Điện tử học : Transistor trường ứng( FET) part 2 pot

... cutoff regioncutoff region Source Drain Gate nChannel p p • Khi V DS lớn

Ngày tải lên: 26/07/2014, 20:20

... MOS–Metal-Oxide-Semicon- ductor ) • Do giữa 2 cực S và D thành lập vùng hiếm lớn, nên MOSFET không dẫn điệnkhi chưa được phân cực .

Ngày tải lên: 26/07/2014, 20:20

... p ). • Ta có mạch G-S: Mạch D-S cho dòng I D ở (2) và V DS cho bởi: V DS = V DD - ( R D + R S )I D (3) • Đường tải tĩnh: Vs + VDS - + VGS - + VDD Q R1 R2 RD RS 2 2 1 0 (2) G DD S G S S GS D R V ... thoát cho bởi (2) như trên: - S + VDS + G VGS - + VDD Q RG RD RS IG =0 ID ID 2 (2) 1 S D D DSS GSOFF R I I I V          • Áp dụng định luật Kirchhoff về thế vòng cực D-S cho: V D...

Ngày tải lên: 26/07/2014, 20:20

... đặc tuyến ra , quỉ tích các điện thế nghẽn là đường cong thoả hàm số theo điện thế phân cực và V po : V p = V DS bh = V GS + V po ( Với Vpo >0) (1) Thí dụ :Khi : V GS = 0V V DS0bh = V P0 =0+5V ... kirchooff về thế ta có:V DS = V DG +V GS và khi V GS = 0 V ta điện thế nghẽn V DS0 = V DGo = Vpo (để dễ liên tưởng đến điện thế nghẽn ( pinch off), nên khi V GS <0 gọi...

Ngày tải lên: 26/07/2014, 20:20

... b.Phân cực bằng điện trởb.Phân cực bằng điện trở hồi tiếp Rhồi tiếp R GG • Xác định điểm tĩnh điều hành Q: • Đường tải tĩnh: + VGS - + VDS - + VDD ID Q RD RG         2 1 2 3 GSQ ds TH DQ GSQ ... hoạt dộng khi V GS >V TH dương, nên áp dụng cách phân cực : -bằng cầu chia thế và -hồi tiếp thoát - cổng. Dưới đây ta chỉ xét 2 cách phân cực nói trên, các cách khác xem l...

Ngày tải lên: 26/07/2014, 20:20

... , và điện thế thoát nguồn được gọi là điện thế nghẽn V p như ở JFET. Ta xét 2 cụ thể trường hợp sau: • Khi V GS <0 Do có điện tích dương xuất hiện trong kênh n cho sẳn nên các điện tử tự ... • Khi cho VGS > 0 Do số điện tử cảm ứng trong kênh bây giờ là các điện tử tự do nên dòng thoát càng tăng lên. Và khi tăng V DS lên ,do vùng hiếm ... kiện. Tóm lại: DMOSF...

Ngày tải lên: 26/07/2014, 20:20

... vùng điện trở : V GS < V TH hay V DS < V GS – V TH ta có : I D = k[ 2( V GS -V TH )V DS – (V DS ) 2 ] (2) - Trong vùng bão hoà :V GS >V TH hay V DS > V GS -V TH ta có : I D = k(V GS – ... thức điện thế và dòng điện a.Biểu thức điện thế Dựa vào lý thuyết và đặc tuyến, quỉ tích các điểm có V DSbh cho bởi: V DSbh = V GS – V TH (1). b. Biểu thức dòng điệ...

Ngày tải lên: 26/07/2014, 20:20

... vào rất lớn, nên dòng I G =0 và : V GS = V GG < 0 (1) Dòng thoát cho bởi: Điện thế V DS cho bởi: V DS = V DD – R D I D (3) Phương trình đường thẳng tải tĩnh: I D =(-V DS + V DD )/ R D ( 4) - S + VDSD + G VGS - + ... JFET  Khi hoạt động trong vùng điện trở, JFET là 1 điện trở có trị thay đổi theo điện thế phân cực, trong vùng này V DS rất bé.  Khi hoạt động trong vùng điện...

Ngày tải lên: 26/07/2014, 20:20

... 2. 0 3.0 4.0 5.0 Drain-source voltage, V 6.0 7.0 8.0 9.0 10.0 0 800 u 2 m 2 m 3 m 4 m 0 V – 0.5 V – 1.0 V – 1.5 V – 2. 0 V – 2. 5 V V GS = –3 V regions further widen near the drain end, regions further ... V GS1 = -1V ): Nối pn phân cực nghịch, vùng hiếm lớn hơn khi V GS = 0V dòng thoát I D có trị nhõ hơn và trị số điện thế nghẽn V p1 cũng nhỏ hơn V po . • Khi cho V GS càng âm...

Ngày tải lên: 26/07/2014, 20:20

... Điện tử cơ bảnĐiện tử cơ bản Ch 6 .Transistor trường ứng( FETCh 6 .Transistor trường ứng( FET)) I. Đại cương và phân loạiI. Đại cương và phân loại • FET ( Field Effect Transistor) -Transistor ... ứng trường – Transistor trường. • Có 2 loại: - Transistor trường nối (JFET-Junction FET. - Transistor có cổng cách điện ( IGFET- Insulated Gate FET hay MOSFET – M...

Ngày tải lên: 26/07/2014, 20:20