Trên Hình 3.8 là đường đặc trưng Vol-Ampe vòng của dung dịch EG chứa 0,05 M TeCl4 tại nhiệt độ phòng. Tại nhiệt độ phòng, quá trình ô xi hóa khử của TeCl4 chưa xảy ra. Có thể giải thích, dung dịch chưa có khả năng dẫn ion. Tuy nhiên, khi tăng nhiệt độ lên 500C độ dẫn của dung dịch được cải thiện, các đỉnh khử và ô xi và khử đã xuất hiện, Hình 3.9 . Đỉnh khử trong dung dịch lớn nhất cỡ - 0,05 V. Giả thiết rằng tại điểm – 0,05 V liên quan đến quá trình.
Te44eTe0 (3.2) Qua đây cho thấy, yếu tố nhiệt độ trong quá trình lắng đọng Te là không thể thiếu.
Hình 3.8. Đặc trưng Vol-Ampe vòng của dung dịch EG chứa 0,05 M TeCl4 ở nhiệt độ phòng.
Hình 3.9. Đặc trưng Vol-Ampe vòng của dung dịch EG chứa 0,05 M TeCl4 ở nhiệt độ 500C.
Hình 3.10 và Hình 3.11 là đặc trưng Vol-Ampe vòng của dung dịch TeCl4 và LiClO4 tại nhiệt độ phòng và 500C. Trên Hình 3.10, xuất hiện đỉnh khử ở 0,07 V, cho thấy việc LiClO4 có tác động đến độ dẫn của dung dịch TeCl4 kể cả khi ở nhiệt độ phòng. Như vậy, để lắng đọng được Te trong hỗn hợp Bi, Te ta cần bổ sung LiClO4 và đặt ở nhiệt độ thích hợp sẽ đem lại hiệu quả tốt trong việc lắng đọng.
Hình 3.10. Đặc trưng Vol-Ampe vòng của dung dịch EG chứa 0,05 M TeCl4 và 0,05 M LiClO4 ở nhiệt độ phòng.
Ở nhiệt độ 500C, đỉnh khử dịch chuyển mạnh về cỡ 0,3 V. Điều này có thể được lý giải là do ảnh hưởng của chất tạo phức LiClO4 đã giúp điện tử trở nên linh động, làm đỉnh khử dương hơn. Điều này cũng được giải thích như trong báo cáo của nhóm tác giả Hai P. Nguyen [5]
.
Hình 3.11. Đặc trưng Vol-Ampe vòng của dung dịch EG chứa 0,05 M TeCl4
và 0,05 M LiClO4 ở nhiệt độ 50oC.
3.2.4. Đặc trưng Vol-Ampe vòng của dung dịch EG chứa 0,05 M Bi(NO3)3 và 0,05 M TeCl4.