Tính chất từ giảo động

Một phần của tài liệu Tăng cường hiệu ứng từ điện trong vùng từ trường thấp trên các vật liệu Multiferroics Metglas, PZT dạng lớp cấu trúc micrô-nanô (Trang 40)

Trong luận văn này, chúng tôi tiến hành đo đạc và khảo sát đường cong từ giảo trong từ trường ngoài bao gồm cả từ trường DC và AC. Phép đo này hoàn toàn mới và

chưa được thực hiện và công bố trên bất cứ tài liệu nào liên quan đến vật liệu từ-điện nghiên cứu. Phép đo này là cần thiết vì về cơ chế nguyên lý đo và biến dạng của băng từ giảo trong trường hợp này giống hệt trong trường hợp khảo sát hiệu ứng từ-điện. Tận dụng hệ đo từ giảo bằng phương pháp quang sẵn có tại phòng thí nghiệm, ở đây thực hiện phép đo này chúng tôi sử dụng thêm một cuộn dây Helmholtz được nuôi bằng nguồn xoay chiều để tạo từ trường xoay chiều. Sơ đồ bố trí nam châm trong trường hợp này giống hệt sơ đồ hệ đo hiệu ứng từ-điện. Tuy nhiên do giới hạn đáp ứng của thiết bị Photodiode nên trong các phép đo này chúng tôi chỉ thực hiện được với tần số thấp < 500 Hz. Kết quả đường cong từ giảo động phụ thuộc vào từ trường một chiều đo tại các tần số khác nhau được chỉ ra trên hình 3.12. Ở đây, biên độ từ trường xoay chiều kích thích được duy trì ở 2 Oe cho các phép đo. Kết quả cho thấy sự phù hợp về hình dáng của đường cong từ giảo tĩnh với đường cong độ cảm từ giảo được đưa ra trên hình 3.11.

Hình 3.12. Đường cong từ giảo động đo trên mẫu băng từ Metglas pha Ni tại các tần số từ trường xoay chiều kích thích khác nhau

Như vậy có thể khẳng định rằng đường cong từ giảo động phản ánh độ cảm từ giảo của đường cong từ giảo tĩnh, hay nói khác đi là khả năng đáp ứng từ giảo của vật liệu khi chịu một sự thay đổi nhỏ của từ trường ngoài. Nguyên lý hoạt động của băng từ trong trường hợp đo động này giống trong phương pháp đo hiệu ứng từ điện. Chính vì lý do này, độ cảm từ giảo hay từ giảo động chính là thông số quyết định chính của pha từ đến hiệu ứng từ-điện nghiên cứu. Ở đây, sự khác nhau về dấu của hai đường cong tại hai tần số khác nhau này có thể được giải thích do hai nguyên nhân là sự khác nhau về pha giữa dao động của băng từ và từ trường kích thích đồng thời với thời gian trễ do sự đáp ứng của photodiode với laser tới, đây cũng là một hạn chế cho các phép đo này không thể thực hiện được ở tần số cao và từ trường xoay chiều nhỏ.

-1.5 -1.0 -0.5 0.0 0.5 1.0 1.5 -50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 HDC (Oe)ac ( 1 0 -6 ) 25 Hz 80 Hz

Một phần của tài liệu Tăng cường hiệu ứng từ điện trong vùng từ trường thấp trên các vật liệu Multiferroics Metglas, PZT dạng lớp cấu trúc micrô-nanô (Trang 40)

Tải bản đầy đủ (PDF)

(57 trang)