Một khả năng ứng dụng của QDs CdSe/ZnS

Một phần của tài liệu Nghiên cứu chế tạo, tính chất quang của các nanô tinh thể bán dẫn CdSe, ZnS với cấu trúc lõi, vỏ (Core, Shell) (Trang 64)

CÁC KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN

3.7.Một khả năng ứng dụng của QDs CdSe/ZnS

Với khả năng phỏt xạ huỳnh quang cao và phụ thuộc rừ ràng vào kớch thước nm, cỏc QDs CdSe/ZnS cú thể ứng dụng vào việc đỏnh dấu cỏc mó vạch, cho cỏc ứng dụng đa dạng khỏc nhau, như trong y-sinh. Hỡnh 3.21 là mầu phỏt sỏng của cỏc QDs chế tạo được so sỏnh với cỏc mầu phỏt quang của cỏc đồng tiền chõu Âu.

(a) (b)

Hỡnh 3.21. Mầu phỏt sỏng của cỏc QDs chế tạo được so sỏnh với cỏc mầu phỏt quang của cỏc đồng tiền chõu Âu.

KẾT LUẬN

1. Đó chế tạo được cỏc chấm lượng tử CdSe, CdSe/ZnS cú kớch thước thay đổi

từ 2 nm - 6 nm nằm trong chế độ giam giữ mạnh, bằng phương phỏp micelle đảo, và với cỏc thời gian nuụi tinh thể khỏc nhau. Từ cỏc kết quả thực nghiệm, cựng với cỏc tớnh toỏn lý thuyết, đó xỏc định được kớch thước hạt của cỏc QDs CdSe, CdSe/ZnS, từ phổ tỏn xạ Raman, phổ hấp thụ huỳnh quang.

2. Đó khảo sỏt được ảnh hưởng của lớp vỏ ZnS lờn tớnh chất quang học của lừi cỏc chấm lượng tử CdSe:

+ Bờ hấp thụ của QDs CdSe/ZnS hơi dịch về phớa đỏ (tương ứng với mức năng lượng nhỏ hơn), đú chớnh là do sự xuyờn hầm cục bộ của cỏc exciton vào trong mạng ZnS.

+ Cường độ huỳnh quang của QDs CdSe tăng lờn rất nhiều sau khi được bọc bởi lớp vỏ ZnS, đú chớnh là do quỏ trỡnh xuyờn hầm cục bộ exciton từ lớp lừi CdSe vào trong lớp vỏ ZnS, làm tăng số cặp điện tử - lỗ trống, dẫn đến làm tăng quỏ trỡnh tỏi hợp và bức xạ của cặp điện tử - lỗ trống. Ngoài ra khi lớp lừi CdSe được bao bọc bởi lớp vỏ ZnS, quỏ trỡnh tỏi hợp bức xạ do cỏc trạng thỏi bẫy và cỏc nỳt khuyết trờn bề mặt tinh thể CdSe là gần như biến mất, lỳc đú quỏ trỡnh phỏt quang của QDs CdSe chủ yếu do quỏ trỡnh tỏi hợp và bức xạ vựng - vựng của cặp điện tử - lỗ trống trong lớp lừi CdSe.

3. Bằng phương phỏp hiển vi điện tử truyền qua (TEM) đó xỏc định được kớch

thước của cỏc hạt nano tinh thể CdSe cú giỏ trị từ 2 nm - 6 nm. Kết quả này hoàn toàn phự hợp với kết quả xỏc định kớch thước hạt thụng qua phổ tỏn xạ Raman và phổ hấp thụ huỳnh quang.

4. Kớch thước của cỏc QDs CdSe được xỏc định thụng qua hiển vi điện tử quột cú giỏ trị hơi lớn so với cỏc phương phỏp khỏc.

5. Một số hướng ứng dụng của QDs CdSe/ZnS cú thể được triển khai trong điều kiện Việt Nam: ứng dụng làm code mó vạch, cỏc linh kiện phỏt sỏng với cỏc chấm lượng tử QD- LEDs.

Một phần của tài liệu Nghiên cứu chế tạo, tính chất quang của các nanô tinh thể bán dẫn CdSe, ZnS với cấu trúc lõi, vỏ (Core, Shell) (Trang 64)