CHƯƠNG 4. TỐI ƯU HÓA THEO CHỈ TIÊU GIẢM MÒN ĐIỆN CỰC VÀ TĂNG CHẤT LƯỢNG BỀ MẶT
4.3 Thiết kế thực nghiệm Taguchi với điện cực đồng đỏ mạ crom
4.3.1 Điều kiện thực nghiệm
- Vật liệu điện cực: đồng đỏ mạ crom
- Hình dáng và kích thước điện cực: trụ tròn
- Vật liệu chi tiết: Thép SKD11 nhiệt luyện đạt độ cứng 58HRC - Cường độ dòng điện: Ie trong khoảng 5A đến 15A
- Thời gian phúng xung: ton trong khoảng 5 às đến 20 às - Thời gian ngừng xung: toff trong khoảng 50 às đến 70 às - Chất điện môi là dầu Shell EDM Fluid
- Độ sâu gia công: 10 mm
- Chiều dày lớp mạ crom: 0,03 mm.
4.3.2 Đánh giá mức độ ảnh hưởng của các thông số công nghệ đến khe hở giữa bề mặt chi tiết và điện cực khi xung tia lửa điện với điện cực đồng đỏ mạ crom
a) Thiết kế thực nghiệm Taguchi
Tương tự như khi sử dụng điện cực đồng đỏ. Tỷ lệ S/N (signal-to-noise) khi sử dụng điện cực đồng đỏ mạ crom cũng được xác định theo công thức:
2
( ) 10log (10 )
i mm
(4.40)
Khi tỉ lệ S/N là lớn nhất thì khe hở giữa bề mặt chi tiết và điện cực là nhỏ nhất. Các ảnh hưởng của cường độ dòng điện đầu vào Ie, thời gian phóng xung ton, thời gian ngừng xung toff đến khe hở giữa bề mặt chi tiết và điện cực được khảo sát:
Bảng 4.24 Các hệ số và cấp độ của chúng trong mô hình thực nghiệm
Các hệ số
Cấp độ
1 2 3
A (ton (às)) 5 20 10 B (toff (às)) 60 70 50
C (Ie (A)) 5 10 15
Khi sử dụng thí nghiệm có 3 cấp độ của từng hệ số được lựa chọn nên bảng trực giao L9 sẽ được dùng để thiết kế thực nghiệm Taguchi. Việc sử dụng thuật toán trực giao Taguchi sẽ giảm số lượng thiết kế thí nghiệm từ 27 mẫu xuống còn 9 mẫu.
Ta có kết quả thí nghiệm sau:
Bảng 4.25 Kết quả theo thiết kế thực nghiệm Taguchi
TT
Các hệ số Khe hở giữa bề mặt chi tiết và điện cực
A (ton (às)) B (toff (às)) C (Ie (A)) Giỏ trị i (mm)
1 1(5) 1(60) 1(5) 0,456 6,65
2 1(5) 2(70) 2(10) 0,65 3,74
3 1(5) 3(50) 3(15) 0,77 2,27
4 2(20) 1(60) 2(10) 0,75 2,5
5 2(20) 2(70) 3(15) 0,975 0,22
6 2(20) 3(50) 1(5) 0,67 3,48
7 3(10) 1(60) 3(15) 0,71 2,97
8 3(10) 2(70) 1(5) 0,6 4,44
9 3(10) 3(50) 2(10) 0,795 1,99
+ Mức độ ảnh hưởng của các thông số đến khe hở giữa bề mặt chi tiết và điện cực :
Phân tích ANOVA của được thể hiện trong bảng 4.27 và bảng 4.28. Kết quả ở bảng 4.27 cho thấy thời gian phát xung (F = 10,7), thời gian ngừng phát xung (F = 1,09) và cường độ dòng điện (F = 1,49) ảnh hưởng đến nhưng ở các mức độ khác nhau, nhưng thời gian phát xung là ảnh hưởng mạnh nhất.
Bảng 4.26 Bảng phân tích ANOVA trị số của
Thông số dof SS V F P
A 2 0,102772 0,051386 10,70 0,7493
B 2 0,010506 0,005253 1,09 0,0766
C 2 0,014272 0,007136 1,49 0,1041
Nhiễu 2 0,009606 0,004803
Tổng 8 0,137156
Bảng 4.27 Bảng phân tích mức độ ảnh hưởng của các thông số đầu vào đến
Level A B C
1 0,4033 0,4883 0,5083
2 0,6650* 0,5367* 0,5000
3 0,5283 0,5717 0,5883*
0,2617 0,0833 0,0883
Thứ tự ảnh hưởng 1 3 2
Sử dụng phần mềm MiniTab 16.0 ta xây dựng được đồ thị ảnh hưởng của các thông số đến khe hở giữa bề mặt chi tiết và điện cực được thể hiện trên hình 4.17 và 4.18:
Hình 4.17 Giá trị thực nghiệm xung quanh đường chuẩn
Trên hình 4.17 thấy rằng phân phối xác xuất các giá trị thực nghiệm thể hiện bởi các điểm gần với đường chuẩn, do đó có thể kết luận các kết quả là phù hợp và đưa ra được đồ thị đề xuất có kể đến sai lệch thực nghiệm.
Hình 4.18 Mức độ ảnh hưởng của các thông số
Trên hình 4.18 thể hiện mức độ ảnh hưởng của các thông số A (ton), B (toff) và C (Ie) đến hệ số S/N, hệ số S/N càng nhỏ thì càng cho giá trị tốt. Giá trị ton khi tăng từ 5 đến 10 micro giây thì giá trị S/N giảm rất mạnh, tuy nhiên khi tăng tiếp ton lên 20 A thì S/N cũng tăng mạnh. Khi tăng giá trị toff từ 50 đến 70 micro giây thì S/N giảm nhưng mức độ giảm không nhiều. Đối với Ie thì khi tăng dòng điện từ 5 đến 10 A gần như không có sự thay đổi về S/N nhưng khi tăng từ 10 đến 15 A thì hệ số S/N giảm đáng kể.
b) Kết quả và bàn luận
Mức độ ảnh hưởng của các cấp độ cho từng tham số được chỉ rõ trong bảng 4.28. Theo như Taguchi giá trị lớn nhất sẽ cho khả năng tạo hình tốt nhất do đó các hệ số nên được lựa chọn với cấp độ cao nhất. Các điều kiện để cải thiện khe hở giữa bề mặt chi tiết và điện cực trong quá trình gia công xung định hình là A2B2C3 nghĩa là ton = 20 às, toff = 70 às và Ie = 15 A. Ta thực hiện lại thớ nghiệm ở điều kiện ton = 20 às, toff = 70 às và Ie = 15 A thu được khe hở giữa bề mặt chi tiết và điện cực Δ = 0,11 mm, đây là khe hở giữa bề mặt chi tiết và điện cực nhỏ nhất trong quá trình thực hiện thí nghiệm.
4.3.3 Đánh giá mức độ ảnh hưởng của các thông số công nghệ đến độ nhám bề mặt của chi tiết khi xung tia lửa điện với điện cực đồng đỏ mạ crom
a) Thiết kế thực nghiệm Taguchi
Với điện cực đồng đỏ mạ crom. Tỷ lệ S/N (signal-to-noise) cũng được xác định theo công thức:
2
( ) 10log (10 )
i mm Ra
(4.41)
Khi tỉ lệ S/N là lớn nhất thì độ nhám bề mặt là nhỏ nhất. Các ảnh hưởng của cường độ dòng điện đầu vào Ie, thời gian phóng xung ton, thời gian ngừng xung toff đến độ nhám bề mặt được khảo sát:
Bảng 4.28 Các hệ số và cấp độ của chúng trong mô hình thực nghiệm
Các hệ số Cấp độ
1 2 3
A (ton (às)) 5 20 10 B (toff (às)) 60 70 50
C (Ie (A)) 5 10 15
Khi sử dụng thí nghiệm có 3 cấp độ của từng hệ số được lựa chọn, bảng trực giao L9 sẽ được dùng để thiết kế thực nghiệm. Ta có kết quả thí nghiệm như sau:
Bảng 4.29 Kết quả theo thiết kế thực nghiệm Taguchi Điều
kiện
Các hệ số Độ nhám bề mặt
A (ton (às)) B (toff (às)) C (Ie (A)) Giỏ trị i
1 1(5) 1(60) 1(5) 2,167 -6,72
2 1(5) 2(70) 2(10) 4,724 -13,49
3 1(5) 3(50) 3(15) 5,971 -15,52
4 2(20) 1(60) 2(10) 3,669 -11,29
5 2(20) 2(70) 3(15) 6,452 -16,19
6 2(20) 3(50) 1(5) 2,5 -7,96
7 3(10) 1(60) 3(15) 5,345 -14,56
8 3(10) 2(70) 1(5) 3,857 -11,73
9 3(10) 3(50) 2(10) 4,105 -13,81
bề mặt. Bảng 4.31 tổng hợp các kết quả tính toán với công thức tính tổng bình phương như sau:
2 2 2
1 2 3
3( j ) 3( j ) 3( j )
Q m m m m m m (4.42)
Trong đó:
9
1
(1 9) i 12,363
i
m
(4.43)
3
1
(1 3) ( )
ji j i
i
m
(4.44)
Kết quả của các phân tích (ANOVA) cho các giá trị độ nhám bề mặt trong bảng 4.31 chứng tỏ rằng cường độ dòng điện Ie ảnh hưởng nhiều nhất đến độ nhám bề mặt với 79,01%, trong khi đó ảnh hưởng của thời gian ngừng phóng xung toff và thời gian phóng xung ton là ít hơn 15,56% và 5,42%. Do vậy cường độ dòng điện Ie là tham số ảnh hưởng quan trọng nhất đến độ nhám bề mặt.
Bảng 4.30 Ảnh hưởng của các tham số đến độ nhám bề mặt
Hệ số
Giá trị trung bình η của từng cấp
độ Tổng bình
phương Phân bố
1 2 3
A (ton (às)) -11,910 -11,813* -13,367 4,544 5,42%
B (toff (às)) -10,857* -13,803 -12,45 13,044 15,56%
C (Ie (A)) -8,803* -12,170 -15,423 66,224 79,01%
Tổng 83,812 100,00%
* Cấp độ tối ưu b) Kết quả và bàn luận
Giá trị η của các cấp độ cho từng tham số được chỉ rõ trong bảng 4.30. Theo như Taguchi giá trị lớn nhất của η sẽ cho khả năng tạo hình tốt nhất do đó các hệ số nên được lựa chọn với cấp độ cao nhất của η. Các điều kiện để cải thiện độ nhám bề mặt chi tiết gia công trong quá trình gia công xung định hình là A2B1C1 nghĩa là ton
= 20às, toff = 60às và Ie = 5A. Ta thực hiện lại thớ nghiệm ở điều kiện ton = 20às, toff
= 60às và Ie = 5A thu được độ nhỏm bề mặt chi tiết gia cụng Ra* = 2,167àm đõy là độ nhám bề mặt nhỏ nhất trong quá trình thực hiện thí nghiệm.
Độ cứng của chi tiết gia công tăng với lý do trong quá trình gia công một phần lớp mạ crom bốc hơi và thẩm thấu vào bề mặt chi tiết gia công. Điều này làm tăng tính chống mòn và độ cứng cho chi tiết gia công.
a) b)
Hình 4.19 Chiều dày lớp trắng và lớp tôi cứng của chi tiết sau xung a) Chi tiết sau xung với điện cực đồng đỏ mạ cromm
b) Chi tiết sau xung với điện cực đồng đỏ
Từ hình 4.19a thấy rằng chi tiết sau khi xung với điện cực đồng đỏ mạ crom cú chiều dày lớp trắng 150,4 àm và chiều dày lớp tụi cứng là 320 àm. Kết quả này tốt hơn khi xung với điện cực đồng đỏ như hình 4.19b với chiều dày lớp trắng 224 àm và chiều dày lớp tụi cứng là 211,2 àm. Bờn cạnh đú độ dày lớp trắng khi xung với điện cực đồng đỏ mạ crom ổn định hơn.
4.3.4 Đánh giá mức độ ảnh hưởng của các thông số công nghệ đến độ mòn điện cực khi xung tia lửa điện với điện cực đồng đỏ mạ crom
a) Thiết kế thực nghiệm Taguchi + Các mức thí nghiệm:
Bảng 4.31 Các hệ số và cấp độ (mức) thí nghiệm Các hệ số
Cấp độ
1 2 3
A (ton (às)) 5 20 10 B (toff (às)) 60 70 50
C (Ie (A)) 5 10 15
Khi tỷ số S/N là lớn nhất thì độ mòn điện cực là nhỏ nhất. Các ảnh hưởng của cường độ dòng điện đầu vào Ie, thời gian phóng xung ton, thời gian ngừng xung toff đến khe hở giữa bề mặt chi tiết và điện cực được khảo sát:
2
( ) 10log ( W10 )
i mm T R
(4.45)
Ta có kết quả thí nghiệm sau:
Bảng 4.32 Kết quả theo thiết kế thực nghiệm Taguchi TT
Các hệ số Độ mòn điện cực TWR (g/giờ) A (ton (às)) B (toff (às)) C (Ie (A)) Giỏ trị i
1 1(5) 1(60) 1(5) 0,019 34,425
2 1(5) 2(70) 2(10) 0,022 33,152
3 1(5) 3(50) 3(15) 0,020 33,979
4 2(20) 1(60) 2(10) 0,031 30,173
5 2(20) 2(70) 3(15) 0,033 29,630
6 2(20) 3(50) 1(5) 0,029 30,752
7 3(10) 1(60) 3(15) 0,037 28,636
8 3(10) 2(70) 1(5) 0,034 29,370
9 3(10) 3(50) 2(10) 0,033 29,630
+ Mức độ ảnh hưởng của các thông số đến khe độ mòn điện cực TWR
Phân tích S/N của TWR được thể hiện trong bảng 4.34 và bảng 4.35. Kết quả ở bảng 4.34 cho thấy thời gian phát xung ảnh hưởng mạnh nhất, sau đó đến cường độ dòng điện và thời gian ngừng phát xung ảnh hưởng ít nhất trong ba thông số trên.
Bảng 4.33 Bảng phân tích S/N
Mức A B C
1 32,22 31,67 32,56
2 28,98 29,65 30,12
3 28.1 30,22 29,72
4,12 2,02 2,84
Thứ tự ảnh hưởng 1 3 2
Bảng 4.34 Bảng phân tích mức độ ảnh hưởng của các thông số đầu vào đến TWR
Mức A B C
1 0,0210 0,0212 0,0261
2 0,0347* 0,0289 0,0214
3 0,0292 0,0345* 0,0353*
0,0137 0,0133 0,0139
Thứ tự ảnh hưởng 2 3 1
Kết quả của các phân tích (ANOVA) cho các giá trị độ mòn điện cực trong bảng 4.36 cho thấy bộ thông số tối ưu là ton = 20 s, toff = 50 s và Ie = 15A.
Mức độ ảnh hưởng của các thông số A (ton), B (toff) và C (Ie) đến độ mòn điện cực (TWR) thể hiện trong bảng 4.36. Giá trị ton khi tăng từ 5 đến 10 giây thì khe độ mòn điện cực tăng rất mạnh, tuy nhiên khi tăng tiếp ton lên 20 A thì độ mòn cũng giảm mạnh. Khi tăng giá trị toff từ 50 đến 70 giây thì độ mòn tăng nhưng mức độ tăng không nhiều. Đối với Ie thì khi tăng dòng điện từ 5 đến 10 A gần như không có sự thay đổi về độ mòn nhưng khi tăng từ 10 đến 15 A thì độ mòn điện cực tăng đáng kể.
b) Kết quả và bàn luận
Mức độ ảnh hưởng của các cấp độ cho từng tham số được chỉ rõ trong bảng 4.35, 4.36. Theo như Taguchi giá trị lớn nhất sẽ cho khả năng tạo hình tốt nhất do đó các hệ số nên được lựa chọn với cấp độ cao nhất. Bộ thông số tối ưu để độ mòn điện cực nhỏ nhất trong quá trình gia công xung định hình là A2B3C3 nghĩa là ton = 20 às, toff = 50 às và Ie = 15 A.
4.3.5 Tối ưu hóa đa mục tiêu
Tiến hành tối ưu hóa đồng thời 3 mục tiêu là khe hở giữa bề mặt chi tiết và điện cực, độ nhám bề mặt và độ mòn điện cực theo phân tích Grey – Taguchi, ta có bảng 4.37 với S/N cho 3 mục tiêu. Trong nghiên cứu này tỷ số S/N sẽ được chuẩn hóa theo kiểu “lớn hơn thì tốt hơn”. Do đó phương trình (4.30) sẽ được sử dụng để chuẩn hóa dữ liệu. Sử dụng tỷ số S/N và m = 9, n = 3 sẽ cho tỷ số S/N chuẩn hóa ở bảng 4.37 Tỷ số S/N chuẩn hóa lớn hơn sẽ cho chất lượng tốt hơn.
Bảng 4.35 Hệ số S/N cho 3 mục tiêu chuẩn hóa
TT
A:
ton [às]
B:
toff
[às]
C:
Ie
[A]
S/N cho S/N cho Ra S/N cho TWR
Y (dB) Y (dB) Ra Y (dB) TWR 1 1 1 1 -6.651 0.465 -6.717 2.167 34.425 0.019 2 2 2 1 -3.742 0.65 -13.487 4.724 33.152 0.022 3 3 3 1 -2.270 0.77 -15.520 5.970 33.979 0.020 4 1 2 2 -2.499 0.75 -11.293 3.669 30.173 0.031 5 2 3 2 -0.220 0.975 -16.193 6.451 29.630 0.033
6 3 1 2 -3.479 0.67 -7.959 2.5 30.752 0.029
7 1 3 3 -2.975 0.71 -14.559 5.345 28.636 0.037
8 2 1 3 -4.437 0.6 -11.725 3.857 29.370 0.034
9 3 2 3 -1.993 0.795 -13.813 4.905 29.630 0.033 Để xác định hệ số quan hệ Grey ta sử dụng kết quả S/N chuẩn hóa ở bảng 4.38 để xác định 0,i( )k . Kết quả 0,i( )k được cho trong bảng 4.. Với max 1 và min 0.
Bảng 4.36 Bảng hệ số sai lệch 0,i( )k Hệ số quan hệ Grey, 0,i( )k
TT Khe hở (dB) Ra (dB) mòn (dB)
1 0.333 1.000 1.000
2 0.477 0.412 0.665
3 0.611 0.350 0.850
4 0.585 0.509 0.373
5 1.000 0.333 0.345
6 0.497 0.792 0.408
7 0.539 0.377 0.304
8 0.433 0.486 0.333
9 0.645 0.400 0.345
Thay vào phương trình (4.33) sẽ xác định được 0,i( )k , cấp quan hệ Grey được xác định bằng trị số trung bình của 0,i( )k , thể hiện trong bảng 4.39.
Bảng 4.37 Bảng giá trị trung bình hệ số cấp quan hệ Grey A:
ton
B:
toff
C:
Ie
Cấp quan hệ Grey
TT Xếp hạng
1 1 1 1 0.778 1
1 2 2 2 0.518 5
1 3 3 3 0.604 2
2 1 2 4 0.489 6
2 2 3 5 0.559 4
2 3 1 6 0.566 3
3 1 3 7 0.406 9
3 2 1 8 0.417 8
3 3 2 9 0.463 7
Hình 4.20 Đồ thị cấp quan hệ Grey
Hệ số cấp quan hệ Grey lớn hơn sẽ cho kết quả đầu ra tốt hơn. Hình 4.19 chỉ ra hệ số cấp quan hệ Grey lớn nhất là 0,778. Theo phương trình (4.34) ta có cấp
Bảng 4.38 Cấp quan hệ Grey 0,i Bảng cấp quan hệ Grey Ký
hiệu
Thông số
Cấp quan hệ Grey 0,i
Max-min Xếp hạng
1 2 3
A ton 0.558 0.498 0.544 0.059 2
B t0ff 0.587 0.490 0.523 0.064 1
C Ie 0.633 0.538 0.429 0.109 3
Bảng 4.39 Mức độ ảnh hưởng của các thông số đầu vào đến tỷ số S/N của Grey Ký hiệu Thông số Bậc tự do Tổng bình
phương
Bình phương trung bình
Phần trăm
A Ie 2 0.0209 0.0104 75.460
B ton 2 0.0019 0.0010 7.016
C t0ff 2 0.0048 0.0024 17.525
Total 6 0.0276 0.0138 100.000
Trên bảng 4.41 thấy rằng Ie ảnh hưởng lớn nhất đến tỷ số S/N của Grey với 75,46%, tiếp đến là toff với 17,525% và ton ảnh hưởng ít nhất với 7,016%.
Căn cứ vào ảnh hưởng của các thông số đến tỷ số S/N của Grey sẽ xác định được trị số hợp lý của đồng thời cho cả 3 mục tiêu (, Ra, TWR). Giá trị tối ưu các kết quả đầu ra được xác định theo công thức 4.17:
2, 3, 3 ( 2 ) ( 3 ) ( 3 )
A B C T A T B T C T
Ta có kết quả dự báo như sau: = 0,33 mm, Ra = 2,32 m, TWR = 0,024 g/giờ.
KẾT LUẬN
Đã xác định được bộ thông số tối ưu để khe hở giữa bề mặt chi tiết và điện cực nhỏ nhất trong quỏ trỡnh gia cụng xung định hỡnh bằng điện cực đồng đỏ là ton = 5às, toff = 60às và Ie = 5A khi đú thu được khe hở giữa bề mặt chi tiết và điện cực Δ = 0,33mm.
Cũng với điện cực đồng đỏ, xác định được bộ thông số tối ưu để độ nhám bề mặt chi tiết gia công trong quá trình gia công xung định hình là nhỏ nhất khi ton = 20às, toff = 60às và Ie = 5A. Thực nghiệm lại với bộ thụng số tối ưu này thu được độ nhỏm bề mặt chi tiết gia cụng Ra* = 2,188àm.
Đã khảo sát ảnh hưởng của mật độ dòng điện và hình dạng đến độ mòn điện cực, thấy rằng khi mật độ dòng điện tăng thì độ nhám bề mặt tăng và khi góc độ của điện cực từ 600 đến dưới 1200 tỷ lệ mòn điện cực so với mòn chi tiết cao, điện cực từ 1200 đến dưới 1800 tỷ lệ này giảm rõ rệt và lượng mòn này tiến đến ổn định.
Xác định được bộ thông số tối ưu để độ mòn điện cực nhỏ nhất trong quá trình gia cụng xung định hỡnh với điện cực đồng đỏ là ton = 20 às, toff = 50 às và Ie = 15 A.
Với điện cực đồng đỏ mạ crom, các điều kiện để cải thiện khe hở giữa bề mặt chi tiết và điện cực trong quỏ trỡnh gia cụng xung định hỡnh là ton = 20 às, toff = 50 às và Ie = 15 A. Thực hiện lại thớ nghiệm ở điều kiện ton = 20 às, toff = 50 às và Ie = 15 A thu được khe hở giữa bề mặt chi tiết và điện cực Δ = 0,11 mm, đây là khe hở giữa bề mặt chi tiết và điện cực nhỏ hơn nhiều so với gia công bằng điện cực đồng đỏ.
Các điều kiện để cải thiện độ nhám bề mặt chi tiết gia công trong quá trình gia cụng xung định hỡnh điện cực đồng đỏ mạ crom là ton = 20às, toff = 60às và Ie = 5A. Ta thực hiện lại thớ nghiệm ở điều kiện ton = 20às, toff = 60às và Ie = 5A thu được độ nhỏm bề mặt chi tiết gia cụng Ra* = 2,167àm, độ nhỏm đó được cải thiện so với khi sử dụng điện cực đồng đỏ.
Các kết quả tối ưu đa mục tiêu với điện cực đồng đỏ cho = 0,38 m, Ra = 2,75 m, TWR = 0,15 g/giờ. Các kết quả này được cải thiện đáng kể với điện cực đồng đỏ mạ crom = 0,33 mm, Ra = 2,32 m, TWR = 0,024 g/giờ.
Ngoài ra, độ cứng của chi tiết gia công tăng khi sử dụng điện cực đồng đỏ mạ crom với lý do trong quá trình gia công một phần lớp mạ crom bốc hơi và thẩm thấu vào bề mặt chi tiết gia công. Điều này làm tăng tính chống mòn và độ cứng cho chi tiết gia công.
KẾT LUẬN CHUNG
Với điện cực đồng đỏ, đã xác định được bộ thông số tối ưu để đạt được khe hở giữa bề mặt chi tiết và điện cực nhỏ nhất, độ nhám bề mặt nhỏ nhất và độ mòn nhỏ nhất trong quá trình gia công xung định hình là = 0,38 mm, Ra = 2,75 m, TWR = 0,15 g/giờ. Các kết quả này được cải thiện đáng kể với điện cực đồng đỏ mạ crom với = 0,33 mm, Ra = 2,32 m, TWR = 0,024 g/giờ.
Đã khảo sát ảnh hưởng của mật độ dòng điện đến mòn điện cực và độ nhám bề mặt thấy rằng: Khi tăng mật độ dòng điện thì tỷ lệ giữa lượng mòn điện cực với lượng mòn chi tiết giảm và độ nhám bề mặt tăng. Như vậy có thể thấy rằng độ mòn điện cực và độ nhám bề mặt sẽ ít bị ảnh hưởng nếu trong quá trình gia công chúng ta kiểm soát tốt được mật độ dòng điện. Nếu không sẽ làm tăng độ mòn điện cực và độ nhám bề mặt của chi tiết.
Ngoài ra biên dạng điện cực có ảnh hưởng nhiều đến mòn điện cực và do đó ảnh hưởng đến chất lượng bề mặt. Các kết quả khảo sát cho thấy rằng góc độ của điện cực từ 600 đến dưới 1200 tỷ lệ mòn điện cực so với mòn chi tiết cao, điện cực từ 1200 đến dưới 1800 tỷ lệ này giảm rõ rệt và lượng mòn này tiến đến ổn định.
Trong quá trình xung do mật độ dòng điện là không đều nhau nên dẫn đến mòn không đều trên toàn bộ điện cực, đặc biệt là tại các góc rãnh do có tập trung mật độ dòng điện sẽ xảy ra mòn lớn nhất, để khắc phục nên chọn hình dạng điện cực tránh các góc nhọn, nên chọn góc điện cực từ 120 đến 180.
HƯỚNG NGHIÊN CỨU ĐỀ TÀI
Với nghiên cứu bước đầu đã cho kết quả về lớp trắng mỏng hơn và ổn định hơn, lớp tôi cứng có bề dày lớn hơn, lớp cấu trúc nền ổn định hơn. Do đó định hướng nghiên cứu về mạ crom cho điện cực đồng đỏ để thực hiện nghiên cứu về cấu trúc tế vi của chi tiết gia công là một định hướng tốt.
Khi thay đổi biên dạng điện cực, kích thước tại các góc mòn sau khi xung thay đổi. Kích thước thay đổi này phụ thuộc vào hạt điện tử xuất hiện trên bề mặt của điện cực. Việc xây dựng công thức tính toán được lượng thay đổi theo thời gian là vô cùng quan trọng cho việc lựa chọn thông công nghệ đầu vào đối với từng biên dạng điện cực khác nhau. Đây là hướng đi mới sẽ được định hướng ở các nghiên cứu tiếp theo.