Erasable PROM)
Cửa sổ thạch anh có giá thành khá đắt và không tiện lợi nên những nămgần đây xuất hiện các chip PROM có thể xoá số liệu bằng phương pháp điện. Cấu trúc của ô nhớgiống như hình 7-8.
Việc nạp các điện tử cho cửa nổiđược thực hiện như cáchở EPROM. Bằng một xung điện tương đối dài, các điện tích mang năng lượng cao được phát ra trong đế sẽ thấm qua lớp cửa ôxit và tích tụ trong cửa nổi. Để xoá EEPROM, một lớp kênh màng mỏng ôxit giữa vùng cửa nổi trải xuống
dưới đế và cực máng giữ vai trò quan trọng. Các lớp cách điện không thể là lý tưởng được, các điện tích có thể thấm qua lớp phân cách với một xác suất thấp. Xác suất này tănglên khi bề dày của lớp giảmđi và điện thế giữa hai điện cực ở hai mặt lớp cách điện tăng lên. Muốn phóng các điện tích trong vùng cửa nổi một điện thế (-20 V) đượcđặt vào cực cửa điều khiển và cực máng. Lúc này các
điện tử âm trong cửa nổi được chảy vềcực máng qua kênh màng mỏng ôxit và số liệu lưu giữ được xoá đi. Điều lưu ý là phải làm sao cho dòngđiện tích này chảy không quá lâu vì nếu không vùng cửa nổi này lại trở nên tích điện dương làm cho hoạt động của transistor không được trạng thái bình
thường (mức nhớ 1) Lớp ôxit n-Nguồn n- Máng Đế bán dẫn loại p Lớp ôxit Nguồn Cửa Máng - - - - - - Cửa nổi Cửa điều khiển
- - - - - Đường hầm ôxít Lớp ôxit Hình 7-8. Cấu trúc của một EEPROM