I pr ÒNG Ư : KẾT QUẢ
1100 c, nhiệt độ đê là 650°c là điêu kiện tôt nhât đê hình thành dây T1O2 có cấu trúc nano mét
a) , b)
Hình 4: Anh SEM của các mâu màng được chế tạo từ oxyt TiOl bang phương pháp bốc bay nhiệt, nhiệt độ nguồn nung là T = ỉ 100 °c, tại các nhiệt độ đế khác nhau, a: Tai = 650 °c, b: Tai = 700 °c.
Anh SEM của các mẫu màng được chế tạo bằng phương pháp sputtering cũng được nghiên cứu nhưng chúng tôi không đưa ra ở đây. Chúng có cấu trúc hạt với kích thước m icrô mét với mật độ đồng đều cao. Từ các kết quả nghiên cứu tính chất cấu trúc cùa các loại mẫu ờ trên, chủng ta thấy các mẫu màng bốc bay bằng pbuơng pháp bốc bay nhiệt có cấu trúc dây nano (hình 4).
Phổ huỳnh quang và phổ kích thích huỳnh quang của hệ mẫu gốm T1O2 được khảo sát một cách hệ thống. Ở đây chúng tói đưa ra phổ huỳnh quang cùa hệ mẫu T1O2 ở nhiệt độ phòng tại bước sóng kích thích 365 nm. Trên phổ tồn tại hai đinh xung quanh v ị trí 420 và 438 nra. chúng do vacancy oxy bẻ mặt và sai hỏng của mạng TiCh tạo nên. K h i mẫu được ủ nhiệt trong môi trường khí oxy thì các tồn tại trên giảm đi đáng kể. K h i tiến hành đo đạc tính chát từ cùa các mâu T1O2, chúng tôi tiên hành đo trên hệ mẫu T1O2 ù trong môi trường khí oxy. Đường từ hóa M (H ) đo ở nhiệt độ phòng và đường từ nhiệt M (T ) đo trong từ trường 1 kOe cùa mẫu ủ được khảo s á t. Đường từ hóa của mâu có tính chảt thuận từ khá rõ nét. Từ độ của mẫu đạt giá trị 1,5 X 1 0 3 emu/g ờ giá trị nhiệt độ thấp và có xụ hướng không thay đổi trong cà dải nhiệt từ 50 - 350 K (hình 7). Điều đó cho thấy tính siêu thuận từ thê hiện rât rõ. Tính săt từ của vật liệu là rất yểu nên tiên đường M (T ) này chúng ta chưa thể xác định được nhiệt độ Curie của mẫu. Đe hình thành tính sắt từ trong vật liệu T1O2, mẫu phải được xử lý nhiệt và ủ trong các m ôi trường như H 2 hoặc
Bước sóng (nm) T (K)
Hình 6: Phô huỳnh quang của hệ mẫu Ti02 Hình 7:Đường từ nhiệt của mẫu TìOị li trong oxy đo ở bước sóng kích thích 365 nm. đo ờ từ trường 1 kOe.
KÉT LUẬN
Chúng tôi đã thành công ừong việc chế tạo vật liệu màng T iO ỉ có cấu trúc dầy nano bẳng phương pháp bôc bay nhiệt trong môi trường khí N 2. ơ điêu kiện tối ưu, nhiệt độ nguồn là 1100 °c, nhiệt độ đế Si là 650 °c, dây nano T i0 2 có kích thước từ 10 đến 30 nm. Vật liệu T1O2 có tính chất thuận tù ở nhiệt độ phòng và từ độ đạt 1,5 X 10"3 emu/g ở nhiệt độ thấp.
L ờ i cảm ơn. Công ữình này được thực hiện với sự hỗ trợ về kinh phí cùa đề tài QG-09-03.
Tài liệu tham khảo
1. A. Fujishima, K. Honda, Nature (London) 238 (1972) 37.2. M. Radecka, Thin Solid Films 98 (2004) 45 1.