Bộ nhớ bán cố địn h EPROM (Erasable PROM)

Một phần của tài liệu Điện tử số - Nguyễn Trung Hiếu (Trang 165)

 Số liệu vào có thể được viết vào bằng xung điện nhưng được lưu giữ theo kiểu không bay hơi.

Đó là loại ROM có thể lập trình được và xóa được. Hình 7- 7 chỉ ra cấu trúc của một transistor dùng để làm một ô nhớ gọi là FAMOST (Floating gate avalanche injection MOS transistor).

 Trong ô nhớ dùng transistor này, cực cửa được nối với đường từ, cực máng được nối với

đường bit và cực nguồn được nối với nguồn chuẩn được coi là nguồn cho mức logic 1. Khác với transistor MOS bình thường, transistor loại này còn có thêm một cửa gọi là cửa nổi

(floating gate); đó là một vùng vật liệu được thêm vào vào giữa lớp cách điện cao như ở hình 7-7. Nếu cửa nổi không có điện tích thì nó không ảnh hưởng gì đến cực cửa điều khiển và transistor hoạt động như bình thường. Tức là khi dây từ được kích hoạt (cực cửa có điện thế dương) thì transtor dẫn, cực máng và nguồn được nối với nhau qua kênh dẫn và dây bit có mức logic 1. Nếu cửa nổi có các điện tử trong đó với điện tích âm thì chúng sẽ ngăn trường

điều khiển của cửa cửa và dù dây từ được kích hoạt thì cũng không thể phát ra trường đủu mạnh với cực cửa điều khiển để làm thông transistor. Lúc này đường bit không được nối với nguồn chuẩn và ô nhớ coi như được giữ giá trị 0.

0 v v1 D I GS v Hình 7-7. Cấu trúc của một EPROM

B nh bán cố định - EPROM (Erasable PROM)

 Việc nạp các điện tử vào vùng cửa nổi, tức là tạo ra các ô nhớ mang giá trị 0

được thực hiện bởi xung điện có độ dài cỡ 50 ms và độ lớn + 20 V đặt giữa cực cửa va cực máng. Lúc đó những điện tích mang năng lượng lớn sẽ đi qua lớp cách điện giữa đế và cửa nổi. Chúng tích tụ trong vùng cửa nổi và được giữ ở đây sau khi xung lập trình tắt. Đó là do cửa nổi được cách điện cao với xung quanh và các điện tử không còn đủ năng lượng sau khi lạnh đi, để có thể vượt ra ngoài lớp cách điện đó nữa. Chúng sẽ được giữ ở đây trong một thời gian rất dài (ít nhất là 10 năm).

 Để xoá các thông tin, tức là làm mất các điện tích điện tử trong vùng cửa nổi, phải chiếu ánh sáng tử ngoại UV vào chíp nhớ. Lúc này, những điện tử hấp thụ đượ năng lượng và sẽ nhảy lên các mức năng lượng cao và rời khỏi cửa nổi giống như cách mà chúng đã thâm nhập vào. Trong chip EPROM có một cửa sổ làm bằng thuỷ tinh thạch anh chỉ để cho ánh sáng tử ngoại đi qua khi cần xoá số liệu trong bộ nhớ.

Một phần của tài liệu Điện tử số - Nguyễn Trung Hiếu (Trang 165)