Hình 4.2 Các dịng điện trong Transistor
- Nguồn VBE : Phân cực thuận mặt nối B-E: (Ge) VBE = 0,2V → 0,3V
(Si) VBE = 0,6V → 0,7V
2019 TRANG 52
Do sự phân cực như trên nên mặt nối nền – phát của transistor cĩ tổng trở thấp, cịn mặt nối nền – thu cĩ tổng trở cao.
Các dịng điện trong transistor NPN được giải thích như sau:
- Do mặt nối B-E phân cực thuận nên cĩ nhiều điện tử chạy từ cực âm của
nguồn VBE vào vùng phát và khuếch tán sang vùng nền, tạo nên dịng điện IE cĩ hướng chạy từ cực phát ra ( chiều dịng điện ngược với chiều di chuyển của điện tử ).
- Do cấu tạo của vùng nền hẹp nên chỉ cĩ một ít điện tử tái hợp với lỗ trống
, cịn hầu hết điện tử đi thẳng qua vùng thu và bị hút về cực dương của nguồn VCB, tạo nên dịng điện IC cĩ hướng đi vào cực thu.
- Lỗ trống đi vào vùng nền từ cực dương của nguồn VBE để thay thế số lỗ
trống đã bị tái hợp tạo nên dịng điện IB đi vào cực B. Áp dụng định luật Kirchhoff ta cĩ:
IE = IB +IC (1) Và dịng cực thu IC rất gần bằng dịng cực phát:
IC = αIE (2)
Hệ số α thường cĩ trị số từ 0,95→0,99 tùy transistor, α= IC/ IE Từ (1) và (2) suy ra: 1 C B C B I I I I
: được gọi là hệ số khuếch đại dịng của transistor
Do mặt nối BC phân cực nghịch nên cĩ một dịng điện rất nhỏ chạy từ cực dương của nguồn Vcc vào cực thu, gọi là dịng rị ,kí hiệu là ICO, nên dịng thu tồn thể là:
IC = αIE +ICO
Đối với các transisor thơng dụng thì dịng Ic đo được vào khoảng mA trong khi dịng ICO cĩ giá trị rất nhỏ nằm trong khoảng từ nA đến µA. Ico rất nhạy với
2019 TRANG 53
nhiệt độ nên cần phải khảo sát cẩn thận khi sử dụng trong các ứng dụng cĩ tầm nhiệt độ rộng.
Trường hợp transistor PNP, sự giải thích về các dịng điện cũng tương tự như transistor NPN, nhưng đổi chiều nguồn cung cấp nền chiều dịng điệncũng đổi ngược lại. Các hệ thức dịng điện cơ bản ở trên vẫn đúng.