiên cứu giải thuật điều chế vector không gian cho bộ nghịch lưu tăng áp ba pha Nghiên cứu giải thuật điều chế vector không gian cho bộ nghịch lưu tăng áp ba pha Nghiên cứu giải thuật điều chế vector không gian cho bộ nghịch lưu tăng áp ba pha

LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP MỤC LỤC LÝ LỊCH KHOA HỌC vii LỜI CAM ĐOAN .ii LỜI CẢM ƠN iii TÓM TẮT ix ABSTRACT x MỤC LỤC xi DANH MỤC HÌNH xiv DANH MỤC BẢNG xvii DANH SÁCH KÝ HIỆU xviii DANH SÁCH CHỮ VIẾT TẮT xix CHƯƠNG TỔNG QUAN 1.1 Tổng quan lĩnh vực nghiên cứu 1.2 Mục đích đề tài 1.3 Nhiệm vụ giới hạn đề tài 1.4 Phương pháp nghiên cứu 1.5 Điểm đề tài xi LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP Chương CƠ SỞ LÝ THUYẾT 2.1 Khái niệm nghịch lưu 2.2 Nghịch lưu tăng áp ba pha 2.2.1Nghịch lưu nguồn Z (ZSI) 2.2.2 Nghịch lưu quasi switched boost inverter (qSBI) 2.3 Các phương pháp điều chế cho nghịch lưu tăng áp 2.3.1 Phương pháp điều chế độ rộng xung sin cho nghịch lưu qSBI 2.3.2 Phương pháp điều chế độ rộng xung sin cải biến cho nghịch lưu qSBI (Modified SPWM) 14 2.3.3 Phương pháp điều chế vector không gian cho nghịch lưu qSBI 17 CHƯƠNG GIẢI THUẬT ĐIỀU CHẾ VECTOR KHÔNG GIAN CHO BỘ NGHỊCH LƯU TĂNG ÁP(qSBI) 22 3.1 Cấu hình nghịch lưu tăng áp ba pha (qSBI) 22 3.2 Phân tích hoạt động 22 3.2.1 Mạch tăng áp 22 3.2.1.1 Trạng thái không ngắn mạch 23 3.2.1.2 Trạng thái ngắn mạch 23 3.3 Phương pháp điều chế vector khơng gian (SVM2) cho cấu hình (qSBI) 24 xii LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP 3.3.1 Mẫu xung điều chế vector không gian cho nghịch lưu qSBI 25 3.3.2 Mẫu xung theo phương pháp SVM2 sector 31 3.4 Cách tính toán giá trị mạch 32 CHƯƠNG KẾT QUẢ MÔ PHỎNG VÀ THỰC NGHIỆM 33 4.1 Thông số kết mô 33 4.1.1 Thông số mô 33 4.1.2 Kết mô 35 4.2 Thông số kết thực nghiệm 41 4.2.1 Mơ hình thực nghiệm 41 4.2.2 Kết thực nghiệm 46 CHƯƠNG 56 KẾT LUẬN 56 5.1 Hướng phát triển đề tài tương lai 56 TÀI LIỆU THAM KHẢO 57 xiii LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP DANH MỤC HÌNH Hình Cấu hình nghịch lưu áp truyền thống Hì nh 2 Cấu hình ZSI Hì nh Trạng thái không ngắn mạch Hình Trạng thái ngắn mạch Hình Cấu hình qSBI Hì nh Dạng sóng mang, sóng điều khiển dạng sin xung kích điều chế liên tục 10 Hình Dạng sóng mang, sóng điều khiển dạng sin xung kích điều chế gián đoạn 11 Hình Sơ đồ xung kích S1,S2,S3,S1x,S2x,S3x 12 Hình 10 Từ xuống Dạng sóng mang, sóng sin, xung kích, xung ngắn mạch, trạng thái đóng ngắt khóa S1,S1x 13 Hình 11 Điện áp ba pha tải R 13 Hình 12 Chỉ số THD điện áp ba pha tải R 14 Hình 13 Sơ đồ mơ ngun lý phương pháp điều chế độ rộng xung Sin cải biến (Modified SPWM) cho nghịch lưu qSBI 15 Hình 14 Từ xuống sóng điều khiển sóng mang, xung kích, tín hiệu xung ngắn mạch 15 Hình 15 Từ xuống sóng điều khiển, sóng mang, tín hiệu ngắn mạch(tsh), xung kí ch S2,S2x(Phóng to) 16 Hình 16 Dạng sóng dịng điện ba pha qua tải 16 Hình 17 Chỉ số THD dòng điện ba pha qua tải 16 Hình 18 Bộ nghịch lưu áp truyền thống 17 Hình 19 Biểu diễn vectơ không gian hệ tọa độαβ 18 Hình 20 Vị trí vector chuẩn hệ tọa độ cố định αβ 20 Hì nh 21 Sector 20 xiv LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP Hình Cấu hình nghịch lưu qSBI 22 Hình (a) trạng thái không ngắn mạch, (b) trạng thái ngắn mạch 23 Hình 3 Mẫu xung SVM1 ngắn mạch nhánh khóa bán dẫn mạch nghịch lưu 25 Hình Mẫu xung SVM2 ngắn mạch nhánh khóa mạch nghịch lưu[27] 26 Hình Mẫu xung ngắn mạch nhánh khóa mạch nghịch lưu 27 Hình Mẫu xung ngắn mạch nhánh khóa mạch nghịch lưu 28 Hình Đồ thị thể đặc tính tăng áp mẫu xung 30 Hì nh Đồ thị thể điện áp đỉnh Upn mẫu xung 30 Hình Mẫu xung sector điều chế theo phương pháp SVM2 31 Hình Sơ đồ mạch nghịch lưu tăng áp 34 Hình Sơ đồ mạch tải mô 34 Hình Sơ đồ mạch kích khóa bán dẫn cơng suất 35 Hình 4 Kết mơ chuỗi trạng thái đóng cắt thực sector 1(phóng to) 36 Hình Từ xuống: a) điện áp ngõ vào Vdc, điện áp tụ Uc, điện áp Vpn, điện áp dây Vab, b) Kết Uc, Vpn, Vab (phóng to) 37 Hình Từ xuống: dòng điện qua cuộn dây, điện áp tụ Uc, điện áp Vpn (phóng to) 38 Hình Từ xuống điện áp Vab, Vbc, Vac, điện áp Vbc (phóng to) 39 Hình Dạng sóng điện áp ba pha tải RL phân tích phổ sóng hài 40 Hình Dạng sóng điện áp ba pha tải R số THD 40 Hình 10 Dạng sóng dòng điện ba pha tải RL số THD 41 Hình 11 Sơ đồ khối mơ hình thực nghiệm 42 Hình 12 Mơ hình thực nghiệm cấu hình qSBI 42 Hì nh 13 Card DSP TMS320F28335 43 xv LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP Hì nh 14 Card FPGA Cyclone II EP2C5T144 44 Hình 15 Hình dạng cấu tạo DCH01 44 Hình 16 Sơ đồ nguyên lý hoạt động DCH01 45 Hình 17 Hình dạng sơ đồ chân IGBT G30N60B30 45 Hình 18 Hình dạng sơ đồ chân diode cơng suất DSEI30-06A 46 Hình 19 (a) tải RL (b) tải trở 50Ω/200W 46 Hình 20 Kết thực nghiệm dạng xung điều khiển nhánh khóa phía sector1 (phóng to) 47 Hình 21 Kết thực nghiệm dạng xung điều khiển cặp khóa S1, S1x, S3, S3x sector1 (phóng to) 48 Hình 22 Kết thực nghiệm dạng xung điều khiển nhánh khóa S2, S2x (phóng to) 48 Hình 23 Kết thực nghiệm tính từ xuống: Vdc, Vc, điện áp ngõ đo tải R pha a 49 Hình 24 Kết thực nghiệm tính từ xuống: Vc, IL, Vpn 50 Hình 25 Kết thực nghiệm tính từ xuống: Vc, IL, Vpn (phóng to) 50 Hình 26 Kết thực nghiệm dạng sóng điện áp dây Vab 51 Hình 27 Kết thực nghiệm dạng sóng điện áp pha a ngõ đo tải RL 51 Hình 28 Kết thực nghiệm dạng sóng điện áp pha a, b, c tải R 52 Hì nh 29 Hình chụp kết thực nghiệm Vdc =39.5.5V (D = 0.2) 53 Hình 30 Đồ thị kết mơ thực nghiệm D = 0.2 54 Hình 31 Hình chụp kết thực nghiệm Vdc = 10.5V (D = 0.3) 55 Hình 32 Đồ thị kết mô thực nghiệm D = 0.3 55 xvi LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP DANH MỤC BẢNG Bảng Bảng so sánh cấu hình NLA, ZSI, qSBI Bảng 2 Thông số mô phương pháp Sin PWM cho nghịch lưu qSBI 12 Bảng Bảng giá trị trạng thái đóng cắt khóa bán dẫn 19 Bảng Thông số sử dụng mô thực nghiệm 33 xvii LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP DANH SÁCH KÝ HIỆU Ký hiệu Đơn vị Ý nghĩa Vdc V Điện áp chiều ngõ vào Va V Điện áp pha a ngõ Vab V Điện áp dây ngõ IL A Dòng qua cuộn dây Uc V Điện áp tụ ID A Dòng qua điot Vpn V Điện áp đỉnh trước qua nghịch lưu xviii LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP DANH SÁCH CHỮ VIẾT TẮT PWM (Pulse Width Modulation): Điều chế độ rộng xung SIN PWM: Điều chế độ rộng xung sin MODIFIED SPWM: Điều chế độ rộng xung sin cải biến SVM: Space Vector Modulations INV (Inverter): Bộ nghịch lưu IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor): Transistor có cực điều khiển cách ly SBI (Switched Boost Inverter): Bộ nghịch lưu tăng áp qSBI (Quasi Switched Boost Inverter): THD (Total Harmonic Distortion): Độ méo dạng sóng hài D (Duty cycle rate): Tỷ số ngắn mạch chu kỳ S (Switch): Các khóa chuyển mạch M (Modulation index): Chỉ số điều chế AC (Alternating Current): Dòng xoay chiều AC NLNA: Nghịch lưu áp truyền thống ZSI: Nghịch lưu nguồn Z R : Điện trở C : Tụ điện L : Cuộn dây xix LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP CHƯƠNG TỔNG QUAN 1.1 Tổng quan lĩnh vực nghiên cứu Những năm gần nghịch lưu ứng dụng rộng rãi điều khiển động điện xoay chiều, lĩnh vực sản suất công nghiệp [1], [2] nguồn lượng [3] hệ thống phân phối điện, xe điện, pin nhiên liệu [4]-[10] ứng dụng sử dụng xe ôtô[11] Đối với nghịch lưu truyền thống để đạt điện áp ngõ cao ngõ vào để cấp cho ứng dụng có nguồn lượng thấp pin mặt trời, pin nhiên liệu phải thêm tăng áp trước nghịch lưu [12], [13] điều dẫn đến mạch phải trải qua hai trình chuyển đổi, thứ trình chuyển đổi tăng áp dc – dc thứ hai trình nghịch lưu dc-ac, cấu hình nghịch lưu truyền thống phải sử dụng nhiều linh kiện mạch dẫn đến tăng giá thành mạch thiết kế, tăng kích thước mạch, tăng tổn hao giảm hiệu suất toàn hệ thống Bộ nghịch lưu truyền thống cịn có nhược điểm khóa đóng ngắt nhánh khơng phép đóng lúc làm ngắn mạch nguồn áp chiều gây hư hỏng thiết bị Để khắc phục nhược điểm nghịch lưu truyền thống kể hàng loạt cơng trình nghiên cứu thiết kế nghịch lưu đời tiêu biểu nghịch lưu nguồn Z (ZSI) [14] áp dụng nhiều thực tế [15],[16], trình bày ứng dụng nghịch lưu nguồn Z điều khiển xe điện sử dụng acquy hay pin nhiên liệu.[17] so sánh nghịch lưu ZSI cải tiến với nghịch lưu qSBI cải tiến Dựa vào kết phân tích vàso sánh ta thấy cấu hình qSBI có nhiều ưu điểm như: dịng điện qua khóa bán dẫn công suất vàqua diode nhỏ hơn, điện áp chịu tụ lớn hơn, hiệu suất cao hệ số tăng áp lớn [18] trình bày phương pháp điều chế độ rộng xung cho nghịch lưu ba pha sáu dây hai nghịch lưu nguồn đơn cósử dụng cấu hình qSBI mạch tăng áp [19] trì nh LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP Hình 26 Kết thực nghiệm dạng sóng điện áp dây Vab Hì nh 4.27 trình bày kết thực nghiệm dạng sóng điện áp pha a đo tải RL, qua kết đo ta thấy điện áp pha a ngõra có biên độ 124.6V, theo lý thuyết từ công thức (3.9) là128.8V (sai số 1.04%) theo mơ hì nh 4.8 là126V (sai số 1.02%) Hình 27 Kết thực nghiệm dạng sóng điện áp pha a ngõra đo tải RL 51 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP Hì nh 4.28 Kết thực nghiệm dạng sóng điện áp ba pha đo tải R cho ta thấy điện áp ba pha tải có dạng sin ba pha, biên độ làVm = 65V, lệch pha 120o, cótần số là50Hz (chu kỳ gồm ô, ôlà5ms nên tần số f = 1/T = 1/(4*5ms) = 0.05kHz = 50Hz) Hình 28 Kết thực nghiệm dạng sóng điện áp pha a, b, c tải R Như vậy, qua kết thực nghiệm ta thấy với thông số thực nghiệm theo bảng 4.1 Khi ta cấp điện áp DC ngõ vào 40V điện áp đỉnh Vpn trước qua nghịch lưu 178V điện áp dây Vab điện áp tụ Uc, hệ số tăng áp DC – AC mạch B = Vpn Vdc = 178 40 = 4.45 Từ ta tính biên độ điện áp pha ngõra thực nghiệm ( Hình 4.27) độ lợi điện áp chuyển đổi từ DC sang AC theo công thức 3.9, 3.10 sau Vm = m Vpn = mBVdc = 0.7*4.45*40 = 124.6V G= Vm Vdc = mB = 3.1 Trong đó: m: số điều chế 52 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP Vm: biên độ điện áp xoay chiều ngõ G: độ lợi điện áp DC – AC 4.2.2.2 Tải trở R (50 Ω) Việc khảo sát phương pháp SVM2 cho cấu hình qSBI thực tải R thông số bảng 4.1 Quá trình thực nghiệm thực sau: ta tăng điện áp ngõ vào Vdc từ 0V đến 50V sau đo điện áp ngõ vào Vdc, điện áp ngõ tụ Vc, Vc với điện áp dây Vab ngõra, theo giá trị điện áp ngõ vào Vdc là10.5, 20.2, 32.2, 39.5 để kiểm tra hệ số tăng áp mạch  Khi hệ số ngắn mạch (D = 0.2) ta có kết Vab thực nghiệm vàmơ sau: Hình 4.29 cho thấy tăng điện áp chiều ngõ vào 39.5V điện áp đo tụ 176V, biên độ điện áp dây thực nghiệm ngõ 176V điện áp dây hiệu dụng ngõ 125V hệ số tăng áp B = 4.45 Hình 29 Hình chụp kết thực nghiệm Vdc = 39.5V (D = 0.2) Tương tự chạy kết thực nghiệm với điện áp ngõ vào 20.2V, 32.2V, 39.5V điện áp ngõvào mô chạy thông số ta thu kết biên độ điện áp dây ngõ Vab thực nghiệm mơ đồ thị Hình 4.30 53 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP 250 Vab Biên độ điện áp dây ngõ mô (Vab) 184 176 200 154152 150 95 100 50 Biên độ điện áp dây ngõ thực nghiệm (Vab) 49 90 41 Vdc 10.5 20.2 32.2 39.5 Hình 30 Đồ thị kết mô thực nghiệm D = 0.2 Như ta tăng điện áp ngõ vào Vdc là:10.5, 20.2, 32.2, 39.5 thìbiên độ điện áp ngõ thực nghiệm 41V, 90V, 152V, 176V, hệ số tăng áp (B) theo thực nghiệm là: 3.91, 4.46, 4.52, 4.45  Khi thay đổi tỷ số ngắn mạch (D = 0.3) ta thu kết sau: Hình 4.31 cho thấy tăng điện áp chiều ngõ vào 10.5V điện áp đo tụ 61V, biên độ điện áp dây thực nghiệm ngõ là61V điện áp dây hiệu dụng ngõ 43,2V hệ số tăng áp B = 5.81 54 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP Hình 31 Hình chụp kết thực nghiệm Vdc = 10.5V (D = 0.3) Tương tự chạy kết thực nghiệm với điện áp ngõ vào 10.5V, 20.1V, 30.4V, 41V, 51.1 điện áp ngõ vào mô chạy thông số ta thu kết biên độ điện áp dây ngõ Vab thực nghiệm mô đồ thị 350 Vab 310 302 300 249 241 250 183 178 200 122 150 100 Biên độ điện áp dây ngõ mô (Vab) Biên độ điện áp dây ngõ thực nghiệm (Vab) 119 63 61 50 Vdc 10.5 20.1 30.4 41 51.1 Hình 32 Đồ thị kết mô thực nghiệm D = 0.3 Hình 4.32 cho thấy tăng điện áp chiều ngõ vào từ 10.5V, 20.1V, 30.4V, 41V, 51.1 biên độ điện áp ngõ thực nghiệm 61V, 119V, 178V, 241V, 302V, hệ số tăng áp (B) theo thực nghiệm là: 5.81, 5.92, 5.86, 5.87, 5.91 55 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP CHƯƠNG KẾT LUẬN Luận văn đưa kết hợp phương pháp điều chế vector không gian (SVM2) với nghịch lưu tăng áp ba pha qSBI với ưu điểm sau SVM có hệ số tăng áp cao, có số lần chuyển mạch chu kỳ điều chế nhỏ SVM6, SVM4 giảm số lần đóng cắt khóa bán dẫn, chất lượng dòng điện điện áp ngõ cao, tăng tuổi thọ linh kiện Cấu hình qSBI cóưu điểm so với nghịch lưu áp truyền thống ZSI - Cho phép ngắn hai mạch nhánh khóa mạch nghịch lưu - Mạch có khả tăng điện áp trực tiếp qua q trình chuyển đổi cơng suất - Mạch linh kiện so với cấu ZSI giảm tổn hao cơng suất mạch 5.1 Hướng phát triển đề tài tương lai - Các kết khảo sát phương pháp SVM2 cho nghịch lưu qSBI thực nghiệm tải R, RL, tiếp tục thực nghiệm với tải động - Thêm mạch đệm để chống sụt áp card DSP - Thêm điều khiển hồi tiếp PID (Proportional Integral Derivative): để ổn định điện áp ngõra 56 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] M R Baiju, K K Mohapatra, R S Kanchan and K Gopakumar, "A dual two- level inverter scheme with common mode voltage elimination for an induction motor drive," in IEEE Transactions on Power Electronics, vol 19, no 3, pp 794805, May 2004 [2] A Somani, R K Gupta, K K Mohapatra and N Mohan, "Circulating currents in open-end winding PWM ac drives," IECON 2010 - 36th Annual Conference on IEEE Industrial Electronics Society, Glendale, AZ, pp 798-804, 2010 [3] M Alam, J Jana and H Saha, "Switched boost inverter applicable for solar photovoltaic system based micro-grid," 2016 2nd International Conference on Control, Instrumentation, Energy & Communication (CIEC), Kolkata, pp 422-426, 2016 [4] F Z Peng, M Shen, and K Holland, “Application of Z-source inverter for traction drive of fuel cell-battery hybrid electric vehicles,” IEEE Trans Power Electron., vol 22, no 3, pp 1054-1061, May 2007 [5] B Ge, H Abu-Rub, F Peng, Q Lei, A de Almeida, F Ferreira, D Sun, and Y Liu, “.An energy stored quasi-Z-source inverter for application to photovoltaic power system,” IEEE Trans Ind Electron., vol 60, no 10, pp 4468–4481, Oct 2013 [6] H Abu-Rub, M Malinowski, and K Al-Haddad, Power Electronics for Renewable Energy Systems, Transportation and Industrial Applications, Hoboken, NJ, USA Wiley, 2014 [7] D Cao, S Jiang, Y Xianhao, and F Z Peng, “Low-cost semi-Z-source 57 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP inverter for single-phase photovoltaic systems,” IEEE Trans Power Electron., vol 26, no 12, pp 3514–3523, Dec 2011 [8] F Guo, L Fu, C.-H Lin, and C Li, “Development of an 85-kW bidirectional quasi-Z-source inverter with DC-link feed-forward compensation for electric vehicle applications,” IEEE Trans Power Electron., vol 28, no 12, pp 5477–5488, Dec 2013 [9] M Shen, A Joseph, J Wang, and F Z Peng, “Comparison of traditional inverters and Z-source inverter for fuel cell vehicles,” IEEE Trans Power Electron., vol 22, no 4, pp 1453–1463, Jul 2007 [10] S J Amodeo, H G Chiacchiarini, and A R Oliva, “High-performance control of a DC–DC Z-source converter used for an excitation field driver,” IEEE Trans Power Electron., vol 27, no 6, pp 2947–2957, Jun 2012 [11] Y Huang, M Shen, F Z Peng, and J Wang, “Z-source inverter for residential photovoltaic systems,” IEEE Trans Power Electron., vol 21, no 6, pp 1776-1782, Nov 2006 [12] Remus Teodorescu, Marco Liserre, Pedro Rodruguez (2011) “Grid converters for photovolotaic and wind power systems”, John Wiley & Sons, Ltd, 2011 [13] Ryszard Strzelecki, Grzegorz Benysek (2008) Power electronics in Smart electrical Energy net work Spinger, 2008 [14] F Z Peng, “Z-source inverter,” IEEE Trans Ind Appl., vol 39, no 2, pp 504- 510, March/April 2003 [15] E S Asl, E Babaei and M Sabahi, "High voltage gain half-bridge quasi- switched boost inverter with reduced voltage stress on capacitors," in IET Power Electronics, vol 10, no 9, pp 1095-1108, 28 2017 58 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP [16] F Z Peng, M Shen and K Holland, "Application of Z-Source Inverter for Traction Drive of Fuel Cell—Battery Hybrid Electric Vehicles," in IEEE Transactions on Power Electronics, vol 22, no 3, pp 1054-1061, May 2007 [17] M K Nguyen, Y C Lim and S J Park, "A Comparison Between Single-Phase Quasi- Z-Source and Quasi-Switched Boost Inverters," in IEEE Transactions on Industrial Electronics, vol 62, no 10, pp 6336-6344, Oct 2015 [18] Tô Thanh Lợi, “Điều khiển động ba pha sáu dây hai nghịch lưu nguồn đơn”, Luận văn Thạc sỹ, Trường đại học Sư phạm Kỹ thuật Tp.HCM, 2017 [19] M Alam, J Jana and H Saha, "Switched boost inverter applicable for solar photovoltaic system based micro-grid," 2016 2nd International Conference on Control, Instrumentation, Energy & Communication (CIEC), Kolkata, pp 422-426, 2016 [20] M K Nguyen, T V Le, S J Park, Y C Lim, “A Class of Quasi-Switched Boost Inverters” IEEE transaction on industrial electronics, vol 62, no 3, pp 15261536, March 2015 [21] Đỗ Đức Trí, Nguyễn Minh Khai “Theree-Level Quasi-Switched Boost T-Type Inverter: Analysis, PWM Control, and Verification”, IEEE Trans.Ind.Electron, vol 65, Issue: 10, pp 8320-8329, Jan 2018 [22] Ngô Bắc Biển, “ Nghiên cứu, phát triển nghịch lưu đa bậc giảm số lượng công tắc bán dẫn” Luận Văn Thạc Sĩ, Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật TPHCM,2017 [23] Lương Hoàn Tiến, “Nghiên cứu, phát triển nghịch lưu đa bậc giảm giảm số lượng công tắc bán dẫn” Luận văn Thạc Sĩ, Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật Tp.HCM, 2017 59 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP [24] N Minh-Khai, “Cascaded five-level embedded-type switched boost inverter,” J of Advanced Engineering and Technology., vol 7, no 9, pp 107-112, 2014 [25] M K Nguyen, T V Le, S J Park, Y C Lim and J Y Yoo, "Class of high boost inverters based on switched-inductor structure," in IET Power Electronics, vol 8, no 5, pp 750-759, 5, 2015 [26] M K Nguyen; Y O Choi, "PWM Control Scheme for Quasi-Switched-Boost Inverter to Improve Modulation Index," in IEEE Transactions on Power Electronics , vol.PP, no.99, pp.1-1, 2017 [27] Trần Tấn Tài “Ghép tần nghịch lưu tăng áp hòa lưới điện pha” Luận văn thạc sĩ, Trường đại học Sư phạm Kỹ thuật Tp.HCM, 2016 [28] Võ Đại Vân , “Nghịch lưu tăng áp đa bậc pha “ Luận văn thạc sĩ, Trường đại học sư phạm Kỹ Thuật Tp.HCM, 2017 [29] Tô Thanh Lợi, Nguyễn Minh Khai, Đỗ Đức Trí, Trần Tấn Tài, “Bộ nghịch lưu kép tăng áp cho động khơng đồng ba pha sáu đầu dây” tạp trí Khoa học công nghệ Đà Nẵng, Trang: 43-46 1(122).2018 [30] Tae-Won Chun, Quang –Vinh Tran,Jung-Ryol Ahn,Jih – Sheng Lai ” AC Output Voltage Control with Minimization of Voltage Stress Across Devices in the Z- Source Inverter Using Modified SVPWM conference on Power Electronics Specialists”,pp.1-5, 2006 [31] Mori ts von Zimmermann, Martin Lechler, Bernhard Piepenbreier “Z-source drive inverter using modified SVPWM for low Output Voltage and regenerating Operation; European Conference on power Electronics and Applications”, pp.1-10, 2009 60 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP [32] Yushan Liu “Overview of Space Vector Modulations for Three-Phase Z Source/Quasi-Z-Source Inverters “IEEE Trans Power Electronics, Vol 29, No 4, April 2014 [33] Y Liu, B.Ge, F.J.T.E Ferreira,A.T.de Almeida, and H.Abu-Rub, “Modeling and SVM control of quasi-Z-source inverter,” in Proc 11 th Int Conf Electr Power Quality Utilisation,pp 1–7, Oct 17–19, 2011 [34] U.S.Ali and V.Kamaraj,“A novel space vector PWM for Z-source inverter,” in Proc 1st Int Conf Electr Energy Syst, pp 82–85, Jan 3–5, 2011 [35] Võ Minh chính, Phạm Quốc Hải, Trần Trọng Minh, “Điện tử công suất”, NXB Khoa học & Kỹ thuật, 2005 61 ... Phương pháp điều chế vector không gian cho nghịch lưu qSBI 17 CHƯƠNG GIẢI THUẬT ĐIỀU CHẾ VECTOR KHÔNG GIAN CHO BỘ NGHỊCH LƯU TĂNG ÁP( qSBI) 22 3.1 Cấu hình nghịch lưu tăng áp ba pha (qSBI)... hình nghịch lưu tăng áp ba pha (qSBI) Cấu hình nghịch lưu tăng áp qSBI Hình 3.1 kết hợp nghịch lưu truyền thống ghép với tăng áp qSBI Cấu hình dùng giải thuật điều chế vector khơng gian để điều. .. giải thuật điều chế vector không gian cho nghịch lưu tăng áp ba pha “ kết hợp phương pháp điều khiển SVM2 với nghịch lưu qSBI 1.2 Mục đích đề tài Mục đích đề tài sử dụng phương pháp SVM2 cho nghịch