Điện tử học : Transistor trường ứng( FET) part 3 doc

Điện tử học : Transistor trường ứng( FET) part 3 doc

Điện tử học : Transistor trường ứng( FET) part 3 doc

... tạiV GS =h,s. Có 3 vùng: Vùng điện trở Vùng bão hoà Vùng ngưng

Ngày tải lên: 26/07/2014, 20:20

6 248 2
Điện tử học : Transistor trường ứng( FET) part 9 docx

Điện tử học : Transistor trường ứng( FET) part 9 docx

... , và điện thế thoát nguồn được gọi là điện thế nghẽn V p như ở JFET. Ta xét 2 cụ thể trường hợp sau: • Khi V GS <0 Do có điện tích dương xuất hiện trong kênh n cho sẳn nên các điện tử tự ... • Khi cho VGS > 0 Do số điện tử cảm ứng trong kênh bây giờ là các điện tử tự do nên dòng thoát càng tăng lên. Và khi tăng V DS lên ,do vùng hiếm ... giảm hơn Khi V GS âm...

Ngày tải lên: 26/07/2014, 20:20

6 263 1
Điện tử học : Transistor trường ứng( FET) part 5 doc

Điện tử học : Transistor trường ứng( FET) part 5 doc

... vào rất lớn, nên dòng I G =0 và : V GS = V GG < 0 (1) Dòng thoát cho bởi: Điện thế V DS cho bởi: V DS = V DD – R D I D (3) Phương trình đường thẳng tải tĩnh: I D =(-V DS + V DD )/ R D ( 4) - S + VDSD + G VGS - + ... P DM không được vượt quá  Vùng điện tích an toàn ( SOA) giới hạn bởi 3 vùng điện trở, vùng bão hoà, vùng ngưng, và 3 đường do 3 trị cực đại nêu trên. Muốn...

Ngày tải lên: 26/07/2014, 20:20

6 213 1
Điện tử học : Transistor trường ứng( FET) part 1 docx

Điện tử học : Transistor trường ứng( FET) part 1 docx

... Điện tử cơ bảnĐiện tử cơ bản Ch 6 .Transistor trường ứng( FETCh 6 .Transistor trường ứng( FET)) I. Đại cương và phân loạiI. Đại cương và phân loại • FET ( Field Effect Transistor) -Transistor ... ứng trường – Transistor trường. • Có 2 loại: - Transistor trường nối (JFET-Junction FET. - Transistor có cổng cách điện ( IGFET- Insulated Gate FET hay MOSFET – Met...

Ngày tải lên: 26/07/2014, 20:20

6 291 1
Điện tử học : Transistor trường ứng( FET) part 10 pdf

Điện tử học : Transistor trường ứng( FET) part 10 pdf

... b.Phân cực bằng điện trởb.Phân cực bằng điện trở hồi tiếp Rhồi tiếp R GG • Xác định điểm tĩnh điều hành Q: • Đường tải tĩnh: + VGS - + VDS - + VDD ID Q RD RG         2 1 2 3 GSQ ds TH DQ GSQ ... dụng cách phân cực : -bằng cầu chia thế và -hồi tiếp thoát - cổng. Dưới đây ta chỉ xét 2 cách phân cực nói trên, các cách khác xem lại ở JFET.

Ngày tải lên: 26/07/2014, 20:20

6 297 1
Điện tử học : Transistor trường ứng( FET) part 8 ppsx

Điện tử học : Transistor trường ứng( FET) part 8 ppsx

... alt="" • 3. Biểu thức điện thế và dòng điện a.Biểu thức điện thế Dựa vào lý thuyết và đặc tuyến, quỉ tích các điểm có V DSbh cho bởi: V DSbh = V GS – V TH (1). b. Biểu thức dòng điện thoát ... Trong vùng điện trở : V GS < V TH hay V DS < V GS – V TH ta có : I D = k[ 2( V GS -V TH )V DS – (V DS ) 2 ] (2) - Trong vùng bão hoà :V GS >V TH hay V DS > V GS -V TH...

Ngày tải lên: 26/07/2014, 20:20

6 270 0
Điện tử học : Transistor trường ứng( FET) part 7 potx

Điện tử học : Transistor trường ứng( FET) part 7 potx

... dẫn điệnkhi chưa được phân cực .

Ngày tải lên: 26/07/2014, 20:20

6 146 1
Điện tử học : Transistor trường ứng( FET) part 6 potx

Điện tử học : Transistor trường ứng( FET) part 6 potx

... (substrate) Drain Gate n + n + p D i D V DS V DD V DD G S _ + _ + _ + 3 . Phân cực bằng cầu phân thế Với điều kiện phải chọn Rs để có V GS < 0(kênh n) hoặc V GS > 0 ( kênh p ). • Ta có mạch G-S: Mạch D-S cho dòng I D ở (2) và V DS cho bởi: V DS = ... đường tải tĩnh 2.Mạch tự phân cực Điện trở R S và R G giúp ta có V GS < 0 dù không có cấp điện âm cho cực G. Áp dụng định luậ...

Ngày tải lên: 26/07/2014, 20:20

6 297 1
Điện tử học : Transistor trường ứng( FET) part 4 pot

Điện tử học : Transistor trường ứng( FET) part 4 pot

... đặc tuyến ra , quỉ tích các điện thế nghẽn là đường cong thoả hàm số theo điện thế phân cực và V po : V p = V DS bh = V GS + V po ( Với Vpo >0) (1) Thí dụ :Khi : V GS = 0V V DS0bh = V P0 =0+5V ... V GS = 0 V ta điện thế nghẽn V DS0 = V DGo = Vpo (để dễ liên tưởng đến điện thế nghẽn ( pinch off), nên khi V GS <0 gọi điện thế nghẽn là V DSbh = V p và thay vào trên...

Ngày tải lên: 26/07/2014, 20:20

6 194 1
Điện tử học : Transistor trường ứng( FET) part 2 pot

Điện tử học : Transistor trường ứng( FET) part 2 pot

... cutoff regioncutoff region Source Drain Gate nChannel p p • Khi V DS lớn

Ngày tải lên: 26/07/2014, 20:20

6 214 1
w