Ăn mòn là quy trình loại bỏ vật liệu không đƣợc bảo vệ khỏi bề mặt wafer.
Hai đặc tính quan trọng của quy trình ăn mòn là tính lựa chọn (selectivity) và tính không đẳng hƣớng (anissotropy). Tính lựa chọn là đặc tính của sự ăn mòn trong đó chỉ lớp mong muốn bị ăn mòn mà không ảnh hƣởng tới lớp bảo vệ và lớp ở dƣới.
4 (b). Nhƣ minh họa, sự thiếu tính lựa chọn đối với mask đƣợc cho bởi độ lớn của a. Thiếu tính lựa chọn đối với lớp ở dƣới đƣợc cho bởi độ lớn b. Độ lớn của c thể hiện mức độ không đẳng hƣớng. Các vật liệu thƣờng đƣợc ăn mòn bao gồm silic đa tinh thể, ôxít silic nitric silic và nhôm.
Hình 3.1-4 (a) Trước quy trình ăn mòn (b) Sau quy trình ăn mòn
Có hai kỹ thuật ăn mòn cơ bản là ăn mòn ƣớt (wet etching) và ăn mòn khô (dry etching). Kỹ thuật ăn mòn ƣớt sử dụng các hóa chất để loại bỏ vật liệu cần đƣợc ăn mòn. Axít hydrofluoric (HF) đƣợc sử dụng để ăn mòn ôxít silic; axít phosphoric (H3PO4) đƣợc sử dụng để loại bỏ nitric silic (Si3N4); axít nitric (HNO3), axít acetic hoặc hydrofluoic đƣợc sử dụng để loại bỏ silíc đa tinh thể (polysilicon); potassium hydroxide đƣợc sử dụng để ăn mòn silíc; và hỗn hợp axít phosphoric đƣợc sử dụng để ăn mòn kim loại. Ăn mòn khô hoặc ăn mòn plasma sử dụng các khí bị iôn hóa, các khí này đƣợc làm cho tích cực hóa học bởi một plasma RF. Ăn mòn khô rất tƣơng tự với
phún xạ (sputtering) và thực tế cùng thiết bị có thể đƣợc sử dụng. Ăn mòn khô đƣợc sử dụng cho công nghệ siêu hiển vi vì nó đạt đƣợc profile không đẳng hƣớng (không cắt dƣới).