Các màng mỏng được chế tạo trên đế silic có khả năng ứng dụng lớn trong các thiết bị như các transistor trường bán dẫn sắt từ (MFS-FETs), RAM, ... do các thiết bị này có dòng rò và tán xạ quang thấp hơn so với các màng mỏng khác. Tuy nhiên, quá trình lắng đọng màng mỏng PZT trên đế silic gặp phải một số vấn đề gây ảnh hưởng đến sự hình thành màng mỏng. Bề mặt của silic dễ bị oxi hoá thành silic oxit do oxy
trong các màng mỏng oxit hay là do môi trường. Điều này ngăn cản quá trình hình thành cấu trúc tinh thể của màng mỏng PZT. Vấn đề tiếp theo gặp phải đó là các cation trong màng mỏng oxit có thể khuếch tán vào đế silic hoặc tương tác với đế. Do sự chênh lệch hằng số mạng khá lớn giữa đế silic có cấu trúc lập phương với hằng số mạng tinh thể a = 5.43 Å và PZT có cấu trúc tứ giác với hằng số mạng tinh thể trong khoảng 3.90 ÷ 4.2 Å nên màng mỏng PZT cấu trúc peroskite khó có thể chế tạo trực tiếp trên đế silic. Do vậy, việc sử dụng một lớp đệm với hằng số mạng trung gian nằm giữa Si và PZT cho phép quá trình tạo màng với cấu trúc tinh thể mong muốn. Một vài vật liệu điển hình có thể được dùng làm lớp đệm như MgO, Pt, SrTiO3 (STO), SrRuO3 (SRO). Trong các vật liệu vừa kể đến, cả STO và SRO đều có cấu trúc perovskite nên rất phù hợp với cấu trúc perovskite của PZT. Tuy nhiên, giá thành của đế đơn tinh thể STO rất đắt, không phù hợp với định hướng ứng dụng. Bên cạnh đó, theo các nghiên cứu được các nhà khoa học công bố, việc sử dụng lớp đệm SRO không những cho phép hình thành cấu trúc tinh thể mong muốn của màng mỏng PZT mà còn cải thiện tính chất điện của vật liệu.
Trong phần này, các màng mỏng PZT được thử nghiệm chế tạo bằng phương pháp lắng đọng xung điện tử sử dụng lớp đệm SRO. Lớp đệm SRO cũng được chế tạo bằng kỹ thuật PED với thời gian chế tạo 30 phút, nhiệt độ đế 600oC, áp suất khí oxy 14 mTorr và mẫu sau khi chế tạo được ủ tại cùng nhiệt độ đế. Các màng mỏng PZT sau khi chế tạo được nghiên cứu cấu trúc tinh thể và hình thái học bề mặt nhằm nghiên cứu ảnh hưởng của các điều kiện công nghệ chế tạo lên tính chất của màng mỏng.