Phƣơng pháp phân tích nhiễu xạ ti aX

Một phần của tài liệu nghiên cứu tổng hợp gốm monticelite cao.mgo.sio2 và ảnh hưởng của oxit fe2o3, cr2o3 đến cấu trúc và tính chất của gốm (Trang 25)

Phương pháp nhiễu xạ tia X (XRD) là một trong những phương pháp hiện đại dùng để xác định thành phần pha tinh thể của vật liệu. Phương pháp này cho phép xác định thông số mạng, kiểu mạng lưới, kích thước hạt...

Phương pháp nhiễu xạ tia X dựa trên nguyên tắc sau:

Khi chiếu một chùm tia X song song, đơn sắc vào vật liệu có cấu trúc tinh thể thì xảy ra hiện tượng khuếch tán tia X. Điện trường của chùm tia tới làm điện tử của nguyên tử trong mạng tinh thể dao động, sự dao động này là nguồn phát tia thứ cấp phát ra bức xạ cùng tần số với tia X. Do đó chúng giao thoa với nhau. Trong mạng lưới tinh thể chúng tạo thành những mặt phẳng nút. Sự khuếch tán tia X có thể xem như sự phản xạ từ các mặt phẳng nút đó. Khi chiếu một chùm tia X đơn sắc có bước sóng xác định đi qua một hệ tinh thể, trong tinh thể ta chọn hai mặt phẳng nút song song với nhau có khoảng cách là dhkl, góc hợp bởi tia tới với mặt phẳng nút là . Nếu hiệu lộ trình của tia tới và tia phản xạ bằng một số nguyên lần bước sóng thì xảy ra hiện tượng nhiễu xạ tia X.

Chất so sánh Mẫu nghiên cứu T1 T2 2 B C A D

Hình 2.2. Nhiễu xạ tia X theo mô hình Bragg

Các tia X phản xạ từ hai mặt mạng cạnh nhau có hiệu quang trình ∆ = M2QN2 – M1PN1 = 2dsinθ

Khi các tia này giao thoa với nhau ta sẽ thu được cực đại nhiễu xạ thỏa mãn phương trình Vulf-Bragg:

M2QN2 – M1PN1 = nλ = 2dsinθ Trong đó:

d: Khoảng cách giữa hai mặt mạng song song. θ: Góc giữa tia X và mặt phẳng pháp tuyến. n: Số bậc phản xạ (n=1,2,3,4…).

λ: Độ dài bước sóng.

Một phần của tài liệu nghiên cứu tổng hợp gốm monticelite cao.mgo.sio2 và ảnh hưởng của oxit fe2o3, cr2o3 đến cấu trúc và tính chất của gốm (Trang 25)

Tải bản đầy đủ (PDF)

(79 trang)