Ghép gần

Một phần của tài liệu Đồ án khóa cửa bằng rfid (Trang 43)

Cung cấp năng lượng cho transponder

Hệ thống ghép gần được thiết kế cho khoảng cách từ 0,1cm đến tối đa là 1cm. Transponder được chèn vào trong reader hoặc đặt vào trong bề mặt đánh dấu để hoạt động.

Hình 2.14. Transponder ghép gần được đưa vào trong reader

Đưa transponder vào trong reader sao cho cuộn cảm của nó nằm đúng vị trí trong khe không khí. Reader là cuộn sơ cấp và transponder là cuộn thứ cấp tạo thành một biến áp. Một dòng điện cao tần biến thiên trong cuộn sơ cấp phát ra một trường từ cao tần trong lõi, khe không khí cuộn cảm của transponder. Tín hiệu này được chỉnh lưu rồi dùng để cung cấp năng lượng cho chip.

Do điện áp cảm ứng U trong cuộn cảm của transponder tỉ lệ với tần số f của dòng điện kích thích nên tần số được chọn để truyền năng lượng càng cao càng tốt. Trong thực tế, tần số trong khoảng từ 1-10MHz thường được sử dụng. Để giữ cho suy hao trong biến áp thấp thì lõi ferrite phải phù hợp với tần số được chọn.

Khác với hệ thống ghép cảm ứng hay viba, hiệu suất truyền từ reader đến transponder rất cao. Do đó hệ thống ghép gần là một lựa chọn rất tốt cho những chip tiêu thụ năng lượng nhiều. Chính vì lý do này mà những thẻ ghép gần đều có chứa vi xử lý.

Truyền dữ liệu từ transponder đến reader

Ghép từ: load modulation với sóng mang phụ cũng được dùng để truyền dữ liệu trong ghép từ từ transponder đến reader trong hệ thống ghép gần. Tần số sóng mang phụ và quá trình điều chế được qui định trong ISO 10536.

Một phần của tài liệu Đồ án khóa cửa bằng rfid (Trang 43)

Tải bản đầy đủ (PDF)

(75 trang)