CHẤT ĐIỆN TỪ CỦA ANTEN METAMATERIAL
4.4.1. Khảo sát ảnh hƣởng của vị trí đặt cấu trúc HIS đến hiệu suất (gain) bức xạ và độ rộng dải tần làm việc của anten metamaterial
Khi xét đến khoảng cách từ cấu trúc HIS đến bề mặt trở kháng cao thì gain bức xạ và bề rộng dải tần làm việc của anten thay đổi theo khoảng cách đó và kết quả mô phỏng thu đƣợc nhƣ hình 4.7 và kết quả khảo sát hình 4.8.
Hình 4. 7: Kết quả mô phỏng phổ phản xạ và đồ thị bức xạ của anten metamaterial khi thay đổi khoảng cách từ vị trí đặt cấu trúc HIS đến tấm kim loại
Hình 4.8a: Sự thay đổi hiệu suất (gain) bức xạ vào khoảng cách từ cấu trúc HIS đến tấm kim loại của anten metamaterial
b)
Hình 4.8b: Sự thay đổi dải tần làm việc khoảng cách từ cấu trúc HIS đến tấm kim loại của anten metamaterial.
Thảo luận:
Hiệu suất (gain) bức xạ của anten metamaterial lớn nhất khi khoảng cách từ vị trí đặt cấu trúc HIS đến tấm kim loại là 14.1 mm xấp xỉ mức λ/2 (Bƣớc sóng tại tần số cộng hƣởng λ=28.57mm).
Dải tần làm việc của anten metamaterial lớn nhất khi khoảng cách từ vị trí đặt cấu trúc HIS đến tấm kim loại là 14.1 mm xấp xỉ mức λ/2.
Nhƣ vậy khoảng cách tối ƣu từ vị trí đặt cấu trúc HIS đến tấm kim loại là khoảng λ/2. Điều này có thể giải thích khi khoảng cách giữa anten và HIS quá nhỏ, sự kết hợp điện từ giữa anten và HIS quá lớn gây nhiễu tới bức xạ của anten, khi khoảng cách này quá lớn thì ảnh hƣởng của HIS tới ngăn chặn sóng điện từ bề mặt lại không rõ rệt nên cũng không giúp cho anten cải thiện đặc tính của mình; ở đây phƣơng pháp mô phỏng đã chỉ ra khoảng cách hợp lý là khoảng λ/2 với λ là bƣớc sóng của tần số cộng hƣởng. Ở khoảng cách này sóng điện từ lan truyền bề mặt từ anten bị HIS hấp thụ hay nói cách khác ngăn chặn một cách tốt nhất, nâng cao hiệu năng cho anten.