Ở đây nêu quy trình lắp ráp CPU Intel Socket LGA755
Lưu ý: Đeo vào cổ tay một chiếc vòng chống sốc tĩnh điện (electrostatic wrist strap). Nếu không có sẵn vòng chống tĩnh điện, ta có thể tự xả tĩnh điện (electrostatically discharged) bằng cách chạm tay vào phần vỏ kim loại của bộ nguồn CPU đang gắn trong thùng máy.
+ Bước 1: Mở chiếc nắp kim loại của socket bằng cách dùng tay nhấn nhẹ phần đầu của thanh đòn bẩy hình chữ J để nó ra khỏi khớp gài rồi kéo nó hết cỡ về phía sau.
Hình 4.10 Socket LGA775 Hình 4.11 Socket LGA775 sau khi đã được gỡ
nắp nhựa bảo vệ
Hình 4.12 Mở nắp kim loại Socket LGA775
+ Bước 2: Dùng hai ngón tay cầm hai cạnh của CPU và đặt nhẹ nhàng xuống socket. Chú ý đặt đúng chiều.
+ Bước 3: Đóng chiếc nắp kim loại của socket lại như cũ. Dùng một ngón tay giữ phần đầu của nắp đậy rồi điều chỉnh thanh đòn bẩy cho cái ngàm của nó ăn gọn lên phần mấu của nắp đậy. Sau đó, bạn gài thanh đòn bẩy vào chốt khóa của nó bằng cách đẩy nó về phía trước, khi tới gần cuối thì hơi dịch ra ngoài một chút xíu rồi nhấn nhẹ xuống và kéo nó gài vào chốt. Bây giờ, ta gắn quạt cho CPU.
+ Bước 4: Khi mua CPU Socket LGA775 nguyên hộp, bạn sẽ có sẵn một chiếc quạt CPU của Intel. Nhưng bạn cũng có thể sử dụng quạt LGA775 của một hãng thứ ba. Ở đây, ta gắn quạt của một hãng thứ ba nhưng có hình thức giống hệt quạt Intel gốc.
Hình 4.14 Quạt CPU
+ Bước 5: Đặt quạt lên khu vực socket CPU sao cho tất cả mũi 4 chân quạt (phần nhựa trắng) đều lọt gọn vào trong 4 chiếc lỗ trên mainboard. Dùng hai ngón tay cái nhấn mạnh theo chiều thẳng đứng lên hai đầu chân cắm ở hai phía đối diện nhau cho tới khi nào nghe có tiếng “cạch” một cái báo hiệu chân đã được khóa hoàn toàn. Sau đó đóng khóa cùng một lúc hai chân đối diện để tránh tình trạng một bên chịu áp lực quá lớn gây tổn hại cho CPU và socket. Xong hai chân khóa này, bạn tiến hành đóng khóa hai chân còn lại.
Hình 4.15 Chân khóa quạt LGA775 đã được khóa chính xác.
+ Bước 6: Sau khi gắn quạt, gắn đầu cắm nguồn của quạt vào chân cắm quạt CPU (thường ghi là CPU_FAN). Chọn đúng khớp.
Chương 5: BỘ NHỚ 5.1. Bộ nhớ trong
5.1.1. Giới thiệu
- Bộ nhớ là thành phần quan trọng thứ hai trong hệ thống máy tính, có chức năng lưu trữ dữ liệu tạm thời để CPU xử lí.
5.1.2. Phân loại bộ nhớ
- ROM (Read Only Memory):
Đây là loại memory dùng trong các hãng sãn xuất là chủ yếu. Nó có đặc tính là thông tin lưu trữ trong ROM không thể xoá được và không sửa được, thông tin sẽ được lưu trữ mãi mãi. Nhưng ngược lại ROM có bất lợi là một khi đã cài đặt thông tin vào rồi thì ROM sẽ không còn tính đa dụng (xem như bị gắn "chết" vào một nơi nào đó). Ví dụ điển hình là các con "chip" trên motherboard hay là BIOS ROM để vận hành khi máy vi tính vừa khởi động.
- PROM (Programmable ROM)
Mặc dù ROM nguyên thủy là không xoá/ghi được, nhưng do sự tiến bộ trong khoa học, các thế hệ sau của ROM đã đa dụng hơn như PROM. Các hãng sản xuất có thể cài đặt lại ROM bằng cách dùng các loại dụng cụ đặc biệt và đắt tiền. Thông tin có thể được "cài" vào chip và nó sẽ lưu lại mãi trong chip. Một đặc điểm lớn nhất của loại PROM là thông tin chỉ cài đặt một lần mà thôi.
- EPROM (Erasable Programmable ROM)
Một dạng cao hơn PROM là EPROM, tức là ROM nhưng chúng ta có thể xoá và viết lại được. EPROM khác PROM ở chỗ là thông tin có thể được viết và xoá nhiều lần theo ý người sử dụng, và phương pháp xoá là sử dụng phần cứng (dùng tia hồng ngoại xoá).
- EEPROM (Electronic Erasable Programmable ROM)
Ðây là một dạng cao hơn EPROM, đặt điểm khác biệt duy nhất so với EPROM là có thể ghi và xoá thông tin lại nhiều lần bằng phần mềm thay vì phần cứng. Ứng dụng của EEPROM cụ thể nhất là "flash BIOS". BIOS vốn là ROM và flash BIOS tức là tái cài đặt thông tin (upgrade) cho BIOS.
- RAM (Random Access Memory)
Rất nhiều người nghĩ là RAM khác với ROM trên nhiều khía cạnh nhưng thực tế RAM chẳng qua là thế hệ sau của ROM mà thôi. Cả RAM và ROM đều là "random access memory" cả, tức là thông tin có thể được truy cập không cần theo thứ tự. Tuy nhiên ROM chạy chậm hơn RAM rất nhiều. Thông thường ROM cần trên 50ns để vận hành thông tin trong khi đó RAM cần dưới 10ns (do cách chế tạo). Tôi sẽ trở lại với phần "shadow BIOS ROM" sau này.
- SRAM (Static RAM) và DRAM (Dynamic RAM)
SRAM là loại RAM lưu giữ dữ liệu mà không cần cập nhật thường xuyên (static) trong khi DRAM là loại RAM cần cập nhật data thường xuyên (high refresh rate). Thông thường data trong DRAM sẽ được refresh (làm tươi) nhiều lần trong một second để lưu giử lại những thông tin đang lưu trữ, nếu không refresh lại DRAM thì dù nguồn điện không ngắt, thông tin trong DRAM cũng sẽ bị mất.
SRAM chạy nhanh hơn DRAM. Nhiều người có thể lầm lẫn là DRAM là "dynamic" cho nên ưu việt hơn. Điều đó không đúng. Trên thực tế, chế tạo SRAM tốn kém hơn hơn DRAM và SRAM thường có kích cỡ lớn hơn DRAM, nhưng tốc độ nhanh hơn DRAM vì không phải tốn thời gian refresh nhiều lần. Sự ra đời của DRAM chỉ là một lối đi vòng để hạ giá sản xuất của SRAM (tôi sẽ nói rõ hơn về bên trong CPU, DRAM, và SRAM).
- FPM-DRAM (Fast Page Mode DRAM) (adsbygoogle = window.adsbygoogle || []).push({});
Ðây là một dạng cải tiến của DRAM, về nguyên lý thì FPM DRAM sẽ chạy nhanh hơn DRAM do cải tiến cách dò địa chỉ trước khi truy cập thông tin. Những loại RAM như FPM hầu như không còn sản xuất trên thị trường hiện nay nữa.
- EDO-DRAM (Extended Data Out DRAM)
Là một dạng cải tiến của FPM DRAM, nó chạy nhanh hơn FPM DRAM một nhờ vào một số cải tiến cách dò địa chỉ trước khi truy cập dữ liệu. Một đặc điểm nữa của EDO DRAM là nó cần support của system chipset. Loại bộ nhớ này chạy với máy 486 trở lên (tốc độ dưới 75MHz). EDO DRAM cũng đã quá cũ so với kỹ thuật hiện nay. EDO-DRAM chạy nhanh hơn FPM-DRAM từ 10 - 15%.
- BDEO-DRAM (Burst Extended Data Out DRAM)
Là thế hệ sau của EDO DRAM, dùng kỹ thuật "pineline technology" để rút ngắn thời gian dò địa chỉ của dữ liệu.
RAM hoạt động được là do một memory controller (hay clock controller), thông tin sẽ được truy cập hay cập nhật mỗi khi clock (dòng điện) chuyển từ 0 sang 1, "synchronous" có nghĩa là ngay lúc clock nhảy từ 0 sang 1 chứ không hẳn là clock qua 1 hoàn toàn (khi clock chuyển từ 0 sang 1 hay ngược lại, nó
cần 1 khoảng thời gian interval, tuy vô cùng ngắn nhưng cũng mất 1 khoảng thời gian, SDRAM không cần chờ khoảng interval này kết thúc hoàn toàn rồi mới cập nhật thông tin, mà thông tin sẽ được bắt đầu cập nhật ngay trong khoảng interval). Do kỹ thuật chế tạo mang tính bước ngoặc nầy, SDRAM và
các thế hệ sau có tốc độ cao hơn hẳn các loại DRAM trước.
- DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM)
Ðây là loại memory cải tiến từ SDRAM. Nó nhân đôi tốc độ truy cập của SDRAM bằng cách dùng cả hai quá trình đồng bộ khi clock chuyển từ 0 sang 1 và từ 1 sang 0. Ngay khi clock của memory chuyển từ 0 sang 1 hoặc từ 1 sang 0 thì thông tin trong memory được truy cập. Loại RAM này được CPU Intel và AMD hỗ trợ, tốc độ hiện tại vào khoảng 800-1600Mhz. Đây là loại RAM phổ biến nhất hiện nay với công nghệ DDR 2, DDR3.
- DRDRAM (Direct Rambus DRAM)
Rambus có nguyên lý và cấu trúc chế tạo hoàn toàn khác loại SDRAM truyền thống. Memory sẽ được vận hành bởi một hệ thống phụ gọi là Direct Rambus Channel có độ rộng 16 bit và một clock 400MHz điều khiển (có thể lên 800MHz). Theo lý thuyết thì cấu trúc mới nầy sẽ có thể trao đổi thông tin với tốc độ 800MHz x 16bit = 800MHz x 2 bytes = 1.6GB/giây. Hệ thống Rambus DRAM như thế nầy cần một serial presence detect (SPD) chip để trao đổi với motherboard. Ta thấy kỹ thuật mới nầy dùng giao diện16bit, ngược với cách chế tạo truyền thống là dùng 64bit cho bộ nhớ, bởi thế kỹ thuật Rambus (sở hữu chủ của Rambus và Intel) sẽ cho ra đời loại chân Rambus Inline Memory Module (RIMM) tương đối khác so với memory truyền thống. Loại RAM này chỉ được hỗ trợ bởi CPU Intel Pentium IV, tốc độ vào khoảng 400-800Mhz.
- VRAM (Video RAM)
Khác với bộ nhớ trong hệ thống và do nhu cầu về đồ hoạ ngày càng cao, các hãng chế tạo graphic card đã chế tạo VRAM riêng cho video card của họ mà không cần dùng memory của hệ thống chính. VRAM chạy nhanh hơn vì ừng dụng Dual Port technology nhưng đồng thời cũng đắt hơn rất nhiều.
- SGRAM (Synchronous Graphic RAM)
Là sản phẩm cải tiến của VRAM mà ra, đơn giản nó sẽ đọc và viết từng block thay vì từng mảng nhỏ.
- Flash Memory
Là sản phẩm kết hợp giửa RAM và hard disk. Có nghĩa là Flash memory có thể chạy nhanh như SDRAM mà và vẫn lưu trữ được data khi power off.
5.1.3. Một số thông số kỹ thuật trên RAM
5.1.3.1. Dung lượng
Dung lượng bộ nhớ RAM được tính bằng GB (Giga Byte), dung lượng RAM càng lớn thì chứa được càng nhiều dữ liệu và cho phép ta chạy được càng nhiều chương trình cùng lúc. Hiện nay, các máy tính nên sử dụng bộ nhớ DDR2 hoặc DDR3 RAM từ 2GB trở lên. Đối với hệ điều hành windows 32 bit thường chỉ nhận tối đa 3GB, nếu muốn nhận đủ từ 4GB trở lên ta phải cài các hệ điều hành 64 bit.
5.1.3.2. Bus
Là tốc độ truy cập vào bộ nhớ RAM. Hiện nay, RAM DDR 2 thường có tốc độ từ 800Mhz trở lên (DDR3 có tốc độ bus từ 1066 Mhz trở lên).
5.1.3.3. Băng thông (Bandwidth)
Là đơn vị để xác định hiệu năng của bus, tức là có bao nhiêu lượng thông tin được chuyển đi bởi bus trên một đơn vị thời gian (thường là giây).
Cách tính băng thông của RAM :
- Ở chế độ Single Channel: Sẽ chỉ có 1 BANK được truy xuất trong cùng 1 thời điểm. Data Bus Width sẽ là 64 bit. Như vậy :
BandWidth = Bus Speed * Bus Width/8 = Bus Speed * 64/8 = Bus Speed *8 (Sở dĩ chia 8 là do Bus width tính theo đơn vị Bit còn BandWidth lại tính theo đơn vị là MB/s 1byte = 8 bit).
VD: Với 1 thanh DDR-SDRAM 800 MHZ thì BandWidth = 800 * 64/8 = 6400MB/s vì thế mà người ta còn kí hiệu PC6400
- Ở thế độ Dual Channel: Sẽ có 2 BANK ở 2 DIMM khác nhau được truy xuất cùng 1 lúc. Lúc này mỗi Bank sẽ mở 1 kênh về Mem Controler. Mỗi kênh có Bandwidth là 64 bit như vậy tổng Bandwidth của toàn bộ hệ thống là 128 Bit. Lúc này Bandwidth = Bus Speed * 128/8 = Bus Speed * 8. (adsbygoogle = window.adsbygoogle || []).push({});
5.1.3.4. Độ trễ CAS
Là khoảng thời gian từ khi ra lệnh đến khi nhận được sự phản hồi. Latency nghĩa là khoảng thời gian chờ đợi để làm cái gì đó, CAS latency là thuật ngữ diễn tả độ trễ trong việc truy cập thông tin của bộ nhớ và được tính bằng xung đồng hồ. Ví dụ, CAS3 là delay 3 "clock cycle". Trong quá khứ các nhà sản xuất
cố gắng hạ thấp chỉ số delay xuống nhưng nó sẽ tỷ lệ nghịch với giá thành sản phẩm.
5.1.3.5. Memory Timing
Chúng ta thường nghe mọi người nhắc đến RAM Timings kiểu 2-2-2-5-1T hay 3-3-3-8-2T. Ta tìm hiểu một số thuật ngữ liên quan:
- Cas Latency (TCL) (Số thứ 1): Là khoảng thời gian (tính theo cycle) từ khi CAS được Active cho đến khi dữ liệu bắt đầu được truyền trong Data Bus. Chính vì thế mà đây được coi là 1 chỉ số hết sức quan trọng. Để hiểu rõ hơn về Cas Latency có thể nhìn hình sau:
Hình 5.2 Minh họa độ trễ CAS
NOP là No Operation (không hoạt động). Vì sao xen kẽ giữa các lệnh READ lại kèm theo các NOP. Lý do rất đơn giản là tốc độ của CPU thường cao hơn so với tốc độ xử lí của RAM. Chính vì thế mà giữa các lệnh READ CPU phải chèn theo các lệnh No Operation để RAM có thời gian xử lí và cung cấp đủ dữ liệu trước khi tiếp nhận 1 lệnh mới.
- Ras to Cas delay (TRCD) (Số thứ 2): Nếu nhìn vào cách truy xuất RAM ở trên thì các bạn có thể dễ dàng hiểu ngay đây là khoảng thời gian nhỏ nhất từ khi RAS được active cho đến khi CAS được active.
Hình 5.3 Minh họa TRCD
- Ras precharge time (TRP) (Số thứ 3): Trước đây trong các chip RAM đời cũ thì cứ sau mỗi lần Row active nó sẽ bị deactived ngay lập tức và phải sau 1 khoảng vài cycle để precharge nó mới được active trở lại hoặc Row khác được active. Nhưng đối với các chip RAM bây giờ có thêm chế độ FAST PAGE MODE. Với FPM thì Row sẽ được active cho đến khi dữ liệu cần nằm ở Row khác. Lúc này RoW này sẽ được deactive. Và Row chứa dữ liệu cần sẽ phải mất 1 khoảng thời gian precharge trước khi được actived. Đây chính là TRP.
- Min Ras Active Time (TRAS)(Số thứ 4): Do đảm bảo vấn để về nhiệt độ nên sau 1 khoảng thời gian Actived thì Row phải được Shutdown. Đây là delay giữa khoảng thời gian Row bị deactive trước khi nó được actived trở lại.
- Comand Rate (1T hay 2T): Là khoảng thời gian giữa Chip ram được chọn và lệnh được gửi đến Chip RAM đó.
Đây là các latency quan trọng nhất ngoài ra còn có nhiều timing RAM khác không được đề cập ở đây.
Mỗi thanh RAM đều có các chỉ số mặc định do nhà sản xuất đưa ra nhằm đảo bảo RAM hoạt động ổn định nhất và được ghi vào SPD EEPROM và BIOS được mặc định nhận chỉ số này tự động. Dĩ nhiên là có thể thay đổi các timing này nếu BIOS hỗ trợ nhưng việc thay đổi không có kinh nghiệm sẽ dẫn đến hỏng RAM hoặc hệ thống hoạt động không ổn định.
5.1.4. Một số biểu hiện khi RAM hỏng
- Bật máy tính có 3 tiếng bít dài, không lên màn hình. Lưu ý: Lỗi Card Video cũng có các tiếng bíp nhưng thông thường là một tiếng bíp dài ba tiếng bíp ngắn.
Nguyên nhân: - RAM bị hỏng
- RAM cắm vào Mainboard tiếp xúc không tốt - RAM không được Mainboard hỗ trợ về tốc độ Bus
Kiểm tra RAM
- Tháo RAM ra ngoài, vệ sinh chân sạch sẽ bằng xăng sau đó lắp lại
- Thay thử một thanh RAM mới (lưu ý phải thanh RAM có Bus được Mainboard hỗ trợ). Trường hợp sau khi thay RAM mà vẫn còn tiếng kêu nhưng tiếng kêu khác đi thì ta cần kiểm tra Card Video hoặc thay thử Card Video khác.
Lưu ý: Trong tất cả các trường hợp máy lên được phiên bản BIOS trên màn hình là RAM và Card Video đã bình thường.
5.2. Bộ nhớ ngoài
5.2.1. Đĩa mềm và ổ đĩa mềm
5.2.1.1. Giới thiệu
Ổ đĩa mềm (Floppy Disk Drive, hay FDD) là một thiết bị sử dụng để đọc và ghi dữ liệu từ các đĩa mềm. Mỗi loại ổ đĩa mềm chỉ được sử dụng đối với một loại đĩa mềm riêng biệt mà không sử dụng đối với các loại đĩa có kích thước khác nhau.
5.2.1.2. Phân loại
Phân loại theo các loại đĩa mềm:
- Ổ đĩa mềm dùng cho các loại đĩa mềm 8” - Ổ đĩa mềm dùng cho các loại đĩa mềm 5,25” - Ổ đĩa mềm dùng cho các loại đĩa mềm 3,5”. Phân loại theo vị trí lắp đặt: (adsbygoogle = window.adsbygoogle || []).push({});
+ Ổ đĩa gắn trong máy tính: Nói chung đến các loại ổ đĩa mềm gắn cố định bên trong máy tính.
- Gắn trong máy tính cá nhân để bàn: Loại ổ đĩa (như minh hoạ) gắn vào khay 3,5” trong các máy tính để bàn thông dụng.
- Gắn trong máy tính xách tay: Loại ổ đĩa mềm này được gắn trong