Các khảo sát về ảnh hưởng của thời gian ủ và nhiệt độ ủ được thực hiện trên mẫu nghiền trong 6 giờ. Do điều kiện thí nghiệm nên các mẫu được ủ trong điều kiện môi trường không khí trong khoảng nhiệt độ từ 100 0C đến 700 0C, với thời gian ủ lần lượt 10, 20, 30, 45 và 120 phút. Với tiêu chí là thu được vật liệu chấm lượng tử CdS phát quang mạnh nên cường độ của phổ huỳnh quang được sử dụng để đánh giá thời gian ủ và nhiệt độ ủ (các mẫu được đo trong cùng một điều kiện, với cùng lượng mẫu đo).
Hình 2.7. Cường độ huỳnh quang của mẫu CdS nghiền trong 6 giờ với nhiệt độ ủ mẫu: 100, 300, 500 và 700 0C trong 15 phút
Hình 2.8. Cường độ huỳnh quang của mẫu CdS nghiền trong 6 giờ, tại 500 0C với thời gian ủ mẫu 10, 20, 30 ,45, 120 phút
Hình 2.7 là cường độ huỳnh quang của các mẫu chấm lượng tử CdS được
nghiền trong 6 giờ với nhiệt độ ủ mẫu tương ứng: 100, 300, 500 và 700 0C
trong 15 phút. Từ cường độ của đỉnh huỳnh quang, chúng tôi thấy chấm
lượng tử CdS phát huỳnh quang mạnh nhất sau khi ủ tại 500 0C. Do đó, tại
nhiệt độ 500 0C, chúng tôi tiến hành ủ mẫu CdS nghiền 6 giờ theo thời gian
ủ khác nhau: 10, 20, 30, 45, 120 phút. Cường độ phổ huỳnh quang của mẫu ủ tại 500 0C tại các thời gian khác nhau được trình bày trong Hình 2.8 cho thấy thời gian ủ mẫu 30 phút là tối ưu, cho cường độ huỳnh quang lớn nhất. Từ kết quả khảo sát ảnh hưởng thời gian ủ lên cấu trúc, dạng thù hình và tính chất quang của chấm lượng tử CdS, lựa chọn chế độ công nghệ ủ ở nhiệt độ
500 0C trong thời gian 30 phút cho tất cả các mẫu vật liệu chế tạo sau này
nhằm loại bỏ các khuyết tật và biến dạng mạng gây nên trong quá trình nghiền cơ năng lượng cao.
Các mẫu sau khi ủ được xác định cấu trúc tinh thể bằng nhiễu xạ tia X, nhằm xác định kích thước hạt cũng như nghiên cứu đánh giá ảnh hưởng của thời gian nghiền đến kích thước, cấu trúc tinh thể.
