I. Cơ sở lý thuyết điều khiển Thyristor:
3. Chọn cổng AND:
Chọn cổng AND loại CMOS4081.
• Nguồn ni IC: Vcc = 3 ÷ 18 V , ta chọn Vcc = 12 V
ã Nhit lm vic: tlv = - 400C ữ 800C ;
• Điện áp ứng với mức logic 1: 2 ữ 4,5(V)
ã Dịng điện <1mA
• Cơng suất tiêu thụ P =2,5 (mW/1 cổng).
Chương 4: Thiết kế, tính chọn phần tử mạch điều khiển GVHD: T.S Phạm Thanh Phong
Hình 4.11 Sơ đồ chân cổng AND loại CMOS4081 4. Chọn tụ C3 và R9:
Điện trở R9 dùng để hạn chế dòng điện đưa vào Bazo của Tr3, chọn R9 thỏa mãn điều kiện:
R9 ≥ U U I r 3 Ta chọn R9 = 9(k Chọn C3.R9 = tx = 380 µs, suy ra C3 = chọn C3 = 0,042 µF . 5. Tính chọn bộ tạo xung chùm:
Mỗi kênh điều khiển phải dùng 4 khếch đại thuật tốn. Tồn bộ mạch điều khiển ta dùng IC khuếch đại thuật toán loại TL084 do hãng TexasInstruments chế tạo:
Điện áp nguồn nuôi Vcc = 18 (V): chọn Vcc = 12 (V)
Hiệu điện thế giữa cổng không đảo và cổng đảo : Ud = 30 (V) Nhiệt độ làm việc : t = -250C 850C
Công suất tiêu thụ : P = 680 (mW)Ω = 0,68 (W) Tổng trở đầu vào :Rin = 106 (M )
Dòng điện đầu ra : Ira = 30 (pA)
Thường chọn dòng vào khoảng 1 (mA) Tốc độ biến thiên điện áp cho phép: du
Chương 4: Thiết kế, tính chọn phần tử mạch điều khiển GVHD: T.S Phạm Thanh Phong Hình 4.12. sơ đồ chân IC TL084 Mạch tạo chùm xung có tần số f = chùm: 1 T= f = Ta có T= 2R C .ln(1+2. ) 8. 2 R7 33 (KΩ) thì Vậy: R8.C2 = 345,45 µs Chọn tụ C2 = 0,1 µF , có điện áp U = 16 V suy ra R8 = 3454 Ω ;
Để thuận tiện cho việc điều chỉnh khi lắp mạch , ta chọn R8 là biến trở 4 (KΩ).