- Bước 8: Nế ur mới =r cũ thì tính toán Et thông qua (2.14) và dừng lại.
Length of nanowires
Vector độ biến dạng tính chất sắt điện cho từng vị trí Ti dọc theo độ dài dây xét một nửa chiều dài dây ta thấy tính chất giống dây loại B1. Các dây có độ dài chắn ô mạn cơ sở thì độ lệch của Ti trung tâm = 0. Các nguyên tử Ti ngoài cùng có độ lệch lớn nhất và giảm dần khi vào tâm dây.
Chúng ta thấy với dây loại type A1, type B1 và type B2 thì không có sự lật của nguyên tử Ti bề mặt. Điều này chỉ xảy ra trong dây type A2, chứng tỏ có ảnh hưởng
của hiệu ứng kích thước trong các dây nano BaTiO3
3.3.3. DOS của dây nano có độ dài 4U
Do số lượng các mô hình tính toán là rất lớn nên chúng ta chỉ xem xét cấu
trúc vùng điện tử của các loại dây nano BaTiO3 có độ dài 4U. Vì tại độ dài này có
sự lật của nguyên tử Ti bề mặt ở loại dây Type A2 còn các loại khác thì không có điều này. Qua Fig.3.14 ta thấy Total DOS và PDOS của 2 dây loại A1, B1 cơ bản giống nhau. Số trạng thái bị chiếm cao nhất khoảng 410 electrong/Ha tập trung chủ yếu tại mức Fermi.
a) b)
Fig.3.14 So sánh PDOS và DOS của dây nano BaTiO3 loại A1 và B1 tương ứng
Còn các mức năng lượng từ -180(Ha) đến -50(Ha) thì đều không có các electron. Còn các mức năng lượng từ -180(Ha) đến -50(Ha) thì đều không có các electron. Với mức năng lượng thấp hơn thì số trạng thái electrong bị chiếm giữ chỉ có tại mức năng lượng -200(Ha).Vì cấu trúc vùng điện tử cơ bản giống nhau nên ở 2 loại dây này đều không có sự lật của nguyên tử Ti bề mặt.
a) b)
Fig.3.15 So sánh PDOS và DOS của dây nano BaTiO3 loại A2 và B2 tương ứng
a,b.Mỗi dây có độ dài 4U.
Nhìn vào Fig.3.15 ta nhận thấy có sự khác biệt rất rõ ràng của cấu trúc vùng điện tử của hai loại dây A2 và B2. Số trạng thái electrong/Ha ở gần mức Fermi của dây với
bề mặt cắt 2BaO lớn gấp xấp xỉ 1,5 lần so với dây bề mặt cắt 2Ti02. Bởi lẽ có sự
khác biệt này do trong loại dây A2 có sự lật của nguyên tử Ti bề mặt. Với PDOS và DOS của dây B2 khi so sánh với dây A1, B1 thì chúng cơ bản giống nhau.
Vì chỉ trong loại dây A2 mới xuất hiện nguyên tử Ti bề mặt bị lật nên ta đi xem xét cấu trúc điện tử của nguyên tử Ti bề mặt và Ti trung tâm của các loại dây nano.
a) b)
Fig.3.16 So sánh tổng DOS của Ti bề mặt và trung tâm với loại dây type A1, type B1 tương ứng a),b). Mỗi dây có chiều dài 4U.
Nhìn vào phân bố electron/Ha của nguyên tử Ti bề mặt và tâm chúng hoàn toàn giống nhau vì vậy ở cả 2 loại dây nano này đều không thấy sự đảo chiều của nguyên tử Ti bề mặt.
a) b)
Fig.3.17 So sánh tổng DOS của Ti bề mặt và trung tâm với loại dây type A2, type B2 tương ứng a),b). Mỗi dây có chiều dài 4U.
Qua fig.9 ta thấy tổng DOS của Ti bề mặt và trung tâm có sự khác biệt rất lớn. Tại gần mức Fermi thì số trạng thái electrong/Ha của dây A2 cao hơn khoảng 0.28 lần còn ở dây B2 thì không có điều này. Khi chúng ta so sánh tổng DOS của nguyên tử Ti trong các loại dây đã làm sáng tỏ sự lật của n guyên tử Ti bề mặt.