Chế tạo từ cacbit silic (SiC) dạng bột nén. Nó là điện trở phi tuyến.
Nguyên nhân chủ yếu của tính không đường thẳng của điện trở này là do:
+ Khi tăng điện áp thì xảy ra quá trình tự giải thoát điện tử từ các mũi nhọn
và các cạnh sắc của các hạt bột. Hiện tượng này làm 1 số khe hở giữa các hạt được
kín lại và diện tích tiết diện điện trở tăng lên.
+ Sự tăng điện dẫn và chọc thủng từng phần màng ôxit phủ trên hạt khi
cường độ điện trường vượt trị số 103 - 104V/cm.
+ Đốt nóng cục bộ tại các điểm tiếp xúc giữa các hạt làm cho phát xạ điện
tử dễ dàng hơn, làm tăng điện dẫn lớp tiếp xúc và đánh thủng từng phầncủa chúng.
Tuy nhiên lượng nhiệt ở điện trở không lớn và sự đốt nóng toàn phần không xảy ra.
+ Sự mắc song song và nối tiếp 1 số lớn tiếp giáp P-N, vì điện dẫn lớp bề
mặt của hạt có thể khác loại với bên trong hạt.
Trong thực tế các cơ chế này có thể xuất hiện đồng thời hay xảy ra liên tiếp trong cùng 1 điện trở.
- Dạng tổng quát sơ đồ đẳng trị của điện trở làm bằng bột SiC không đồng nhất cho trên hình vẽ:
Điện dẫn của điện trở này được xác định bởi nhiều mạch nhỏ song song của các hạt tiếp xúc, và độ bền điện của các tiếp xúc trong các mạch khác nhau cũng không giống nhau.
Khi điện áp tăng lên thì số điểm tiếp xúc được mắc song song vào mạch càng nhiều do đó đặc tính vôn - ampe không tuyến tính. Điện trở không đường thẳng như thế gọi là Varixto.
Các Varixto làm bằng các hạt SiC rời rạc không ổn định, không chịu được rung, va đập, dễ thay đổi đặc tính. Vì vậy các hạt SiC cần được gắn chặt bằng chất kết dính.
Chất kết dính thường dùng là đất sét, sứ siêu cao tần, thuỷ tinh lỏng...