Minh họa chuỗi xung CPPM

Một phần của tài liệu Nghiên cứu hệ thống thông tin vô tuyến băng rộng ứng dụng kỹ thuật hỗn loạn (Trang 30)

Trong khối điều chế, bit dữ liệu sẽ được điều chế vị trí xung bởi khối điều chế trễ được đặt trên đường phản hồi của khối CPPG. Tùy thuộc vào giá trị bit đầu

vào , xung đầu vào sẽ bị trễ một khoảng thời gian tương ứng là m , với m gọi là độ sâu điều chế. Khi đó xung thứ n sau khi được điều chế trễ sẽ được phát ra tại thời điểm = + m . Chuỗi xung CPPM đầu ra được minh họa như hình trên

Trong đó, = + /K + m là thời điểm phát ra xung thứ n, là

độ rộng xung không đổi. Khoảng cách giữa hai xung liên tiếp được xác định bởi,

= - = /K + m . Mối quan hệ giữa hai khoảng cách xung liên tiếp,

và được xác định như sau :

= F( )/K + m = F( )/K + m

Công thức này chỉ ra sự biến đổi khoảng cách xung phụ thuộc vào giá trị bít bn và các thơng số K, m, hàm F(.). Với sự lựa chọn hợp lý giá trị các thông số này, các khoảng cách xung sẽ biến đổi hỗn loạn trong suốt quá trình điều chế.

Bên phía giải điều chế, tín hiệu nhận được đưa vào khối CPPG hồn tồn tương tự như phía phát. Khi hệ thống đạt được trạng thái đồng bộ, chỗi xung được phát lại ở đầu ra khối CPRG cũng tương tự như chuỗi phía phát. Tại khối tách trễ, chuỗi xung phát lại này sẽ được so sánh với chuỗi xung nhận được để xác định lại thời gian trễ - F( )/K. Sử dụng thời gian trễ này, trước hết giá trị trung gian được xác định bởi :

= ( - F( )/K)/m

Sau đó bit dữ liệu được khơi phục bằng quyết định phần cứng như sau :

Cơng thức này chỉ ra rằng, phía giải điều chế cần xác định hai khoảng cách xung đứng liên tiếp là để có thể đạt lại được trạng thái đồng bộ và khô phục đúng dữ liệu. Giá trị của các thông số K, m và F(.) đóng vai trị như khóa bảo mật. Rất khó cho các truy cập trái phép có thể giải mã đúng dữ liệu nếu khơng có thơng tin đầy đủ về sơ đồ điều chế cũng như khóa bảo mật này Do đó phương pháp CPPM cải thiện được tính bảo mật so với các phương pháp điều chế hỗn loạn không liên kết và cao hơn nhiều so với phương pháp PPM truyền thống.

2.3 Kết luận chương 2

Trong chương này giới thiệu về nguyên lý chung và mơ hình điều chế và giải điều chế. Qua đó ta thấy được ưu và nhược điểm của các phương pháp này để có thể áp dụng vào hệ thống thông tin băng rộng một cách phù hợp. Đặc biệt là đi sâu vào tìm hiểu về điều chế vị trí xung hỗn loạn với những tính năng bảo mật nổi trội. Từ đó đưa vào nghiên cứu trong hệ thống thông tin băng rộng.

CHƯƠNG 3

H THỐNG THÔNG TIN BĂNG RỘNG

NG DNG K THUT HN LON 3.1 Sơ đồ h thống thông tin băng rộng s dng k thut hn lon

3.1.1 Gii thiu:

Ý tưởng của hệ thống thông tin sử dụng trực tiếp sóng mang hỗn loạn (Direct Chaotic Communications – DCC) là sử dụng sóng mang hỗn loạn để điều chế, đưa

thông tin trực tiếp lên dải tần có bước sóng cực ngắn (microwawe). Thơng tin được ánh xạ vào sóng mang bằng một sốphương pháp điều chếnhư điều chế tham số bộ dao động (chaos source parameter modulate) hay điều chế sóng mang sau bộ dao

động. Tại máy thu, thôn tin được khôi phục trực tiếp từ tín hiệu thu được mà khơng cần bộ tạo phác trung gian.

Một khái niệm quan trọng của DDC đó là xung hỗn loạn (chaotic pulse), đó

là những mẫu tín hiệu có độ rộng lớn hơn xung hỗn loạn. Dải tần của xung hỗn loạn phụ thuộc vào dải tần của tín hiệu hỗn loạn ban đầu và độ rộng của bit thông tin.

Đây là điểm khác so với các xung điều chế truyền thống sử dụng sóng mang sin. Trong phần này sẽ trình bày khái quát về dạng tín hiệu của xung hỗn loạn, phương pháp điều chế, kiến trúc máy thu và hiệu suất của hệ thống.

3.1.2 Mơ hình ca h thng DCC

Hinh 3.1. Mơ hình của hệ thống băng rộng sử dụng kỹ thuật hỗn loạn

3.2 Các bộ tạo dao động hỗn loạn

Trong thực tế có rất nhiều hệ thống có thể hiện tính chất hỗn loạn, tuy nhiên chúng ta có thể phân chia thành 2 loại : Loại liên tục về mặt thời gian và gián đoạn về mặt thời gian. Loại liên tục về thời gian thường được biểu diễn dưới dạng hệ phương trình vi phân, trong khi đó dạng rời rạc thời gian thường được biểu dưới dạng iterated maps. Phần này sẽ giới thiệu một số hệ hỗn loạn thuộc loại liên tục

3.2.2 H Lorenz

Hệ Lorenz là một trong những hệ hỗn loạn phổ biến và được nghiên cứu nhiều nhất trong lĩnh vực hỗn loạn. Hệ phương trình Lorenz được nhà khoa học

Nguồn dao động hỗn loạn Điều chế Lọc và khuếch đại Thông tin Nguồn dao động hỗn loạn Lọc và khuếch đại Thông tin Xung hỗn loạn Xung hỗn loạn (b) (a) Giải điều chế Khuếch tại LNA Lọc

đối lưu trong khơng khí. Do vậy, hệ lorenz có ý nghĩa quan trọng trong việc dự báo thời tiết và khí hậu.

Hình 3.2. Một mạch điện của hệ Lorenz

Hệ lorenz là một hệ phi tuyến, ba chiều và xác định trước. Mặc dù đã phát

hiện tính hỗn loạn của hệ Lorenz từ lâu, đến năm 2001 Warwick Tucker đã chứng

minh được về mặt kỹ thuật rằng với một số tập các thông số nhất định, hệ thống thể

hiện tính hỗn loạn được gọi là vùng hút lạ.

Trong lĩnh vực Viễn Thông, hệLorenz cũng được thể hiện trên mạch từ cuối

năm 1980 và đầu những năm 1990 với những linh kiện đơn giản như bộ khuếch đại thuật tốn, điện trở, tụđiện…

Hệphương trình đặc trưng của hệLorenz như sau :

(3.1)

Với , là các tham số

Hình 1 là các kết quả khi khảo sát một hệ hỗn loạn Lorenz với các tham số = 10, = 28, = 2.66666666

Hình 3.3. Tính chất hỗn loạn của hệ lorenz

a, 3D attractor ; b, 2D attractor ; c, Tín hiệu miền thời gian

3.2.3 H Chua

Mạch chua là một mạch điện đơn giản có thể thể hiện tính chất hỗn loạn. Nó

được đưa ra đầu tiên vào năm 1983 bởi Leone O.Chua, khi ông đến làm việc tại đại học Waseda ở Nhật bản. Do đây là một mạch rất dễ xây dựng nên nó có thể được gặp rất nhiều ví dụ thực tế của hệ thống hỗn loạn.

Hình 3.4. Một phiên bản của mạch chua

Mạch này bao gồm một số linh kiện đơn giản như: Điện trở, Tụđiện, Cuộn cảm và một Diode chua đóng vai trị là phần tử phi tuyến. Dạng chung của hệ phương trình vi phân đặc trưng biểu diễn hệChua như sau :

(3.2)

Với , là các tham số, flà hàm phi tuyến. Hình 3.5 là các vùng hút dưới dạng ba chiều, hai chiều và dạng tín hiệu thời gian của mạch Chua

Hình 3.5. Tính chất hỗn loạn của hệ Chua

a) 3D attractor, b) 2D attrator c) Tín hiệu trong miền thời gian

3.2.4 H Rossler

HệRossler được O.E Rossler giới thiệu vào năm 1976, Hệ Rossler có biểu thức :

Hình dưới đây là của một hệRossler đưa ra có tham số a = 0.343, b = 1.82, c = 9.75

Hình 3.6. Tính chất hỗn loạn của hệ Rossler

a) 3D attractor, b) 2D attrator c) Tín hiệu trong miền thời gian

3.2.4 H Duffing :

Hệ Duffing hay còn gọi là bộdao động Duffing – Holmes là một hệ hỗn loạn bậc hai có biểu thức vi phân có dạng : . 3 .. sin t a x x x b x+ − + = ϖ (3.4) Hoặc (3.5) Với F(x) = X – X3 Với b,a, là các hệ số

Hình Là vùng hút (attractor) hai chiều của hệ Duffing được biểu diễn bởi hệ :

    + − = = 3 ' 05 . 0 ) cos( 5 . 7 ) ( ' ) ( x y t t y y t x (3.6)

Hình 3.7. Đồ thị pha và tín hiệu miền thời gian của hệ Duffing

3.2.5 B tạo dao động hn lon Colpitts 3.2.5.1 Gii thiu : 3.2.5.1 Gii thiu :

Được đặt theo tên của nhà khoa học phát minh ra nó Edwin H. Colpitts, mạch dao động Colpitts là tên chung cho các mạch dao động sử dụng các cuộn cảm (L) và tụđiện (C) đểđịnh tần sốdao động, do vậy nó cịn có tên là bộdao động LC. Mạch Colpitts thường cấu tạo khá đơn giản nhưng hoạt động rất tốt nên nó được sử

dụng khá rộng rãi trong lĩnh vực điện, điện tử.

Đến năm 1995 Kenedy đã đưa ra một bài báo về việc xuất hiện dao động hỗn loạn trong mạch Colpitts. Trong nghiên cứu của mình, ơng thực hiện mơ phỏng

bằng phần mềm SPICE và những thí nghiệm thực tế của một mạch Colpitts với sơ đồ nguyên lý của mạch Colpitts này như sau :

Hình 3.8. Sơ đồ nguyên lý mạch Colpitts

Transitor dùng trong thí nghiệm này là loại 2N2222. Các kết quả cho thấy, với một số giá trị của các linh kiện mạch này thể hiện tính dao động hỗn loạn và có thểđược mơ hình hóa thành hệphương trình vi phân bậc 3.

Mạch tạo dao động hỗn loạn Colpitts ngay sau đó trở thành một mạch được nghiên cứu bởi rất nhiều nhà khoa học khác trên thế giới. Nhiều phiên bản cũng như

các khía cạnh về tính chất, ứng dụng… của mạch Colpitts đã được phát hiện. Đặc biệt người ta thấy rằng mặc dù cấu tạo đơn giản, nhưng khi sử dụng một số loại transistor có tần số ngưỡng cao, mạch Colpitts có thể tạo dao động ở siêu cao tần. Do tính chất này, khi nghiên cứu về hiện tượng hỗn loạn ở tần sốcao người ta hầu

như chỉ sử dụng mạch Colpitts và các biến thể của nó.

3.2.5.2 Các phiên bn ca mch Colpitts hn lon :

Các mạch dao động hỗn loạn họ Colpitts gồm có 3 loại chính : Mạch Colpitts chuẩn (1), Mạch Colpitts cải tiến (2) và mạch Colpittts hai tầng (3). Một số các kết quả này có thểđược khái quát như sau :

Bảng 3.1 Một số nghiên cứu về mạch Colpitts

Loi Tác gi Transistor Tn sngưỡng (fT) Tn scơ bản (f*) 1 Kenedy 2N2222 250KHz 23MHz Kenedy 2N3904 300MHz 26MHz Mykolaitis AT41486 3GHz 500MHz Tamasevieius BFG520 9GHz 9GHz Shi Zhiguo BFG425 25GHz 1.6GHz 2 Tamasevieius BFG520 9GHz 2GHz 3 Mykolaitis BFG520 9GHz 3GHz

Trong đó mạch Colpitts hỗn loạn thường có bậc 3 nhưng mạch Colpitts cải tiến và mạch Colpitts hai tầng có bậc 4. (Hệ phương trình đặc trưng gồm có 4 biến

ứng với 4 phương trình vi phân).

Hình 3.9. Mạch Colpitts, mạch Colpitts cải tiến và mạch Colpitts hai tầng

3.2.5.3 Tính cht hn lon trong bdao động Colpitts

• Lý thuyết chung

Xét một mạch dao động hỗn loạn Colpitts có sơ đồnhư hình vẽ 3.8 và 3.9, nó bao gồm một BJT và một số thành phần điện cảm (L) và tụđiện (C1, C2). Mạch

dao động Colpitts có thể mơ hình hóa bằng một phần khuyếch đại với hệ số A và phần phản hồi với hệ số . Theo tiêu chí Barkhausen thì mạch này dao động khi

Hình 3.10 Hệ thống phản hồi thơng thường

Ta thầy đây là mạch mắc chung B nên Transistor có thể mơ hình hóa lại như

sau :

Tính chất của điện trở phi tuyến RE được xấp xỉ bởi một hàm mũ :

IE = f(VBE) = exp( ) (3.7)

Ỏđây, Is là dòng bão hòa của phân cực B-E cỡ 10-15 A và Vt cỡ khoảng 27mV ở nhiệt độ phòng. = -

f là dòng điện khi ngắn mạch phân cực C-B (cở 0.99) Phương trình trạng thái của mạch Colpitts như sau

(3.8)

Hệ trên nhận một điểm cân bằng duy nhất E = ( , , ) trong không gian, trạng thái xác định bởi các biểu thức :

(3.9)

Ở đây, cũng được gọi là điện áp ngưỡng ( ) của lớp tiếp giáp B-E. Do vậy chúng ta có thể phân biệt hai mơ hình hoạt động của bộ giao động Colpitts dựa trên trạng thái của transistor. Khi > thì transistor dẫn dòng ( >0) và transistor hoạt động ở phân cực thuận. Ngược lại, khi < thì transistor tắt (Dịng = 0)

Bằng phép di chuyển gốc của không gian trạng thái về điểm cân bằng E va chuẩn hóa các biến trạng thái và thời gian, chúng ta có thểđưa ra một dạng biến vô

hướng mới

(3.10)

Ở đây, thời gian đã được chuẩn hóa theo Omega, tần số cộng hưởng của mạch phụ thuộc vào cuộn cảm và các tụđiện.

Với phép biến đổi này phương trình trạng thái của mạch dao động Colpitts

được viết dưới dạng :

(3.11)

Để việc phân tích đơn giản hơn, chúng ta lý tưởng hóa mơ hình mạch và loại bớt một số tham số. Cụ thể chúng ta xem dòng phân cự là lý tưởng, (

0) và giả sử = 1 hay bỏ qua dịng base của trasistor. Khi đó hệ có thể được viêt dưới dạng

(3.12)

Tính chất của hệ này chị phụ thuộc vào Q và g*, k là tham số tỉ lệ • S phân nhánh

Để xét tính chất hỗn loạn của mạch, chúng ta sẽ sử dụng đến Bifurcation của hệ. Ở trên đồ thị phân nhánh chúng ta sẽ làm việc trực tiếp với các tham số của mạch là và R do vậy quan hệ giữa , R và Q, g* sẽ được xác định bởi biểu thức tương đương :

(3.13)

Bằng cách phân tích mơ hình tốn học lý tưởng…….. ta có biểu đồ phân

Hình 3.11 Biểu đồ phân nhánh của mạch Colpitts theo R và dòng I0

- Vùng ứng với các tham số ở dưới đường chéo là vùng yên ‘’lặng’’ mạch

không dao động.

- Vùng tiếp theo là khu vực ứng với dao động điều hòa hay dao động gần

như dạng sin.

- Vùng có màu đậm hơn, vùng hệ thống thể hiện giả điều hòa bậc n và vùng Sn thể hiện tính hỗn loạn.

- Vùng Cn đồng tồn tại của dao động điều hòa với một hoặc nhiều attractor thuộc về các họ khác nhau.

Mơ phỏng số học

Phương trình trạng thái của các biến dịng điện , điện áp trên các tụ và là :

Để đơn giản hóa ta sẽ làm tròn = và hàm phi tuyến có thể được xấp xỉ hóa bởi hai đoạn tuyến tính :

(3.15)

Ởđây, r là điện trở của lớp tiếp giáp EB khi có tín hiệu và U* là điện áp đánh

thủng (U* = 0,7V)

Bởi phép đổi biến x= , y = , z = , t= , = , = , =

= , b = , c = , d = Ta có dạng vơ hướng của hệ (3.14)

(3.16)

Sử dụng ODE45 của matlab để giải hệ (3.16) với bộ tham số a= 15.5 b=0,67 ; d= 0.96, = 1 ta tìm được vùng hút (attractor) ba chiều, và dạng của tín hiệu ở miền

Hình 3.12. Kết quả mơ phỏng đồ thị vùng hút 3 chiều của mạch Colpitts

3.2.6 Bộ tạo dao động hỗn loạn Colpitts cải tiến : 3.2.6.1 Giới thiệu 3.2.6.1 Giới thiệu

Từ các nghiên cứu khảo sát phần trước, chúng ta thấy rằng bộ tạo giao động hỗn loạn Colpitts là mạch chủ yếu nghiên cứu, tuy nhiên các kết quả cũng cho thấy rằng tần số dao động cơ bản f* phụ thuộc vào tần số ngưỡng của transistor. Thường thì f* 0.1. do đó hiệu quả của bộ dao động Colpitts là không cao. Bộ

tạo dao động dạng hai tầng và cải tiến có thể cải thiện được vấn đề này. Trong đó bộ dao động hai tầng có thể cho f* 0.3. , tuy nhiên cấu tạo mạch hai tầng làm cho mạch tương đối phức tạp. Vào năm 2004 Tamaševičius đã đưa ra bộ dao động Colpitts cải tiến với nguyên lý mạch khá đơn giản, gần giống mạch dao động Colpitts nhưng nó lại có thể tạo được dao động f* 0.2. . Do vậy, ở đây chúng ta chọn mạch hỗn loạn Colpitts cải tiến.

Hình 3.14 Sơ đồ nguyên lý của mạch Colpitts chuẩn (a) và Colpitts cải tiến (b)

Điểm khác biệt giữa 2 mạch này là cuộn dây L được chuyển từ Collector và Base. Thêm vào đó một điện trở Rb cũng được mắc thêm vào Base.Tác dụng chính của việc này là làm giảm ảnh hưởng của tụ điện ở tần số cao. Thực tế, tụ ở mạch Colpitts chuẩn nối Collector với đất và nó đóng vai trị như tụ ký sinh phá hủy

Một phần của tài liệu Nghiên cứu hệ thống thông tin vô tuyến băng rộng ứng dụng kỹ thuật hỗn loạn (Trang 30)

Tải bản đầy đủ (PDF)

(87 trang)